JPH026096B2 - - Google Patents

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JPH026096B2
JPH026096B2 JP55141739A JP14173980A JPH026096B2 JP H026096 B2 JPH026096 B2 JP H026096B2 JP 55141739 A JP55141739 A JP 55141739A JP 14173980 A JP14173980 A JP 14173980A JP H026096 B2 JPH026096 B2 JP H026096B2
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JP
Japan
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data
ram
output
addressing
volatile memory
Prior art date
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Expired - Lifetime
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JP55141739A
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English (en)
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JPS5769342A (en
Inventor
Itsuo Sasaki
Hiroaki Suzuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP55141739A priority Critical patent/JPS5769342A/ja
Publication of JPS5769342A publication Critical patent/JPS5769342A/ja
Publication of JPH026096B2 publication Critical patent/JPH026096B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F9/00Arrangements for program control, e.g. control units
    • G06F9/06Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
    • G06F9/22Microcontrol or microprogram arrangements
    • G06F9/226Microinstruction function, e.g. input/output microinstruction; diagnostic microinstruction; microinstruction format

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Calculators And Similar Devices (AREA)
  • Executing Machine-Instructions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、不揮発性メモリと揮発性メモリと
を有し、不揮発性メモリの制御プログラムに応じ
て種々の処理がなされる電子機器に関する。
従来、たとえば揮発性メモリとして256ワード
のランダム・アクセス・メモリ(以後単にRAM
と略称する)を有するプログラム方式の電子機器
がある。これは他に、不揮発性メモリたとえばプ
ログラムが書き込まれたダイナミツク方式の
ROM(リード・オンリ・メモリ)、インストラク
シヨンデコーダ(ID)、ランダム・ロジツク
(RL)、演算回路(ALU)、アドレス・デコーダ
(AD)およびアキユームレータ(ACC)などに
よつて構成されている。このような、プログラム
方式の電子機器では、プログラムがROMに書込
まれており、そのROMのアドレスを指定するこ
とにより、そのアドレスの命令コードを読み出し
て、ID、RL、ALUなどのロジツクでその命令の
実行を行い、さらに次のROMアドレスを指定す
るということを繰り返して処理を進めていくのが
普通である。このようなプログラム命令の中で、
RAM内のデータ同志を演算(たとえば加算、減
算など)するという事は基本的な処理動作である
が、このデータRAM同志の演算処理を実行する
ためには、RAMから演算数と被演算数の2ワー
ドのデータを読出してくる必要がある。
しかして、従来は次に示すような方法で上記2
ワードのデータを読出していた。すなわち、一方
は、ROMの8本の出力を直接RAMアドレスラ
インとして利用する方法である。この方法では、
命令コードによつてRAMデータ同志の演算であ
ることをIDが判断すると、IDは以下のようにシ
ステムを動かすことになる。すなわち、ROMの
出力つまりRAMアドレス指定出力として、
RAMから読出す1回目のRAMアドレスを出力
しているから、このアドレスを使つて1回目のリ
ードアクセスを行い、RAMから1ワードのデー
タを読出させる。このRAMデータはACCに記憶
され、次のRAMデータがくるまで保持されるこ
とになる。次に、2番目のRAMデータを読出す
ため、2番目のRAMアドレスが書込まれている
ROMのアドレスをRLで演算し、アドレスデコー
ダに出力する。このようにして、ROMから2番
目のRAMアドレスデータをRAMアドレス指定
出力として出力させ、2回目のリードアクセスを
行つてRAMから2番目のRAMデータを読出す
ことになる。したがつて、演算数と被演算数の2
ワードのRAMデータがRAMから読出されたこ
とによりALUに入力されて演算されることにな
る。
また、他方はROMの16本の出力を利用する方
法である。この方法では、IDによつてRAMデー
タ同志の演算であることが判断されると、IDか
ら選択回路に切換え信号が出力される。この選択
回路はROMあるいはRL内に設けられたRAMア
ドレス指定回路からのRAMアドレス指定データ
を選択して出力するものである。たとえばRAM
アドレス指定X群(8ビツト)がRAMアドレス
ラインに出力されるように切換え信号を論理
“1”信号とし、1回目のリード・アクセスを行
う。こうして読出されたRAMデータは前記した
方法と同じようにACCに記憶されることになる。
この1回目のリード・アクセスが終わると、次に
切換え信号を論理“0”信号としてRAMアドレ
ス指定Y群(8ビツト)がRAMアドレスライン
に出力されるように選択回路を動作させる。そし
て、2回目のリード・アクセスを行つて、2番目
のRAMデータを読出し、ACCのデータとともに
ALUで演算されるようになつている。
しかしながら、RAMを上記のように連続アク
セスさせる場合、RAMアドレスラインA0からA7
まで8本すべてが変化することはまれであり、従
来の方法では、必要以上のデータを与えているこ
とになる。すなわち、前者のような方法では、2
ワードのリード・アクセスのために2度のアドレ
ス指定動作を行う必要があり、一定時間以内にこ
の動作を行うためにはROMを2倍の周波数で動
かなければならない。このため、設計変更および
マージン低下などの問題があつた。また、ROM
容量も8アドレス×2アクセスで16ビツト必要と
なる。
また、後者の方法では、2ワードのRAMアド
レスを1度にROMから読込み、適当なタイミン
グで選択信号を切換えれば、2ワードのリード・
アクセスは、1度のダイナミツクROMの動作で
すむ。しかして、ROM容量は8アドレス×2ア
クセスで16ビツトになるのであるが、ROMから
の出力ラインが16本以上必要となりROMが複雑
になつてしまう。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、不揮発性メモリの周波
数上昇による設計変更、マージン低下、および出
力本数増加に伴う回路の複雑化をまねくことな
く、揮発性メモリを連続アクセスすることができ
る電子機器を提供することにある。
以下、この発明の一実施例について図面を参照
して説明する。
第1図において、1は不揮発性メモリたとえば
リード・オン・メモリ(以後単にROMと略称す
る)であり、後述するアドレスデコーダ(以後
ADと称する)4によつて指定されるアドレスに
記憶された種々の制御プログラムおよび後述する
揮発性メモリたとえばランダム・アクセス・メモ
リ(以後RAMと称する)13のアドレス指定デ
ータ(12ビツト)を出力するものである。上記
ROM1の制御プログラムは命令デコーダ(以後
IDと称する)2に供給され、このID2の出力は
ランダムロジツク(以後RLと称する)3に供給
される。このRL3は供給される信号に応じて
種々の制御信号を出力したり、次のROM1のア
ドレス指定データを出力するものである。たとえ
ば、近接するRAM13内のデータ同志の演算処
理を示す命令データが供給されたとき、最初に端
子S1,S3から論理“1”信号を出力し、次に端子
S1,S4から論理“1”信号を出力するようになつ
ている。上記RL3から出力されるアドレス指定
データはAD4に供給され、このAD4の出力は
前記ROM1に供給される。
前記ROM1のアドレス指定データは4ビツト
ずつアドレス指定回路51,52,53に供給され
る。このアドレス指定回路51,52,53はそれ
ぞれROM1から供給される信号を一時保持する
回路である。上記アドレス指定回路51,52の出
力は選択回路61に供給され、この選択回路61
は前記RL3の端子S1,S2からの信号が供給されて
いる。上記選択回路61はRL3の端子S1から論理
“1”信号が供給されたときアドレス指定回路51
の出力をそのまま出力し、端子S2から論理“1”
信号が供給されたときアドレス指定回路52から
の信号をそのまま出力するものであり、たとえば
アンド回路71,……78およびオア回路81,…
…84によつて構成されている。また、上記アド
レス指定回路52,53の出力は選択回路62に供
給され、この選択回路62には前記RL3の端子
S3,S4からの信号が供給されている。上記選択回
路62はRL3の端子S3から論理“1”信号が供給
されたときアドレス指定回路52からの出力をそ
のまま出力し、端子S4から論理“1”信号が供給
されたときアドレス指定回路53の出力をそのま
ま出力するものであり、たとえばアンド回路91
……98およびオア回路101,……104によつ
て構成されている。上記選択回路61の出力は行
デコーダ11に供給され、上記選択回路62の出
力は列デコーダ12に供給される。上記行デコー
ダ11の出力および列デコーダ12の出力は
RAM(揮発性メモリ)13に供給される。この
RAM13はたとえば256ワードのデータの記憶
容量が有り、行デコーダ11および列デコーダに
よつて指定されるアドレスにデータが記憶された
り、そのアドレスの記憶内容が読出されたりする
ものである。上記RAM13にはたとえば四則演
算における演算数と被演算数とが同じ行に記憶さ
れるようになつている。上記RAM13から読出
されたデータは、アキユームレータ(以後ACC
と称する)14に一時保持されてから演算回路
(以後ALUと称する)15に供給されたり、ある
いは直接ALU15に供給されるようになつてい
る。上記ALU15はたとえば四則演算、桁移動、
転送などを行うものであり、その出力は上記
RAM13に供給されたり、図示しない出力装置
に供給されるようになつている。
次に、このような構成において動作を説明す
る。
たとえば今、加算を行うものとすると、それに
応じ種々の制御プログラムなどがROM1から出
力される。このような状態において、命令コード
によつてRAM13内の記憶データ同志の演算で
あることをID2が判断すると、それに対応する
アドレスをAD4から出力する。すると、ROM
1からそのアドレス指定に応じて12ビツトのアド
レス指定データが出力され、、アドレス指定回路
1,52,53に一時保持される。このとき、
ROM1からRAM13の近接するデータの加算
を行う制御プログラムがID2に供給されている
ことにより、RL3の端子S1,S3から論理“1”
信号が出力される。すると、選択回路61はアド
レス指定回路51からの信号を行デコーダ11に
出力し、選択回路62はアドレス指定回路52から
の信号を列デコーダ12に出力する。この結果、
アドレス指定回路51,52からの信号がアドレス
指定データとなり、そのデータに対応するRAM
13内のアドレスのデータが読出されてACC1
4に一時保持される。そして、次にRL3の端子
S1,S4から論理“1”信号が出力されると、選択
回路61はアドレス指定回路51からの信号を行デ
コーダ11に出力し、選択回路62はアドレス指
定回路53からの信号を列デコーダ12に出力す
る。この結果、アドレス指定回路51,53からの
信号がアドレス指定データとなり、そのデータに
対応するRAM13内のアドレスのデータが読出
されてALU15に供給される。これにより、上
記データと同じ行のデータが出力される。したが
つて、演算数と被演算数との2ワードのデータが
ACC14とRAM13とからALU15に供給さ
れて、そこで演算がなされた後その演算結果を
RAM13に記憶したりあるいは出力装置に出力
する。
このように、ROM1からの12ビツトのデータ
によりRAM13の2ワードのデータを読出すこ
とができ、ROM容量が12ビツトで良く、しかも
ROM1の動作周波数をかえる必要もない。
また、RAM13の1ワードのデータとイミデ
ートデータを演算する場合には、第2図に示すよ
うに、RAMアドレス指定のために2組のアドレ
ス指定回路51,52を使用し、残り1組のアドレ
ス指定回路53をイミデートデータを出力するた
めに使用するようにすれば、イミデートデータの
ための専用のプログラムコード出力を必要とせず
イミデート演算が可能となる。
また、RAMの1ワードのデータと入出力装置
との間でデータの入出力および演算を行う場合に
は、RAMアドレス指定のためにアドレス指定論
理回路を2組使用し、残り1組を入出力装置指定
のためのコードとして使用すれば、、入出力装置
専用のプログラムコード出力を増加させることな
く、1つのプログラム命令で16個の入出力装置を
指定できることになる。たとえば、第2図に示す
ように、アドレス指定回路53の出力を入出力指
定デコーダ20でデコードすることにより、入出
力装置21,……を指定するようになつている。
以上詳述したようにこの発明によれば、不揮発
性メモリからの揮発性メモリに対応するビツト数
よりも大きいビツト数のアドレス指定信号を複数
ビツトずつ複数のアドレス指定回路に記憶し、こ
れらのアドレス指定回路の信号を任意に選択的に
用いることにより、少なくとも1つ以上の揮発性
メモリに対応するビツト数のアドレス指定信号を
出力するようにしたので、不揮発性メモリの周波
数上昇による設計変更、マージン低下、および不
揮発性メモリの出力本数増加に伴う回路の複雑化
をまねくことなく、揮発性メモリを連続アクセス
することができる電子機器を提供できるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す全体の概略
構成図、第2図は他の動作を説明するための概略
構成図である。 1……ROM(不揮発性メモリ)、3……ランダ
ムロジツク、51,52,53……アドレス指定回
路、61,62……選択回路、71,〜78,91,〜
8……アンド回路、81,〜84,101,〜108
……オア回路、11……行デコーダ、12……列
デコーダ、13……RAM(揮発性メモリ)、14
……アキユームレータ、15……演算回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 制御プログラムを記憶する不揮発性メモリ
    と、この不揮発性メモリの指定に応じて入力デー
    タなどを記憶する揮発性メモリとを有し、前記不
    揮発性メモリの制御プログラムに応じて演算処理
    がなされる電子機器において、前記不揮発性メモ
    リから、演算に要する前記揮発性メモリの2ワー
    ドを指定するのに必要なビツト数よりも小さく、
    前記不揮発性メモリからの揮発性メモリのアドレ
    ス指定に対応するビツト数よりも大きいビツト数
    のアドレス指定信号が、複雑に分かれて一挙に前
    記不揮発性メモリから供給されかつ前記揮発性メ
    モリのアドレス指定本数より少ない出力数を持つ
    複数のアドレス指定回路と、これらのアドレス指
    定回路から、前記複数のアドレス指定回路のいず
    れかを共通として複数の揮発性メモリのアドレス
    指定信号を順次出力する手段とを具備したことを
    特徴とする電子機器。
JP55141739A 1980-10-09 1980-10-09 Electronic equipment Granted JPS5769342A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55141739A JPS5769342A (en) 1980-10-09 1980-10-09 Electronic equipment

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JP55141739A JPS5769342A (en) 1980-10-09 1980-10-09 Electronic equipment

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Publication Number Publication Date
JPS5769342A JPS5769342A (en) 1982-04-28
JPH026096B2 true JPH026096B2 (ja) 1990-02-07

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JP55141739A Granted JPS5769342A (en) 1980-10-09 1980-10-09 Electronic equipment

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5352322A (en) * 1976-10-25 1978-05-12 Toshiba Corp Memory unit
JPS5418636A (en) * 1977-07-13 1979-02-10 Toshiba Corp Address selection circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5352322A (en) * 1976-10-25 1978-05-12 Toshiba Corp Memory unit
JPS5418636A (en) * 1977-07-13 1979-02-10 Toshiba Corp Address selection circuit

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JPS5769342A (en) 1982-04-28

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