JPH01119528A - シリカガラスの製造法 - Google Patents
シリカガラスの製造法Info
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- JPH01119528A JPH01119528A JP27646087A JP27646087A JPH01119528A JP H01119528 A JPH01119528 A JP H01119528A JP 27646087 A JP27646087 A JP 27646087A JP 27646087 A JP27646087 A JP 27646087A JP H01119528 A JPH01119528 A JP H01119528A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
- C03C1/006—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は光学用、半導体工業用、電子工業用、理化学用
等に使用されるシリカガラスを製造する。
等に使用されるシリカガラスを製造する。
(従来の技術)
シリカガラスは耐熱性、耐食性および光学的性質に優れ
ていることから、半導体 製造に欠かせない重要な材料
であり!さらには光ファイバやIC製造用フォトマスク
基板、TPT基板などに使用され、その用途はますます
拡大されている。
ていることから、半導体 製造に欠かせない重要な材料
であり!さらには光ファイバやIC製造用フォトマスク
基板、TPT基板などに使用され、その用途はますます
拡大されている。
従来のシリカガラスの製造法には、天然石英を電気炉ま
起は酸水素炎により熔解する方法、あるいは四塩化ケイ
素を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し溶解する方
法があるが、いずれの方法も製造工程に2000℃ある
いはそれ以上の高温を必要とするため大量のエネルギー
を消費し、また製造時にそのような高温に耐える材料が
必要であり、また高純度のものが得にくいなど経済的1
品質的にいくつかの問題点をもっている。
起は酸水素炎により熔解する方法、あるいは四塩化ケイ
素を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し溶解する方
法があるが、いずれの方法も製造工程に2000℃ある
いはそれ以上の高温を必要とするため大量のエネルギー
を消費し、また製造時にそのような高温に耐える材料が
必要であり、また高純度のものが得にくいなど経済的1
品質的にいくつかの問題点をもっている。
これに対し、近年ゾル−ゲル法と呼ばれるシリカガラス
を低温で合成する方法が注目されている。その概要を簡
単に述べる。
を低温で合成する方法が注目されている。その概要を簡
単に述べる。
一般式5L(ORi(R:アルキル基)で表わされるシ
リコンアルキシド(本発明に於いては、その重縮合物を
含む)9例えば(RO)ssi・(OS i (OR’
:I”)−・03i(OR)3、 (n=0〜8.R:
アルキル基)に水(アルカリまたは酸でpi(を調整し
てもよい)を加え、加水分解しシリカヒドロシル(本発
明に於いてはシリカゾルという)とする。この時、シリ
コンアルコキシドと水が均一な系となる様、一般には溶
媒として適当なアルコールが添加されている。このシリ
カゾルを静置、昇温、ゲル化剤の添加等によってゲル化
させる。その後ゲルを蒸発乾燥することによりシリカ乾
燥ゲルとする。この乾燥ゲルを適当な雰囲気中な焼結す
ることによりシリカガラスを得る。
リコンアルキシド(本発明に於いては、その重縮合物を
含む)9例えば(RO)ssi・(OS i (OR’
:I”)−・03i(OR)3、 (n=0〜8.R:
アルキル基)に水(アルカリまたは酸でpi(を調整し
てもよい)を加え、加水分解しシリカヒドロシル(本発
明に於いてはシリカゾルという)とする。この時、シリ
コンアルコキシドと水が均一な系となる様、一般には溶
媒として適当なアルコールが添加されている。このシリ
カゾルを静置、昇温、ゲル化剤の添加等によってゲル化
させる。その後ゲルを蒸発乾燥することによりシリカ乾
燥ゲルとする。この乾燥ゲルを適当な雰囲気中な焼結す
ることによりシリカガラスを得る。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、ゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造にはま
だ未解決の問題が残されている。
だ未解決の問題が残されている。
特にゲルを乾燥していく過程でゲルにクラックや割れが
発生し易く、クランクや割れのないモノリシックな大形
の乾燥ゲルを歩留り良く製造することが困難となること
である。
発生し易く、クランクや割れのないモノリシックな大形
の乾燥ゲルを歩留り良く製造することが困難となること
である。
本発明はクランクや割れのm19することのないシリカ
ガラスの製造法を提供するものである。
ガラスの製造法を提供するものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、ゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造法に
於て、ゾル調整時に、鎖中に孤立電子対を有する酸素及
び/又は窒素原子を有する有機化合物を添加することを
特徴とするものである。
於て、ゾル調整時に、鎖中に孤立電子対を有する酸素及
び/又は窒素原子を有する有機化合物を添加することを
特徴とするものである。
本発明において、シリコンアルコキシドのアルキル基に
ついて、特に制限はないが、加水分解のし易さ、ゲル化
時間の点から、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル裁を有するシリコンアルコキシドを使用することが好
ましい。シリコンアルコキシドに水又は水とアルコール
の混合溶液を加えて力11水分解してシリカゾルを生成
させる際、水、アルコール、又は水とアルコールの混合
N 液にあらかじめ鎖中に孤立電子対を有する酸素及び
/又は窒素原子を有する有機化合物を添加、均一に溶解
させておく。
ついて、特に制限はないが、加水分解のし易さ、ゲル化
時間の点から、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル裁を有するシリコンアルコキシドを使用することが好
ましい。シリコンアルコキシドに水又は水とアルコール
の混合溶液を加えて力11水分解してシリカゾルを生成
させる際、水、アルコール、又は水とアルコールの混合
N 液にあらかじめ鎖中に孤立電子対を有する酸素及び
/又は窒素原子を有する有機化合物を添加、均一に溶解
させておく。
添加する鎖中に孤立電子対を有する酸素及び/又は窒素
原子を有する有機化合物としては、エチレングリコール
、プロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコー
ル類、アルキルセルロース(メチレセルロース、エチル
セルロース)、ヒドロキシアルキルセルロース、ポリエ
チレングリコール、ポリエチレングリコールモノメチル
(エチル)エーテル。
原子を有する有機化合物としては、エチレングリコール
、プロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコー
ル類、アルキルセルロース(メチレセルロース、エチル
セルロース)、ヒドロキシアルキルセルロース、ポリエ
チレングリコール、ポリエチレングリコールモノメチル
(エチル)エーテル。
ポリエチレングリコールジメチル(エチル)エーテノし
、ポリエチレンオキサイド、ポリエチルイミン等が使用
し得る。但し、溶媒として添加するアルコール類(メチ
ルアルコール。
、ポリエチレンオキサイド、ポリエチルイミン等が使用
し得る。但し、溶媒として添加するアルコール類(メチ
ルアルコール。
エチルアルコール、2−プロパツール、1−プロパツー
ル等)、またミリコンアルコモンドは除く。
ル等)、またミリコンアルコモンドは除く。
添加する鎖中に孤立電子対を有する酸素及び/又は窒素
原子を有する有機化合物の量は分子量によって選択され
るべきである。比較的低分子量の鎖中に孤立電子対を有
する酸素及び/又は窒素原子を有するa化合物の場合、
シリコンアルフチ21100重量部に対して、0.1重
量部未満の添加では、はとんど効果はない。・一方、比
較的高分子量の鎖中に孤立電子対を存する酸素及び/又
は窒素原子を有する有機化合物の場合シリコンアルコキ
シド100重量部に対して20重量部を越える添加では
、著しいゲル化促進効果のため。
原子を有する有機化合物の量は分子量によって選択され
るべきである。比較的低分子量の鎖中に孤立電子対を有
する酸素及び/又は窒素原子を有するa化合物の場合、
シリコンアルフチ21100重量部に対して、0.1重
量部未満の添加では、はとんど効果はない。・一方、比
較的高分子量の鎖中に孤立電子対を存する酸素及び/又
は窒素原子を有する有機化合物の場合シリコンアルコキ
シド100重量部に対して20重量部を越える添加では
、著しいゲル化促進効果のため。
均一なゲルを得ることは非常に困難となる傾向にある。
水と共に加える触媒は、塩基、酸等特に制限しないが、
ゲル化時間、また得られる乾燥ゲルの焼結のし易すさの
点から塩基の方が好ましい結果が得られる。水と共に加
えるアルコールについては特に制限しないが、水、アル
コキシドの両者に対する溶解性の点より。
ゲル化時間、また得られる乾燥ゲルの焼結のし易すさの
点から塩基の方が好ましい結果が得られる。水と共に加
えるアルコールについては特に制限しないが、水、アル
コキシドの両者に対する溶解性の点より。
メチルアルコール、エチルアルコール、1−プロピルア
ルコール、2−プロピルアルコール等を使用するのが好
ましい。
ルコール、2−プロピルアルコール等を使用するのが好
ましい。
シリカガラスは、上記のようにして調整したシリカゾル
をシャーレ等のi主に移し、室温〜70℃に保って、ゲ
ル化し1次いで室温以上の温度で数週間乾燥して、乾燥
ゲルとし。
をシャーレ等のi主に移し、室温〜70℃に保って、ゲ
ル化し1次いで室温以上の温度で数週間乾燥して、乾燥
ゲルとし。
更に公知の方法1例えば、空気中で1000〜1400
℃に昇温しで焼結することにより得られる。
℃に昇温しで焼結することにより得られる。
(作用)
鎖中に孤立電子対を有する酸素及び/又は窒素原子を有
する有機化合物の添加効果の原因については、詳細は不
明であるが、ゾル及びゲル中において、添加した鎖中に
孤立電子対を有する酸素及び/又は窒素原子を有する有
機化合物は、シリカ粒子の生成、生長の核として作用し
、均一な、シリカ粒子の生成。
する有機化合物の添加効果の原因については、詳細は不
明であるが、ゾル及びゲル中において、添加した鎖中に
孤立電子対を有する酸素及び/又は窒素原子を有する有
機化合物は、シリカ粒子の生成、生長の核として作用し
、均一な、シリカ粒子の生成。
生長が実現され、ゲル中に大きなそして均一な、細孔が
形成させないため、乾燥過程にゲル中に発生する応力が
低減し9割れ、クランクが防止されるものと考えられる
。
形成させないため、乾燥過程にゲル中に発生する応力が
低減し9割れ、クランクが防止されるものと考えられる
。
すなわち、アルカリを触媒とした場合、ゾル及びゲル中
において、シリカ粒子の生成。
において、シリカ粒子の生成。
生長が進行すると考えられてc4
このようなゾル及びゲルを経て作製された乾燥ゲル中の
細孔径分布は一般に広く、シリカ粒子の生成、生長が不
均一であることを示唆しており、このため乾燥過程で、
ゲル中に発生する応力(主に毛管力)が大きくなり。
細孔径分布は一般に広く、シリカ粒子の生成、生長が不
均一であることを示唆しており、このため乾燥過程で、
ゲル中に発生する応力(主に毛管力)が大きくなり。
割れ、クランクが発生しやすい。
一方本発明に示したような、有機化合物を添加するとこ
れらの化合物は鎖中の孤立電子対を有する原子の部位で
シリカ微粒子の近辺に局在するシラノール基と、相互作
用(水素結合など)する結果、シリカ粒子の均一な生成
、生長が実現され、ゲル中に大きな、均一な細孔が形成
されるため、乾燥過程でゲル中に発生する応力が小さく
なり2割れ、クランクの発生が抑制されるものと推察さ
れる。
れらの化合物は鎖中の孤立電子対を有する原子の部位で
シリカ微粒子の近辺に局在するシラノール基と、相互作
用(水素結合など)する結果、シリカ粒子の均一な生成
、生長が実現され、ゲル中に大きな、均一な細孔が形成
されるため、乾燥過程でゲル中に発生する応力が小さく
なり2割れ、クランクの発生が抑制されるものと推察さ
れる。
実施例
水54g、メチルアルコール96g、コリン0.06
gを混合し、これにポリエチレングリコール(分子ff
150000)を1.52 g添加し溶解させた。得ら
れた溶−Jl 52 gのシリコメトキシド(Si (
OCH3) a”)にゆっくりと加え、さらに充分混合
しシリカゾルを得た。
gを混合し、これにポリエチレングリコール(分子ff
150000)を1.52 g添加し溶解させた。得ら
れた溶−Jl 52 gのシリコメトキシド(Si (
OCH3) a”)にゆっくりと加え、さらに充分混合
しシリカゾルを得た。
これを直径150vwのテフロンでコーティングしたガ
ラス製シャーレに入れ、アルミ箔で密封し、室温でゲル
化した。その後、蓋に孔を開け、50℃の恒温槽中で2
週間乾燥し。
ラス製シャーレに入れ、アルミ箔で密封し、室温でゲル
化した。その後、蓋に孔を開け、50℃の恒温槽中で2
週間乾燥し。
その後120℃の恒温槽に移して1日乾燥して、直径約
100NI11の乾燥ゲルを得た。こうして得られた乾
燥ゲルのかさ密度は約0.7g/−であり、クランクや
割れは全くなかった。
100NI11の乾燥ゲルを得た。こうして得られた乾
燥ゲルのかさ密度は約0.7g/−であり、クランクや
割れは全くなかった。
得られたゲルを空気中1300℃まで加熱焼結したとこ
ろ直径約80mm、I!Xさ51のクランクや割れのな
い透明なシリカガラスが得られた。このシリカガラスは
分析の結果、そのシリカガラスと一致した。
ろ直径約80mm、I!Xさ51のクランクや割れのな
い透明なシリカガラスが得られた。このシリカガラスは
分析の結果、そのシリカガラスと一致した。
(発明の効果)
本発明によれば、クランクや割れのない大形のシリカガ
ラスをゾルケール法により容易に製造可能となる。その
人Tさは基本的には制約がなく、形状も板状、棒状、管
状等のいずれでも製造できる。
ラスをゾルケール法により容易に製造可能となる。その
人Tさは基本的には制約がなく、形状も板状、棒状、管
状等のいずれでも製造できる。
また1本発明によればシリカガラスは従来より安価に製
造できるため、従来から使用されてきたIC製造用フォ
トマスク基材等の分野はもちろん、液晶表示用基材等に
も応用が拡大できる。
造できるため、従来から使用されてきたIC製造用フォ
トマスク基材等の分野はもちろん、液晶表示用基材等に
も応用が拡大できる。
代理人 弁理士 廣 瀬 章
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、シリコンアルコキシドを加水分解して シリカゾルとし、これをゲル化し、乾燥して乾燥ゲルと
し、次いで焼結するシリカガラスの製造法に於て、シリ
コンアルキシドを加水分解してシリカゾルとする段階で
、鎖中に孤立電子対を有する酸素及び/又は窒素原子を
有する有機化合物を添加することを特徴とするシリカガ
ラスの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27646087A JPH01119528A (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | シリカガラスの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27646087A JPH01119528A (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | シリカガラスの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01119528A true JPH01119528A (ja) | 1989-05-11 |
Family
ID=17569751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27646087A Pending JPH01119528A (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | シリカガラスの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01119528A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02302330A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-14 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカガラスの製造法 |
JPH0333031A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 機能性有機分子ドープ非晶質シリカの製造方法 |
EP0583943A3 (en) * | 1992-08-14 | 1994-08-17 | At & T Corp | Manufacture of a vitreous silica product by a sol-gel process |
US5840465A (en) * | 1995-07-17 | 1998-11-24 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Compositions and method for formation of barrier ribs of plasma display panel |
WO2022244859A1 (ja) * | 2021-05-20 | 2022-11-24 | 阪本薬品工業株式会社 | ガラス成分 |
-
1987
- 1987-10-31 JP JP27646087A patent/JPH01119528A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02302330A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-14 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカガラスの製造法 |
JPH0333031A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 機能性有機分子ドープ非晶質シリカの製造方法 |
EP0583943A3 (en) * | 1992-08-14 | 1994-08-17 | At & T Corp | Manufacture of a vitreous silica product by a sol-gel process |
US5840465A (en) * | 1995-07-17 | 1998-11-24 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Compositions and method for formation of barrier ribs of plasma display panel |
WO2022244859A1 (ja) * | 2021-05-20 | 2022-11-24 | 阪本薬品工業株式会社 | ガラス成分 |
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