JPH0270526U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0270526U JPH0270526U JP10144288U JP10144288U JPH0270526U JP H0270526 U JPH0270526 U JP H0270526U JP 10144288 U JP10144288 U JP 10144288U JP 10144288 U JP10144288 U JP 10144288U JP H0270526 U JPH0270526 U JP H0270526U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- secondary winding
- power semiconductor
- diode
- rectifier diode
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
第１図、第２図は本考案の絶縁ゲート型電力用
半導体素子の高周波駆動回路の１実施例、他の実
施例それぞれの結線図、第３図は本考案の基礎と
なる絶縁ゲート型電力用半導体素子の駆動回路で
ある。 ３……パルストランス、３″……２次巻線、９
……ゲート抵抗、１０……浮遊容量、１２……Ｐ
ＮＰ型トランジスタ、１２……バイアス用の抵抗
、１４，１７……整流用ダイオード、１５，１６
……リセツト制御用ダイオード、ｇ……ゲート電
極。
半導体素子の高周波駆動回路の１実施例、他の実
施例それぞれの結線図、第３図は本考案の基礎と
なる絶縁ゲート型電力用半導体素子の駆動回路で
ある。 ３……パルストランス、３″……２次巻線、９
……ゲート抵抗、１０……浮遊容量、１２……Ｐ
ＮＰ型トランジスタ、１２……バイアス用の抵抗
、１４，１７……整流用ダイオード、１５，１６
……リセツト制御用ダイオード、ｇ……ゲート電
極。
補正 平１．８．２４
実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
。
。
【実用新案登録請求の範囲】
オンレベル、オフレベルに高周波変化する駆
動制御信号によつてパルストランスを駆動し、該
トランスの２次巻線のパルス出力を整流して前記
２次巻線の一端に接続された絶縁ゲート型電力用
半導体素子のゲート電極に供給するとともに、前
記電力用半導体素子のターンオフ時に前記電力用
半導体素子の前記ゲート電極と前記２次巻線の他
端に接続された入出力電極との間の浮遊容量の充
電電荷を放電リセツトし、前記電力用半導体素子
を高周波スイツチング駆動する絶縁ゲート型電力
用半導体素子の高周波駆動回路において、 高速整流ダイオードからなり、アノードが前記
２次巻線の一端に接続され前記２次巻線の出力を
整流して前記ゲート電極に供給する整流用ダイオ
ードと、 エミツタ、コレクタが前記充電電荷を放電する
向きに前記ゲート電極、前記入出力電極に接続さ
れ、ベースが前記整流用ダイオードのカソード又
は前記２次巻線の他端に接続された放電路用のト
ランジスタと、 前記整流用ダイオードより逆回復時間の短い超
高速整流ダイオード又はシヨツトキーバリアダイ
オードからなり、前記トランジスタのベース、エ
ミツタ間に前記充電電荷の前記２次巻線側の電路
を遮断する向きに設けられたリセツト制御用ダイ
オードと を備えた絶縁ゲート型電力用半導体素子の高周
波駆動回路。 オンレベル、オフレベルに高周波変化する駆
動制御信号によつてパルストランスを駆動し、該
トランスの２次巻線のパルス出力を整流して前記
２次巻線の一端に接続された絶縁ゲート型電力用
半導体素子のゲート電極に供給するとともに、前
記電力用半導体素子のターンオフ時に前記電力用
半導体素子の前記ゲート電極と前記２次巻線の他
端に接続された入出力電極との間の浮遊容量の充
電電荷を放電リセツトし、前記電力用半導体素子
を高周波スイツチング駆動する絶縁ゲート型電力
用半導体素子の高周波駆動回路において、 高速整流ダイオードからなり、前記２次巻線の
一端にアノードが接続されたリセツト制御用ダイ
オードと、 前記リセツト制御用ダイオードより逆回復時間
の短い超高速整流ダイオード又はシヨツトキーバ
リアダイオードからなり、アノードが前記２次巻
線の一端に接続されカソードが結合用のゲート抵
抗を介して前記ゲート電極に接続された整流用ダ
イオードと、 ベース、エミツタが前記リセツト制御用ダイオ
ードのカソード、前記整流用ダイオードのカソー
ドそれぞれに接続され、コレクタが前記２次巻線
の他端に接続された放電路用のＰＮＰ型トランジ
スタと、 前記トランジスタのベース、コレクタ間に設け
られたバイアス用の抵抗と を備えた絶縁ゲート型電力用半導体素子の高周
波駆動回路。 図面の簡単な説明を次のように補正する。 明細書第２１頁第２行の「第３図」を「第４図
」に補正。 明細書第２０頁第２０行の「、第２図」を「な
いし第３図」に補正。 明細書第２１頁第１行の「１実施例、他の」を
「各」に補正。 明細書第２１頁第５行の「９」のつぎに「，１
９」を加入。 明細書第２１頁第７〜８行の「１３……制御用
ダイオード、」をつぎのとおり補正。「１３，２
１……バイアス用の抵抗、１４，１７，１８……
整流用ダイオード、１５，１６，２２……リセツ
ト制御用ダイオード、２０……ＮＰＮトランジス
タ、」
動制御信号によつてパルストランスを駆動し、該
トランスの２次巻線のパルス出力を整流して前記
２次巻線の一端に接続された絶縁ゲート型電力用
半導体素子のゲート電極に供給するとともに、前
記電力用半導体素子のターンオフ時に前記電力用
半導体素子の前記ゲート電極と前記２次巻線の他
端に接続された入出力電極との間の浮遊容量の充
電電荷を放電リセツトし、前記電力用半導体素子
を高周波スイツチング駆動する絶縁ゲート型電力
用半導体素子の高周波駆動回路において、 高速整流ダイオードからなり、アノードが前記
２次巻線の一端に接続され前記２次巻線の出力を
整流して前記ゲート電極に供給する整流用ダイオ
ードと、 エミツタ、コレクタが前記充電電荷を放電する
向きに前記ゲート電極、前記入出力電極に接続さ
れ、ベースが前記整流用ダイオードのカソード又
は前記２次巻線の他端に接続された放電路用のト
ランジスタと、 前記整流用ダイオードより逆回復時間の短い超
高速整流ダイオード又はシヨツトキーバリアダイ
オードからなり、前記トランジスタのベース、エ
ミツタ間に前記充電電荷の前記２次巻線側の電路
を遮断する向きに設けられたリセツト制御用ダイ
オードと を備えた絶縁ゲート型電力用半導体素子の高周
波駆動回路。 オンレベル、オフレベルに高周波変化する駆
動制御信号によつてパルストランスを駆動し、該
トランスの２次巻線のパルス出力を整流して前記
２次巻線の一端に接続された絶縁ゲート型電力用
半導体素子のゲート電極に供給するとともに、前
記電力用半導体素子のターンオフ時に前記電力用
半導体素子の前記ゲート電極と前記２次巻線の他
端に接続された入出力電極との間の浮遊容量の充
電電荷を放電リセツトし、前記電力用半導体素子
を高周波スイツチング駆動する絶縁ゲート型電力
用半導体素子の高周波駆動回路において、 高速整流ダイオードからなり、前記２次巻線の
一端にアノードが接続されたリセツト制御用ダイ
オードと、 前記リセツト制御用ダイオードより逆回復時間
の短い超高速整流ダイオード又はシヨツトキーバ
リアダイオードからなり、アノードが前記２次巻
線の一端に接続されカソードが結合用のゲート抵
抗を介して前記ゲート電極に接続された整流用ダ
イオードと、 ベース、エミツタが前記リセツト制御用ダイオ
ードのカソード、前記整流用ダイオードのカソー
ドそれぞれに接続され、コレクタが前記２次巻線
の他端に接続された放電路用のＰＮＰ型トランジ
スタと、 前記トランジスタのベース、コレクタ間に設け
られたバイアス用の抵抗と を備えた絶縁ゲート型電力用半導体素子の高周
波駆動回路。 図面の簡単な説明を次のように補正する。 明細書第２１頁第２行の「第３図」を「第４図
」に補正。 明細書第２０頁第２０行の「、第２図」を「な
いし第３図」に補正。 明細書第２１頁第１行の「１実施例、他の」を
「各」に補正。 明細書第２１頁第５行の「９」のつぎに「，１
９」を加入。 明細書第２１頁第７〜８行の「１３……制御用
ダイオード、」をつぎのとおり補正。「１３，２
１……バイアス用の抵抗、１４，１７，１８……
整流用ダイオード、１５，１６，２２……リセツ
ト制御用ダイオード、２０……ＮＰＮトランジス
タ、」
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 オンレベル、オフレベルに高周波変化する駆
動制御信号によつてパルストランスを駆動し、該
トランスの２次巻線のパルス出力を整流して前記
２次巻線の一端に接続された絶縁ゲート型電力用
半導体素子のゲート電極に供給するとともに、前
記電力用半導体素子のターンオフ時に前記電力用
半導体素子の前記ゲート電極と前記２次巻線の他
端に接続された入出力電極との間の浮遊容量の充
電電荷を放電リセツトし、前記電力用半導体素子
を高周波スイツチング駆動する絶縁ゲート型電力
用半導体素子の高周波駆動回路において、 高速整流ダイオードからなり、前記２次巻線の
一端にアノードが接続された整流用ダイオードと
、 前記整流用ダイオードより逆回復時間の短い超
高速整流ダイオード又はシヨツトキーバリアダイ
オードからなり、アノードが前記整流用ダイオー
ドのカソードに接続されカソードが結合用のゲー
ト抵抗を介して前記ゲート電極に接続されたリセ
ツト制御用ダイオードと、 ベース、エミツタが前記リセツト制御用ダイオ
ードのアノード、カソードそれぞれに接続され、
コレクタが前記２次巻線の他端に接続された放電
路用のＰＮＰ型トランジスタと、 前記トランジスタのベース、コレクタ間に設け
られたバイアス用の抵抗と を備えた絶縁ゲート型電力用半導体素子の高周
波駆動回路。 オンレベル、オフレベルに高周波変化する駆
動制御信号によつてパルストランスを駆動し、該
トランスの２次巻線のパルス出力を整流して前記
２次巻線の一端に接続された絶縁ゲート型電力用
半導体素子のゲート電極に供給するとともに、前
記電力用半導体素子のターンオフ時に前記電力用
半導体素子の前記ゲート電極と前記２次巻線の他
端に接続された入出力電極との間の浮遊容量の充
電電荷を放電リセツトし、前記電力用半導体素子
を高周波スイツチング駆動する絶縁ゲート型電力
用半導体素子の高周波駆動回路において、 高速整流ダイオードからなり、前記２次巻線の
一端にアノードが接続されたリセツト制御用ダイ
オードと、 前記リセツト制御用ダイオードより逆回復時間
の短い超高速整流ダイオード又はシヨツトキーバ
リアダイオードからなり、アノードが前記２次巻
線の一端に接続されカソードが結合用のゲート抵
抗を介して前記ゲート電極に接続された整流用ダ
イオードと、 ベース、エミツタが前記リセツト制御用ダイオ
ードのカソード、前記整流用ダイオードのカソー
ドそれぞれに接続され、コレクタが前記２次巻線
の他端に接続された放電路用のＰＮＰ型トランジ
スタと、 前記トランジスタのベース、コレクタ間に設け
られたバイアス用の抵抗と を備えた絶縁ゲート型電力用半導体素子の高周
波駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10144288U JPH0270526U (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10144288U JPH0270526U (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0270526U true JPH0270526U (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=31330441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10144288U Pending JPH0270526U (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0270526U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020014033A (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | 株式会社明電舎 | 半導体スイッチング素子のゲート駆動回路およびパルス電源 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174230A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 芳香族ポリアミド系硬質成形品用複合成形材料 |
| JPS6220417A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Hitachi Ltd | Ｍｏｓｆｅｔのドライブ回路 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP10144288U patent/JPH0270526U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174230A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 芳香族ポリアミド系硬質成形品用複合成形材料 |
| JPS6220417A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Hitachi Ltd | Ｍｏｓｆｅｔのドライブ回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020014033A (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | 株式会社明電舎 | 半導体スイッチング素子のゲート駆動回路およびパルス電源 |
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