JPH026590A - 蛍光体の製造方法 - Google Patents
蛍光体の製造方法Info
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- JPH026590A JPH026590A JP15489788A JP15489788A JPH026590A JP H026590 A JPH026590 A JP H026590A JP 15489788 A JP15489788 A JP 15489788A JP 15489788 A JP15489788 A JP 15489788A JP H026590 A JPH026590 A JP H026590A
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Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばＸ線用シンチレータとして優れた特性
を示す、透明度の高い希土類オキシサルファイドセラミ
ックスを得るために好適な大粒径の希土類オキシサルフ
ァイド系の螢光体の製造方法に関する。
を示す、透明度の高い希土類オキシサルファイドセラミ
ックスを得るために好適な大粒径の希土類オキシサルフ
ァイド系の螢光体の製造方法に関する。
希土類オキシサルファイド系の螢光体については、米国
特許第３４１８２４６号に付活剤で活性化した該螢光体
が開示されている。また、米国特許第３５０２５９０号
に、該螢光体の実用的な製造方法についての記載がある
。後者の製造方法は、酸化ガドリニウム（ａｄｚｏａ）
−酸化ランタン（Ｌａｉｏｉ）および酸化イツトリウム
（ｙ ｚ○３）の中から選ばれる少なくとも１種の酸化
物と、付活剤としての希土類酸化物および加熱によって
硫化アルカリおよびポリ硫化アルカリを生ずる組成物と
からなる混合物を７００〜１２５０℃で加熱する工程と
、次いでその加熱生成物を冷却する工程とからなる方法
で、上記工程を経て得られた試料を水洗して水溶性物質
（硫化アルカリ）を除去することによって、平均粒径１
〜８μｍの希土類オキシサルファイド螢光体が得られて
いる。
特許第３４１８２４６号に付活剤で活性化した該螢光体
が開示されている。また、米国特許第３５０２５９０号
に、該螢光体の実用的な製造方法についての記載がある
。後者の製造方法は、酸化ガドリニウム（ａｄｚｏａ）
−酸化ランタン（Ｌａｉｏｉ）および酸化イツトリウム
（ｙ ｚ○３）の中から選ばれる少なくとも１種の酸化
物と、付活剤としての希土類酸化物および加熱によって
硫化アルカリおよびポリ硫化アルカリを生ずる組成物と
からなる混合物を７００〜１２５０℃で加熱する工程と
、次いでその加熱生成物を冷却する工程とからなる方法
で、上記工程を経て得られた試料を水洗して水溶性物質
（硫化アルカリ）を除去することによって、平均粒径１
〜８μｍの希土類オキシサルファイド螢光体が得られて
いる。
また、上記製造方法の改良として、希土類酸化物の一部
を希土類リン酸塩で置換する方法が特開昭第５５−１５
７６７８号に開示されている。
を希土類リン酸塩で置換する方法が特開昭第５５−１５
７６７８号に開示されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
Ｘ線用シンチレータとして優れた特性を示す希土類オキ
シサルファイドセラミックスについて、透明度の高い高
効率の該セラミックスを得るためには、その原材料とな
る希土類オキシサルファイド螢光体ができるだけ大粒径
であることが望ましいが、上記従来技術の方法によって
得られる螢光体は平均粒径が高々１０μｍに止まってい
た。
シサルファイドセラミックスについて、透明度の高い高
効率の該セラミックスを得るためには、その原材料とな
る希土類オキシサルファイド螢光体ができるだけ大粒径
であることが望ましいが、上記従来技術の方法によって
得られる螢光体は平均粒径が高々１０μｍに止まってい
た。
本発明の目的は、平均粒径が少なくとも２０μｍ以上の
希土類オキシサルファイド螢光体を得ることのできる製
造方法を提供することにある。
希土類オキシサルファイド螢光体を得ることのできる製
造方法を提供することにある。
上記目的は、−数式（Ｌｎ、−ｘ Ｍｘ ）ｘ Ｏａ
（但し、ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｇｄの中から選ばれる少なく
とも１種の元素、ＭはＰｒ、Ｅｕ、Ｔｂの中から選ばれ
る少なくとも１種の元素、Ｘは０．００００１〜０．１
の範囲の値）で表わされる酸化物、ＬｎおよびＭのリン
酸塩化合物、加熱分解によってＣｅ２ｏ３を生ずるＣｅ
化合物、加熱により硫化アルカリおよびポリ硫化アルカ
リを生ずる組成物、ホウ素化合物およびフッ素化合物か
らなる混合物を９００〜１４００℃の温度で加熱焼成す
る工程と、次いで、該焼成生成物を冷却した後水洗する
工程とからなる製造方法を適用することによって達成す
ることができる。
（但し、ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｇｄの中から選ばれる少なく
とも１種の元素、ＭはＰｒ、Ｅｕ、Ｔｂの中から選ばれ
る少なくとも１種の元素、Ｘは０．００００１〜０．１
の範囲の値）で表わされる酸化物、ＬｎおよびＭのリン
酸塩化合物、加熱分解によってＣｅ２ｏ３を生ずるＣｅ
化合物、加熱により硫化アルカリおよびポリ硫化アルカ
リを生ずる組成物、ホウ素化合物およびフッ素化合物か
らなる混合物を９００〜１４００℃の温度で加熱焼成す
る工程と、次いで、該焼成生成物を冷却した後水洗する
工程とからなる製造方法を適用することによって達成す
ることができる。
本発明方法のもっとも特徴とするところは、希土類オキ
シサルファイド螢光体の製造方法において、従来技術に
おける材料組成に加えて、さらに、ホウ素化合物を用い
たことにある。ここで、該ホウ素化合物としては、Ｈ，
ＢＯ，、Ｂ、Ｏ，、Ｌｉ。
シサルファイド螢光体の製造方法において、従来技術に
おける材料組成に加えて、さらに、ホウ素化合物を用い
たことにある。ここで、該ホウ素化合物としては、Ｈ，
ＢＯ，、Ｂ、Ｏ，、Ｌｉ。
Ｂ４０ｔ、Ｎａ、Ｂ、Ｏ，、ｘ ＊ Ｂ２Ｏｔ、Ｋ、Ｂ
、Ｏ，、ＮａＢＯ，およびＬｉＢＯ，の中から選ばれる
少なくとも１種のホウ素化合物を用いることが望ましく
、平均粒径２０μｍ以上の希土類オキシサルファイド螢
光体を得るための該ホウ素化合物の量は、ホウ素原子に
換算して、希土類元素１グラム原子当り０．０２〜０．
４グラム原子の範囲が適当である。０．４グラム原子よ
りも多量に添加した場合には得られる螢光体粒子径はさ
らに大きくなるが、螢光体中に非発光物質が混入してく
るので好ましくない、なお、ホウ素化合物としては、上
記した化合物以外に、加熱によってホウ素化合物を生ず
るような混合物成分を用いてもよい６ フッ素化合物あるいは塩素化合物およびＣｅ化合物を添
加した理由は特公昭第６０−４８５６号に開示されてい
るので割愛する。
、Ｏ，、ＮａＢＯ，およびＬｉＢＯ，の中から選ばれる
少なくとも１種のホウ素化合物を用いることが望ましく
、平均粒径２０μｍ以上の希土類オキシサルファイド螢
光体を得るための該ホウ素化合物の量は、ホウ素原子に
換算して、希土類元素１グラム原子当り０．０２〜０．
４グラム原子の範囲が適当である。０．４グラム原子よ
りも多量に添加した場合には得られる螢光体粒子径はさ
らに大きくなるが、螢光体中に非発光物質が混入してく
るので好ましくない、なお、ホウ素化合物としては、上
記した化合物以外に、加熱によってホウ素化合物を生ず
るような混合物成分を用いてもよい６ フッ素化合物あるいは塩素化合物およびＣｅ化合物を添
加した理由は特公昭第６０−４８５６号に開示されてい
るので割愛する。
また、付活剤としての希土類酸化物としては、酸化プラ
セオジム、酸化テルビウムおよび酸化ユーロピウムの中
から選ばれる少なくとも１種の酸化物を用いることが望
ましいが、他の希土類酸化物を用いてもよい。
セオジム、酸化テルビウムおよび酸化ユーロピウムの中
から選ばれる少なくとも１種の酸化物を用いることが望
ましいが、他の希土類酸化物を用いてもよい。
上述の製造方法を用いて作成した平均粒径３８μｍのＧ
ｄ、Ｏ，Ｓ ： Ｐｒ螢光体を用いてＸＱＣＴ用固体検
出器を作成して、その特性を調べた。すなわち、まず、
上記Ｇｄ、Ｏ，Ｓ ： Ｐｒ螢光体に焼結助剤として０
．１重量パーセントのＬｉ、ＧｅＦ、を加えて混合し、
これを鉄製のカプセルに詰め、真空封止した後、 １３
００℃、１０００気圧、３時間の条件で熱間静水圧加圧
成形（Ｈｏｔ ｌ５ｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓｉｎｇ
、 ＨＩＦ）を行った０次いで、鉄容器を除去して焼結
成形体を取り出し、厚さ１．２ｆｆｌに加工した後、シ
リコンホトダイオードと組合わせて固体検出器を作製し
た。この検出器にＸ線（管電圧ｔｚｏｋｖ、電流２００
ｍＡ）を照射した場合の発光出力は、従来の製造方法で
作成した平均粒径５μｍの同一組成の螢光体を用いて上
記と同様の方法で作製した固体検出器の発光出力と比べ
、約１．７倍の値を示した。
ｄ、Ｏ，Ｓ ： Ｐｒ螢光体を用いてＸＱＣＴ用固体検
出器を作成して、その特性を調べた。すなわち、まず、
上記Ｇｄ、Ｏ，Ｓ ： Ｐｒ螢光体に焼結助剤として０
．１重量パーセントのＬｉ、ＧｅＦ、を加えて混合し、
これを鉄製のカプセルに詰め、真空封止した後、 １３
００℃、１０００気圧、３時間の条件で熱間静水圧加圧
成形（Ｈｏｔ ｌ５ｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓｉｎｇ
、 ＨＩＦ）を行った０次いで、鉄容器を除去して焼結
成形体を取り出し、厚さ１．２ｆｆｌに加工した後、シ
リコンホトダイオードと組合わせて固体検出器を作製し
た。この検出器にＸ線（管電圧ｔｚｏｋｖ、電流２００
ｍＡ）を照射した場合の発光出力は、従来の製造方法で
作成した平均粒径５μｍの同一組成の螢光体を用いて上
記と同様の方法で作製した固体検出器の発光出力と比べ
、約１．７倍の値を示した。
ここで、平均粒径３８μｍの螢光体を用いて作製した固
体検出器の方が発光出力が高い値を示すのは、焼結体に
おける粒界が少なく、光の散乱や吸収が少なくなるため
と思われる。この焼結体シンチレータはＸ線ＣＴ用とし
て極めて有用である。
体検出器の方が発光出力が高い値を示すのは、焼結体に
おける粒界が少なく、光の散乱や吸収が少なくなるため
と思われる。この焼結体シンチレータはＸ線ＣＴ用とし
て極めて有用である。
以下、本発明の螢光体の製造方法について、実施例によ
って具体的に説明する。
って具体的に説明する。
実施例 １〜８
まず、下記材料をビーカーに秤量採取し、これに水を加
えて十分混合した後乾燥する。
えて十分混合した後乾燥する。
Ｇ ｄ、 ０ 、 ０．９１９１モル
ＧｄＰＯ４０，１５９８モル Ｐｒ、 Ｏ，、０，０００３３モル Ｇｏ（Ｎ Ｏ，）、 ・６ Ｈ２Ｏ０，０ＯＯＯＬ２モ
ル次いで、上記混合物をアクリル製のびんに入れ。
ＧｄＰＯ４０，１５９８モル Ｐｒ、 Ｏ，、０，０００３３モル Ｇｏ（Ｎ Ｏ，）、 ・６ Ｈ２Ｏ０，０ＯＯＯＬ２モ
ル次いで、上記混合物をアクリル製のびんに入れ。
さらに下記材料を加え、びんを回転して内容物を良く混
合させる。
合させる。
８ ３．２９モルＮａ、 Ｃ０
，０，４５２モル ＬＬ、Ｃ０，０，４５２モル に、 Ｐ Ｏ４０，１２１モ／ｌ／ Ｎ Ｈ，Ｐ Ｆ、 ０．０３０モルホ
ウ素化合物 希土類元素１グラ（第１表第２
欄） ム原子当り０．１２グラム原子のホウ素 を含む量 この混合材料をアルミするつぼに詰め、アルミナのふた
をした後、空気中１２５０℃で６時間焼成する。
，０，４５２モル ＬＬ、Ｃ０，０，４５２モル に、 Ｐ Ｏ４０，１２１モ／ｌ／ Ｎ Ｈ，Ｐ Ｆ、 ０．０３０モルホ
ウ素化合物 希土類元素１グラ（第１表第２
欄） ム原子当り０．１２グラム原子のホウ素 を含む量 この混合材料をアルミするつぼに詰め、アルミナのふた
をした後、空気中１２５０℃で６時間焼成する。
焼成物をるつぼから取り出し、純水を加えてスタージー
で攪拌する。このとき、Ｎ ａ ２ Ｓ ｘが純水に溶
出するため溶液が黄色となるが、これが無色となるまで
水洗を繰り返す１次いで、０．１５規定のＨ（１１で処
理した後、再び水洗し、得られた螢光体を１４０℃で乾
燥する。
で攪拌する。このとき、Ｎ ａ ２ Ｓ ｘが純水に溶
出するため溶液が黄色となるが、これが無色となるまで
水洗を繰り返す１次いで、０．１５規定のＨ（１１で処
理した後、再び水洗し、得られた螢光体を１４０℃で乾
燥する。
このようにして得られた螢光体はいずれも（Ｇｄｏ ５
ｓｓＰｒｏ ｌｌｌｌｌｃｅｍ ｔｏ−ｂ）ｚｏｚｓ
： （Ｆ）の組成からなるものであり、その平均粒径（
顕微鏡写真から求めた）を、添加したホウ素化合物の種
類とともに、第１表に示した。なお、表中で、Ｌｎは配
合したすべての希土類元素を示すものである。
ｓｓＰｒｏ ｌｌｌｌｌｃｅｍ ｔｏ−ｂ）ｚｏｚｓ
： （Ｆ）の組成からなるものであり、その平均粒径（
顕微鏡写真から求めた）を、添加したホウ素化合物の種
類とともに、第１表に示した。なお、表中で、Ｌｎは配
合したすべての希土類元素を示すものである。
表の結果かられかるように、螢光体製造の材料成分とし
てホウ素化合物を加えることによって。
てホウ素化合物を加えることによって。
添加しないものに比べて、非常に大きな平均粒径を有す
る螢光体を得ることができる。
る螢光体を得ることができる。
第 １ 表
実施例 ９
下記材料をビーカーに秤量採取し、これに水を加えて十
分混合した後乾燥する。
分混合した後乾燥する。
Ｌａｔｏ、 ０．９１９１モルＬａ
Ｐ ０． ０．１５９８モルＰｒ、０
１□０．０００３３モル Ｃ６（Ｎ ０３）３ ・６ Ｈｚ ＯＯ，００００１２
モ）ｔ／次いで、上記混合物をアクリル製のびんに入れ
、さらに下記材料を加え、びんを回転して内容物を良く
混合させる。
Ｐ ０． ０．１５９８モルＰｒ、０
１□０．０００３３モル Ｃ６（Ｎ ０３）３ ・６ Ｈｚ ＯＯ，００００１２
モ）ｔ／次いで、上記混合物をアクリル製のびんに入れ
、さらに下記材料を加え、びんを回転して内容物を良く
混合させる。
Ｓ ３．２９モルＮａ、 Ｃ
０，０，４５２モル Ｌｉ２Ｃ０，０，４５２モル に３ＰＯ４０，１２１モル ＮＨ４ＰＦ、 ０．０３０モルＬｉ、Ｂ
２Ｏ，０，０６０モル この後の工程は実施例１〜８の場合と同様にして焼成、
水洗、酸洗処理等を行った。
０，０，４５２モル Ｌｉ２Ｃ０，０，４５２モル に３ＰＯ４０，１２１モル ＮＨ４ＰＦ、 ０．０３０モルＬｉ、Ｂ
２Ｏ，０，０６０モル この後の工程は実施例１〜８の場合と同様にして焼成、
水洗、酸洗処理等を行った。
得られた螢光体は（Ｌ ８６１ｇｇ Ｐ ｒｇ、 ６１
）ＩＣｅＧｘ、、−４）、 ｏ２Ｓ ： （Ｆ ）の組
成を有するものであり、その平均粒径は３８μｍであっ
た。
）ＩＣｅＧｘ、、−４）、 ｏ２Ｓ ： （Ｆ ）の組
成を有するものであり、その平均粒径は３８μｍであっ
た。
実施例 １０
実施例９におけるＬａ２０．およびＬａＰＯ４の代りに
それぞれＹ、Ｏ，およびｙｐｏ、を用い、他は実施例９
の場合と同様にして螢光体を製造した。
それぞれＹ、Ｏ，およびｙｐｏ、を用い、他は実施例９
の場合と同様にして螢光体を製造した。
得られた螢光体は（Ｙ、、 、、、 Ｐｒ、、、。１Ｃ
ａｔｘ１ｏ−６）、 Ｏｘ Ｓ ： （Ｆ ）の組成を
有するものであり、その平均粒径は３６μｍであった。
ａｔｘ１ｏ−６）、 Ｏｘ Ｓ ： （Ｆ ）の組成を
有するものであり、その平均粒径は３６μｍであった。
実施例 １１
実施例３におけるホウ素化合物Ｌｉ２Ｂ、Ｏ，の量を０
．０１モル（希土類元素１グラム原子に対して０．０２
グラム原子のホウ素を含む）とし、他は実施例１〜８の
場合と同様条件で処理して螢光体を製造した。
．０１モル（希土類元素１グラム原子に対して０．０２
グラム原子のホウ素を含む）とし、他は実施例１〜８の
場合と同様条件で処理して螢光体を製造した。
得られた螢光体は（Ｇｄ、、ｓｓｓ ｐ ｒ、、 ａａ
ｘＣｅ、ｘｌ、−６）２０２Ｓ：（Ｆ）の組成を有する
ものであり、その平均粒径は２５μｍであった。
ｘＣｅ、ｘｌ、−６）２０２Ｓ：（Ｆ）の組成を有する
ものであり、その平均粒径は２５μｍであった。
実施例 １２
実施例３におけるホウ素化合物Ｌｉ、Ｂ、０７の量を０
．２モル（希土類元素１グラム原子に対して０．４ダラ
ム原子のホウ素を含む）とし、他は実施例１〜８の場合
と同様条件で処理して螢光体を製造した。
．２モル（希土類元素１グラム原子に対して０．４ダラ
ム原子のホウ素を含む）とし、他は実施例１〜８の場合
と同様条件で処理して螢光体を製造した。
得られた螢光体は（Ｇｄ、、 ｓｓｓ Ｐ ｒ、、 ｏ
。、ＣｅＧＸｌ、−６）、 ｏ、 Ｓ ： （Ｆ ）の
組成を有するものであり、その平均粒径は４５μｍであ
った。
。、ＣｅＧＸｌ、−６）、 ｏ、 Ｓ ： （Ｆ ）の
組成を有するものであり、その平均粒径は４５μｍであ
った。
実施例 １３
下記材料をビーカーに秤量採取し、これに水を加えて十
分混合した後乾燥する。
分混合した後乾燥する。
Ｇ ｄ、 ０３０．４１９６モル
Ｌ ａ、 ０ 、 ０．４９９５モル
ＧｄＰ Ｏ４０，１５９８モル Ｐｒ、Ｏｌ、 ０．０００３３モル
Ｃｅ（ＮＯ３）３ ” ６ Ｈｚ○ ０，００００１
２モル次いで、上記混合物をアクリル製のびんに入れ、
さらに下記材料を加え、びんを回転して内容物を良く混
合させる。
ＧｄＰ Ｏ４０，１５９８モル Ｐｒ、Ｏｌ、 ０．０００３３モル
Ｃｅ（ＮＯ３）３ ” ６ Ｈｚ○ ０，００００１
２モル次いで、上記混合物をアクリル製のびんに入れ、
さらに下記材料を加え、びんを回転して内容物を良く混
合させる。
Ｓ ３．２９モルＮａ、 Ｇ
Ｏ３０，４５２モル Ｌｉ、 Ｇ Ｏ，０，４５２モ／Ｌ／ に、 Ｐ Ｏ４０，１２１モル ＮＨ４ＰＦ、 ０．０３０モルＬＬ、
Ｂ４０． ０．０６０モルこの混合材料
をアルミするつぼに詰め、アルミナのふたをした後、空
気中１２５０℃で６時間の焼成を行った。その後の工程
は実施例１〜８の場合と同様の条件で処理して螢光体の
作製を行った。
Ｏ３０，４５２モル Ｌｉ、 Ｇ Ｏ，０，４５２モ／Ｌ／ に、 Ｐ Ｏ４０，１２１モル ＮＨ４ＰＦ、 ０．０３０モルＬＬ、
Ｂ４０． ０．０６０モルこの混合材料
をアルミするつぼに詰め、アルミナのふたをした後、空
気中１２５０℃で６時間の焼成を行った。その後の工程
は実施例１〜８の場合と同様の条件で処理して螢光体の
作製を行った。
得られた螢光体は（Ｇｄ０．４に９ＭＧ Ｌａ、、 ４
ｓｓｓＰｒｌ、、、、、ＣｅＢｌｏ−リ、０２Ｓ：（Ｆ
）の組成を有するものであり、その平均粒径は３６μｍ
であった。
ｓｓｓＰｒｌ、、、、、ＣｅＢｌｏ−リ、０２Ｓ：（Ｆ
）の組成を有するものであり、その平均粒径は３６μｍ
であった。
実施例 １４
実施例１３におけるＬａ、０，０．４９９５モルの代り
にＹ２Ｏ，０，４９９５モルを用い、他は実施例１３の
場合と同様条件で螢光体を製造した。
にＹ２Ｏ，０，４９９５モルを用い、他は実施例１３の
場合と同様条件で螢光体を製造した。
得られた螢光体は（Ｇｄｏ、ｓｓｓ ｙ、、４ｓｓｓＰ
ｒｏ、 ｏｏ、Ｃｅ、Ｘｉ、−６）２ｏ２Ｓ ： （
Ｆ ）の組成を有するものであり、その平均粒径は３５
μｍであった。
ｒｏ、 ｏｏ、Ｃｅ、Ｘｉ、−６）２ｏ２Ｓ ： （
Ｆ ）の組成を有するものであり、その平均粒径は３５
μｍであった。
上記の諸実施例においては材料成分の一つとしてフッ素
化合物ＮＨ４ＰＦ、を用いた場合について説明してきた
が、この代りにＫＣＱ等の塩素化合物を用いても同様の
結果が得られている。
化合物ＮＨ４ＰＦ、を用いた場合について説明してきた
が、この代りにＫＣＱ等の塩素化合物を用いても同様の
結果が得られている。
また、ホウ素化合物の混合形態として上記諸実施例にお
イテはＨ２ＢＯ３、Ｂ、Ｏ，、Ｌｉ、Ｂ４Ｏ７、Ｋ、Ｂ
４０．、に、Ｂ、０４．ＮａＢＯ２およびＬｉＢ Ｏ。
イテはＨ２ＢＯ３、Ｂ、Ｏ，、Ｌｉ、Ｂ４Ｏ７、Ｋ、Ｂ
４０．、に、Ｂ、０４．ＮａＢＯ２およびＬｉＢ Ｏ。
の中から選ばれる少なくとも１種の化合物を用いた場合
について説明したが、混合形態としてはこれに限定する
ものではなく、例えばＬｉ、Ｂ、Ｏ□の代りにＬｉ、Ｇ
ｏ、とＢ２Ｏ３との混合物。
について説明したが、混合形態としてはこれに限定する
ものではなく、例えばＬｉ、Ｂ、Ｏ□の代りにＬｉ、Ｇ
ｏ、とＢ２Ｏ３との混合物。
Ｎａ、Ｂ４０．の代りにＮａ、Ｇｏ、とＢ２０．との混
合物など反応によって容易に上記化合物を生ずるような
原材料を用いても同様の結果が得られることは言うまで
もない。
合物など反応によって容易に上記化合物を生ずるような
原材料を用いても同様の結果が得られることは言うまで
もない。
以上述べてきたように、シンチレータ用希土類オキシサ
ルファイドセラミックス製造用材料としての希土類オキ
シサルファイド螢光体の製造において、本発明の製造方
法、特に焼成材料成分の一つとしてホウ素化合物を希土
類元素１グラム原子当り０．０２〜０．４グラム原子の
範囲の量で用いること、によって、従来技術の有してい
た課題を解決して、平均粒径の大きな希土類オキシサル
ファイド螢光体を得ることができた。
ルファイドセラミックス製造用材料としての希土類オキ
シサルファイド螢光体の製造において、本発明の製造方
法、特に焼成材料成分の一つとしてホウ素化合物を希土
類元素１グラム原子当り０．０２〜０．４グラム原子の
範囲の量で用いること、によって、従来技術の有してい
た課題を解決して、平均粒径の大きな希土類オキシサル
ファイド螢光体を得ることができた。
また、この螢光体を用いて熱間静水圧加圧法でセラミッ
クシンチレータを作製することによって、極めて発光効
率の高いＸ１ｉＣＴ用検出器を得ることができた。
クシンチレータを作製することによって、極めて発光効
率の高いＸ１ｉＣＴ用検出器を得ることができた。
Claims (2)
- １． 下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、
（Ｆ）の成分からなる混合物を加熱焼成する工程と、次
いで、該焼成物を冷却後水洗する工程とからなることを
特徴とする螢光体の製造方法。 （Ａ） 一般式（Ｌｎ＿１＿−＿ｘ Ｍ＿ｘ）＿２Ｏ＿
３で表わされる酸化物。但し、ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｇｄの
中から選ばれる少なくとも１種の元素、ＭはＰｒ、Ｅｕ
、Ｔｂの中から選ばれる少なくとも１種の元素、ｘは０
．００００３〜０．１の範囲の値。 （Ｂ） 元素ＬｎおよびＭのリン酸塩化合物。量はＬｎ
とＭとの総原子数の３〜３０原子パーセントの範囲。 （Ｃ） 加熱分解によってＣｅ＿２Ｏ＿３を生ずるＣｅ
化合物。 （Ｄ） 加熱により硫化アルカリおよびポリ硫化アルカ
リを生ずる組成物。 （Ｅ） ホウ素化合物。 （Ｆ） フッ素化合物あるいは塩素化合物。 - ２． 上記ホウ素化合物がＨ＿３ＢＯ＿３、Ｂ＿２Ｏ＿
３、Ｌｉ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７、Ｎａ＿８Ｂ＿４Ｏ＿７、Ｋ
＿２Ｂ＿４Ｏ＿７、Ｋ＿２Ｂ＿２Ｏ＿４、ＮａＢＯ＿２
およびＬｉＢＯ＿２の中から選ばれる少なくとも１種の
ホウ素化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の螢光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15489788A JP2625000B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15489788A JP2625000B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 蛍光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH026590A true JPH026590A (ja) | 1990-01-10 |
| JP2625000B2 JP2625000B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=15594349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15489788A Expired - Fee Related JP2625000B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625000B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000178554A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-06-27 | General Electric Co <Ge> | 希土類ｘ線シンチレ―タ―組成物 |
| JP2004238583A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-08-26 | Toshiba Corp | シンチレータおよびそれを用いた放射線検査装置 |
| US7230248B2 (en) * | 2003-09-24 | 2007-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic scintillator, and radiation detector and radiographic examination apparatus using same |
| EP1816241A1 (en) * | 2004-11-08 | 2007-08-08 | Tohoku University | Pr-CONTAINING SINGLE CRYSTAL FOR SCINTILLATOR, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, RADIATION DETECTOR AND INSPECTION APPARATUS |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15489788A patent/JP2625000B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000178554A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-06-27 | General Electric Co <Ge> | 希土類ｘ線シンチレ―タ―組成物 |
| JP2004238583A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-08-26 | Toshiba Corp | シンチレータおよびそれを用いた放射線検査装置 |
| US7230248B2 (en) * | 2003-09-24 | 2007-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic scintillator, and radiation detector and radiographic examination apparatus using same |
| EP1816241A1 (en) * | 2004-11-08 | 2007-08-08 | Tohoku University | Pr-CONTAINING SINGLE CRYSTAL FOR SCINTILLATOR, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, RADIATION DETECTOR AND INSPECTION APPARATUS |
| JPWO2006049284A1 (ja) * | 2004-11-08 | 2008-08-07 | 株式会社 東北テクノアーチ | Ｐｒを含むシンチレータ用単結晶及びその製造方法並びに放射線検出器及び検査装置 |
| EP1816241A4 (en) * | 2004-11-08 | 2010-04-28 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | PR-CONTAINING CRYSTAL FOR SCINTILLATOR, MANUFACTURING METHOD, RADIATION DETECTOR AND INSPECTION APPARATUS |
| CN102888652A (zh) * | 2004-11-08 | 2013-01-23 | 东北泰克诺亚奇股份有限公司 | 含Pr的闪烁体用单晶及其制造方法和放射线检测器以及检查装置 |
| JP5389328B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2014-01-15 | 株式会社 東北テクノアーチ | Ｐｒを含むシンチレータ用単結晶及びその製造方法並びに放射線検出器及び検査装置 |
| US9834858B2 (en) | 2004-11-08 | 2017-12-05 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Pr-containing scintillator single crystal, method of manufacturing the same, radiation detector, and inspection apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2625000B2 (ja) | 1997-06-25 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |