JPH0271590A - ハイブリッドｉｃ用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はハイブリッドＩＣ用基板に関するもので、特
にハイブリッドＩＣの製造において１部品がボンディン
グされる金属導体表面に、有機被膜又は金属被膜からな
る保護用の被膜を形成させて、その金属導体表面の酸化
による部品のボンディングの信頼性低下を防止できるよ
うにしたハイブリッドＩＣ用基板に関するものである。

［従来の技術］ 最近感光性ポリイミドのような感光機能を有する耐熱性
絶縁膜形成用材料が開発されたことにより、特開昭８２
−１３７８９８号公報に示されるように。

ハイブリッドＩＣは、回路配置の形成に写真製版技術を
用いて製造される。第２図はその構成を示す断面図であ
り、図において、（１）はアルミナセラミックスなどか
ら成るベース基板、（２）はこのベース基板（１）上に
形成された厚膜抵抗体、（４１Ｊはベース基板（１）及
び厚膜抵抗体（２）上に所定のパターン状に形成された
感光性ポリイミドなどの感光性絶縁膜形成材料から成る
第１Ｗｉ４絶縁膜、（９）は無電解めっきにより形成さ
れた第１層絶縁膜体、（４２は第１層絶縁膜（４Ｉ）と
同様感光性ポリイミドなどの感光性絶縁膜形成材料から
成る第２層絶縁膜、（至）は銅などの無電解めっきと電
気めっきにより形成された第２層絶縁膜体、（４３は第
１層絶縁膜（社）と同様感光性ポリイミドなどの感光性
絶縁膜形成材料から成るオーバコート層、（５）は部品
がボンディングされる部品接続部である。第２図は２層
回路基板の場合の例であるが１部品接続部（５）の構成
は１層でも３層以上でも２層の場合と大きな相違はない
。

次にその製造方法について説明すれば、ベース基板（１
）上に酸化ルテニウムとガラスなどから成る厚膜抵抗体
（２）を印刷し、大気中８００℃から８５０℃で焼成し
て形成した後、無電解めっきに対する活性核をベース基
板（１）、厚膜抵抗（２）上に形成する（図示せず）。

次にこの活性核上全面に感光性ポリイミドなどの感光性
絶縁膜形成材料を塗布して。

写真製版により所定のパターン状にし、窒素ガス中３５
０℃から４５０℃で焼成して、第２層絶縁膜ｆ４１）を
形成する。次いで−この状態の基板を銅などの厚付は無
電解めっき液中に浸し、前記第１層絶縁膜で被覆されて
いない活性核上のみに銅などの金属を析出させて第１Ｒ
金属導体労）を形成する。その後、第１層絶縁膜（４１
）と同様にして所定のパターン状に第２層絶縁膜（４２
を形成する。次にこの様な状態の基板を銅などの薄材は
無電解めっき液中に浸し、基板全面に銅などの薄い金属
層を形成し、写真製版によるめっきレジストを所定のパ
ターン状に形成した後、銅などの電気めっき、レジスト
剥離、ソフトエツチングによる銅などの薄い金属層の除
去を行ない、第２層の金属導体■を形成する。さらに多
層化を行なう場合には、第２層絶縁膜（４Ｘ５と第２層
金属溝体りの形成工程を繰り返す。

最後に第１層絶縁膜（４１１と同様にして、第１Ｒ金属
導体□□□の部品接続部（５）以外にオーバコート層（
４３１を形成する。

このようにハイブリッドＩＣ用基板の回路配置の形成に
写真製版技術が用いられるようになったために、印刷法
を用いていた場合に比べて、導体の幅を格段に狭くする
ことが可能となった。さらに絶縁膜の焼成温度が従来に
比べて低いために、無電解めっき、電気めっきあるいは
それらの併用によって形成される金属導体が用いられる
ようになった。しかし上記利点に反して次のような問題
点が発生した。

〔発明が解決しようとする課題〕

ハイブリッドＩＣ用基板において、導体の幅が狭くなっ
たために部品接続部の導体表面の面積が小さくなり、部
品のボンディング信頼性にとって、部品接続部の導体表
面に対する半田のぬれ性が従来より重要になった。−誘
導体の金属表面は、空気中に放置されると酸化されやす
い欠点を有する。

ハイブリッドＩＣ用基板の保存中に部品接続部の金属導
体表面が酸化されて、半田のぬれ性を低下させるために
、部品のボンディング信頼性が低下する問題点が発生し
た。

この発明は、上記の問題点を解決す乙ためになされたも
ので、部品接続部にボンディングされる部品のボンディ
ング信頼性が高い微細回路配置を有するハイブリッドＩ
Ｃ用基板を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明のハイブリッドＩＣ用基板は、部品をボンディ
ングすべき金属導体表面に、有機被膜または金属被膜か
ら成る保護用の被膜を形成させたものである。

ここで保護用の被膜としては、金属導体と錯体を形成し
て金属導体の表面に疎水性の単分子膜を生じるアルキル
イミダゾールや長鎖脂肪酸のアミン誘導体などの有機被
膜、あるいはすず、ニッケル、金もしくはこれらの少な
くとも１種類を用いた金属被膜等が好適である。

〔作用〕

ハイブリッドＩＣ用基板の部品接続部の金属導体表面を
有機被膜で覆った場合、その金属導体表面は空気中の酸
素や水分から遮断されるので酸化が防止される。次に部
品が部品接続部にボンディングされる時には、有機被膜
が半田フラックスに溶解して除去されるので１部品接続
部に清浄な金属導体表面が現われて、部品のボンディン
グ信頼４・″は確保される。

ハイブリッドＩＣ用基板の部品接続部の金属導体表面を
、金属被膜で覆った場合、表面の保護用被膜は酸化され
難く、シかも部品がボンディングされる時には、半田に
対してぬれ易いので、部品のボンディング信頼性は確保
される。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）はアルミナセラミックス等から成る
ベース基板、（２）は厚膜抵抗体、（社）は第１層絶縁
膜、＠は第１Ｒ金属導体、（４１は第２層絶縁膜、■は
第２層金属溝体、（ハ）はオーンイコート層（５）は部
品接続部で、これらは第２図の従来のものと同様である
。（６）は保護用被膜で、第２層金属溝体■の表面の、
部品をボンディングすべき部品接続部（５）に形成され
ている。

次に、その保護用被膜（６）の製造方法の聯１について
説明する。

実施例１ ベース基板（１）上への厚膜抵抗体（２）の形成からオ
ーバコートｍ１４３の形成までは従来例と同様である。

この状態の基板の部品接続部（５）の金属導体表面を硫
酸等で酸洗浄して錆を取り除いた後、アルキルイミダゾ
ール（例えば四国化成工業社製グリコートＴ）に浸す。

水洗した後１００℃で乾燥して、部品接続部（５）に保
護用有機被膜（６）を形成させる。

実施例２ ベース基板（１）上への厚膜抵抗体（２）の形成からオ
ーバコート層ｆ４３）の形成までは従来例と同様である
。

この状態の基板の部品接続部（５）の金属導体表面を硫
酸等で酸洗浄して鏑を取り除いた後−１５％の塩酸液に
長鎖脂肪酸のアミン誘導体（例えばアクト綜研デルタＮ
　Ｅ　−１００またはデルタリサーチ社製Ｄ−１００あ
るいはＤ−３００）を添加したものに浸す。水洗した後
１００℃で乾燥して、部品接続部（５）に保護用被膜（
６）を形成させる。

実施例３ ベース基板（１）上への厚膜抵抗体（２）の形成からオ
ーバコート層（０の形成までは従来例と同様である。

この状態の基板をすずの無電解めっき液（例えばメルチ
ツク社製ＴＩＮスペシャル）に浸し、部品接続部（５）
にすずの保護用被膜（６）を形成させる。

実施例４ ベース基板（１）上への厚膜抵抗体（２）の形成からオ
ーバコート層■の形成までは従来例と同様である。

この状態の基板の部品接続部（５）の金属導体表面を、
活性化処理剤（例えばワールドメタル社製ＡＴ−８０）
で活性化した後、ニッケルの無電解めっき液（例えばワ
ールドメタル社製二ボロン）１ζ浸し、部品接続部（５
）にニッケルの保護用被膜（６）を形成させる。

実施例５ ベース基板（１１上への厚膜抵抗体（２）の形成からオ
ーバコート１畷の形成までは従来例と同様である。

この状態の基板を金の無電解めっき液（例えば日本エン
ゲルハルト社製のアトメックス）に浸シ、部品接続部（
５）に金の保護用被膜（６）を形成させる。

〔発明の効果〕

この発明は、部品をボンディングすべき金属導体表面に
有機被膜又は金属被膜からなる保護用被膜を形成したの
で、金属導体表面の酸化による部品のボンディングの信
頼性低下を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明のハイブリッドＩＣ用基板の構成図
、第２図は、従来のハイブリッドＩＣ用基板の構成図で
ある。 図中の（１）はベース基板、（２）は厚膜抵抗体、（２
）は第１層絶縁膜体、＋４１）は第１層絶縁膜、（至）
は第２層金属溝体、（４３は第２１ｉ絶縁膜、咽はオー
バコート層、（５）は部品接続部−（６）は保護用被膜
を示す。 第１図 第２図 昭和

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　部品をボンディングすべき金属導体表面に、有機被膜
   又は金属被膜からなる保護用の被膜を形成させたことを
   特徴とするハイブリッドＩＣ用基板。