JP2001348273A - セラミックス、セラミックス粉末の製造方法及びセラミックスの製造方法。 - Google Patents
セラミックス、セラミックス粉末の製造方法及びセラミックスの製造方法。Info
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- C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光強度が大きく、減衰時定数及び残光が
小さく、また、コストが比較的安価な透明セラミックシ
ンチレータを提供すること。 【解決手段】 一般式Gd3-xCexAlySizGa5-y-zO12［ただ
し、0.001≦x≦0.05、1≦y≦4、0.0015≦z≦0.03］で表
されることを特徴とするセラミックスであり、混合後、
1400〜1600℃で仮焼してガーネット粉末を作成し、さら
に、プレス成形後、5×104Ｐａ以上の非還元性雰囲気に
おいて1600〜1700℃の温度範囲で焼結し、また、アルゴ
ン雰囲気1400〜1600℃の温度で熱間静水圧プレス焼結を
行い透明セラミックシンチレータとする製造方法。
小さく、また、コストが比較的安価な透明セラミックシ
ンチレータを提供すること。 【解決手段】 一般式Gd3-xCexAlySizGa5-y-zO12［ただ
し、0.001≦x≦0.05、1≦y≦4、0.0015≦z≦0.03］で表
されることを特徴とするセラミックスであり、混合後、
1400〜1600℃で仮焼してガーネット粉末を作成し、さら
に、プレス成形後、5×104Ｐａ以上の非還元性雰囲気に
おいて1600〜1700℃の温度範囲で焼結し、また、アルゴ
ン雰囲気1400〜1600℃の温度で熱間静水圧プレス焼結を
行い透明セラミックシンチレータとする製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＸ線を検出する放射
線検出器に用いられるシンチレータ用のセラミックス、
セラミックス粉末およびその製造方法に関するものであ
る。
線検出器に用いられるシンチレータ用のセラミックス、
セラミックス粉末およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】シンチレータは、放射線により可視光の
光を発する物質である。放射線の強度とシンチレータの
発光量とは比例関係にあるため、シンチレータと光検出
器を組み合わせることで、放射線の計測が可能となる。
主に、Ｘ線ＣＴなどの医療機器、分析機器，放射線を用
いた非破壊検査装置、放射線漏洩検査装置などの分野に
用いられている。
光を発する物質である。放射線の強度とシンチレータの
発光量とは比例関係にあるため、シンチレータと光検出
器を組み合わせることで、放射線の計測が可能となる。
主に、Ｘ線ＣＴなどの医療機器、分析機器，放射線を用
いた非破壊検査装置、放射線漏洩検査装置などの分野に
用いられている。
【０００３】シンチレータに要求される特性としては、
放射線に対する感度が大きいこと、材料の均質性が高い
こと、化学的に安定であることなどが挙げられる。さら
に，Ｘ線ＣＴのように放射線の強度変化を高速に検出し
ていく装置に用いられる場合には、減衰時定数(放射線
を停止後、発光強度が1/eになるまでの時間)及び残光
（放射線停止後にも続く発光）が小さいことが重要とな
る。このようなシンチレータとしては、CdWO4などの単
結晶体、Gd2O2S:Pr,Ce,F、(Gd,Y)2O3:Eu,Pr、Gd3Ga
5O12:Cr,Ceなどの多結晶体がある。
放射線に対する感度が大きいこと、材料の均質性が高い
こと、化学的に安定であることなどが挙げられる。さら
に，Ｘ線ＣＴのように放射線の強度変化を高速に検出し
ていく装置に用いられる場合には、減衰時定数(放射線
を停止後、発光強度が1/eになるまでの時間)及び残光
（放射線停止後にも続く発光）が小さいことが重要とな
る。このようなシンチレータとしては、CdWO4などの単
結晶体、Gd2O2S:Pr,Ce,F、(Gd,Y)2O3:Eu,Pr、Gd3Ga
5O12:Cr,Ceなどの多結晶体がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらのシンチレータ
の中で、CdWO4単結晶シンチレータは発光強度が大きく
なく、また、へき開性があるため加工性が悪く、さら
に、Cdという毒性の強いイオンを含むという問題があ
る。Gd2O2S:Pr,Ce,F シンチレータは、高い発光効率を
有し、減衰時定数と残光も小さい。しかし、製造プロセ
スが複雑でコストが高いという問題を有している。(Gd,
Y)2O3:Eu,Pr は、発光強度は大きいが、減衰時定数も非
常に大きいという問題がある。また、Gd3Ga5O12:Cr,Ce
は、発光強度があまり大きくない。表1にこれらのシン
チレータの特性を示す。本発明は以上の従来の問題に鑑
みてなされたものであり、発光強度が大きく、減衰時定
数及び残光が小さく、また、コストが比較的安価な酸化
物セラミックシンチレータを提供することを目的とす
る。
の中で、CdWO4単結晶シンチレータは発光強度が大きく
なく、また、へき開性があるため加工性が悪く、さら
に、Cdという毒性の強いイオンを含むという問題があ
る。Gd2O2S:Pr,Ce,F シンチレータは、高い発光効率を
有し、減衰時定数と残光も小さい。しかし、製造プロセ
スが複雑でコストが高いという問題を有している。(Gd,
Y)2O3:Eu,Pr は、発光強度は大きいが、減衰時定数も非
常に大きいという問題がある。また、Gd3Ga5O12:Cr,Ce
は、発光強度があまり大きくない。表1にこれらのシン
チレータの特性を示す。本発明は以上の従来の問題に鑑
みてなされたものであり、発光強度が大きく、減衰時定
数及び残光が小さく、また、コストが比較的安価な酸化
物セラミックシンチレータを提供することを目的とす
る。
【０００５】
【表１】
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、種々の酸化物組成系に関し検討を行い、(Gd,Ce)3(A
l,Si,Ga)5O12ガーネット組成系に発光強度の大きいもの
を見出した。この組成系の結晶構造は立方晶であり、光
学的異方性が小さく、透光性の高い焼結体を作成可能で
ある。
め、種々の酸化物組成系に関し検討を行い、(Gd,Ce)3(A
l,Si,Ga)5O12ガーネット組成系に発光強度の大きいもの
を見出した。この組成系の結晶構造は立方晶であり、光
学的異方性が小さく、透光性の高い焼結体を作成可能で
ある。
【０００７】この系の発光元素はCeであり、Gd3+の一部
を置換したCe3+の5d→4f遷移により発光し、減衰時定数
は数十〜数百nsときわめて小さい。Siはイオン半径の大
きいCe3+の固溶を容易にするとともに、焼結性を向上さ
せる働きを有している。
を置換したCe3+の5d→4f遷移により発光し、減衰時定数
は数十〜数百nsときわめて小さい。Siはイオン半径の大
きいCe3+の固溶を容易にするとともに、焼結性を向上さ
せる働きを有している。
【０００８】Gd2O3、Al2O3、Ga2O3、SiO2、BaF2及びセ
リウム塩としてたとえば硝酸セリウムをボールミル混合
後、フタ付のアルミナルツボ中において、1500℃、2時
間仮焼した場合について、AlとGaの組成比を変えた粉末
シンチレータの発光強度(Gd2O2S:Pr,Ce,Fシンチレータ
粉末の発光強度に対する比率)を図1に示す。Gd2.995Ce
0.005AlySi0.003Ga4.997-yO12組成において、yの範囲が
1〜4で発光強度は相対的に大きな値を示し、yが3で発光
強度は最大となった。図2には発光元素であるCeの発光
強度に対する組成依存性を示す。Ceの濃度依存性はあま
り大きくないが、Gd3-xCexAl2.997Si0.003Ga2O12組成に
おいてxが0.001から0.05が適当である。
リウム塩としてたとえば硝酸セリウムをボールミル混合
後、フタ付のアルミナルツボ中において、1500℃、2時
間仮焼した場合について、AlとGaの組成比を変えた粉末
シンチレータの発光強度(Gd2O2S:Pr,Ce,Fシンチレータ
粉末の発光強度に対する比率)を図1に示す。Gd2.995Ce
0.005AlySi0.003Ga4.997-yO12組成において、yの範囲が
1〜4で発光強度は相対的に大きな値を示し、yが3で発光
強度は最大となった。図2には発光元素であるCeの発光
強度に対する組成依存性を示す。Ceの濃度依存性はあま
り大きくないが、Gd3-xCexAl2.997Si0.003Ga2O12組成に
おいてxが0.001から0.05が適当である。
【０００９】図3にSi添加の発光強度に与える影響を示
す。Siの添加方法としては、エチルシリケートSi(OC
2H5)4やSiO2として添加するのが好ましい。Gd2.99Ce
0.01Al3-zSizGa2O12組成においてSiが 0.0015未満では
焼結密度向上にほとんど効果がなく、また、0.03より多
く添加すると、発光強度の低下が顕著となる。
す。Siの添加方法としては、エチルシリケートSi(OC
2H5)4やSiO2として添加するのが好ましい。Gd2.99Ce
0.01Al3-zSizGa2O12組成においてSiが 0.0015未満では
焼結密度向上にほとんど効果がなく、また、0.03より多
く添加すると、発光強度の低下が顕著となる。
【００１０】フッ素化合物としてはフッ化バリウム（Ｂ
ａＦ２）が望ましい。 ＢａＦ２は仮焼時に液相とな
り、主組成に格子欠陥をできにくくし、発光強度を向上
させるため必要である。添加量としては、母材１ｍｏｌ
に対し、０．１〜１．０ｍｏｌの範囲量が好ましい。発
光強度の仮焼温度依存性を図４に示す。この図より、仮
焼温度は1400〜1600℃とするのが好ましいことがわか
る。
ａＦ２）が望ましい。 ＢａＦ２は仮焼時に液相とな
り、主組成に格子欠陥をできにくくし、発光強度を向上
させるため必要である。添加量としては、母材１ｍｏｌ
に対し、０．１〜１．０ｍｏｌの範囲量が好ましい。発
光強度の仮焼温度依存性を図４に示す。この図より、仮
焼温度は1400〜1600℃とするのが好ましいことがわか
る。
【００１１】上述の(Gd,Ce)3(Al,Si,Ga)5O12ガーネット
多結晶シンチレータは、単一相になりにくく、GdAlO3ま
たはGdGaO3ペロブスカイト相やそれに近い相が析出しや
すい。平均粒径が0.6μｍのγ-Al2O3粉末を用いた場
合、図５に示すように(γ-Al2O3:結晶性が低いためＸ線
回折強度が小さく、模式図には表されていない)、950℃
からGd4Al2O9が生成し、それが1050℃からGdAlO3に変態
し、異相として残ってしまうことがわかった。図６に仮
焼き温度と析出する相との関係を模式的に示す。同様
に、平均粒径が6μｍのAl2O3粉末を用いた場合、今度は
GdGaO3相が残ってしまうことがわかった。酸化ガドリニ
ウムと酸化ガリウムについても同様の検討を行い、単一
相にするためには、酸化ガドリニウム、酸化アルミニウ
ム及び酸化ガリウムの平均粒径をそれぞれ0.1μｍ以
上、5μｍ以下にすることが必要であることを見出し
た。
多結晶シンチレータは、単一相になりにくく、GdAlO3ま
たはGdGaO3ペロブスカイト相やそれに近い相が析出しや
すい。平均粒径が0.6μｍのγ-Al2O3粉末を用いた場
合、図５に示すように(γ-Al2O3:結晶性が低いためＸ線
回折強度が小さく、模式図には表されていない)、950℃
からGd4Al2O9が生成し、それが1050℃からGdAlO3に変態
し、異相として残ってしまうことがわかった。図６に仮
焼き温度と析出する相との関係を模式的に示す。同様
に、平均粒径が6μｍのAl2O3粉末を用いた場合、今度は
GdGaO3相が残ってしまうことがわかった。酸化ガドリニ
ウムと酸化ガリウムについても同様の検討を行い、単一
相にするためには、酸化ガドリニウム、酸化アルミニウ
ム及び酸化ガリウムの平均粒径をそれぞれ0.1μｍ以
上、5μｍ以下にすることが必要であることを見出し
た。
【００１２】仮焼後のシンチレータ粉末の平均粒径は10
μｍ以上となり、この粉末を直接焼結しても良いが、こ
の粉末を、アルミナホ゛ールを用いたホ゛ールミル粉砕またはジェット
ミル粉砕などの方法により平均粒径1μｍ以下の粉末と
するのが好ましい。粉砕した粉末は一軸プレスまたは一
軸プレスと冷間静水圧プレスを行うことにより、理論密
度の60〜70%の成形対密度を得ることができる。この成
形体をフタ付のアルミナこう鉢に入れ、窒素、アルゴン
またはヘリウム雰囲気中1600〜1700℃で焼結することに
より、理論密度の95〜98%まで密度は向上する。他組成
系では真空中で燒結することもあるが、本組成において
は真空中や５×１０４Ｐａ未満の圧力下で焼結するの
は、Gaの揮発量が大きいため好ましくない。また、水素
中で焼結するのは、強い還元雰囲気により、金属Gaが析
出するため、焼結できず不適当である。焼結温度につい
ては、1600℃未満の温度では焼結体密度が向上せず、開
気孔が残ってしまう。また、1700℃を超える温度ではGa
の揮発量が大きく、組成制御ができなくなるため好まし
くない。
μｍ以上となり、この粉末を直接焼結しても良いが、こ
の粉末を、アルミナホ゛ールを用いたホ゛ールミル粉砕またはジェット
ミル粉砕などの方法により平均粒径1μｍ以下の粉末と
するのが好ましい。粉砕した粉末は一軸プレスまたは一
軸プレスと冷間静水圧プレスを行うことにより、理論密
度の60〜70%の成形対密度を得ることができる。この成
形体をフタ付のアルミナこう鉢に入れ、窒素、アルゴン
またはヘリウム雰囲気中1600〜1700℃で焼結することに
より、理論密度の95〜98%まで密度は向上する。他組成
系では真空中で燒結することもあるが、本組成において
は真空中や５×１０４Ｐａ未満の圧力下で焼結するの
は、Gaの揮発量が大きいため好ましくない。また、水素
中で焼結するのは、強い還元雰囲気により、金属Gaが析
出するため、焼結できず不適当である。焼結温度につい
ては、1600℃未満の温度では焼結体密度が向上せず、開
気孔が残ってしまう。また、1700℃を超える温度ではGa
の揮発量が大きく、組成制御ができなくなるため好まし
くない。
【００１３】こうして得られた焼結体は、理論密度の95
〜98%の密度であり、開気孔はないが、光透過率は小さ
く、発光強度も不充分である。そこで、この焼結体は、
さらに、1400〜1600℃の温度、５×１０７〜２×１０８
Ｐａのアルゴンガス中で熱間静水圧プレス(HIP)を行う
ことにより、理論密度の99.7%以上の光学的透明性を有
する焼結体が得られる。
〜98%の密度であり、開気孔はないが、光透過率は小さ
く、発光強度も不充分である。そこで、この焼結体は、
さらに、1400〜1600℃の温度、５×１０７〜２×１０８
Ｐａのアルゴンガス中で熱間静水圧プレス(HIP)を行う
ことにより、理論密度の99.7%以上の光学的透明性を有
する焼結体が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】(実施例１) 次に本発明のシンチ
レータの実施例につき説明する。Gd2O3を135.48g、Ce
2(C2O4)3・9H2Oを0.883g、Al2O3を38.16g、Si(OC2H5)4
を0.31g、Ga2O3を50.61g及びBaF2を21.92g計量した。次
に、これらの素原料を湿式ボールミル混合後乾燥した。
次に、この素原料混合粉をB5サイズのアルミナルツボに
入れ、アルミナの蓋をした後、1500℃で2h仮焼した。冷
却後、原料をほぐし、撹拌器を用い、4Nの塩酸で2時間
洗浄後、純水でよく洗浄し乾燥した。そして、ポリエチ
レンポットに直径5mmのアルミナボール(純度99.9%)を入
れ、24時間ボールミル粉砕を行った。こうして、平均粒
径0.7μｍのシンチレータ粉砕粉を得た。この粉砕紛
に、純水を5wt%添加し、500kg/cm2の圧力で一軸プレス
成形し、その後、加圧力3ton/cm2で冷間静水圧プレスを
行い、理論密度に対し64%の成形体が得られた。この成
形体をアルミナこう鉢に入れ、フタをして、窒素雰囲気
で1625℃、3時間の一次焼結を行い、理論密度に対し、9
8％の焼結体が得られた。なお、密度の高い均一な焼結
体とするため、1350℃以上の昇温速度は50℃/hとした。
この焼結体を、1500℃、3時間、１×１０８Ｐａ条件で
熱間静水圧プレス焼結を行った。得られた焼結体は、理
論密度に対し99.9%の密度を有していた。この焼結体を
厚さ3.0ｍｍのウェハ形状に機械加工後、特性評価を行
った。分光光度計に積分球を取りつけ測定した550nmの
拡散透過率、管電圧120kV、管電流5mAのＸ線(Wターゲッ
ト)を照射した時の発光強度(CdWO4シンチレータの発光
強度に対する比率)及びＸ線励起停止後30ms経過後の残
光測定結果、また、241Amから出るエネルギ60KeVのγ線
を照射したときの発光減衰時定数の測定結果を表2に示
す。
レータの実施例につき説明する。Gd2O3を135.48g、Ce
2(C2O4)3・9H2Oを0.883g、Al2O3を38.16g、Si(OC2H5)4
を0.31g、Ga2O3を50.61g及びBaF2を21.92g計量した。次
に、これらの素原料を湿式ボールミル混合後乾燥した。
次に、この素原料混合粉をB5サイズのアルミナルツボに
入れ、アルミナの蓋をした後、1500℃で2h仮焼した。冷
却後、原料をほぐし、撹拌器を用い、4Nの塩酸で2時間
洗浄後、純水でよく洗浄し乾燥した。そして、ポリエチ
レンポットに直径5mmのアルミナボール(純度99.9%)を入
れ、24時間ボールミル粉砕を行った。こうして、平均粒
径0.7μｍのシンチレータ粉砕粉を得た。この粉砕紛
に、純水を5wt%添加し、500kg/cm2の圧力で一軸プレス
成形し、その後、加圧力3ton/cm2で冷間静水圧プレスを
行い、理論密度に対し64%の成形体が得られた。この成
形体をアルミナこう鉢に入れ、フタをして、窒素雰囲気
で1625℃、3時間の一次焼結を行い、理論密度に対し、9
8％の焼結体が得られた。なお、密度の高い均一な焼結
体とするため、1350℃以上の昇温速度は50℃/hとした。
この焼結体を、1500℃、3時間、１×１０８Ｐａ条件で
熱間静水圧プレス焼結を行った。得られた焼結体は、理
論密度に対し99.9%の密度を有していた。この焼結体を
厚さ3.0ｍｍのウェハ形状に機械加工後、特性評価を行
った。分光光度計に積分球を取りつけ測定した550nmの
拡散透過率、管電圧120kV、管電流5mAのＸ線(Wターゲッ
ト)を照射した時の発光強度(CdWO4シンチレータの発光
強度に対する比率)及びＸ線励起停止後30ms経過後の残
光測定結果、また、241Amから出るエネルギ60KeVのγ線
を照射したときの発光減衰時定数の測定結果を表2に示
す。
【００１５】(実施例２〜８及び比較例1〜4)実施例１と
同様の手順で原料粉及び焼結体を作製した。ただし、Al
2O3と、エチルシリケート及びGa2O3の添加率及び仮焼温
度を変えて組成の異なる原料粉を作製した。また、焼結
温度を変えて焼結体試料を作成した。得られたセラミッ
クシンチレータの拡散透過率、相対発光強度、減衰時定
数及び残光の測定結果を表２に示す。また、真空中や5
×104Ｐａ未満の雰囲気中で焼結したものは、Gaの揮発
量が大きく、相対密度は90%にも達しない結果となっ
た。
同様の手順で原料粉及び焼結体を作製した。ただし、Al
2O3と、エチルシリケート及びGa2O3の添加率及び仮焼温
度を変えて組成の異なる原料粉を作製した。また、焼結
温度を変えて焼結体試料を作成した。得られたセラミッ
クシンチレータの拡散透過率、相対発光強度、減衰時定
数及び残光の測定結果を表２に示す。また、真空中や5
×104Ｐａ未満の雰囲気中で焼結したものは、Gaの揮発
量が大きく、相対密度は90%にも達しない結果となっ
た。
【００１６】
【表２】
【００１７】Ｘ線CTのように放射線の強度変化を高速に
検出していく装置に用いられるシンチレータには、放射
線に対する発光強度が大きく、また、発光の減衰時定数
と残光が小さいことが非常に重要である。さらに、X線C
Tは普及期に入り、低コスト化が重要な意味を持つよう
になっている。そのため、シンチレータに対するコスト
低減要求が高まっている。表１に示すように、既存のシ
ンチレータは、これらの要求を十分満足しているとは言
い難い状況にある。本発明によるシンチレータは、Gd2O
2S:Pr，Ce，Fセラミックシンチレータの持つ特性に近
く、また、複合酸化物であり、製造コストは、CdWO4や
(Y,Gd)2O3:Euと同等である。対して本発明に該当しない
比較例１〜４のものは相対発光強度が低くいか残光が高
いことを確認した。
検出していく装置に用いられるシンチレータには、放射
線に対する発光強度が大きく、また、発光の減衰時定数
と残光が小さいことが非常に重要である。さらに、X線C
Tは普及期に入り、低コスト化が重要な意味を持つよう
になっている。そのため、シンチレータに対するコスト
低減要求が高まっている。表１に示すように、既存のシ
ンチレータは、これらの要求を十分満足しているとは言
い難い状況にある。本発明によるシンチレータは、Gd2O
2S:Pr，Ce，Fセラミックシンチレータの持つ特性に近
く、また、複合酸化物であり、製造コストは、CdWO4や
(Y,Gd)2O3:Euと同等である。対して本発明に該当しない
比較例１〜４のものは相対発光強度が低くいか残光が高
いことを確認した。
【００１８】
【発明の効果】以上、本発明の説明から明らかなよう
に、従来技術によるシンチレータに対して、コストパフ
ォーマンスに優れかつ高性能であるシンチレータを提供
できた。
に、従来技術によるシンチレータに対して、コストパフ
ォーマンスに優れかつ高性能であるシンチレータを提供
できた。
【図１】AlとGaの組成比率を変えた本発明シンチレータ
粉末のGd2O2S:Pr,Ce,Fシンチレータ粉末に対する相対発
光強度特性を示す。
粉末のGd2O2S:Pr,Ce,Fシンチレータ粉末に対する相対発
光強度特性を示す。
【図２】発光元素であるCeの組成比率を変えた本発明シ
ンチレータ粉末のGd2O2S:Pr,Ce,Fシンチレータ粉末に対
する相対発光強度特性を示す。
ンチレータ粉末のGd2O2S:Pr,Ce,Fシンチレータ粉末に対
する相対発光強度特性を示す。
【図３】Siの組成比率を変えた本発明シンチレータ粉末
のGd2O2S:Pr,Ce,Fシンチレータ粉末に対する相対発光強
度特性を示す。
のGd2O2S:Pr,Ce,Fシンチレータ粉末に対する相対発光強
度特性を示す。
【図４】本発明シンチレータ粉末合成時の仮焼温度と発
光強度との関係を示す。
光強度との関係を示す。
【図５】仮焼温度ごとのＸ線回折パターンを示す。
【図６】仮焼温度ごとの生成相の模式図を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｔ 1/20 Ｇ０１Ｔ 1/20 Ｂ 1/202 1/202
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式Gd3-xCexAlySizGa5-y-zO12で表さ
れることを特徴とするセラミックス。（ただし、0.001
≦x≦0.05、1≦y≦4、0.0015≦z≦0.03） - 【請求項２】 一般式Gd3-xCexAlySizGa5-y-zO12で表さ
れる組成になるように、適当量の酸化ガドリニウム、酸
化アルミニウム、酸化ガリウム、セリウム塩、ケイ素化
合物及びフッ素化合物を加え、混合後、1400〜1600℃で
仮焼することを特徴とするセラミックス粉末の製造方
法。（ただし、0.001≦x≦0.05、1≦y≦4、0.0015≦z≦
0.03） - 【請求項３】 前記フッ素化合物はフッ化バリウムであ
る請求項２に記載のセラミックス粉末の製造方法。 - 【請求項４】 前記酸化ガドリニウム、酸化アルミニウ
ム、酸化ガリウムの平均粒径がそれぞれ0.1μｍ以上5μ
ｍ以下である請求項２又は３に記載のセラミックス粉末
の製造方法。 - 【請求項５】 一般式Gd3-xCexAlySizGa5-y-zO12で表さ
れる組成になるように、適当量の酸化ガドリニウム、酸
化アルミニウム、酸化ガリウム、セリウム塩、ケイ素化
合物及びフッ素化合物を加え、混合後、1400〜1600℃で
仮焼して粉末とし、プレス成形後、５×１０４Ｐａ以上
の非還元性雰囲気において1600〜1700℃の温度範囲で焼
結することを特徴とするセラミックスの製造方法。 - 【請求項６】 請求項５で表される焼結体をさらにアル
ゴン雰囲気1400〜1600℃の温度で熱間静水圧プレス焼結
を行うセラミックスの製造方法。
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