JPH0259438A - シリカガラスの製造法 - Google Patents

シリカガラスの製造法

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Publication number
JPH0259438A
JPH0259438A JP21180488A JP21180488A JPH0259438A JP H0259438 A JPH0259438 A JP H0259438A JP 21180488 A JP21180488 A JP 21180488A JP 21180488 A JP21180488 A JP 21180488A JP H0259438 A JPH0259438 A JP H0259438A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gel
sol
silica glass
silicon alkoxide
solvent
Prior art date
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Pending
Application number
JP21180488A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Takei
康一 武井
Fusaji Hayashi
林 房司
Yoichi Machii
洋一 町井
Toshikatsu Shimazaki
俊勝 嶋崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication of JPH0259438A publication Critical patent/JPH0259438A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C1/00Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
    • C03C1/006Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、光学用、半導体工業用、電子工業用、理化学
用等に使用されるシリカガラスの製造法に関する。
(従来の技術) シリカガラスは耐熱性、耐食性および光学的性質に優れ
ていることから、半導体製造に欠かせない重要な材料で
あり、さらには光ファイバやtC製造用フォトマスク基
板、TPT基板などに使用されその用途はますます拡大
されている。
従来のシリカガラスの製造法には、天然石英を電気炉ま
たは酸水素炎により溶解する方法、あるいは四塩化ケイ
素を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し溶解する方
法があるが、いずれの方法も製造工程に2000℃ある
いはそれ以上の高温を必要とするため、大量のエネルギ
ーを消費しまた製造時にそのような高温に耐える材料が
必要であり、また高純度のものが得にくいなど経済的、
品質的にいくつかの問題点をもっている。
これに対し、近年ゾル−ゲル法と呼ばれるシリカガラス
を低温で合成する方法が注目されている。
その概要を簡単に述べる。
一般式S i  (OR) a (R:アルキル基)で
表わされるシリコンアルキシド(本発明に於いては、そ
の重縮合物を含む9例えば(RO)ssI・ (O3i
 (OR)xl −・OS i  (OR)3、(n=
0〜8、R:アルキル基))に水(アルカリまたは酸で
pHを調整してもよい)を加え、加水分解し、シリカヒ
ドロシル(本発明に於てはシリカゾルという)とする。
この時、シリコンアルコキシドと水が均一な系となる様
、一般には溶媒として適当なアルコールが添加されてい
る。このシリカゾルを静置、昇温、ゲル化剤の添加等に
よってゲル化させる。その後ゲルを蒸発乾燥することに
よりシリカ乾燥ゲルとする。この乾燥ゲルを適当な雰囲
気中で焼結することによりシリカガラスを得る。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、ゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造にはま
だ未解決の問題が残されている。特にゲルを乾燥してい
く過程でゲルにクラックや割れが発生し易(、クラック
や割れのないモノリシックな大形の乾燥ゲルを歩留り良
く製造することが困難である。
本発明はクランクや割れの発生することのないシリカガ
ラスの製造法を提供するものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、ゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造法に
於て、ゾル調整時に、シリコンアルコキドの)容器とし
てテトラヒドロフルフリルアルコールを含む溶媒を使用
する共にポリアルキレングリコール及び/又はその39
1体を添加することを特徴とするものである。
本発明において、シリコンアルコキシドのアルキル基に
ついて、特に制限はないが、加水分解のし易さ、ゲル化
時間の点から、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基を有するシリコンアルコキシドを使用することが好
ましい。またこれらのシリコンアルコキシドを部分的に
重合させたものを用いることもできる。
水と共に加える触媒は、塩基、酸等特に制限しないが、
ゲル化時間、また得られる乾燥ゲルの焼結のし易すさの
点から塩基の方が好ましい結果が得られる。
ポリアルキレングリコール及び/又はその誘導体として
は、例えばポリエチレングリコール、ポリプロピレング
リコール、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル
、ポリエチレングリコールジメチルエーテル等が使用し
得る。これらはポリアルキレンオキシド (−R−0−) +1 (R:アルキレン基)を主鎖に
もつ化合物である。
これらのポリアルキレングリコール及び/又はその誘導
体の分子量については本発明では特に限定を設けないが
、水、溶媒への溶解性、ゾル中でのシリカ微粒子の成長
の度合に応じて選択される。
シリコンアルコキシドの溶媒として使用するテトラヒド
ロフルフリルアルコールの量に関しては本発明では特に
限定を設けないが、ゾル中でのシリカ微粒子の成長の度
合に応じて選択される。テトラヒドロフルフリルアルコ
ールと共に用いられる溶媒成分としては、メチルアルコ
ール、エチルアルコール、1−プロピルアルコール、2
−プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコー
ル類、ジメチルエーテル等のエーテル類、アセトン、エ
チルメチルケトン等のケトン類、酢酸エチル等のエステ
ル類の少なくとも一種が使用可能である。
シリカガラスは、上記のようにして調整したシリカゾル
をシャーレ等の容器に移し、室温〜70℃に保ってゲル
化し、次いで室温以上の温度で数週間乾燥して、乾燥ゲ
ルとし、更に公知の方法、例えば空気中で1000〜1
400℃に昇温しで焼結することにより得られる。
(作用) テトラヒドロフルフリルアルコールを含む溶媒を用いる
ことによって、乾燥過程で起こるゲルの割れが防止され
る原因については詳細は不明であるが、テトラヒドロフ
ルフリルアルコールはポリアルキレングリコール及び/
又はその誘導体と共にゾル中でのシリカ微粒子の生成、
成長の制71に関与し、また、沸点が177℃とアルコ
ール等の、他の溶媒及び水よりも高いため、乾燥過程で
の蒸発速度が遅く、ゲル中に発生する応力の緩和に寄与
することにより、ゲルの大形化が可能になったものと考
えられる。
実施例 0、OIMコリン水溶液47g、メチルアルコール68
g1テトラヒドロフルフリルアルコール22gを混合し
、これにポリエチレングリコール(平均分子量3000
)を5g添加し熔解させた。
得られた溶液をテトラメチルシロキサン99gにゆっく
りと加え充分混合しシリカゾルを得た。これを直径20
0flのテフロンでコーティングしたシャーレに入れ、
アルミ箔で密封し室温でゲル化した。その後蓋に小孔を
開け60℃の恒温槽中で2週間乾燥し、その後170℃
まで昇温し、1日乾燥して乾燥ゲルを得た。こうして得
られた乾燥ゲルには、クランクや割れは全くなかった。
得られた乾燥ゲルを、空気中1300℃まで加熱、焼結
したところ、クランクや割れのない透明なシリカガラス
が得られた。
(発明の効果)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、シリコンアルコキシドを加水分解してシリカゾルと
    し、これをゲル化し、乾燥して乾燥ゲルとし、次いで焼
    結するシリカガラスの製造法に於て、シリコンアルコキ
    シドを加水分解してシリカゾルとする段階で、シリコン
    アルコキシドの溶媒としてテトラヒドロフルフリルアル
    コールを含む溶媒を使用すると共にポリアルキレングリ
    コール及び/又はその誘導体を添加することを特徴とす
    るシリカガラスの製造法。
JP21180488A 1988-08-26 1988-08-26 シリカガラスの製造法 Pending JPH0259438A (ja)

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