JPH01119528A - シリカガラスの製造法 - Google Patents

シリカガラスの製造法

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Publication number
JPH01119528A
JPH01119528A JP27646087A JP27646087A JPH01119528A JP H01119528 A JPH01119528 A JP H01119528A JP 27646087 A JP27646087 A JP 27646087A JP 27646087 A JP27646087 A JP 27646087A JP H01119528 A JPH01119528 A JP H01119528A
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JP
Japan
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gel
silica glass
sol
silica
compd
Prior art date
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Pending
Application number
JP27646087A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Takei
康一 武井
Fusaji Hayashi
林 房司
Yoichi Machii
洋一 町井
Norikatsu Shimazaki
嶋崎 後勝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication of JPH01119528A publication Critical patent/JPH01119528A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C1/00Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
    • C03C1/006Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光学用、半導体工業用、電子工業用、理化学用
等に使用されるシリカガラスを製造する。
(従来の技術) シリカガラスは耐熱性、耐食性および光学的性質に優れ
ていることから、半導体 製造に欠かせない重要な材料
であり!さらには光ファイバやIC製造用フォトマスク
基板、TPT基板などに使用され、その用途はますます
拡大されている。
従来のシリカガラスの製造法には、天然石英を電気炉ま
起は酸水素炎により熔解する方法、あるいは四塩化ケイ
素を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し溶解する方
法があるが、いずれの方法も製造工程に2000℃ある
いはそれ以上の高温を必要とするため大量のエネルギー
を消費し、また製造時にそのような高温に耐える材料が
必要であり、また高純度のものが得にくいなど経済的1
品質的にいくつかの問題点をもっている。
これに対し、近年ゾル−ゲル法と呼ばれるシリカガラス
を低温で合成する方法が注目されている。その概要を簡
単に述べる。
一般式5L(ORi(R:アルキル基)で表わされるシ
リコンアルキシド(本発明に於いては、その重縮合物を
含む)9例えば(RO)ssi・(OS i (OR’
:I”)−・03i(OR)3、 (n=0〜8.R:
アルキル基)に水(アルカリまたは酸でpi(を調整し
てもよい)を加え、加水分解しシリカヒドロシル(本発
明に於いてはシリカゾルという)とする。この時、シリ
コンアルコキシドと水が均一な系となる様、一般には溶
媒として適当なアルコールが添加されている。このシリ
カゾルを静置、昇温、ゲル化剤の添加等によってゲル化
させる。その後ゲルを蒸発乾燥することによりシリカ乾
燥ゲルとする。この乾燥ゲルを適当な雰囲気中な焼結す
ることによりシリカガラスを得る。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、ゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造にはま
だ未解決の問題が残されている。
特にゲルを乾燥していく過程でゲルにクラックや割れが
発生し易く、クランクや割れのないモノリシックな大形
の乾燥ゲルを歩留り良く製造することが困難となること
である。
本発明はクランクや割れのm19することのないシリカ
ガラスの製造法を提供するものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、ゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造法に
於て、ゾル調整時に、鎖中に孤立電子対を有する酸素及
び/又は窒素原子を有する有機化合物を添加することを
特徴とするものである。
本発明において、シリコンアルコキシドのアルキル基に
ついて、特に制限はないが、加水分解のし易さ、ゲル化
時間の点から、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル裁を有するシリコンアルコキシドを使用することが好
ましい。シリコンアルコキシドに水又は水とアルコール
の混合溶液を加えて力11水分解してシリカゾルを生成
させる際、水、アルコール、又は水とアルコールの混合
N 液にあらかじめ鎖中に孤立電子対を有する酸素及び
/又は窒素原子を有する有機化合物を添加、均一に溶解
させておく。
添加する鎖中に孤立電子対を有する酸素及び/又は窒素
原子を有する有機化合物としては、エチレングリコール
、プロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコー
ル類、アルキルセルロース(メチレセルロース、エチル
セルロース)、ヒドロキシアルキルセルロース、ポリエ
チレングリコール、ポリエチレングリコールモノメチル
(エチル)エーテル。
ポリエチレングリコールジメチル(エチル)エーテノし
、ポリエチレンオキサイド、ポリエチルイミン等が使用
し得る。但し、溶媒として添加するアルコール類(メチ
ルアルコール。
エチルアルコール、2−プロパツール、1−プロパツー
ル等)、またミリコンアルコモンドは除く。
添加する鎖中に孤立電子対を有する酸素及び/又は窒素
原子を有する有機化合物の量は分子量によって選択され
るべきである。比較的低分子量の鎖中に孤立電子対を有
する酸素及び/又は窒素原子を有するa化合物の場合、
シリコンアルフチ21100重量部に対して、0.1重
量部未満の添加では、はとんど効果はない。・一方、比
較的高分子量の鎖中に孤立電子対を存する酸素及び/又
は窒素原子を有する有機化合物の場合シリコンアルコキ
シド100重量部に対して20重量部を越える添加では
、著しいゲル化促進効果のため。
均一なゲルを得ることは非常に困難となる傾向にある。
水と共に加える触媒は、塩基、酸等特に制限しないが、
ゲル化時間、また得られる乾燥ゲルの焼結のし易すさの
点から塩基の方が好ましい結果が得られる。水と共に加
えるアルコールについては特に制限しないが、水、アル
コキシドの両者に対する溶解性の点より。
メチルアルコール、エチルアルコール、1−プロピルア
ルコール、2−プロピルアルコール等を使用するのが好
ましい。
シリカガラスは、上記のようにして調整したシリカゾル
をシャーレ等のi主に移し、室温〜70℃に保って、ゲ
ル化し1次いで室温以上の温度で数週間乾燥して、乾燥
ゲルとし。
更に公知の方法1例えば、空気中で1000〜1400
℃に昇温しで焼結することにより得られる。
(作用) 鎖中に孤立電子対を有する酸素及び/又は窒素原子を有
する有機化合物の添加効果の原因については、詳細は不
明であるが、ゾル及びゲル中において、添加した鎖中に
孤立電子対を有する酸素及び/又は窒素原子を有する有
機化合物は、シリカ粒子の生成、生長の核として作用し
、均一な、シリカ粒子の生成。
生長が実現され、ゲル中に大きなそして均一な、細孔が
形成させないため、乾燥過程にゲル中に発生する応力が
低減し9割れ、クランクが防止されるものと考えられる
すなわち、アルカリを触媒とした場合、ゾル及びゲル中
において、シリカ粒子の生成。
生長が進行すると考えられてc4 このようなゾル及びゲルを経て作製された乾燥ゲル中の
細孔径分布は一般に広く、シリカ粒子の生成、生長が不
均一であることを示唆しており、このため乾燥過程で、
ゲル中に発生する応力(主に毛管力)が大きくなり。
割れ、クランクが発生しやすい。
一方本発明に示したような、有機化合物を添加するとこ
れらの化合物は鎖中の孤立電子対を有する原子の部位で
シリカ微粒子の近辺に局在するシラノール基と、相互作
用(水素結合など)する結果、シリカ粒子の均一な生成
、生長が実現され、ゲル中に大きな、均一な細孔が形成
されるため、乾燥過程でゲル中に発生する応力が小さく
なり2割れ、クランクの発生が抑制されるものと推察さ
れる。
実施例 水54g、メチルアルコール96g、コリン0.06 
gを混合し、これにポリエチレングリコール(分子ff
150000)を1.52 g添加し溶解させた。得ら
れた溶−Jl 52 gのシリコメトキシド(Si (
OCH3) a”)にゆっくりと加え、さらに充分混合
しシリカゾルを得た。
これを直径150vwのテフロンでコーティングしたガ
ラス製シャーレに入れ、アルミ箔で密封し、室温でゲル
化した。その後、蓋に孔を開け、50℃の恒温槽中で2
週間乾燥し。
その後120℃の恒温槽に移して1日乾燥して、直径約
100NI11の乾燥ゲルを得た。こうして得られた乾
燥ゲルのかさ密度は約0.7g/−であり、クランクや
割れは全くなかった。
得られたゲルを空気中1300℃まで加熱焼結したとこ
ろ直径約80mm、I!Xさ51のクランクや割れのな
い透明なシリカガラスが得られた。このシリカガラスは
分析の結果、そのシリカガラスと一致した。
(発明の効果) 本発明によれば、クランクや割れのない大形のシリカガ
ラスをゾルケール法により容易に製造可能となる。その
人Tさは基本的には制約がなく、形状も板状、棒状、管
状等のいずれでも製造できる。
また1本発明によればシリカガラスは従来より安価に製
造できるため、従来から使用されてきたIC製造用フォ
トマスク基材等の分野はもちろん、液晶表示用基材等に
も応用が拡大できる。
代理人 弁理士 廣 瀬   章

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、シリコンアルコキシドを加水分解して シリカゾルとし、これをゲル化し、乾燥して乾燥ゲルと
    し、次いで焼結するシリカガラスの製造法に於て、シリ
    コンアルキシドを加水分解してシリカゾルとする段階で
    、鎖中に孤立電子対を有する酸素及び/又は窒素原子を
    有する有機化合物を添加することを特徴とするシリカガ
    ラスの製造法。
JP27646087A 1987-10-31 1987-10-31 シリカガラスの製造法 Pending JPH01119528A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02302330A (ja) * 1989-05-17 1990-12-14 Hitachi Chem Co Ltd シリカガラスの製造法
JPH0333031A (ja) * 1989-06-29 1991-02-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 機能性有機分子ドープ非晶質シリカの製造方法
EP0583943A3 (en) * 1992-08-14 1994-08-17 At & T Corp Manufacture of a vitreous silica product by a sol-gel process
US5840465A (en) * 1995-07-17 1998-11-24 Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Compositions and method for formation of barrier ribs of plasma display panel
WO2022244859A1 (ja) * 2021-05-20 2022-11-24 阪本薬品工業株式会社 ガラス成分

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