JPH027461A - 集積回路保護用回路装置 - Google Patents
集積回路保護用回路装置Info
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- JPH027461A JPH027461A JP1032531A JP3253189A JPH027461A JP H027461 A JPH027461 A JP H027461A JP 1032531 A JP1032531 A JP 1032531A JP 3253189 A JP3253189 A JP 3253189A JP H027461 A JPH027461 A JP H027461A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08126—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transitor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
- H01L27/0821—Combination of lateral and vertical transistors only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は集積回路の保護のための回路装置に関するも
のである。
のである。
集積回路の出力端に、たとえば誘導性負荷による作動の
際のように集積回路の供給電圧範囲を越えた電圧が現れ
ると、内部の寄生的回路構造が能動化される。たとえば
Ｐドープされた基板と複数個のｎドープされた凹部との
間にｐｎ接合が形成され、これらのｐｎ接合が作動の際
に流れ方向に寄生的なダイオードおよびトランジスタ構
造を生ずる。その際に各ｎドープされた凹部から電流が
取り出され、このことは特定の場合に個々の回路構造の
機能障害および集積回路の損傷に通ずる。
際のように集積回路の供給電圧範囲を越えた電圧が現れ
ると、内部の寄生的回路構造が能動化される。たとえば
Ｐドープされた基板と複数個のｎドープされた凹部との
間にｐｎ接合が形成され、これらのｐｎ接合が作動の際
に流れ方向に寄生的なダイオードおよびトランジスタ構
造を生ずる。その際に各ｎドープされた凹部から電流が
取り出され、このことは特定の場合に個々の回路構造の
機能障害および集積回路の損傷に通ずる。
集積回路の出力端をフリーホイーリングダイオードによ
り許容し得ない電圧に対して保護することは知られてい
る。そのためには一般にダイオードが阻止方向に再供給
電圧から出発して集積回路の出力端へ導かれる。現れる
基板電流を制限するためには、１つの抵抗を出力端と負
荷との間に接続すること、またはフリーホイーリングダ
イオードをショットキダイオードとして構成することが
必要である。さらに、１つの出力端を適当な降伏電圧を
有する逆方向に接続された２つのツェナーダイオードに
より保護することも可能である。しかし、前記の場合に
は特に追加の外部回路費用を必要とすることが欠点であ
る。フリーホイーリングダイオードの集積は、それと結
び付く別の寄生的回路構造の形成に基づいて有用性が少
ない。
り許容し得ない電圧に対して保護することは知られてい
る。そのためには一般にダイオードが阻止方向に再供給
電圧から出発して集積回路の出力端へ導かれる。現れる
基板電流を制限するためには、１つの抵抗を出力端と負
荷との間に接続すること、またはフリーホイーリングダ
イオードをショットキダイオードとして構成することが
必要である。さらに、１つの出力端を適当な降伏電圧を
有する逆方向に接続された２つのツェナーダイオードに
より保護することも可能である。しかし、前記の場合に
は特に追加の外部回路費用を必要とすることが欠点であ
る。フリーホイーリングダイオードの集積は、それと結
び付く別の寄生的回路構造の形成に基づいて有用性が少
ない。
たとえばトーマス、エム、フレデリクセン（Ｔｈｏｍｅ
ｓ Ｍ、 Ｆｒｅｄｅｒｉｋｓｅｎ）“集積演算増幅器
の使用の際の困難およびその除去（Ｓｃｈｗｉｅｒｔｇ
ｋｅｔｔｅｎ ｕｎｄｌｈｒｅ Ｂｅｈｅｂｕｎｇ ｂ
ａｉｔ Ａｎｗｅｎｄｅｎ ｉｎｔｅｇｒｉｅｒｔｅ
ｒ ＯｐｅｒａｔｉｏｎｓｖｅｒｓｔＭｒｋｅｒ） ”
、エレクトロ二カー（Ｅｌｅｋｔｒｏｎｉｋｅｒ）、
第６号、１９８６年、第４３頁以降から公知のように、
この寄生的要素は演算増幅器の回路の設計の際に利用さ
れ得る。この場合には寄生的要素が意図的にスイッチオ
ンされ、また回路がそれに応じて設計されている。それ
に対して誤作動が、その存在が期待されていない寄生的
要素をスイッチオンし得る。この場合、回路の損傷に通
ずる注目すべき過程が生じ得る。
ｓ Ｍ、 Ｆｒｅｄｅｒｉｋｓｅｎ）“集積演算増幅器
の使用の際の困難およびその除去（Ｓｃｈｗｉｅｒｔｇ
ｋｅｔｔｅｎ ｕｎｄｌｈｒｅ Ｂｅｈｅｂｕｎｇ ｂ
ａｉｔ Ａｎｗｅｎｄｅｎ ｉｎｔｅｇｒｉｅｒｔｅ
ｒ ＯｐｅｒａｔｉｏｎｓｖｅｒｓｔＭｒｋｅｒ） ”
、エレクトロ二カー（Ｅｌｅｋｔｒｏｎｉｋｅｒ）、
第６号、１９８６年、第４３頁以降から公知のように、
この寄生的要素は演算増幅器の回路の設計の際に利用さ
れ得る。この場合には寄生的要素が意図的にスイッチオ
ンされ、また回路がそれに応じて設計されている。それ
に対して誤作動が、その存在が期待されていない寄生的
要素をスイッチオンし得る。この場合、回路の損傷に通
ずる注目すべき過程が生じ得る。
本発明の課題は、集積回路の出力端に現れる、供給電圧
範囲を越えた電圧から４Ａ積回路を保護する際に、特に
外部回路費用を低減し、また不可避の寄生的回路構造が
集積回路の機能を阻害する影響を軽減することである。
範囲を越えた電圧から４Ａ積回路を保護する際に、特に
外部回路費用を低減し、また不可避の寄生的回路構造が
集積回路の機能を阻害する影響を軽減することである。
この課題は、冒頭に記載した種類の回路装置において、
１つの出力端に与えられ、集積回路の供給電圧範囲を超
過する電圧による損傷から集積回路を保護するための回
路装置において、集積回路の所与の数の寄生的回路構造
が、追加的に組み入れられた回路構造と結び付いて１つ
の保護回路にまとめられ、これらが出力端における電圧
により能動化されて保護作用を行うことにより解決され
・る。
１つの出力端に与えられ、集積回路の供給電圧範囲を超
過する電圧による損傷から集積回路を保護するための回
路装置において、集積回路の所与の数の寄生的回路構造
が、追加的に組み入れられた回路構造と結び付いて１つ
の保護回路にまとめられ、これらが出力端における電圧
により能動化されて保護作用を行うことにより解決され
・る。
本発明の実施例は請求項２以下にあげられている。
本発明により得られる利点は、外部保護対策およびそれ
と結び付く外部回路費用が省略されることである。不可
避の寄生的回路構造が集積回路の機能を阻害する影響は
、これらが保護対策の別の要素としての追加的に組み入
れられた回路構造と一緒に組み入れられるので、最小に
保たれる。
と結び付く外部回路費用が省略されることである。不可
避の寄生的回路構造が集積回路の機能を阻害する影響は
、これらが保護対策の別の要素としての追加的に組み入
れられた回路構造と一緒に組み入れられるので、最小に
保たれる。
以下、図面に示されている実施例により本発明を一層詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図には集積回路において通常の出力段が原理図によ
り示されている。出力段は主として２つのｎｐｎ）ラン
ジスタ構造ＴＩおよびＴ２から成る重相補性のプッシュ
プル終段により形成されており、その際に１つのトラン
ジスタ構造Ｔ２はそのコレクタを介して１つの正の動作
電位Ｕと接続されており、また１つのトランジスタ構造
Ｔｌはそのエミッタを介して１つの負の動作電位、この
場合には接地電位と接続されている。トランジスタ構造
Ｔ２のベースは一方では正の動作電位を基準とする１つ
の電流源Ｑにより給電され、また他方ではエミッタ接続
で作動するｎｐｎ トランジスタ構造Ｔ３により接地点
に導かれている。トランジスタ構造Ｔ１のベースおよび
トランジスタ構造Ｔ３のベースはそれぞれ、いまの場合
には関心の対象でない別の回路部分と接続されている。
り示されている。出力段は主として２つのｎｐｎ）ラン
ジスタ構造ＴＩおよびＴ２から成る重相補性のプッシュ
プル終段により形成されており、その際に１つのトラン
ジスタ構造Ｔ２はそのコレクタを介して１つの正の動作
電位Ｕと接続されており、また１つのトランジスタ構造
Ｔｌはそのエミッタを介して１つの負の動作電位、この
場合には接地電位と接続されている。トランジスタ構造
Ｔ２のベースは一方では正の動作電位を基準とする１つ
の電流源Ｑにより給電され、また他方ではエミッタ接続
で作動するｎｐｎ トランジスタ構造Ｔ３により接地点
に導かれている。トランジスタ構造Ｔ１のベースおよび
トランジスタ構造Ｔ３のベースはそれぞれ、いまの場合
には関心の対象でない別の回路部分と接続されている。
これらの意図された上記の回路構造とならんで、最初に
意図されない寄生的な回路構造も生ずる０区別を容易に
するため、図面中に意図された構造は実線で、また寄生
的な構造は破線で示されている。
意図されない寄生的な回路構造も生ずる０区別を容易に
するため、図面中に意図された構造は実線で、また寄生
的な構造は破線で示されている。
エミッタで接地点に接続されているトランジスタ構造Ｔ
ＩおよびＴ３ば主としてそれぞれ、基板とコレクタとの
間に生ずる１つの寄生的回路構造として、オーム抵抗Ｒ
Ｐ１、ＲＰ２および阻止方向に接続されているダイオー
ドＤＰ１、ＤＰ２から成る寄生的回路構造を有する。ト
ランジスタ構造Ｔ１およびＴ２の接続により形成される
１つの出力端Ａと接地点との間に接続されておりダイオ
ードＤＰＬおよび抵抗ＲＰＩを有する寄生的構造から、
１つの追加的なｎドープされた凹部の組み込みにより１
つの寄生的なトランジスタ構造ＴＰＩが形成され、その
ベースは接地点に、またそのエミッタは出力端Ａの電位
に接続されている。寄生的なトランジスタ構造ＴＰＩの
コレクタはトランジスタ構造Ｔ２のベースと接続されて
いる。
ＩおよびＴ３ば主としてそれぞれ、基板とコレクタとの
間に生ずる１つの寄生的回路構造として、オーム抵抗Ｒ
Ｐ１、ＲＰ２および阻止方向に接続されているダイオー
ドＤＰ１、ＤＰ２から成る寄生的回路構造を有する。ト
ランジスタ構造Ｔ１およびＴ２の接続により形成される
１つの出力端Ａと接地点との間に接続されておりダイオ
ードＤＰＬおよび抵抗ＲＰＩを有する寄生的構造から、
１つの追加的なｎドープされた凹部の組み込みにより１
つの寄生的なトランジスタ構造ＴＰＩが形成され、その
ベースは接地点に、またそのエミッタは出力端Ａの電位
に接続されている。寄生的なトランジスタ構造ＴＰＩの
コレクタはトランジスタ構造Ｔ２のベースと接続されて
いる。
第２図には、第１図の実施例から出発し、ただしそれに
くらべてダーリントン回路として構成された終段に対す
る制御段が追加されている実施例が示されている。加え
て、トランジスタ構造Ｔ２のベース線は分離されており
、またトランジスタ構造Ｔ５が、そのエミッタでベース
と、またそのコレクタでトランジスタ構造Ｔ２のコレク
タと接続されているように挿入されている。トランジス
タ構造Ｔ５のベースは、前記のトランジスタ構造Ｔ２の
ベースと同じく、トランジスタ構造Ｔ３および電流源Ｑ
と接続されている。従って、トランジスタ構造Ｔ５のエ
ミッタはトランジスタ構造Ｔ４のコレクタと接続されて
おり、そのベース・エミッタ間バスはトランジスタ構造
Ｔ３のペースエミッタ間バスに対して並列に接続されて
いる。
くらべてダーリントン回路として構成された終段に対す
る制御段が追加されている実施例が示されている。加え
て、トランジスタ構造Ｔ２のベース線は分離されており
、またトランジスタ構造Ｔ５が、そのエミッタでベース
と、またそのコレクタでトランジスタ構造Ｔ２のコレク
タと接続されているように挿入されている。トランジス
タ構造Ｔ５のベースは、前記のトランジスタ構造Ｔ２の
ベースと同じく、トランジスタ構造Ｔ３および電流源Ｑ
と接続されている。従って、トランジスタ構造Ｔ５のエ
ミッタはトランジスタ構造Ｔ４のコレクタと接続されて
おり、そのベース・エミッタ間バスはトランジスタ構造
Ｔ３のペースエミッタ間バスに対して並列に接続されて
いる。
追加的な寄生的な回路構造として接地点とトランジスタ
構造Ｔ４のコレクタとの間の１つの抵抗ダイオード構造
ＲＰ３、ＤＰ３と、１つの追加的なｎドープされた凹部
の組み込みによりダイオード構造ＤＰＩから出発する１
つのトランジスタ構造ＴＰ２が生じており、そのコレク
タはトランジスタ構造Ｔ３のコレクタに接続されている
。
構造Ｔ４のコレクタとの間の１つの抵抗ダイオード構造
ＲＰ３、ＤＰ３と、１つの追加的なｎドープされた凹部
の組み込みによりダイオード構造ＤＰＩから出発する１
つのトランジスタ構造ＴＰ２が生じており、そのコレク
タはトランジスタ構造Ｔ３のコレクタに接続されている
。
第３図には、第１図に示されている実施例を変形したも
のとして、電流１ＩＩＱがｐｎｐ ）ランジスタ構造Ｔ
６により置換されている実施例が示されている。トラン
ジスタ構造Ｔ６はそのエミッタで正の動作電位Ｕに、ま
たそのコレクタでトランジスタ構造Ｔ３のベースと接続
されている。別のｐｎｐｌ−ランジスタ構造Ｔ７のコレ
クターエミッタ間バスを介してトランジスタ構造Ｔ６の
ベースは正の動作電位に接続されている。トランジスタ
構造Ｔ７のベースは分圧器Ｒ１、Ｒ２の引き出し点と接
続され、この分圧器Ｒ１、Ｒ２は抵抗Ｒ１を介して正の
動作電位Ｕと、また抵抗Ｒ２を介して寄生的トランジス
タ構造ＴＰ４のコレクタと接続されている。これは再び
追加的なｎドープされた凹部の組み込みによりダイオー
ド構造ＤＰＩから出発し、このダイオード構造はさらに
トランジスタ構造Ｔ６のベースとして機能する１つのｎ
ドープされた凹部と交互作用し、またそれによって寄生
的トランジスタ構造ＴＰ３を形成する。
のとして、電流１ＩＩＱがｐｎｐ ）ランジスタ構造Ｔ
６により置換されている実施例が示されている。トラン
ジスタ構造Ｔ６はそのエミッタで正の動作電位Ｕに、ま
たそのコレクタでトランジスタ構造Ｔ３のベースと接続
されている。別のｐｎｐｌ−ランジスタ構造Ｔ７のコレ
クターエミッタ間バスを介してトランジスタ構造Ｔ６の
ベースは正の動作電位に接続されている。トランジスタ
構造Ｔ７のベースは分圧器Ｒ１、Ｒ２の引き出し点と接
続され、この分圧器Ｒ１、Ｒ２は抵抗Ｒ１を介して正の
動作電位Ｕと、また抵抗Ｒ２を介して寄生的トランジス
タ構造ＴＰ４のコレクタと接続されている。これは再び
追加的なｎドープされた凹部の組み込みによりダイオー
ド構造ＤＰＩから出発し、このダイオード構造はさらに
トランジスタ構造Ｔ６のベースとして機能する１つのｎ
ドープされた凹部と交互作用し、またそれによって寄生
的トランジスタ構造ＴＰ３を形成する。
図面に示されている回路装置の原理的構成を説明してき
たので、以下ではこの回路装置の動作を説明する。
たので、以下ではこの回路装置の動作を説明する。
たとえば誘導性負荷のスイッチオフにより出力端Ａに接
地点を基準にして負の１つの電位が生ずる。それにより
、トランジスタ構造Ｔ１から出発する寄生的なダイオー
ド−抵抗構造ＤＰ１、ＲＰｌおよびトランジスタ構造Ｔ
３から出発する寄生的なダイオード−抵抗構造ＤＰ２、
ＲＰ２が能動化される。しかし、それによってトランジ
スタ構造Ｔ２はベースで寄生的なダイオード−抵抗構造
ＤＰ２、ＲＰ２を介して接地点と、またエミッタで接地
点に対して負の１つの電位と接続されており、このこと
はトランジスタ構造Ｔ２の導通制御に通ずる。許容し得
るベース・エミッタ間電圧または許容し得るエミッター
コレクタ間電流の超過はトランジスタ構造Ｔ２に対して
はその際に排除されていない、１つまたは複数個のｎド
ープされた凹部の組み込みにより寄生的なダイオード構
造ＤＰＩと結び付いて寄生的なトランジスタ構造ＴＰ１
、ＴＰ２、ＴＰ４が生ずる。これらは、いずれにせよ既
に部分的に存在しており、また誤機能の際に初めて能動
化されるので、本発明の実施例において危険な回路部分
を保護するための制御要素として有利に用いられ得る。
地点を基準にして負の１つの電位が生ずる。それにより
、トランジスタ構造Ｔ１から出発する寄生的なダイオー
ド−抵抗構造ＤＰ１、ＲＰｌおよびトランジスタ構造Ｔ
３から出発する寄生的なダイオード−抵抗構造ＤＰ２、
ＲＰ２が能動化される。しかし、それによってトランジ
スタ構造Ｔ２はベースで寄生的なダイオード−抵抗構造
ＤＰ２、ＲＰ２を介して接地点と、またエミッタで接地
点に対して負の１つの電位と接続されており、このこと
はトランジスタ構造Ｔ２の導通制御に通ずる。許容し得
るベース・エミッタ間電圧または許容し得るエミッター
コレクタ間電流の超過はトランジスタ構造Ｔ２に対して
はその際に排除されていない、１つまたは複数個のｎド
ープされた凹部の組み込みにより寄生的なダイオード構
造ＤＰＩと結び付いて寄生的なトランジスタ構造ＴＰ１
、ＴＰ２、ＴＰ４が生ずる。これらは、いずれにせよ既
に部分的に存在しており、また誤機能の際に初めて能動
化されるので、本発明の実施例において危険な回路部分
を保護するための制御要素として有利に用いられ得る。
その際に横方向の寄生トランジスタ構造は特に有利であ
る。なぜならば、横方向のトランジスタ構造は他の構造
にくらべて降伏電圧が高く、キャパシタンスが小さく、
また占有面積が小さいからである。寄生的なトランジス
タ構造の簡単で、従ってまた有利な応用は、１つの所与
のトランジスタ構造Ｔ２のベース・エミッタ間バスを請
求項４の特徴部分に従って短絡することにある。寄生的
なトランジスタ構造ＴＰ１のベースは接地点に、またエ
ミッタは出力電位に接続されているので、出力端におけ
る１つの負の電位の際にはトランジスタが導通制御され
、またトランジスタ構造Ｔ２は阻止する。
る。なぜならば、横方向のトランジスタ構造は他の構造
にくらべて降伏電圧が高く、キャパシタンスが小さく、
また占有面積が小さいからである。寄生的なトランジス
タ構造の簡単で、従ってまた有利な応用は、１つの所与
のトランジスタ構造Ｔ２のベース・エミッタ間バスを請
求項４の特徴部分に従って短絡することにある。寄生的
なトランジスタ構造ＴＰ１のベースは接地点に、またエ
ミッタは出力電位に接続されているので、出力端におけ
る１つの負の電位の際にはトランジスタが導通制御され
、またトランジスタ構造Ｔ２は阻止する。
同じ仕方で、トランジスタ構造Ｔ５およびＴ２から成る
第２図中に示されているダーリントントランジスタが寄
生的トランジスタ構造ＴＰ２によりベースとエミッタと
の間を短絡される。
第２図中に示されているダーリントントランジスタが寄
生的トランジスタ構造ＴＰ２によりベースとエミッタと
の間を短絡される。
第３図中に示されているようにトランジスタ構造Ｔ２お
よびＴ６から成る１つの相補性ダーリントントランジス
タの場合には、本発明の実施例において１つの寄生的ト
ランジスタ構造ＴＰ４を１つの補助回路の駆動のために
使用するのが有利である。出力端Ａに負の電位が与えら
れている際に寄生的トランジスタ構造ＴＰ３は開き、そ
れによりトランジスタ構造Ｔ６のベース領域から電流が
取り出される。トランジスタ構造Ｔ６の導通制御を回避
するため、そのベースとそのエミッタとの間に、寄生的
トランジスタ構造ＴＰ４による導通制御の際にトランジ
スタ構造Ｔ６のベース・エミッタ間バスを短絡する１つ
の追加的なトランジスタ構造Ｔ７がセットされる。抵抗
Ｒ１はその際に障害耐性を高める役割をし、また抵抗Ｒ
２は電流制限の役割をする。
よびＴ６から成る１つの相補性ダーリントントランジス
タの場合には、本発明の実施例において１つの寄生的ト
ランジスタ構造ＴＰ４を１つの補助回路の駆動のために
使用するのが有利である。出力端Ａに負の電位が与えら
れている際に寄生的トランジスタ構造ＴＰ３は開き、そ
れによりトランジスタ構造Ｔ６のベース領域から電流が
取り出される。トランジスタ構造Ｔ６の導通制御を回避
するため、そのベースとそのエミッタとの間に、寄生的
トランジスタ構造ＴＰ４による導通制御の際にトランジ
スタ構造Ｔ６のベース・エミッタ間バスを短絡する１つ
の追加的なトランジスタ構造Ｔ７がセットされる。抵抗
Ｒ１はその際に障害耐性を高める役割をし、また抵抗Ｒ
２は電流制限の役割をする。
最後になお言及すべきこととして、請求項６ないし８の
特徴部分により追加的ダイオード構造を１つの所与の回
路構造のなかに、特に高いフリーホイーリング電流の際
に保護作用を高める意味で集積することは有利である。
特徴部分により追加的ダイオード構造を１つの所与の回
路構造のなかに、特に高いフリーホイーリング電流の際
に保護作用を高める意味で集積することは有利である。
その際に生ずる寄生的な回路構造は別の制御要素として
１つの保護回路と結び付いて有利に使用される。
１つの保護回路と結び付いて有利に使用される。
第１図は本発明による回路装置の第１の実施例の回路図
、第２図は本発明による回路装置の第２の実施例の回路
図、第３図は本発明による回路装置の第３の実施例の回
路図である。 Ａ・・・出力端 ＤＰＩ〜ＤＰ３・・・寄生的ダイオード構造Ｑ・・・電
流源 Ｒ１、Ｒ２・・・抵抗 ＲＰＩ−ＲＰ３・・・寄生的抵抗 Ｔ１〜Ｔ５・・・ｎｐｎ）ランジスタ Ｔ６、Ｔ７・・・ｐｎｐトランジスタ ＴＰＩ〜ＴＰ４・・・寄生的トランジスタ構造Ｕ・・・
動作電位
、第２図は本発明による回路装置の第２の実施例の回路
図、第３図は本発明による回路装置の第３の実施例の回
路図である。 Ａ・・・出力端 ＤＰＩ〜ＤＰ３・・・寄生的ダイオード構造Ｑ・・・電
流源 Ｒ１、Ｒ２・・・抵抗 ＲＰＩ−ＲＰ３・・・寄生的抵抗 Ｔ１〜Ｔ５・・・ｎｐｎ）ランジスタ Ｔ６、Ｔ７・・・ｐｎｐトランジスタ ＴＰＩ〜ＴＰ４・・・寄生的トランジスタ構造Ｕ・・・
動作電位
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）１つの出力端（Ａ）に与えられ、集積回路の供給電
圧範囲を超過する電圧による損傷から集積回路を保護す
るための回路装置において、集積回路の所与の数の寄生
的回路構造（ＤＰ１、ＤＰ２、ＤＰ３）が、追加的に組
み入れられた回路構造（ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ４、Ｔ７
、Ｒ１、Ｒ２）と結び付いて１つの保護回路にまとめら
れ、これらが出力端における電圧により能動化されて保
護作用を行うことを特徴とする集積回路保護用回路装置
。 ２）所与の数の回路構造の組み入れにより、１つまたは
複数個の寄生的ダイオード構造（ＤＰ１）と結び付いて
寄生的トランジスタ構造（ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３）が
形成されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。 ３）回路構造が、横方向の寄生的回路構造が生ずるよう
に構成されていることを特徴とする請求項１または２記
載の回路装置。 ４）１つの寄生的保護トランジスタ構造（ＴＰ１、ＴＰ
２）のコレクターエミッタ間バスが１つの与えられたト
ランジスタ構造（Ｔ２、Ｔ５）のベース・エミッタ間バ
スに並列に接続されていることを特徴とする請求項１な
いし３の１つに記載の回路装置。 ５）１つの寄生的保護トランジスタ構造（ＴＰ４）が１
つの別の与えられた回路構造（Ｔ７、Ｒ１、Ｒ２）を駆
動するための役割をすることを特徴とする請求項１ない
し４の１つに記載の回路装置。 ６）追加的に、阻止方向に１つの出力端（Ａ）と正の供
給電位（Ｕ）との間に接続されている１つのダイオード
構造が一緒に集積されることを特徴とする請求項１ない
し５の１つに記載の回路装置。 ７）追加的に、阻止方向に負の動作電位と１つの出力端
（Ａ）との間に接続されている１つのダイオード構造が
一緒に集積されることを特徴とする請求項１ないし６の
１つに記載の回路装置。 ８）追加的に、阻止方向に１つの出力端（Ａ）と接地点
との間に接続されている１つのダイオード構造が一緒に
集積されることを特徴とする請求項１ないし７の１つに
記載の回路装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3804726.8 | 1988-02-15 | ||
| DE3804726 | 1988-02-15 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027461A true JPH027461A (ja) | 1990-01-11 |
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ID=6347473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1032531A Pending JPH027461A (ja) | 1988-02-15 | 1989-02-10 | 集積回路保護用回路装置 |
Country Status (4)
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| JP (1) | JPH027461A (ja) |
| DE (1) | DE58907969D1 (ja) |
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-
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- 1989-02-15 US US07/311,176 patent/US4949212A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
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| DE58907969D1 (de) | 1994-08-04 |
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| US4949212A (en) | 1990-08-14 |
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