JPH0262923A - 焦電型赤外線センサ - Google Patents
焦電型赤外線センサInfo
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- JPH0262923A JPH0262923A JP63215372A JP21537288A JPH0262923A JP H0262923 A JPH0262923 A JP H0262923A JP 63215372 A JP63215372 A JP 63215372A JP 21537288 A JP21537288 A JP 21537288A JP H0262923 A JPH0262923 A JP H0262923A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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- G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
- G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
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- G08B13/189—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems
- G08B13/19—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using infrared-radiation detection systems
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- H—ELECTRICITY
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
- H10N15/10—Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、人体等の移動体から発せられる赤外線を感知
する焦電型赤外線センサに関するものである。
する焦電型赤外線センサに関するものである。
近年、人間の室内侵入を検出する装置として焦電型赤外
線センサが広く使用されている。この焦電型赤外線セン
サは、人体から発せられる赤外線を感知するエレメント
を備えており、このエレメントから出力される赤外線量
に対応する電気信号を利用して防犯等の管理が行われて
いる。最近においては、装置の小型化および取り扱いの
容易性の観点から焦電型赤外線センサをハイブリットＩ
Ｃ化したものが広く利用されている。
線センサが広く使用されている。この焦電型赤外線セン
サは、人体から発せられる赤外線を感知するエレメント
を備えており、このエレメントから出力される赤外線量
に対応する電気信号を利用して防犯等の管理が行われて
いる。最近においては、装置の小型化および取り扱いの
容易性の観点から焦電型赤外線センサをハイブリットＩ
Ｃ化したものが広く利用されている。
第３図にはこの種のバイブリフトＩＣ化された焦電型赤
外線センサの構成が示されている。同図におし１て、ア
ルミナ（八１２ （ｈ）からなる基板ｌの上側に赤外線
量に対応した電流を出力する一対のエレメント２が配設
されている。このエレメント２の検出感度を高めるため
には、赤外線によって得た熱量を効率的に電気信号（電
流）に変換することが必要であり、このため、従来の装
置においては、エレメント２で受けた赤外線の熱量を熱
伝導性の良いアルミナ基板１ （この種のアルミナ基板
の熱伝導率は０．０７〜０．４（ｃａｔ／Ｃｍ ｓｅｃ
℃）の値を有している。）を通って逃げないように、エ
レメント２を基板１に対して一定の間隙３を保って配置
し、このエレメント２と基板ｌとを導電ペースト４によ
って４点で支持固定している。
外線センサの構成が示されている。同図におし１て、ア
ルミナ（八１２ （ｈ）からなる基板ｌの上側に赤外線
量に対応した電流を出力する一対のエレメント２が配設
されている。このエレメント２の検出感度を高めるため
には、赤外線によって得た熱量を効率的に電気信号（電
流）に変換することが必要であり、このため、従来の装
置においては、エレメント２で受けた赤外線の熱量を熱
伝導性の良いアルミナ基板１ （この種のアルミナ基板
の熱伝導率は０．０７〜０．４（ｃａｔ／Ｃｍ ｓｅｃ
℃）の値を有している。）を通って逃げないように、エ
レメント２を基板１に対して一定の間隙３を保って配置
し、このエレメント２と基板ｌとを導電ペースト４によ
って４点で支持固定している。
基板１には抵抗体５とＦ Ｅ Ｔ （Ｆｉｅｌｄ Ｅｆ
ｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ） ６が設けられており
、エレメント２によって出力される電流は抵抗体５によ
るインピーダンス変換によって電圧信号に変換され、こ
の電圧信号に基づき、ＦＥＴ６はエレメント２から外部
へ出力される電流をオン・オフ制御している。
ｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ） ６が設けられており
、エレメント２によって出力される電流は抵抗体５によ
るインピーダンス変換によって電圧信号に変換され、こ
の電圧信号に基づき、ＦＥＴ６はエレメント２から外部
へ出力される電流をオン・オフ制御している。
なお、図中７はエレメント２、抵抗体５、ＦＥＴ６等の
回路を駆動する駆動電力を供給し、かつ、エレメント２
からの検出信号（電流）を取り出す端子ビンである。ま
た、８はこの端子ピン７を支持するステムである。
回路を駆動する駆動電力を供給し、かつ、エレメント２
からの検出信号（電流）を取り出す端子ビンである。ま
た、８はこの端子ピン７を支持するステムである。
しかしながら、上記従来の焦電型赤外線センサは基板１
に熱伝導性の良いアルミナ板を使用しているため、エレ
メント２を支持している４点の各位置の導電ペースト４
の直径等の形状が異なると、この各導電ペースト４を伝
わって基板１側に逃げル熱量が区々となり、一対のエレ
メント２から出力される電１言号のバランスが崩れ、信
号処理を行う上で支障となる。このような支障を避ける
ためには、各位置における導電ペースト４の直径および
長さ等の形状を一定にそろえなければならず、このこと
はセンサ製造の上で非常に困難なものとなっていた。
に熱伝導性の良いアルミナ板を使用しているため、エレ
メント２を支持している４点の各位置の導電ペースト４
の直径等の形状が異なると、この各導電ペースト４を伝
わって基板１側に逃げル熱量が区々となり、一対のエレ
メント２から出力される電１言号のバランスが崩れ、信
号処理を行う上で支障となる。このような支障を避ける
ためには、各位置における導電ペースト４の直径および
長さ等の形状を一定にそろえなければならず、このこと
はセンサ製造の上で非常に困難なものとなっていた。
また、従来のセンサは、エレメント２から出力される電
流信号を、−旦、抵抗体５によってインピーダンス変換
して電圧信号に変換し、この電圧信号に基づいてＦＥＴ
６をオン・オフ動作させているため、赤外線センサの感
度は赤外線の熱を電流信号に変換する際の熱時定数τ７
と、ＦＥＴ６がオン・オフ動作する際の電気時定数τ、
の両方の影響を受け、赤外線センサの検出感度を高める
ことができないという問題があった。
流信号を、−旦、抵抗体５によってインピーダンス変換
して電圧信号に変換し、この電圧信号に基づいてＦＥＴ
６をオン・オフ動作させているため、赤外線センサの感
度は赤外線の熱を電流信号に変換する際の熱時定数τ７
と、ＦＥＴ６がオン・オフ動作する際の電気時定数τ、
の両方の影響を受け、赤外線センサの検出感度を高める
ことができないという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであ
り、その目的は、焦電型赤外線センサの製造時における
基板とエレメントとの組み立ての困難性を解消し、かつ
、同センサの検出感度を充分筋めることができる焦電型
赤外線センサを提供することにある。
り、その目的は、焦電型赤外線センサの製造時における
基板とエレメントとの組み立ての困難性を解消し、かつ
、同センサの検出感度を充分筋めることができる焦電型
赤外線センサを提供することにある。
本発明は上記を目的を達成するために、次のように構成
されている。すなわち、本発明は、まず第１に、基板の
表面側に赤外線量に対応した電気信号を出力するエレメ
ントが配設されてなる焦電型赤外線センサにおいて、前
記基板は０．０４（ｃａｌ／ｃｍ ｓｅｃ″Ｃ）以下の
低熱伝導率を存する基板によって構成されていることを
特徴としており、また第２に、前記基板には熱伝導性能
を低くするための孔が穿設されていることを特徴として
おり、さらに第３に、前記エレメントが配設される基板
にはエレメントから出力される電流を増幅する増幅回路
が一体形成されていることを特徴として構成されている
。
されている。すなわち、本発明は、まず第１に、基板の
表面側に赤外線量に対応した電気信号を出力するエレメ
ントが配設されてなる焦電型赤外線センサにおいて、前
記基板は０．０４（ｃａｌ／ｃｍ ｓｅｃ″Ｃ）以下の
低熱伝導率を存する基板によって構成されていることを
特徴としており、また第２に、前記基板には熱伝導性能
を低くするための孔が穿設されていることを特徴として
おり、さらに第３に、前記エレメントが配設される基板
にはエレメントから出力される電流を増幅する増幅回路
が一体形成されていることを特徴として構成されている
。
上記のように構成されている本発明では、エレメントに
より得られる赤外線の熱量は低熱伝導性の基板側にはほ
とんど逃げず、エレメントで得た赤外線の熱量は効率良
く電流出力としてエレメントから出力される。そして、
この電流出力は増幅回路によって増幅がなされ、この増
幅された電流出力はセンサ出力として外部へ取り出され
る。
より得られる赤外線の熱量は低熱伝導性の基板側にはほ
とんど逃げず、エレメントで得た赤外線の熱量は効率良
く電流出力としてエレメントから出力される。そして、
この電流出力は増幅回路によって増幅がなされ、この増
幅された電流出力はセンサ出力として外部へ取り出され
る。
以下、本発明の一実施例を図面に暴づいて説明する。な
お、本実施例の説明において、従来例と同一部分には同
一符号を付し、ｍ複説明を省略することにする。
お、本実施例の説明において、従来例と同一部分には同
一符号を付し、ｍ複説明を省略することにする。
説明の順序として、先ず、実施例の説明の前に本発明ｄ
背景について説明する。
背景について説明する。
一般に従来の焦電型赤外線センサのように、工レメント
２からの出力電流をインピーダンス変換により電圧信号
に変換してＦＥＴ６を動作する電圧モードにおける検出
信号の電圧感度は次のように表される。
２からの出力電流をインピーダンス変換により電圧信号
に変換してＦＥＴ６を動作する電圧モードにおける検出
信号の電圧感度は次のように表される。
Ｒ，＝Ｖ／ｌ０
＝（ηωＡＲλ／ Ｇ）（１＋ω”ｒ”ｔ）−””（１
＋ω２τ富 ）−１／！・・・ （１）ただし、■二人
力電圧、■。：入射パワー（Ｗ）η：放射率、ω：角周
波数（Ｈ，） Ａ ：受光面積（ｄ） 、Ｒ：合成抵抗
（Ω）、λ：焦電係数、Ｇ：熱拡散（Ｊ／ＫＳ） 、τ
７ ：熱時定数、τ０ ：電気時定数。
＋ω２τ富 ）−１／！・・・ （１）ただし、■二人
力電圧、■。：入射パワー（Ｗ）η：放射率、ω：角周
波数（Ｈ，） Ａ ：受光面積（ｄ） 、Ｒ：合成抵抗
（Ω）、λ：焦電係数、Ｇ：熱拡散（Ｊ／ＫＳ） 、τ
７ ：熱時定数、τ０ ：電気時定数。
一方、一対のエレメントからの出力電流を例えばオペア
ンプ等の増幅回路によって増幅する電流モードの場合に
は、前記（１）式の電気時定数に係わる項がなくなるの
でエレメントからの出力電流Ｉ、は次のようになる。
ンプ等の増幅回路によって増幅する電流モードの場合に
は、前記（１）式の電気時定数に係わる項がなくなるの
でエレメントからの出力電流Ｉ、は次のようになる。
１、＝η■。λωＡ／ （２Ｇ（１＋（ωτＴ）りｌ／
り・・・ （２） そして電流感度Ｒ，は次式のように表される。
り・・・ （２） そして電流感度Ｒ，は次式のように表される。
Ｒｉ ＝ Ｉ Ｐ ／ ｒ 。
＝ηλωＡ／ （２Ｇ（１＋（ωτ、）”）””）・
・ ・ （３） したがって、（３）式によれば、電流感度Ｒ，は電気時
定数には無関係となり、熱時定数によってのみ左右され
ることとなる。すなわち、熱時定数を小さくすることに
より、換言すれば、低熱伝導率の基板を用いることによ
り、電流感度を高め得ることが理解できる０本発明はか
かる点に着目してなされたものである。
・ ・ （３） したがって、（３）式によれば、電流感度Ｒ，は電気時
定数には無関係となり、熱時定数によってのみ左右され
ることとなる。すなわち、熱時定数を小さくすることに
より、換言すれば、低熱伝導率の基板を用いることによ
り、電流感度を高め得ることが理解できる０本発明はか
かる点に着目してなされたものである。
第１図には本発明にがかる焦電型赤外線センサの一実施
例が示されている。同図において基板１０は０．０４（
ｃａｌ／ｃｍ ｓｅｅ″Ｃ）以下の低熱伝導率を有する
材料、例えば、ガラスとエポキシ樹脂からなる複合材料
や、その他の適宜の低熱伝導率の材料（例えば、ＢａＯ
−３ｉｏｚ −Ａｌｘ Ｏｓ −Ｂｚ Ｏ、−Ｃｒ、０
３の成分を有する材料）によって構成されている。そし
て、この基板１０の中央部には、熱伝導性能を低くする
ための孔１１が設けられている。そして、基板１ｏの表
面側には一対のニレメン）２ａ、２ｂ （エレメント２
ｂは図示せず）が導電ペースト等を用いて基板１０に全
面が接触した状態で配設固定されている。また、基板ｌ
Ｏの裏面側には前記の孔１１を塞いだ格好で、前記エレ
メント２ａ、２ｂからの出力電流を増幅する増幅回路、
本実施例ではオペアンプ（Ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ Ａ
ｍｐｌｉｆｉｅｒ）１２を含む第２図に示すような回路
が形成されている。
例が示されている。同図において基板１０は０．０４（
ｃａｌ／ｃｍ ｓｅｅ″Ｃ）以下の低熱伝導率を有する
材料、例えば、ガラスとエポキシ樹脂からなる複合材料
や、その他の適宜の低熱伝導率の材料（例えば、ＢａＯ
−３ｉｏｚ −Ａｌｘ Ｏｓ −Ｂｚ Ｏ、−Ｃｒ、０
３の成分を有する材料）によって構成されている。そし
て、この基板１０の中央部には、熱伝導性能を低くする
ための孔１１が設けられている。そして、基板１ｏの表
面側には一対のニレメン）２ａ、２ｂ （エレメント２
ｂは図示せず）が導電ペースト等を用いて基板１０に全
面が接触した状態で配設固定されている。また、基板ｌ
Ｏの裏面側には前記の孔１１を塞いだ格好で、前記エレ
メント２ａ、２ｂからの出力電流を増幅する増幅回路、
本実施例ではオペアンプ（Ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ Ａ
ｍｐｌｉｆｉｅｒ）１２を含む第２図に示すような回路
が形成されている。
この回路は、エレメント２ａ、２ｂと、オペアンプ１２
と、帰還抵抗器１３と、第１のローパスフィルタ１４と
、第２のローパスフィルタ１５と、抵抗器１６、１７と
、入力電源１８とからなる。オペアンプ１２はエレメン
ト２ａ、２ｂの差動出力電流を増幅するものである。ま
た第１および第２のローパスフィルタ１４．１５は高周
波のノイズ成分を除去するものであり、抵抗器１６．１
７はオペアンプ１２で増幅された信号をさらにもう一度
オペアンプ１２に戻して信号増幅をさせる役割を果たす
、このようにオペアンプ１２によって増幅され、さらに
、ノイズ成分が除去されたエレメント２ａ、２ｂからの
検出電流は端子ビン７から外部に取り出されるのである
。
と、帰還抵抗器１３と、第１のローパスフィルタ１４と
、第２のローパスフィルタ１５と、抵抗器１６、１７と
、入力電源１８とからなる。オペアンプ１２はエレメン
ト２ａ、２ｂの差動出力電流を増幅するものである。ま
た第１および第２のローパスフィルタ１４．１５は高周
波のノイズ成分を除去するものであり、抵抗器１６．１
７はオペアンプ１２で増幅された信号をさらにもう一度
オペアンプ１２に戻して信号増幅をさせる役割を果たす
、このようにオペアンプ１２によって増幅され、さらに
、ノイズ成分が除去されたエレメント２ａ、２ｂからの
検出電流は端子ビン７から外部に取り出されるのである
。
上記実施例によれば、基板１０は低熱伝導率を有する材
料により構成されているので、赤外線を受けることによ
り得られるエレメント２ａ、２ｂの熱量が基板１０を通
して逃げることがほとんどなく、したがって、エレメン
ト２ａ、２ｂと基板１０との間に第３図に示すような間
隙３を形成する必要はなく、ニレメン１−２ａ、２ｂの
全面を基板１０に接触させて配設することが可能となる
。また、従来のセンサにおいては、導電ペースト４の断
面積や長さ等の形状をそろえる必要があったが、本実施
例の場合には、基板１０を伝わって熱量が逃げることが
ほとんどないので、エレメント２ａ、２ｂを基板ｌＯに
導電ペースト４を用いて固定配設する際に、これら導電
ペースト４の形状や量に関して特別の注意を払う必要が
なく、エレメント２ａ、２ｂと基板１０との組み立て作
業は非常に容易化されることとなる。
料により構成されているので、赤外線を受けることによ
り得られるエレメント２ａ、２ｂの熱量が基板１０を通
して逃げることがほとんどなく、したがって、エレメン
ト２ａ、２ｂと基板１０との間に第３図に示すような間
隙３を形成する必要はなく、ニレメン１−２ａ、２ｂの
全面を基板１０に接触させて配設することが可能となる
。また、従来のセンサにおいては、導電ペースト４の断
面積や長さ等の形状をそろえる必要があったが、本実施
例の場合には、基板１０を伝わって熱量が逃げることが
ほとんどないので、エレメント２ａ、２ｂを基板ｌＯに
導電ペースト４を用いて固定配設する際に、これら導電
ペースト４の形状や量に関して特別の注意を払う必要が
なく、エレメント２ａ、２ｂと基板１０との組み立て作
業は非常に容易化されることとなる。
また、エレメント２ａ、２ｂから出力される電流はオペ
アンプ１２によって増幅され、この増幅信号が直ちに取
り出されるようになっており、従来のセンサのようにエ
レメントから出力される電流を一旦抵抗体５によってイ
ンピーダンス変換を行い電圧信号に変換し、さらに電圧
信号に基づいてＦＥＴ６によってオン・オフ動作をさせ
る必要はないから、前記従来のセンサにおいては避ける
ことのできない電気時定数の影響が全くなく、エレメン
ト２ａ、２ｂの出力信号の信顛性をより高めることが可
能となる。
アンプ１２によって増幅され、この増幅信号が直ちに取
り出されるようになっており、従来のセンサのようにエ
レメントから出力される電流を一旦抵抗体５によってイ
ンピーダンス変換を行い電圧信号に変換し、さらに電圧
信号に基づいてＦＥＴ６によってオン・オフ動作をさせ
る必要はないから、前記従来のセンサにおいては避ける
ことのできない電気時定数の影響が全くなく、エレメン
ト２ａ、２ｂの出力信号の信顛性をより高めることが可
能となる。
なお、本発明は上記実施例に限定されることはなく様々
な実施の態様を採り得るものである０例えば、上記実施
例では、基板１０に孔１１を設けているが、基板１０の
熱伝導率が充分低い場合はこの孔１１を省略してもよい
。またこの孔１１を設ける場合にあっても、回礼１１の
形状やその穿設位置は任意に定め得るものである。
な実施の態様を採り得るものである０例えば、上記実施
例では、基板１０に孔１１を設けているが、基板１０の
熱伝導率が充分低い場合はこの孔１１を省略してもよい
。またこの孔１１を設ける場合にあっても、回礼１１の
形状やその穿設位置は任意に定め得るものである。
また、上記実施例では、増幅回路としてオペアンプ１２
を採用したが、もちろん他の種類の増幅器によってこれ
を構成することも可能である。
を採用したが、もちろん他の種類の増幅器によってこれ
を構成することも可能である。
本発明は以上説明したように、エレメントが配設される
基板を低熱伝導率の基板によって構成したものであるか
ら、エレメントが受けた赤外線の熱量が基板を通して逃
げることがなく、したがって、エレメントと基板との間
にエレメントの熱を逃げにくくするような従来のセンサ
において必要であった各種の工夫が不必要となり、基板
とエレメントとの組み立て作業が非常に容易化される。
基板を低熱伝導率の基板によって構成したものであるか
ら、エレメントが受けた赤外線の熱量が基板を通して逃
げることがなく、したがって、エレメントと基板との間
にエレメントの熱を逃げにくくするような従来のセンサ
において必要であった各種の工夫が不必要となり、基板
とエレメントとの組み立て作業が非常に容易化される。
また、エレメントからの出力電流を増幅する増幅回路を
設けた構成にあっては、その増幅された電流信号をエレ
メントの検出信号として直接取り出すことが可能であり
、従来のセンサのような、−旦エレメントの出力電流を
インピーダンス変換し、さらにこのインピーダンス変換
により得られた電圧信号を用いてＦＥＴをオン・オフ動
作させるという必要はないので、エレメントからの検出
電流信号は電気時定数の影響を受けることがなく、これ
により、エレメントの検出信号の信顛性および感度をよ
り高めることが可能となる。
設けた構成にあっては、その増幅された電流信号をエレ
メントの検出信号として直接取り出すことが可能であり
、従来のセンサのような、−旦エレメントの出力電流を
インピーダンス変換し、さらにこのインピーダンス変換
により得られた電圧信号を用いてＦＥＴをオン・オフ動
作させるという必要はないので、エレメントからの検出
電流信号は電気時定数の影響を受けることがなく、これ
により、エレメントの検出信号の信顛性および感度をよ
り高めることが可能となる。
さらに、前記増幅回路はエレメントを配設する基板と一
体形成してバイブリフト化したものであるから、回路が
コンパクト化し、その取り扱いが容易となり、かつ、実
装密度を効果的に高めることが可能となる。
体形成してバイブリフト化したものであるから、回路が
コンパクト化し、その取り扱いが容易となり、かつ、実
装密度を効果的に高めることが可能となる。
第１図は本発明に係る焦電型赤外線センサの一実施例を
示す断面構成図、第２図は同実施例における信号増幅処
理回路の回路図、第３図は従来の焦電型赤外線センナを
示す断面図である。 １・・・基板、２．２ａ、２ｂ・・・エレメント、３・
・・間隙、４・・・導電ペースト、５・・・抵抗体、６
・・−ＦＥＴ （Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ ） 、 ７一端子ピン、８・・・ステム
、１０・・・基板、１１・・・孔、１２・・・オペアン
プ（Ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）
、１３−帰還抵抗器、１４・・・ｉｌのローパスフィル
タ、１５・・・第２のローパスフィルタ、１６．１７・
・・抵抗器、１８・・・入力電源。 第１区 第２図 Ｉγ 蓼３ 図
示す断面構成図、第２図は同実施例における信号増幅処
理回路の回路図、第３図は従来の焦電型赤外線センナを
示す断面図である。 １・・・基板、２．２ａ、２ｂ・・・エレメント、３・
・・間隙、４・・・導電ペースト、５・・・抵抗体、６
・・−ＦＥＴ （Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ ） 、 ７一端子ピン、８・・・ステム
、１０・・・基板、１１・・・孔、１２・・・オペアン
プ（Ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）
、１３−帰還抵抗器、１４・・・ｉｌのローパスフィル
タ、１５・・・第２のローパスフィルタ、１６．１７・
・・抵抗器、１８・・・入力電源。 第１区 第２図 Ｉγ 蓼３ 図
Claims (3)
- （１）基板の表面側に赤外線量に対応した電気信号を出
力するエレメントが配設されてなる焦電型赤外線センサ
において、前記基板は０．０４（ｃａｌ／ｃｍｓｅｃ℃
）以下の低熱伝導率を有する基板によって構成されてい
ることを特徴とする焦電型赤外線センサ。 - （２）基板の表面側に赤外線量に対応した電気信号を出
力するエレメントが配設されてなる焦電型赤外線センサ
において、前記基板は０．０４（ｃａｌ／ｃｍｓｅｃ℃
）以下の低熱伝導率を有する基板によって構成されると
ともに、当該基板には熱伝導性能を低くするための孔が
穿設されていることを特徴とする焦電型赤外線センサ。 - （３）エレメントが配設される基板にはエレメントから
出力される電流を増幅する増幅回路が一体形成されてい
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の焦電型赤外線
センサ。
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|---|---|---|---|
| JP63215372A JPH0682073B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 焦電型赤外線センサ |
| EP89115942A EP0357002B1 (en) | 1988-08-30 | 1989-08-29 | Pyroelectric infrared sensor |
| DE68928426T DE68928426T2 (de) | 1988-08-30 | 1989-08-29 | Pyroelektronisches Infrarot-Sensorelement |
| US07/400,471 US4973843A (en) | 1988-08-30 | 1989-08-29 | Pyroelectric infrared sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215372A JPH0682073B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 焦電型赤外線センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262923A true JPH0262923A (ja) | 1990-03-02 |
| JPH0682073B2 JPH0682073B2 (ja) | 1994-10-19 |
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|---|---|---|---|
| JP63215372A Expired - Fee Related JPH0682073B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 焦電型赤外線センサ |
Country Status (4)
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|---|---|
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| EP (1) | EP0357002B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0682073B2 (ja) |
| DE (1) | DE68928426T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB2186146B (en) * | 1984-04-16 | 1988-06-22 | Secr Defence | Thermal detector |
| JPS6191528A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-09 | Toshiba Corp | 焦電形赤外線検出素子 |
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-
1988
- 1988-08-30 JP JP63215372A patent/JPH0682073B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-08-29 EP EP89115942A patent/EP0357002B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-29 US US07/400,471 patent/US4973843A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-29 DE DE68928426T patent/DE68928426T2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68928426T2 (de) | 1998-03-05 |
| EP0357002A2 (en) | 1990-03-07 |
| JPH0682073B2 (ja) | 1994-10-19 |
| EP0357002B1 (en) | 1997-11-05 |
| DE68928426D1 (de) | 1997-12-11 |
| EP0357002A3 (en) | 1991-05-08 |
| US4973843A (en) | 1990-11-27 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |