JPH0273358A - 電子写真用感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の分野〕
本発明は、電子写真用感光体、特に正帯電型の電子写真
用感光体の改良に関する。
用感光体の改良に関する。
従来より、電荷発生物質と共に各種の樹脂を配合させた
電荷発生層を設けた電子写真用感光体は知られている。
電荷発生層を設けた電子写真用感光体は知られている。
このような例としては、ポリビニルブチラール(特開昭
58−105154号)、脂肪酸セルロースエステル(
特開昭58−166353号)、Tgが70℃以下で酸
価数10〜40のアクリル樹脂(特開昭58−1920
40号)、Tgが70℃以下の樹脂と、Tgが75℃以
上の樹脂を混合したもの(特開昭58−193549号
)、電荷発生物質−樹脂−溶剤の系に相溶性のより低い
樹脂−溶剤系を加えて再分散したもの(特開昭56−1
2646号)、ポリビニルピロリドン(特開昭56−1
13140号)、ポリビニルホルマール樹脂(特開昭6
1−235844号)等の樹脂を用いたものが挙げられ
る。
58−105154号)、脂肪酸セルロースエステル(
特開昭58−166353号)、Tgが70℃以下で酸
価数10〜40のアクリル樹脂(特開昭58−1920
40号)、Tgが70℃以下の樹脂と、Tgが75℃以
上の樹脂を混合したもの(特開昭58−193549号
)、電荷発生物質−樹脂−溶剤の系に相溶性のより低い
樹脂−溶剤系を加えて再分散したもの(特開昭56−1
2646号)、ポリビニルピロリドン(特開昭56−1
13140号)、ポリビニルホルマール樹脂(特開昭6
1−235844号)等の樹脂を用いたものが挙げられ
る。
しかしながら、従来公知の感光体にあっては、電荷発生
物質とバインダー樹脂の混合比によって感度と前露光疲
労に対する帯電性が異なるという問題があった。
物質とバインダー樹脂の混合比によって感度と前露光疲
労に対する帯電性が異なるという問題があった。
即ち、従来の感光体は電荷発生物質に対するバインダー
樹脂の使用量を少くすると感度を増大することができる
が、前露光疲労に対する帯電性の低下が著しくなり、逆
に電荷発生物質に対するバインダー樹脂の使用量を多く
すると前露光疲労に対する帯電性の低下を抑制できるが
、感度が著しく低下するという問題点を包含する。
樹脂の使用量を少くすると感度を増大することができる
が、前露光疲労に対する帯電性の低下が著しくなり、逆
に電荷発生物質に対するバインダー樹脂の使用量を多く
すると前露光疲労に対する帯電性の低下を抑制できるが
、感度が著しく低下するという問題点を包含する。
また、近年、有機感光体特に支持体上に電荷発生層及び
電荷移動層を順次積層した負帯電型感光体が多く使用さ
れている。この感光体はプラス帯電型のものに比べてオ
ゾンの発生量が多く、このため感光体表面が化学変化を
受は易く画像のボケや残留電位が上昇するという難点が
ある。
電荷移動層を順次積層した負帯電型感光体が多く使用さ
れている。この感光体はプラス帯電型のものに比べてオ
ゾンの発生量が多く、このため感光体表面が化学変化を
受は易く画像のボケや残留電位が上昇するという難点が
ある。
また、電荷移動層にヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合
物、オキサゾール化合物、スチリル化合物等の淡黄色〜
黄色系の正孔移動物質を用いているため、短波長光たと
えば500nm以下のブルー光はこの電荷移動層に吸収
されてしまい、かかる感光体は短波側波長域の゛感度が
著しく弱いという欠点がある。この感度の低下はブルー
光に対して著しく、このため光量を増大しないと光減衰
効果が発揮されない。しかしながら、このように光量を
増大すると感光体に疲労が蓄積しその耐久性が低下する
という問題点を生じる。
物、オキサゾール化合物、スチリル化合物等の淡黄色〜
黄色系の正孔移動物質を用いているため、短波長光たと
えば500nm以下のブルー光はこの電荷移動層に吸収
されてしまい、かかる感光体は短波側波長域の゛感度が
著しく弱いという欠点がある。この感度の低下はブルー
光に対して著しく、このため光量を増大しないと光減衰
効果が発揮されない。しかしながら、このように光量を
増大すると感光体に疲労が蓄積しその耐久性が低下する
という問題点を生じる。
一方、電荷移動層及び電荷発生層をその順に積層したプ
ラス帯電型の感光体は、電荷発生層が表面層となり、帯
電、露光、現像、転写、クリーニングの複写プロセスの
繰り返しにより表面層が摩耗し、その耐久性が低下する
。
ラス帯電型の感光体は、電荷発生層が表面層となり、帯
電、露光、現像、転写、クリーニングの複写プロセスの
繰り返しにより表面層が摩耗し、その耐久性が低下する
。
これらの欠点を解消する方法として、電荷発生層の膜厚
を厚くする方法が提案されているが(特開昭59−22
4846号、特開昭59−174849号)、この方法
には電荷発生層中でのキャリアトラップにより残留電位
の蓄積や帯電性の劣化が生じるという難点がある。
を厚くする方法が提案されているが(特開昭59−22
4846号、特開昭59−174849号)、この方法
には電荷発生層中でのキャリアトラップにより残留電位
の蓄積や帯電性の劣化が生じるという難点がある。
また、感光層に樹脂保護層を設けたものも知られている
が(特開昭57−30844号、特開昭57−3084
5号)、このものもその膜厚を2〜5μとすると残留電
位が上昇し、また1μ以下にすると実質的に耐久性が低
下する。
が(特開昭57−30844号、特開昭57−3084
5号)、このものもその膜厚を2〜5μとすると残留電
位が上昇し、また1μ以下にすると実質的に耐久性が低
下する。
更に、感光層上に中間層及び保護層を設けた感光体も提
案されているが(特開昭58−18637号、特開昭5
8−18638号、特開昭58−60748号)、この
ものはガラス転移の低いものを感光層として用いた場合
にはクラックが発生し、凹凸の激しい感光体となるため
耐久性が劣るという欠点があった。
案されているが(特開昭58−18637号、特開昭5
8−18638号、特開昭58−60748号)、この
ものはガラス転移の低いものを感光層として用いた場合
にはクラックが発生し、凹凸の激しい感光体となるため
耐久性が劣るという欠点があった。
本発明は残留電位の蓄積や帯電性の劣化がなく。
しかも耐久性に優れた電子写真感光体を提供することを
目的とする。
目的とする。
本発明によれば、導電性支持体上に電荷移動層、電荷発
生層を順次設けた電子写真用感光体において、電荷移動
層が二層より成り、導電性支持体側に位置する電荷移動
層にはイオン化ポテンシャルが5.50eV未滴の電荷
移動物質を含有させ、かつ電荷発生層側に位置する電荷
移動層にはイオン化ポテンシャルが5.50eV以上の
電荷移動物質を含有させたことを特徴とする電子写真用
感光体が提供される。
生層を順次設けた電子写真用感光体において、電荷移動
層が二層より成り、導電性支持体側に位置する電荷移動
層にはイオン化ポテンシャルが5.50eV未滴の電荷
移動物質を含有させ、かつ電荷発生層側に位置する電荷
移動層にはイオン化ポテンシャルが5.50eV以上の
電荷移動物質を含有させたことを特徴とする電子写真用
感光体が提供される。
なお、本発明でいうイオン化ポテンシャルは理研計器−
のAc−Lを用いて測定したものである。
のAc−Lを用いて測定したものである。
つぎに、本発明で用いられる各構成材料について説明す
る。
る。
導電性支持体とは、帯電電荷と逆極性の電荷を基体側に
供給することを目的とするものであって、電気抵抗が1
08Ω■以下のものが用いられる。これらの例としては
、AQ、 Ni、 Cr、 Zn、ステンレス等の電気
伝導性の金属および合金並びにガラス、セラミックス等
の無IN!絶縁物質およびポリエステル、ポリイミド、
フェノール樹脂、ナイロン樹脂、紙等の有機絶縁性物質
の表面を、真空蒸着、スパッタリング、吹付塗装等の方
法によって、AQ、 Ni、Cr、 Zn、ステンレス
、炭素、 SnO,、Ink、等の電気導電性物質を被
覆して導電処理を行なったドラム状、シート状及びプレ
ート状のもの等があげられる。
供給することを目的とするものであって、電気抵抗が1
08Ω■以下のものが用いられる。これらの例としては
、AQ、 Ni、 Cr、 Zn、ステンレス等の電気
伝導性の金属および合金並びにガラス、セラミックス等
の無IN!絶縁物質およびポリエステル、ポリイミド、
フェノール樹脂、ナイロン樹脂、紙等の有機絶縁性物質
の表面を、真空蒸着、スパッタリング、吹付塗装等の方
法によって、AQ、 Ni、Cr、 Zn、ステンレス
、炭素、 SnO,、Ink、等の電気導電性物質を被
覆して導電処理を行なったドラム状、シート状及びプレ
ート状のもの等があげられる。
電荷移動層は二層より成り、導電性支持体側に位置する
電荷移動層(以下、第1電荷移動層という)にはイオン
化ポテンシャル(以下、Ipという)が5.50eV未
溝の電荷移動物質を含有させ、電荷発生層側に位置する
電荷移動層(以下、第2電荷移動M)にはイオン化ポテ
ンシャルが5.50eV以上の電荷移動物質を含有させ
る。
電荷移動層(以下、第1電荷移動層という)にはイオン
化ポテンシャル(以下、Ipという)が5.50eV未
溝の電荷移動物質を含有させ、電荷発生層側に位置する
電荷移動層(以下、第2電荷移動M)にはイオン化ポテ
ンシャルが5.50eV以上の電荷移動物質を含有させ
る。
第1電荷移動層に含有させるIpが5 、50aV未満
の値を有する電荷移動物質としては、例えばN−メチル
カルバゾール−3−アルデヒド−N−メチルフェニルヒ
ドラゾン チルアミノスチリル)−5−(5−ジエチルアミノフェ
ニル−1−フェニルピラゾリンなどのピラゾリン誘導体
、4′−N−フェニル−N−4−メトキシフェニルアミ
ノ−α−フェニルスチルベンなどの誘導体などで、これ
らの化合物は置換基、骨格などの違いによって、IP値
が違い,上記以外の化合物でもIP値が5、50eV未
満のものがあり,別に限定されるものではない。
の値を有する電荷移動物質としては、例えばN−メチル
カルバゾール−3−アルデヒド−N−メチルフェニルヒ
ドラゾン チルアミノスチリル)−5−(5−ジエチルアミノフェ
ニル−1−フェニルピラゾリンなどのピラゾリン誘導体
、4′−N−フェニル−N−4−メトキシフェニルアミ
ノ−α−フェニルスチルベンなどの誘導体などで、これ
らの化合物は置換基、骨格などの違いによって、IP値
が違い,上記以外の化合物でもIP値が5、50eV未
満のものがあり,別に限定されるものではない。
これらの化合物は樹脂との相溶性,第2電荷移動物質と
の相溶性、結晶化などを考慮し選択される。
の相溶性、結晶化などを考慮し選択される。
第2電荷移動)dに含有させるIPが5.50eV以上
、好ましくは5.50〜6 、 OOeVの値を有する
電荷移動物質としては、例えば4’−N,N−ジフェニ
ルアミノ−α−フェニルスチルベンなどのスチルベン誘
導体、■。
、好ましくは5.50〜6 、 OOeVの値を有する
電荷移動物質としては、例えば4’−N,N−ジフェニ
ルアミノ−α−フェニルスチルベンなどのスチルベン誘
導体、■。
1′−ビス−4−ベンジルアミノフェニルプロパンなど
のジフェニルメタン誘導体、4,4′−ジメチルトリフ
ェニルアミン、■,3−ビス(4,N,N−ジフェニル
アミノフェネチル)ベンゼンなどのトリフェニルアミン
誘導体及びヒドラゾン誘導体などで、これらの化合物は
置換基、骨格などの違いによってIP値が違い、上記以
外の化合物でもIP値が5.51eV以上のものがあり
、別に限定されるものでない。
のジフェニルメタン誘導体、4,4′−ジメチルトリフ
ェニルアミン、■,3−ビス(4,N,N−ジフェニル
アミノフェネチル)ベンゼンなどのトリフェニルアミン
誘導体及びヒドラゾン誘導体などで、これらの化合物は
置換基、骨格などの違いによってIP値が違い、上記以
外の化合物でもIP値が5.51eV以上のものがあり
、別に限定されるものでない。
これらの化合物は樹脂との相溶性、第1電荷移動層上に
設ける為、膜の均一性、にごりのない事を考慮し選択さ
れる。
設ける為、膜の均一性、にごりのない事を考慮し選択さ
れる。
本発明が上記のように電荷移動層を二層に分け。
第1電荷移動層に工ρが5.50eV未滴の電荷移動物
質を第2電荷移動層Ipが5.50eV以上の電荷移動
物質を含有させることによって、残留電位の蓄積や帯電
性の低下がなく、繰り返し使用しても鮮明な複写画像を
与えるという顕著な作用効果を奏する理由は現時点では
定かでないが、以下のような理由によるものと推定され
る。
質を第2電荷移動層Ipが5.50eV以上の電荷移動
物質を含有させることによって、残留電位の蓄積や帯電
性の低下がなく、繰り返し使用しても鮮明な複写画像を
与えるという顕著な作用効果を奏する理由は現時点では
定かでないが、以下のような理由によるものと推定され
る。
残留電位の多くは電荷移動層中に蓄積されていると考え
られ、IP値の低い方が蓄積性が少ない事から、電荷ト
ラップがIP値が低い方が少ない事が推察される。しか
し、これらIP値の低い電荷移動物質と電荷発生物質が
接触する事で、繰り返しによる帯電性劣化が発生する。
られ、IP値の低い方が蓄積性が少ない事から、電荷ト
ラップがIP値が低い方が少ない事が推察される。しか
し、これらIP値の低い電荷移動物質と電荷発生物質が
接触する事で、繰り返しによる帯電性劣化が発生する。
これは光キャリアのホール、エレクトロンペアが分離し
ない事、あるいは表面電位を中和する以上に光キャリア
の発生量が多く,ホールエレクトロンペアが層中に存在
し、帯電時ホール、エレクトロンペアがはき出され帯電
劣化する。
ない事、あるいは表面電位を中和する以上に光キャリア
の発生量が多く,ホールエレクトロンペアが層中に存在
し、帯電時ホール、エレクトロンペアがはき出され帯電
劣化する。
本発明に係る電荷移動層は、たとえば、前記第1電荷移
動物質及び樹脂バインダーを適当な溶剤に溶解ないし分
散した第1電荷移動層塗工液を導電性支持体上に塗布,
乾燥して第1電荷移動暦を設け、ついで、前記第2電荷
移動物質及び樹脂バインダーを適当な溶剤に溶解ないし
分散した第2電荷移動層塗工液を第1電荷移動層上に塗
布,乾燥して第2電荷移動層を設けることによって形成
できる。
動物質及び樹脂バインダーを適当な溶剤に溶解ないし分
散した第1電荷移動層塗工液を導電性支持体上に塗布,
乾燥して第1電荷移動暦を設け、ついで、前記第2電荷
移動物質及び樹脂バインダーを適当な溶剤に溶解ないし
分散した第2電荷移動層塗工液を第1電荷移動層上に塗
布,乾燥して第2電荷移動層を設けることによって形成
できる。
第1及び第2電荷移動層で用いる樹脂としては。
ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、
ポリエチルメタクリレート、ポリエチルアクリレート、
スチレン−メチルメタクリレート共重合体、スチレン−
メチルアクリレート共重合体、スチレン−アクリルニト
リル共重合体、ポリスチレン、ABS樹脂、ポリ酢酸ビ
ニル、ボッカーボネート、ポリスルフォン、ポリエステ
ル、フェノキシ樹脂などが挙げられる。
ポリエチルメタクリレート、ポリエチルアクリレート、
スチレン−メチルメタクリレート共重合体、スチレン−
メチルアクリレート共重合体、スチレン−アクリルニト
リル共重合体、ポリスチレン、ABS樹脂、ポリ酢酸ビ
ニル、ボッカーボネート、ポリスルフォン、ポリエステ
ル、フェノキシ樹脂などが挙げられる。
溶媒としてはアセトニトリル、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン系、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエ
チルエーテルなどのエーテル系,酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸プロピルなどのエステル系,ジクロルメタン、
ジクロルエタン、クロルベンゼンなどのハロゲン系及び
トルエン、キシレンなどの芳香族系があげられる.この
ような電荷移動層の塗工方法としては,浸漬法。
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン系、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエ
チルエーテルなどのエーテル系,酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸プロピルなどのエステル系,ジクロルメタン、
ジクロルエタン、クロルベンゼンなどのハロゲン系及び
トルエン、キシレンなどの芳香族系があげられる.この
ような電荷移動層の塗工方法としては,浸漬法。
スプレー法、ロール法などの従来公知の方法が適用され
る。
る。
第1電荷移動層の厚さは、5〜50.、好ましくはlO
〜25声程度が適当であり,第2電荷移動層の厚さは0
.1−5μs,好ましくは0.5〜2μ−程度が適当で
ある。
〜25声程度が適当であり,第2電荷移動層の厚さは0
.1−5μs,好ましくは0.5〜2μ−程度が適当で
ある。
電荷発生層は電荷発生物質もしくはこのものと樹脂バイ
ンダーから構成される。
ンダーから構成される。
電荷発生層に使用される樹脂バインダーとしては、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルアセタール、セルロース
誘導体、ポリウレタン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂
、ポリアミド、アクリルポリオールなどが挙げられる。
ビニルブチラール、ポリビニルアセタール、セルロース
誘導体、ポリウレタン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂
、ポリアミド、アクリルポリオールなどが挙げられる。
これらの樹脂は電荷発生顔料の分散安定性にすぐれたも
のでもある。
のでもある。
電荷発生物質としては、例えば、シーアイピグメントブ
ルー25〔カラーインデックス(CI) 21180)
、シーアイピグメントレッド41(CI 21200)
、シーアイアシッドレッド52(CI 45100)、
シーアイベーシックレッド3(CI 45210)、さ
らに、ポリフィリン骨格を有するフタロシアニン系顔料
、アズレニウム塩顔料、スクアリック塩顔料、カルバゾ
ール骨格を有するアゾ顔料(特開昭53−95033号
機報に記載)、スチルベン骨格を有するアゾ顔料(特開
昭53−138229号公報に記載)、トリフェニルア
ミン骨格を有するアゾ顔料(特開昭53−132547
号公報に記載)、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ
顔料(特開昭54〜21728号公報に記載)、オキサ
ジアゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−127
42号公報に記載)、フルオレノン骨格を有するアゾ顔
料(特開昭54−22834号公報に記載)、ビススチ
ルベン骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−17733
号公報に記載)、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有
するアゾ顔料(特開昭54−2129号公報に記載)、
ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭
54−17734号公報に記載)、カルバゾール骨格を
有するトリアゾ顔料(特開昭57−195767号公報
、同57−195768号公報に記載)等、さらに、シ
ーアイピグメントブルー16(CI 74100)等の
フタロシアニン系顔料、シーアイパッドブラウン5(C
I 73410)、シーアイバットダイ(CI 730
30)等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットB(バ
イオレット社!i2)、インダスレンスカーレットR(
バイエル社製)等のペリレン系原料等の有機顔料を使用
することができる。
ルー25〔カラーインデックス(CI) 21180)
、シーアイピグメントレッド41(CI 21200)
、シーアイアシッドレッド52(CI 45100)、
シーアイベーシックレッド3(CI 45210)、さ
らに、ポリフィリン骨格を有するフタロシアニン系顔料
、アズレニウム塩顔料、スクアリック塩顔料、カルバゾ
ール骨格を有するアゾ顔料(特開昭53−95033号
機報に記載)、スチルベン骨格を有するアゾ顔料(特開
昭53−138229号公報に記載)、トリフェニルア
ミン骨格を有するアゾ顔料(特開昭53−132547
号公報に記載)、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ
顔料(特開昭54〜21728号公報に記載)、オキサ
ジアゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−127
42号公報に記載)、フルオレノン骨格を有するアゾ顔
料(特開昭54−22834号公報に記載)、ビススチ
ルベン骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−17733
号公報に記載)、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有
するアゾ顔料(特開昭54−2129号公報に記載)、
ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭
54−17734号公報に記載)、カルバゾール骨格を
有するトリアゾ顔料(特開昭57−195767号公報
、同57−195768号公報に記載)等、さらに、シ
ーアイピグメントブルー16(CI 74100)等の
フタロシアニン系顔料、シーアイパッドブラウン5(C
I 73410)、シーアイバットダイ(CI 730
30)等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットB(バ
イオレット社!i2)、インダスレンスカーレットR(
バイエル社製)等のペリレン系原料等の有機顔料を使用
することができる。
電荷発生層の膜厚は、0.05〜10μm程度が適当で
あり、好ましくは0.1〜1【である。
あり、好ましくは0.1〜1【である。
電荷発生層は、適当な溶剤に電荷発生物質および好まし
くは樹脂バインダーを溶解ないし分散し、これを塗布、
乾燥することによって形成できる。
くは樹脂バインダーを溶解ないし分散し、これを塗布、
乾燥することによって形成できる。
溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、塩化メ
チレン、ジクロルエタン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ルベンゼン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケ
トン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサ
ノン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブなどを単独
または混合して用いることができる。
チレン、ジクロルエタン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ルベンゼン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケ
トン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサ
ノン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブなどを単独
または混合して用いることができる。
本発明はこの電荷発生層の上にコロナ帯電による電荷注
入及び繰り返し使用時の電荷キャリアのトラップの防止
層として、中間層及び保護層を設けることもできる。
入及び繰り返し使用時の電荷キャリアのトラップの防止
層として、中間層及び保護層を設けることもできる。
この場合、中間層で用いる樹脂は透明で、フィルム性、
接着性の良いことが必要である。このような樹脂として
は、たとえばポリビニルブチラール、ポリビニルアセタ
ール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリヒ
ドロキシアルキルメタクリレート、ポリヒドロキシアル
キルアクリレート、ポリビニルアルコール、ポリアミド
、セルロース誘導体、フェノール樹脂、ポリエチレンオ
キシド、ポリエチレングリコール、ポリビニルエーテル
などが挙げられる。
接着性の良いことが必要である。このような樹脂として
は、たとえばポリビニルブチラール、ポリビニルアセタ
ール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリヒ
ドロキシアルキルメタクリレート、ポリヒドロキシアル
キルアクリレート、ポリビニルアルコール、ポリアミド
、セルロース誘導体、フェノール樹脂、ポリエチレンオ
キシド、ポリエチレングリコール、ポリビニルエーテル
などが挙げられる。
中間層はこのような樹脂類をアルコール系、セロソルブ
系などの溶媒で溶解し、前記記載の方法で電荷発生層上
に膜厚0.01〜2μ巾で塗工することに形成される。
系などの溶媒で溶解し、前記記載の方法で電荷発生層上
に膜厚0.01〜2μ巾で塗工することに形成される。
保:S層は、酸化スズ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ビ
スマス、酸化インジウム、酸化アンチモンなどの金属酸
化物、金、銀、アルミニウム、鉄、銅、ニッケル等の金
属に代表される導電性顔料と中間層で用いる樹脂と異な
る樹脂とを粉砕、分散して顔料の粒径を0.3μ以下に
したものから構成される。保護層樹脂としては透明性に
優れ、かつ機械的強度の高いもの及び接着性に優れたも
のが望ましい、このような樹脂としてはポリカーボネー
ト、ポリエステル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、アク
リル樹脂、ポリスチレン、スチレン共重合樹脂、ABS
樹脂、シリコーン樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂
等が使用できる。導電性顔料と樹脂の比率は、顔料の種
類、樹脂の種類で異なるが、樹脂100重量部に対して
5〜300重量部の範囲で用いる。膜厚は必要に応じ適
宜定められるが、1〜20pmに設定する事が好ましい
。
スマス、酸化インジウム、酸化アンチモンなどの金属酸
化物、金、銀、アルミニウム、鉄、銅、ニッケル等の金
属に代表される導電性顔料と中間層で用いる樹脂と異な
る樹脂とを粉砕、分散して顔料の粒径を0.3μ以下に
したものから構成される。保護層樹脂としては透明性に
優れ、かつ機械的強度の高いもの及び接着性に優れたも
のが望ましい、このような樹脂としてはポリカーボネー
ト、ポリエステル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、アク
リル樹脂、ポリスチレン、スチレン共重合樹脂、ABS
樹脂、シリコーン樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂
等が使用できる。導電性顔料と樹脂の比率は、顔料の種
類、樹脂の種類で異なるが、樹脂100重量部に対して
5〜300重量部の範囲で用いる。膜厚は必要に応じ適
宜定められるが、1〜20pmに設定する事が好ましい
。
また1本発明においては、導電性支持体と電荷移動層と
の間に接着機能、電荷注入バリア機能をもつ薄層たとえ
ば樹脂層、酸化膜層、金属酸化物の層などの下地層を塗
工、蒸着、グロー放電、電気分解、メツキなどの方法で
設けることもできる。
の間に接着機能、電荷注入バリア機能をもつ薄層たとえ
ば樹脂層、酸化膜層、金属酸化物の層などの下地層を塗
工、蒸着、グロー放電、電気分解、メツキなどの方法で
設けることもできる。
本発明の電子写真用感光体は、前記構成からなるので、
残留電位の蓄積や帯電性の劣化がなく、かつ繰り返し使
用しても鮮明な複写画像を与え、耐久性に優れたもので
ある。
残留電位の蓄積や帯電性の劣化がなく、かつ繰り返し使
用しても鮮明な複写画像を与え、耐久性に優れたもので
ある。
C実施例〕
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。なお
、部は重量部を表わす。
、部は重量部を表わす。
実施例1
80φ340ストロークのアルミニウムシリンダーに下
記の第1電荷移動層塗工液を調整し浸漬法で塗工し、つ
いで120℃、20分間乾燥して膜厚20ρの第1電荷
移動層を設けた。
記の第1電荷移動層塗工液を調整し浸漬法で塗工し、つ
いで120℃、20分間乾燥して膜厚20ρの第1電荷
移動層を設けた。
〔第1電荷移動層塗工液〕
ジクロルメタン 3200部シリ
コンオイル(KF−50信越化学社製)0.5部ついで
、下記の第2電荷移動層塗工液をIA整しスプレー法で
前記第1電荷移動層上に塗工し、ついで120℃20分
間乾燥して膜厚1声の第2電荷移動層を設けた。
コンオイル(KF−50信越化学社製)0.5部ついで
、下記の第2電荷移動層塗工液をIA整しスプレー法で
前記第1電荷移動層上に塗工し、ついで120℃20分
間乾燥して膜厚1声の第2電荷移動層を設けた。
〔第2電荷移動層塗工液〕
テトラヒドロフラン 100部シク
ロへキサノン 100部次いで、
下記電荷発生層塗工液を調整してスプレー法で前記電荷
移動層上に塗工し、ついで120℃で20分間乾燥して
0.4−の電荷発生層を設けた。
ロへキサノン 100部次いで、
下記電荷発生層塗工液を調整してスプレー法で前記電荷
移動層上に塗工し、ついで120℃で20分間乾燥して
0.4−の電荷発生層を設けた。
〔中間層塗工液〕
ポリアミド(CM8000、東し製) 1部
メタノール 7部n−ブ
タノール 2部ついで、下
記保護層塗工液を調整し、スプレー法で中間層上に塗工
し、120℃20分間乾燥し、膜厚4μ−の保護層を設
け、本発明の電子写真用感光体を作成した。
メタノール 7部n−ブ
タノール 2部ついで、下
記保護層塗工液を調整し、スプレー法で中間層上に塗工
し、120℃20分間乾燥し、膜厚4μ−の保護層を設
け、本発明の電子写真用感光体を作成した。
シクロへキサノン 440部をボ
ールミルで72時間粉砕分散して、再度600部のシク
ロヘキサノンを加え、3時間分散後、シクロヘキサノン
800部でレットダウンして塗工液とした。
ールミルで72時間粉砕分散して、再度600部のシク
ロヘキサノンを加え、3時間分散後、シクロヘキサノン
800部でレットダウンして塗工液とした。
次に、下記中間層塗工液を調整し、スプレー法で電荷発
生層上に塗工し、120℃IO分間乾燥し、膜厚0.2
.の中間層を設けた。
生層上に塗工し、120℃IO分間乾燥し、膜厚0.2
.の中間層を設けた。
5nOx (住友セメント社製) 6
部トルエン ゛ 3部部
メチルエチルケトン 5部n−ブ
タノール 5部を72時間
ボールミルで粉砕分散し、セロソルブアセテートで固形
分2%にレッドダウンした。この中にイソシアネート化
合物(スミジュールHT、住友バイエルウレタン社製)
3部加え塗工液とした。
部トルエン ゛ 3部部
メチルエチルケトン 5部n−ブ
タノール 5部を72時間
ボールミルで粉砕分散し、セロソルブアセテートで固形
分2%にレッドダウンした。この中にイソシアネート化
合物(スミジュールHT、住友バイエルウレタン社製)
3部加え塗工液とした。
実施例2〜9
実施例1と同じ導電性支持体上に表−1に示す構造の第
1電荷移動物質を含有する第1電荷移動層と第2電荷移
動物質を含有する第2電荷移動層を実施例1と同様に作
成した。その他も実施例1と同様にして感光体を作成し
た。
1電荷移動物質を含有する第1電荷移動層と第2電荷移
動物質を含有する第2電荷移動層を実施例1と同様に作
成した。その他も実施例1と同様にして感光体を作成し
た。
比較例1
実施例2において、第2電荷移動層を削除した以外は実
施例2と同様にして比較例1の感光体を作成した。
施例2と同様にして比較例1の感光体を作成した。
比較例2
比較例1において、第1電荷移動層を形成する電荷移動
物質を表−1に示す第1電荷移動物質に代えた以外は比
較例1と同様にして比較例2の感光体を作成した。
物質を表−1に示す第1電荷移動物質に代えた以外は比
較例1と同様にして比較例2の感光体を作成した。
比較例3
比較例2において、第1電荷移動層上に表−1に示す第
2i1!荷移動物質を含有する第2電荷移動層を実施例
と同様の方法にて作成した。その他は比較例2と同様に
して比較例3の感光体を作成した。
2i1!荷移動物質を含有する第2電荷移動層を実施例
と同様の方法にて作成した。その他は比較例2と同様に
して比較例3の感光体を作成した。
以上のようにして作成した感光体を特開昭60−100
167号に示されている装置で11000rpで回転さ
せながら、暗所+5KVの電圧を20秒間印加させVm
を求め、20秒間放電後の電位をVoとして暗減衰率■
0/Vmをもとめた。その後、26Luxのタングステ
ン光をスリット巾6mから照射した。Voから半減光量
をEl/2(Lux−sec)、 1/10になった露
光量をEl/10(Lux−sec)で示した。露光開
始から30秒後の電位を■8とした。耐久試験は■リコ
ー製FT−5510に装填して、クエンチングランプに
は460nm以下の光をカットするフィルターを付けた
。帯電は暗部電位8゜Ov、明部電位80Vに帯電器と
ランプ光量を調整して行った。その結果を表−1に示し
た。
167号に示されている装置で11000rpで回転さ
せながら、暗所+5KVの電圧を20秒間印加させVm
を求め、20秒間放電後の電位をVoとして暗減衰率■
0/Vmをもとめた。その後、26Luxのタングステ
ン光をスリット巾6mから照射した。Voから半減光量
をEl/2(Lux−sec)、 1/10になった露
光量をEl/10(Lux−sec)で示した。露光開
始から30秒後の電位を■8とした。耐久試験は■リコ
ー製FT−5510に装填して、クエンチングランプに
は460nm以下の光をカットするフィルターを付けた
。帯電は暗部電位8゜Ov、明部電位80Vに帯電器と
ランプ光量を調整して行った。その結果を表−1に示し
た。
なお、表−1における各記号はっぎの化合物を意味する
。
。
しM□
Claims (1)
- (1)導電性支持体上に電荷移動層、電荷発生層を順次
積層した感光体において、電荷移動層が二層より成り、
導電性支持体側に位置する電荷移動層にはイオン化ポテ
ンシャルが5.50eV未満の電荷移動物質を含有させ
、かつ、電荷発生層側に位置する電荷移動層にはイオン
化ポテンシャルが5.50eV以上の電荷移動物質を含
有させたことを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22595388A JPH0273358A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22595388A JPH0273358A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0273358A true JPH0273358A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16837480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22595388A Pending JPH0273358A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0273358A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100462622B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2004-12-23 | 삼성전자주식회사 | 이층구조 정대전형 유기감광체 |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22595388A patent/JPH0273358A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100462622B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2004-12-23 | 삼성전자주식회사 | 이층구조 정대전형 유기감광체 |
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