JPH0259472A - 窒化珪素焼結体 - Google Patents
窒化珪素焼結体Info
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- JPH0259472A JPH0259472A JP63209714A JP20971488A JPH0259472A JP H0259472 A JPH0259472 A JP H0259472A JP 63209714 A JP63209714 A JP 63209714A JP 20971488 A JP20971488 A JP 20971488A JP H0259472 A JPH0259472 A JP H0259472A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、窒化珪素焼結体に関し、更に詳しく言えば、
緻密性、高温機械特性及び酸化特性に優れた窒化珪素焼
結体に関する。
緻密性、高温機械特性及び酸化特性に優れた窒化珪素焼
結体に関する。
本発明は、自動車用エンジン部品、ガスタービン、熱交
換器等の高温構造材料等に利用される。
換器等の高温構造材料等に利用される。
従来の高強度の窒化珪素焼結体としては、以下の方法に
より製造されたものが知られている（特公昭５９−２９
５４４号公報）。即ち、希土類元素酸化物と窒化珪素で
粉末成形体を形成し、この粉末成形体を窒化硼素の粉末
に接触させて１５００〜１８５０℃の温度で加熱処理し
て、両者からなる化合物を生成し、次いでこれをホット
プレスにより焼結処理して製造される。この得られた焼
結体は、β−窒化珪素と、メリライト（ＳｉｓＮ・Ｙ、
０３）からなる粒界相とから構成される。この発明は、
粒界相としてメリライトを生成させることにより高温に
おける強度低下防止、耐熱衝撃性の改良を図ったもので
ある。
より製造されたものが知られている（特公昭５９−２９
５４４号公報）。即ち、希土類元素酸化物と窒化珪素で
粉末成形体を形成し、この粉末成形体を窒化硼素の粉末
に接触させて１５００〜１８５０℃の温度で加熱処理し
て、両者からなる化合物を生成し、次いでこれをホット
プレスにより焼結処理して製造される。この得られた焼
結体は、β−窒化珪素と、メリライト（ＳｉｓＮ・Ｙ、
０３）からなる粒界相とから構成される。この発明は、
粒界相としてメリライトを生成させることにより高温に
おける強度低下防止、耐熱衝撃性の改良を図ったもので
ある。
他の従来の窒化珪素焼結体としては、Ｓ！’ｓＮ、粒の
第１相と、５ｉＯｚ、Ｓｉ＊Ｎ＜及びＲｅｔｏｚ（Ｒｅ
はＹ又はランタニド希土類元素）から実質上なる結晶質
粒界相とからなり、この粒界相のガラス安定化不純物が
０．５重重％以下であるものが知られている（特公昭６
３−２９１５号公報）。この焼結体は、高温機械的強度
が高く、高温での塑性変形度合が少ない。
第１相と、５ｉＯｚ、Ｓｉ＊Ｎ＜及びＲｅｔｏｚ（Ｒｅ
はＹ又はランタニド希土類元素）から実質上なる結晶質
粒界相とからなり、この粒界相のガラス安定化不純物が
０．５重重％以下であるものが知られている（特公昭６
３−２９１５号公報）。この焼結体は、高温機械的強度
が高く、高温での塑性変形度合が少ない。
従来、高温特性の改善の試みとして、助剤ｌの検討及び
粒界相の結晶化等が行われてきた。
粒界相の結晶化等が行われてきた。
上記前者の焼結体において、粒界相にメリライトを析出
させた場合には、７００〜１０００℃でメリライト相が
酸化されてイツトリウムシリケートが生成する。この時
、体積変化を伴うため焼結体にクラックを生じ、低温酸
化が問題であった。
させた場合には、７００〜１０００℃でメリライト相が
酸化されてイツトリウムシリケートが生成する。この時
、体積変化を伴うため焼結体にクラックを生じ、低温酸
化が問題であった。
上記後者の焼結体においては、高温特性がある程度良い
ものの、その製造については希土類元素酸化物を助剤と
して用いるため焼結が容易でなく、高緻密体を得るには
その製造方法はホットプレス（ＨＰ）法等に限られ、例
えばガス圧焼結法等では十分な緻密体を得るのは困難で
ある。
ものの、その製造については希土類元素酸化物を助剤と
して用いるため焼結が容易でなく、高緻密体を得るには
その製造方法はホットプレス（ＨＰ）法等に限られ、例
えばガス圧焼結法等では十分な緻密体を得るのは困難で
ある。
以上より一粒界相を含む焼結体において、低温酸化の問
題がなく、高温機械的特性にも優れ、かつ）ｆ Ｐ法以
外の焼結法でも高緻密体となる窒化珪素焼結体は未だ知
られていない。
題がなく、高温機械的特性にも優れ、かつ）ｆ Ｐ法以
外の焼結法でも高緻密体となる窒化珪素焼結体は未だ知
られていない。
本発明は、上記観点に鑑みて本発明者等が鋭意研究した
結果見出されたものであり、酸化特性及び高温機械的特
性に優れ、かつ、ＨＰ法以外の焼結法でも高緻密体とな
る窒化珪素焼結体を提供することを目的とする。
結果見出されたものであり、酸化特性及び高温機械的特
性に優れ、かつ、ＨＰ法以外の焼結法でも高緻密体とな
る窒化珪素焼結体を提供することを目的とする。
本発明においては、（：ｒ２０３を添加し焼結して、Ｃ
ｒ５Ｓｉ及び０からなる酸化物（Ｃｒ−３１酸化物とい
う）、並びにＣｒ −Ｓ ＋ ｓ Ｏ及びＮからなる酸
窒化物（Ｃｒ−３ｉ酸窒化物という）の少なくとも１つ
を０．２〜５体積％形成する。
ｒ５Ｓｉ及び０からなる酸化物（Ｃｒ−３１酸化物とい
う）、並びにＣｒ −Ｓ ＋ ｓ Ｏ及びＮからなる酸
窒化物（Ｃｒ−３ｉ酸窒化物という）の少なくとも１つ
を０．２〜５体積％形成する。
Ｃｒ２０−＋を添加するのは、以下の理由のためである
。即ち、このＣｒ２Ｏ５は、焼結助剤として有効であり
、ＨＰ法以外のガス圧焼結法等でも緻密体を容易に製造
できる。この添加により焼結体中に酸要分が放出されて
低温酸化に有害な結晶相を生成させに＜＜シ、更に低温
酸化に問題はなく耐熱性の良いＣｒ−５ｉ酸化物又はＣ
ｒ−３ｉ酸窒化物を生成させるからである。Ｃｒ−３ｉ
酸化物等が０．２体積％未渦の場合は低温酸化特性が低
下する。またこの場合は、Ｃｒ、０３添加によるＭ要分
を与える効果が乏しいため、低温酸化に有害な希土類元
素を含む結晶相が生成し易い。
。即ち、このＣｒ２Ｏ５は、焼結助剤として有効であり
、ＨＰ法以外のガス圧焼結法等でも緻密体を容易に製造
できる。この添加により焼結体中に酸要分が放出されて
低温酸化に有害な結晶相を生成させに＜＜シ、更に低温
酸化に問題はなく耐熱性の良いＣｒ−５ｉ酸化物又はＣ
ｒ−３ｉ酸窒化物を生成させるからである。Ｃｒ−３ｉ
酸化物等が０．２体積％未渦の場合は低温酸化特性が低
下する。またこの場合は、Ｃｒ、０３添加によるＭ要分
を与える効果が乏しいため、低温酸化に有害な希土類元
素を含む結晶相が生成し易い。
Ｃｒ−３ｉ酸化物等が５体積％を越えると、室温および
高温強度が低下する。一方、Ｃｒ−３ｉ酸化物等が上記
所定範囲内であれば、相対密度が１００％と高緻密体で
あり、高温強度に優れ、低温酸化特性にも優れる。また
、この範囲を外れると、緻密性が低下する場合がある。
高温強度が低下する。一方、Ｃｒ−３ｉ酸化物等が上記
所定範囲内であれば、相対密度が１００％と高緻密体で
あり、高温強度に優れ、低温酸化特性にも優れる。また
、この範囲を外れると、緻密性が低下する場合がある。
上記Ｃｒ ２０３添加量は、上記酸化物、酸窒化物が上
記の所定の範囲内に形成されるよう配合される。この添
加量は、０．３〜８重量％が好ましい。これが０．３重
量％未満であれば、焼結助剤としての効果が乏しく、又
、Ｃｒ−５ｉ酸化物、Ｃｒ−３ｉ酸窒化物の生成量が少
なくなる。これが８重量％を越えるとＣｒ−３ｉ酸化物
等の生成量が多くなる。
記の所定の範囲内に形成されるよう配合される。この添
加量は、０．３〜８重量％が好ましい。これが０．３重
量％未満であれば、焼結助剤としての効果が乏しく、又
、Ｃｒ−５ｉ酸化物、Ｃｒ−３ｉ酸窒化物の生成量が少
なくなる。これが８重量％を越えるとＣｒ−３ｉ酸化物
等の生成量が多くなる。
本発明の焼結体は、窒化珪素の相と粒界相及びガラス相
とからなり、この粒界相は、通常、希土類元素を含む結
晶相と、上記のＣｒ−３ｉ酸化物及びＣｒ−５ｉ酸窒化
物のうちの１種又は２種と、からなる。これらの酸化物
、酸窒化物と同定したのは、以下の理由のためである。
とからなり、この粒界相は、通常、希土類元素を含む結
晶相と、上記のＣｒ−３ｉ酸化物及びＣｒ−５ｉ酸窒化
物のうちの１種又は２種と、からなる。これらの酸化物
、酸窒化物と同定したのは、以下の理由のためである。
即ち、Ｘ線回折（（：ｕＫα）から第１ピークが約４３
°、第２ピークが約４２，５°に認められるが、従来か
ら確認されているＣｒＳｉ、（Ａ、ＳＴ、 Ｍｏ、１２
−５９６’）ではなかった。また、Ｓ。
°、第２ピークが約４２，５°に認められるが、従来か
ら確認されているＣｒＳｉ、（Ａ、ＳＴ、 Ｍｏ、１２
−５９６’）ではなかった。また、Ｓ。
Ｔ、 Ｅ、 Ｍ、による口、Ｔ、Ｗ、−ＥＯ３（Ｕｌｔ
ｒａ−Ｔｈｉｎ−Ｗｉｎｄｏｗｔｙｐｅ ＥＤＳ）を用
いた組成分析結果によれば、酸化物はＣ「、Ｓｌ及びＯ
の組成成分を示し、酸窒化物はＣｒ、Ｓｉ、Ｏ及びＮの
組成成分を示し、前者は（、ｒ−３ｉ−０化合物、後者
はＣｒ−３ｉ−０−Ｎ化合物であることを同定した。尚
、これらの酸化物及び酸窒化物において、ＣｒとＳｉの
元素比は１：１及びｌ：２のものがあることも確認した
。
ｒａ−Ｔｈｉｎ−Ｗｉｎｄｏｗｔｙｐｅ ＥＤＳ）を用
いた組成分析結果によれば、酸化物はＣ「、Ｓｌ及びＯ
の組成成分を示し、酸窒化物はＣｒ、Ｓｉ、Ｏ及びＮの
組成成分を示し、前者は（、ｒ−３ｉ−０化合物、後者
はＣｒ−３ｉ−０−Ｎ化合物であることを同定した。尚
、これらの酸化物及び酸窒化物において、ＣｒとＳｉの
元素比は１：１及びｌ：２のものがあることも確認した
。
Ｃｒ２Ｏ＊添加量が例えば４〜８重量％では、焼結体中
でＣｒ２Ｏ＊は反応せず一部がＣｒ２Ｏ、のままで存在
する場合、Ｃｒ２Ｏ＊の酸素放出効果により窒化珪素と
反応してＳｉ２ＯＮ２が存在する場合又は他の希土類元
素を含む結晶質相（Ｃｒを含まない）が、焼結体中に存
在する場合があるが、これらが存在しても機械的特性及
び耐酸化性に悪影響を及ぼさない。
でＣｒ２Ｏ＊は反応せず一部がＣｒ２Ｏ、のままで存在
する場合、Ｃｒ２Ｏ＊の酸素放出効果により窒化珪素と
反応してＳｉ２ＯＮ２が存在する場合又は他の希土類元
素を含む結晶質相（Ｃｒを含まない）が、焼結体中に存
在する場合があるが、これらが存在しても機械的特性及
び耐酸化性に悪影響を及ぼさない。
本焼結体において、所定量の希土類元素酸化物が構成成
分として含まれる。尚、配合原料粉末としては、希土類
元素酸化物でも良いし、焼結により酸化物となる化合物
でも良い。ここで、希土類元素酸化物とは、原子番号５
７から７１までの１５元素、更にＳｃ及びＹを加えた合
計１７の元素の酸化物をいう。この構成成分量が、１重
量％未滴では、焼結助剤としての効果は乏しく、１５重
量％を越えると焼結体の緻密化に効果はあるが、機械的
強度は低く、又、耐酸化性が劣化する。
分として含まれる。尚、配合原料粉末としては、希土類
元素酸化物でも良いし、焼結により酸化物となる化合物
でも良い。ここで、希土類元素酸化物とは、原子番号５
７から７１までの１５元素、更にＳｃ及びＹを加えた合
計１７の元素の酸化物をいう。この構成成分量が、１重
量％未滴では、焼結助剤としての効果は乏しく、１５重
量％を越えると焼結体の緻密化に効果はあるが、機械的
強度は低く、又、耐酸化性が劣化する。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
まず、原料粉末としてＳｌ、Ｎ４粉末（比表面積１３
ｍ’ ／ ｇ ｓ酸素含有１１．５重重％）にＣｒ２Ｏ
３粉末（平均粒径約０．５μｍ）、第１表および第２表
に示す各種希土類元素酸化物粉末（純度９９．９％以上
）を用いて、表に示す配合割合で秤量後、エタノール中
で２４時間湿式混合を行った。
ｍ’ ／ ｇ ｓ酸素含有１１．５重重％）にＣｒ２Ｏ
３粉末（平均粒径約０．５μｍ）、第１表および第２表
に示す各種希土類元素酸化物粉末（純度９９．９％以上
）を用いて、表に示す配合割合で秤量後、エタノール中
で２４時間湿式混合を行った。
次いで、実施例１〜４．７．９．１０、比較例５．６．
１４及び１７はＨＰ法により、２００ ｋｇ／ ｃＪ、
１８００℃×１時間の条件で焼成を行った。実施例８．
１１〜１３、比較例１４及び１７は、混合後得られた粉
末について、２ｔｏｎ／ｃＪのプレス後１００気圧、１
８００℃×２時間の窒素ガス圧下で焼成を行った。いづ
れも、３５Ｘ３５ＸＩＯ（厚さ）ｍｍの焼結体を得た。
１４及び１７はＨＰ法により、２００ ｋｇ／ ｃＪ、
１８００℃×１時間の条件で焼成を行った。実施例８．
１１〜１３、比較例１４及び１７は、混合後得られた粉
末について、２ｔｏｎ／ｃＪのプレス後１００気圧、１
８００℃×２時間の窒素ガス圧下で焼成を行った。いづ
れも、３５Ｘ３５ＸＩＯ（厚さ）ｍｍの焼結体を得た。
これらの各焼結体について、切断研磨を行い、３×４×
約４×＋ｎｍの試験片を得た。この焼結体特性の評価は
、試験片表面のＸ線回折による構成相の同定（Ｎｏ、１
〜６）、画像処理による５ｉ−Ｃｒ酸化物及び５ｉ−Ｃ
ｒ酸窒化物の量の決定、相対密度、室温及び１３００℃
での焼結体強度（ＪＩ、５１６０１に従う三点曲げ強度
による）、低温酸化特性（９００℃×１００時間、大気
中にて酸化後、酸化による重量増加を測定）の測定によ
り行った。それらの結果を第１表及び第２表に示した。
約４×＋ｎｍの試験片を得た。この焼結体特性の評価は
、試験片表面のＸ線回折による構成相の同定（Ｎｏ、１
〜６）、画像処理による５ｉ−Ｃｒ酸化物及び５ｉ−Ｃ
ｒ酸窒化物の量の決定、相対密度、室温及び１３００℃
での焼結体強度（ＪＩ、５１６０１に従う三点曲げ強度
による）、低温酸化特性（９００℃×１００時間、大気
中にて酸化後、酸化による重量増加を測定）の測定によ
り行った。それらの結果を第１表及び第２表に示した。
尚、Ｃｒ２Ｏ３−Ｙ２０３添加系（Ｎｏ、 １〜６）に
ついて、Ｃｒ−３ｉ酸化物、Ｃｒ−９ｉ酸窒化物の確認
は、Ｘ線回折、Ｘ、 ！ｌ、＾、（χ線マイクロアナラ
イザー） 、Ｓ、Ｔ、Ｂ、Ｍ、を用いて行った。
ついて、Ｃｒ−３ｉ酸化物、Ｃｒ−９ｉ酸窒化物の確認
は、Ｘ線回折、Ｘ、 ！ｌ、＾、（χ線マイクロアナラ
イザー） 、Ｓ、Ｔ、Ｂ、Ｍ、を用いて行った。
これらの表に示す結果のうち、Ｃｒ ２０３ｔａ加量と
Ｃｒ−５ｉ酸化物等の量との関係を図に示した。両者は
、はぼ直線の関係を示している。Ｃｒ２Ｏ、の無添加の
場合（Ｃｒ−３ｉ酸化物等がない場合、比較例Ｎｏ、
５．１７）では、低温酸化増量が多く、室温及び高温強
度、更に相対密度も低下した。その添加量が、０．２重
量％（Ｃｒ−５ｉ酸化物等が０．１体積％、同Ｎｎ １
４ ）の場合も、低温酸化増量が多く、それが１０重量
％（Ｃｒ−３ｉ酸化物等が６．５（同Ｎ（Ｌ６） 、６
．６ （同ＮＣＬ１５）体積％）の場合、高温強度が著
しく低下し、室温強度も低下傾向であった。また、希土
類元素酸化物の添加量が２０重量％の場合（同Ｎα１６
）では、低温酸化増量が多く、高温強度が著しく低下し
室温強度も低下傾向であった。
Ｃｒ−５ｉ酸化物等の量との関係を図に示した。両者は
、はぼ直線の関係を示している。Ｃｒ２Ｏ、の無添加の
場合（Ｃｒ−３ｉ酸化物等がない場合、比較例Ｎｏ、
５．１７）では、低温酸化増量が多く、室温及び高温強
度、更に相対密度も低下した。その添加量が、０．２重
量％（Ｃｒ−５ｉ酸化物等が０．１体積％、同Ｎｎ １
４ ）の場合も、低温酸化増量が多く、それが１０重量
％（Ｃｒ−３ｉ酸化物等が６．５（同Ｎ（Ｌ６） 、６
．６ （同ＮＣＬ１５）体積％）の場合、高温強度が著
しく低下し、室温強度も低下傾向であった。また、希土
類元素酸化物の添加量が２０重量％の場合（同Ｎα１６
）では、低温酸化増量が多く、高温強度が著しく低下し
室温強度も低下傾向であった。
以上より、図、第１表及び第２表に示すようにＣｒ２０
ａ添加量が（１，３〜８重量％即ちＣｒ−３ｉ酸化物等
の量が０．２〜５体積％の場合には、いずれの性能も良
好であった。
ａ添加量が（１，３〜８重量％即ちＣｒ−３ｉ酸化物等
の量が０．２〜５体積％の場合には、いずれの性能も良
好であった。
なお、本発明においては、上記具体的実施例に示すもの
に限られず、目的、用途に応じて本発明、の範囲内で種
々変更した実施例とすることができる。
に限られず、目的、用途に応じて本発明、の範囲内で種
々変更した実施例とすることができる。
本発明の窒化珪素焼結体では、焼結助剤としてＣｒ２Ｏ
，を含み、かつＣｒ−３ｉ酸化物及びＣｒ−３ｉ酸窒化
物のうちの少なくとも１つが所定９含まれるので、ＨＰ
法以外の例えばガス圧焼結法によっても高緻密体となり
、更に高温機械的特性及び低温耐酸化性にも優れた焼結
体となる。
，を含み、かつＣｒ−３ｉ酸化物及びＣｒ−３ｉ酸窒化
物のうちの少なくとも１つが所定９含まれるので、ＨＰ
法以外の例えばガス圧焼結法によっても高緻密体となり
、更に高温機械的特性及び低温耐酸化性にも優れた焼結
体となる。
図はＣｒ２Ｏ３添加量とＣｒ−３ｉ酸化物及びＣｒ−３
ｉ酸窒化物の量との関係を示すグラフである。 口 特許出願人 日本特殊陶業株式会社代 理 人
弁理士 小島清路
ｉ酸窒化物の量との関係を示すグラフである。 口 特許出願人 日本特殊陶業株式会社代 理 人
弁理士 小島清路
Claims (1)
- （１）Ｃｒ、Ｓｉ及びＯからなる酸化物、並びにＣｒ、
Ｓｉ，Ｏ及びＮからなる酸窒化物のうちの少なくとも１
つを０．２〜５体積％含むことを特徴とした窒化珪素焼
結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209714A JP2732078B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 窒化珪素焼結体 |
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| JP2732078B2 JP2732078B2 (ja) | 1998-03-25 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112028491A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-12-04 | 安徽蓝讯新材料科技有限公司 | 一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法 |
Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5860676A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 |
| JPS6140872A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | 京セラ株式会社 | 窒化ケイ素質焼結体の製造方法 |
| JPS61266359A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-26 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造法 |
| JPS6241764A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-23 | 株式会社日立製作所 | 窒化珪素焼結体 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63209714A patent/JP2732078B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860676A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 |
| JPS6140872A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | 京セラ株式会社 | 窒化ケイ素質焼結体の製造方法 |
| JPS61266359A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-26 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造法 |
| JPS6241764A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-23 | 株式会社日立製作所 | 窒化珪素焼結体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112028491A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-12-04 | 安徽蓝讯新材料科技有限公司 | 一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP2732078B2 (ja) | 1998-03-25 |
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