JPH0273990A - 電気メッキ用助剤としての２―置換エタンスルホン化合物の使用 - Google Patents
電気メッキ用助剤としての２―置換エタンスルホン化合物の使用Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気メッキ用助剤としての、一般式：
Ｒ３−ＣＨ−ＣＨ２−３Ｏ３
［式中、Ａは
（１）ピリジニウム残基
（ここで置換基Ｒ１およびＲ２は水素もしくはＣ１〜Ｃ
３低級アルキル基を示し、またはＲ１およびＲ２はピリ
ジニウム残基と一緒になって縮合６−員芳香族環を形成
する）、または（２）メルカプト残基−３−Ｒ４（ここ
でＲ４は水素もしくは基： ５−ＣＨ−ＣＨ２−３０３ であり、Ｒ３はＣ１〜Ｃ４低級アルキル基を示す）でめ
る］ を有する２−置換エタンスルホン化合物の使用に関する
ものである。
３低級アルキル基を示し、またはＲ１およびＲ２はピリ
ジニウム残基と一緒になって縮合６−員芳香族環を形成
する）、または（２）メルカプト残基−３−Ｒ４（ここ
でＲ４は水素もしくは基： ５−ＣＨ−ＣＨ２−３０３ であり、Ｒ３はＣ１〜Ｃ４低級アルキル基を示す）でめ
る］ を有する２−置換エタンスルホン化合物の使用に関する
ものである。
これらのうち数種の化合物、すなわちＡ＝ピリジニウム
でありかつＲ３＝ＣＨ３である式■の化合物［カナデイ
アン・ジャーセル・ケミストリ（１９８４） 、第６２
＜１９）巻、第１９７７〜１９９５頁］およびＲ３＝ｎ
−Ｃ４Ｈ９である化合物［ジャーナル・アメリカン・ケ
ミカル・ソサエティ、第７６巻（１９５４）、第３９４
５頁］が既に知られているが、これらは電気メッキ用の
目的でない。
でありかつＲ３＝ＣＨ３である式■の化合物［カナデイ
アン・ジャーセル・ケミストリ（１９８４） 、第６２
＜１９）巻、第１９７７〜１９９５頁］およびＲ３＝ｎ
−Ｃ４Ｈ９である化合物［ジャーナル・アメリカン・ケ
ミカル・ソサエティ、第７６巻（１９５４）、第３９４
５頁］が既に知られているが、これらは電気メッキ用の
目的でない。
使方、３−位置にピリジニウム置換基もしくはキノリン
置換基を有するプロパンスルホン化合物を電気メッキ用
の目的で酸性ニッケル浴にて光沢剤および表面仕上剤と
して使用することも知られている［ドイツ特許第１００
４０１１号参照］。驚くことに、Ｃ２の位置にアルキル
分枝鎖を有する本発明で使用される２−置換エタンスル
ホン化合物は特にニッケル被覆および銅被覆の良好な光
沢性および表面仕上性を示すが、立体障害により貧弱な
結果が予想されることもある。このような場合、多くの
物質変更により、種々異なる電気メッキ要件に合致させ
かつ最適化させることかできる。
置換基を有するプロパンスルホン化合物を電気メッキ用
の目的で酸性ニッケル浴にて光沢剤および表面仕上剤と
して使用することも知られている［ドイツ特許第１００
４０１１号参照］。驚くことに、Ｃ２の位置にアルキル
分枝鎖を有する本発明で使用される２−置換エタンスル
ホン化合物は特にニッケル被覆および銅被覆の良好な光
沢性および表面仕上性を示すが、立体障害により貧弱な
結果が予想されることもある。このような場合、多くの
物質変更により、種々異なる電気メッキ要件に合致させ
かつ最適化させることかできる。
これら本発明に用いられる化合物の製造は、化合物ＡＨ
もしくは△をオレフィンＲ３−ＣＨ＝Ｃ１−１２と共に
不活性溶剤もしくは溶剤混合物中て三酸化硫黄と同時反
応させることにより、或いはジオキサンとの混合物にあ
けるオレフィンを降下膜反応器でスルホン化すると共に
得られた１、２スルホンを化合物△ＨもしくはＡと反応
させることにより行なわれる。
もしくは△をオレフィンＲ３−ＣＨ＝Ｃ１−１２と共に
不活性溶剤もしくは溶剤混合物中て三酸化硫黄と同時反
応させることにより、或いはジオキサンとの混合物にあ
けるオレフィンを降下膜反応器でスルホン化すると共に
得られた１、２スルホンを化合物△ＨもしくはＡと反応
させることにより行なわれる。
これら両方法は未公開の先願発明の主題である。
今回、２−置換エタンスルホンベタインのピリジン誘導
体およびキノリン誘導体は酸性ニッケル浴において特に
良好な光沢剤および表面仕上剤となる一方、メルカプト
誘導体は酸性銅浴にあける光沢剤として適することが判
明した。
体およびキノリン誘導体は酸性ニッケル浴において特に
良好な光沢剤および表面仕上剤となる一方、メルカプト
誘導体は酸性銅浴にあける光沢剤として適することが判
明した。
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例 １
電気メッキ用ニッケル浴を次のように作成した：５０ｇ
／り 硼酸 ７０ｇ／ｌ 塩化ニッケル・６Ｈ２０３３０Ｃ
］／ｊ 硫酸ニッケ／Ｌ／−７Ｈ２０２ｑ／２
ザッカリン ０．２ＣＩ／ρ 試験化合物 ０．０２ｇ／（！ 表面仕上剤（エビクロルごドリン
ープロパルギル アルコールアダクト） 蒸溜水１２を硫酸によりｐＨ４，０に調整した。
／り 硼酸 ７０ｇ／ｌ 塩化ニッケル・６Ｈ２０３３０Ｃ
］／ｊ 硫酸ニッケ／Ｌ／−７Ｈ２０２ｑ／２
ザッカリン ０．２ＣＩ／ρ 試験化合物 ０．０２ｇ／（！ 表面仕上剤（エビクロルごドリン
ープロパルギル アルコールアダクト） 蒸溜水１２を硫酸によりｐＨ４，０に調整した。
真鍮板を密閉セル（）ｆｕｌｌＺｅｌ ｌｅ）にて２Ａ
／ｃ１ｍ２かつ６０℃で１０分間にわたりニッケルメッ
キした。この板を予めアルカリ性溶液に入れ、かつ水洗
した後に２．５Ａにて２分間にわたり陰極で脱脂した。
／ｃ１ｍ２かつ６０℃で１０分間にわたりニッケルメッ
キした。この板を予めアルカリ性溶液に入れ、かつ水洗
した後に２．５Ａにて２分間にわたり陰極で脱脂した。
次いて、板に水を噴霧しかつ腐蝕脱脂剤に３０秒間浸漬
し、次いでセルロースを用いて摩擦しかつ再び水を噴霧
した。空気吸入により浴の運動を生ぜしめた。
し、次いでセルロースを用いて摩擦しかつ再び水を噴霧
した。空気吸入により浴の運動を生ぜしめた。
試験化合物としては、たとえば
（ａ’）１− （２−スルホプロピル）−ピリジニウム
ベタイン、および （ｂ）１− （２−スルホペンチル）−ピリジニウムベ
タイン を使用した。
ベタイン、および （ｂ）１− （２−スルホペンチル）−ピリジニウムベ
タイン を使用した。
板はニッケルメッキの後に均質な平面と良好な光沢と表
面仕上とを示した。６０℃における用いた添加剤溶液の
貯蔵安定性は良好でめった。
面仕上とを示した。６０℃における用いた添加剤溶液の
貯蔵安定性は良好でめった。
実施例 ２
次の成分：
２２．５ｇ／で 硫酸塩としての銅
１８５ＣＩＩ／１２ 硫酸
７５ｍＱ／で 塩化物（塩酸として）８ｒｎｆ！／
ρ 非イオン型湿潤剤（ポリグリコール型） からなる浴を使用した。
ρ 非イオン型湿潤剤（ポリグリコール型） からなる浴を使用した。
これに、増加する濃度の２−メルカプト−プロパン−１
−スルホン酸ナトリウムを添加した。
−スルホン酸ナトリウムを添加した。
１．５での浴容積を有する試験セルを用いた。試験銅板
は無光沢であり、かつ湾曲させた。これらを陽極に対し
垂直に０．８ｍ／ｍｉｎにて運動させた（ストローク幅
３Ｃｍ ） 。これを２５°Ｃにて３Ａ／ｄｍ２の陰極
電流密度で３０分間にわたり銅メッキした。陰極は湾曲
銅板で構成した。
は無光沢であり、かつ湾曲させた。これらを陽極に対し
垂直に０．８ｍ／ｍｉｎにて運動させた（ストローク幅
３Ｃｍ ） 。これを２５°Ｃにて３Ａ／ｄｍ２の陰極
電流密度で３０分間にわたり銅メッキした。陰極は湾曲
銅板で構成した。
０．２〜０．４ｍｇ／ρの８度にて、化合物は極めて良
好な光沢を与えた。
好な光沢を与えた。
Claims (3)
- （１）電気メッキ用助剤としての、一般式 I ：▲数式
、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、Ａは （１）ピリジニウム残基 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ここで置換基Ｒ＿１およびＲ＿２は水素もしくはＣ＿
１〜Ｃ＿３低級アルキル基を示し、またはＲ＿１および
Ｒ＿２はピリジニウム残基と一緒になつて縮合６−員芳
香族環を形成する）、または - （２）メルカプト残基−Ｓ−Ｒ＿４（ここでＲ＿４は水
素もしくは基： ▲数式、化学式、表等があります▼ であり、Ｒ＿３はＣ＿１〜Ｃ＿４低級アルキル基を示す
）である］ の２−置換エタンスルホン化合物の使用。 （２）酸性電気メッキニッケル浴における光沢剤および
表面仕上剤としてのＡ＝（１）である式 I を有する化
合物の使用。 - （３）酸性電気メッキ銅浴における光沢剤としてのＡ＝
（２）である式 I を有する化合物の使用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3817722A DE3817722A1 (de) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | Verwendung von 2-substituierten ethansulfon-verbindungen als galvanotechnische hilfsstoffe |
| DE3817722.6 | 1988-05-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273990A true JPH0273990A (ja) | 1990-03-13 |
| JP2505281B2 JP2505281B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=6355072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1129048A Expired - Fee Related JP2505281B2 (ja) | 1988-05-25 | 1989-05-24 | 電気メッキ用助剤としての２―置換エタンスルホン化合物の使用 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5024736A (ja) |
| EP (1) | EP0343559B2 (ja) |
| JP (1) | JP2505281B2 (ja) |
| DE (2) | DE3817722A1 (ja) |
| ES (1) | ES2053865T5 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015525294A (ja) * | 2013-05-08 | 2015-09-03 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | 半光沢ニッケルまたはニッケル合金を堆積するためのニッケルまたはニッケル合金の直流電気めっき浴、電気めっきのための方法、およびそのための浴および化合物の使用 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2242200B (en) * | 1990-02-20 | 1993-11-17 | Omi International | Plating compositions and processes |
| DE4013349A1 (de) * | 1990-04-23 | 1991-10-24 | Schering Ag | 1-(2-sulfoaethyl)pyridiniumbetain, verfahren zu dessen herstellung sowie saure nickelbaeder enthaltend diese verbindung |
| US5523861A (en) | 1991-05-15 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reader capable of setting density and illumination |
| US6605204B1 (en) * | 1999-10-14 | 2003-08-12 | Atofina Chemicals, Inc. | Electroplating of copper from alkanesulfonate electrolytes |
| US6776893B1 (en) * | 2000-11-20 | 2004-08-17 | Enthone Inc. | Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect |
| DE102014207778B3 (de) * | 2014-04-25 | 2015-05-21 | Kiesow Dr. Brinkmann GmbH & Co. KG | Verwendung einer Mischung zur Verwendung in einem galvanischen Bad oder eines galvanischen Bades zur Herstellung einer Glanznickelschicht sowie Verfahren zur Herstellung eines Artikels mit einer Glanznickelschicht |
| KR20210094558A (ko) | 2018-11-07 | 2021-07-29 | 코벤트야 인크. | 새틴 구리조 및 새틴 구리층 침착 방법 |
| DE102020212830B4 (de) | 2020-10-12 | 2022-08-18 | Sms Group Gmbh | Einstellsystem zum Einstellen des Führungsspiels einer Gleitführung für bewegbare Teile einer Presse sowie Verfahren zum Einstellen der Position wenigstens eines Gleitblocks einer Gleitführung an einer Presse |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1075398B (de) * | 1954-03-22 | 1960-02-11 | DEHYDAG Deutsche Hydrierwerke G.m.b.H., Düsseldorf | Bad zur galvanischen Herstellung von Metallüberzügen |
| BE545564A (ja) * | 1955-03-16 | |||
| DE1092744B (de) * | 1958-12-17 | 1960-11-10 | Dehydag Gmbh | Saures galvanisches Nickelbad |
| DE1238032B (de) * | 1962-07-21 | 1967-04-06 | Dehydag Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Oxygruppen enthaltenden Sulfobetainen |
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