JPH02302330A - シリカガラスの製造法 - Google Patents
シリカガラスの製造法Info
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- JPH02302330A JPH02302330A JP12308089A JP12308089A JPH02302330A JP H02302330 A JPH02302330 A JP H02302330A JP 12308089 A JP12308089 A JP 12308089A JP 12308089 A JP12308089 A JP 12308089A JP H02302330 A JPH02302330 A JP H02302330A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims abstract description 7
- -1 tetramethoxysilane Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 12
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 7
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003349 gelling agent Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
- C03C1/006—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光学用、半導体工業用、電子工業用、理工学用
等に使用されるシリカガラスを製造する方法に関する。
等に使用されるシリカガラスを製造する方法に関する。
[従来の技術]
シリカガラスは耐熱性、耐蝕性及び光学的性質に優れて
いることから、半導体製造に欠かせない重要な材料であ
り、さらには光ファイバやIC製造用フォトマスク基板
、TPT基板などに使用され、その用途はますます拡大
されている。
いることから、半導体製造に欠かせない重要な材料であ
り、さらには光ファイバやIC製造用フォトマスク基板
、TPT基板などに使用され、その用途はますます拡大
されている。
従来のシリカガラスの製造法には、天然石英を電気炉又
は酸水素炎により溶解する方法、あるいは四塩化ケイ素
を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し溶解する方法
があるが、いずれの方法も製造工程に2000℃あるい
はそれ以上の高温を必要とするため、大量のエネルギー
を消費し、又製造時にそのような高温に耐える材料が必
要であり、又高純度のものが得にくいなど経済的、品質
的にいくつかの問題点をもっている。
は酸水素炎により溶解する方法、あるいは四塩化ケイ素
を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し溶解する方法
があるが、いずれの方法も製造工程に2000℃あるい
はそれ以上の高温を必要とするため、大量のエネルギー
を消費し、又製造時にそのような高温に耐える材料が必
要であり、又高純度のものが得にくいなど経済的、品質
的にいくつかの問題点をもっている。
これに対し、近年ゾル−ゲル法と呼ばれるシリカガラス
を低温で合成する方法が注目されている。
を低温で合成する方法が注目されている。
その概要を簡単に述べる。
シリコンアルコキシドの加水分解、重合によって、ある
いは四塩化ケイ素の気相加水分解によって作製した9i
0z微粒子を分散させた水、有機溶剤、あるいは水−有
機溶剤混合溶液のシリカゾルを静置、昇温1、ゲル化剤
の添加等によってゲル化させる。その後、ゲルを蒸発、
乾燥することによりシリカ乾燥ゲルとする。この乾燥ゲ
ルを適当な雰囲気中で焼結することによりシリカガラス
を得る。
いは四塩化ケイ素の気相加水分解によって作製した9i
0z微粒子を分散させた水、有機溶剤、あるいは水−有
機溶剤混合溶液のシリカゾルを静置、昇温1、ゲル化剤
の添加等によってゲル化させる。その後、ゲルを蒸発、
乾燥することによりシリカ乾燥ゲルとする。この乾燥ゲ
ルを適当な雰囲気中で焼結することによりシリカガラス
を得る。
上記のゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造法には次
の問題がある。すなわち、SiO2微粒子を水、有機種
剤等に均一に分散させることは非常に困難であり、シリ
カゾル中にSiO2微粒子の大きな凝集体が残りやすい
。このような凝集体はゲルを焼結して作製したガラスの
中の欠陥(空孔)の原因となり、品質の低下を生じさせ
る。このためSiO2微粒子の分散を良くするために、
シリカゾルに超音波を照射する方法、凝集体により生ず
るガラス中の欠陥(空孔)を消すために焼結ガラスを更
に加圧下で焼結する方法が提案されているが、いずれも
工程数の増加、不純物混入の機会の増加を引き起こす。
の問題がある。すなわち、SiO2微粒子を水、有機種
剤等に均一に分散させることは非常に困難であり、シリ
カゾル中にSiO2微粒子の大きな凝集体が残りやすい
。このような凝集体はゲルを焼結して作製したガラスの
中の欠陥(空孔)の原因となり、品質の低下を生じさせ
る。このためSiO2微粒子の分散を良くするために、
シリカゾルに超音波を照射する方法、凝集体により生ず
るガラス中の欠陥(空孔)を消すために焼結ガラスを更
に加圧下で焼結する方法が提案されているが、いずれも
工程数の増加、不純物混入の機会の増加を引き起こす。
液相への5iOz微粒子の分散工程をなくすた゛ め、
シリコンアルコキシドを塩基触媒の存在下で加水分解し
て5iOz微粒子を含むゾルを作製し、これを直接、ゲ
ル化させる方法が提案されている。
シリコンアルコキシドを塩基触媒の存在下で加水分解し
て5iOz微粒子を含むゾルを作製し、これを直接、ゲ
ル化させる方法が提案されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、この方法では、乾燥過程でゲルにクラックや割
れが発生しやすい。このようなゲルの破壊を防ぐために
は、ゾル中に含まれる5iOz微粒子径を大きくする必
要があり、このためアルコキシドの加水分解の際に用い
る水は、アルコキシドに対して大過剰でかつ濃厚な塩基
を含む必要がある。したがってゾルをゲル化する前に、
大過剰の水を除去する濃縮工程が必要となり、工程数の
増加を引き起こした。又ゾルをゲル化に適当なpHにす
るため、酸を加える必要があるが、これによってゾル中
に多量に生成する塩は乾燥過程でゲル中に析出し、ガラ
ス化した際に空孔の発生を引き起こすという問題が生じ
た。
れが発生しやすい。このようなゲルの破壊を防ぐために
は、ゾル中に含まれる5iOz微粒子径を大きくする必
要があり、このためアルコキシドの加水分解の際に用い
る水は、アルコキシドに対して大過剰でかつ濃厚な塩基
を含む必要がある。したがってゾルをゲル化する前に、
大過剰の水を除去する濃縮工程が必要となり、工程数の
増加を引き起こした。又ゾルをゲル化に適当なpHにす
るため、酸を加える必要があるが、これによってゾル中
に多量に生成する塩は乾燥過程でゲル中に析出し、ガラ
ス化した際に空孔の発生を引き起こすという問題が生じ
た。
これらの問題を解決するため発明者らは、先にゲル化前
にSiO2微粒子の分散工程及びゾルの濃縮工程を必要
としないシリカガラスの製造法、すなわち、シリコンア
ルコキシドを塩基性触媒を用いて加水分解してSiO2
微粒子を含むシリカゾルを得、そのゾルを乾燥、焼結す
るシリカガラスの製造法においてシリコンアルコキシド
をポリエチレングリコール及び/又はその誘導体の存在
下で加水分解すると共に9i0z微粒子を含むシリカゾ
ルに酸を加えることを特徴とするシリカガラスの製造法
を提案した(特願昭63−303356号)。しかしな
がら、この方法によっても多数回のバッチの中には、乾
燥ゲルの歩留まりが時には低下する場合がみられた。本
発明者らはこのような乾燥ゲルの歩留まり低下の原因を
鋭意検討した結果、SiO2微粒子を含むシリカゾルに
酸を加える際のシリカゾルのpHがゲルの歩留まりと重
要な関連があることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
にSiO2微粒子の分散工程及びゾルの濃縮工程を必要
としないシリカガラスの製造法、すなわち、シリコンア
ルコキシドを塩基性触媒を用いて加水分解してSiO2
微粒子を含むシリカゾルを得、そのゾルを乾燥、焼結す
るシリカガラスの製造法においてシリコンアルコキシド
をポリエチレングリコール及び/又はその誘導体の存在
下で加水分解すると共に9i0z微粒子を含むシリカゾ
ルに酸を加えることを特徴とするシリカガラスの製造法
を提案した(特願昭63−303356号)。しかしな
がら、この方法によっても多数回のバッチの中には、乾
燥ゲルの歩留まりが時には低下する場合がみられた。本
発明者らはこのような乾燥ゲルの歩留まり低下の原因を
鋭意検討した結果、SiO2微粒子を含むシリカゾルに
酸を加える際のシリカゾルのpHがゲルの歩留まりと重
要な関連があることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
[課題を解決するための手段]
すなわち、ポリエチレングリコール及び/又はその誘導
体の存在下にシリコンアルコキシドを塩基性触媒を用い
て加水分解して作製したSiO2微粒子を含むシリカゾ
ルに、酸を加える際シリカゾルのpHを3〜5の範囲と
すると、乾燥過程でのゲルの割れが著しく抑制されるこ
とを見出した。
体の存在下にシリコンアルコキシドを塩基性触媒を用い
て加水分解して作製したSiO2微粒子を含むシリカゾ
ルに、酸を加える際シリカゾルのpHを3〜5の範囲と
すると、乾燥過程でのゲルの割れが著しく抑制されるこ
とを見出した。
酸を加える際のシリカゾルのpHを3〜5の範囲からは
ずれると、ゾル中でSiO2微粒子が著しく凝集して、
ゾル及びゲルが不均一となり、乾燥過程での割れが発生
しやすくなる。又、焼結して得られるガラス中には、気
孔等の欠陥も多くなる。
ずれると、ゾル中でSiO2微粒子が著しく凝集して、
ゾル及びゲルが不均一となり、乾燥過程での割れが発生
しやすくなる。又、焼結して得られるガラス中には、気
孔等の欠陥も多くなる。
SiO2微粒子を含むシリカゾルに加える酸としては、
塩酸、硝酸、ぎ酸、酢酸、プロピオン酸等が使用できる
。これらの酸は濃厚な液としてシリカゾルに加えるより
も、水又はアルコール又はこれらの混合溶液で希釈して
使用するとよい。
塩酸、硝酸、ぎ酸、酢酸、プロピオン酸等が使用できる
。これらの酸は濃厚な液としてシリカゾルに加えるより
も、水又はアルコール又はこれらの混合溶液で希釈して
使用するとよい。
シリカガラスは上記のようにして調製したシリカゾルを
シャーレ等の容器に移し、室温〜70℃に保持してゲル
化し、次いで室温以上の温度で乾燥して乾燥ゲルとし、
更に公知の方法、たとえば空気中で1000〜1400
’Cに昇温しで焼結することにより得られる。
シャーレ等の容器に移し、室温〜70℃に保持してゲル
化し、次いで室温以上の温度で乾燥して乾燥ゲルとし、
更に公知の方法、たとえば空気中で1000〜1400
’Cに昇温しで焼結することにより得られる。
[作用]
ポリエチレングリコール及び/又はその誘導体の存在下
、塩基性触媒を用いてシリコンアルコキシトを加水分解
して作製したSiO2微粒子を含むシリカゾルに酸を加
える際、得られるシリカゾルのpHを3〜5の範囲とす
ると、乾燥ゲルの歩留まりが著しく向上する。この理由
の詳細は不明であるが、酸を加えて得られたシリカゾル
のpHとゾルのゲル化時間との関係が第1図に示すよう
に、ゲル時間がpH3〜5の範囲、特にpHが4付近で
極大となることから、このpH領域でシリカゾル中の5
iOz微粒子同士の相互作用(凝集等)が弱くなり、そ
の結果均一なゾルが得られ、ゲルが均一となるので乾燥
過程での割れの発生が抑制されたものと推察される。な
お、本発明は、上記の推察に拘束されるものではない。
、塩基性触媒を用いてシリコンアルコキシトを加水分解
して作製したSiO2微粒子を含むシリカゾルに酸を加
える際、得られるシリカゾルのpHを3〜5の範囲とす
ると、乾燥ゲルの歩留まりが著しく向上する。この理由
の詳細は不明であるが、酸を加えて得られたシリカゾル
のpHとゾルのゲル化時間との関係が第1図に示すよう
に、ゲル時間がpH3〜5の範囲、特にpHが4付近で
極大となることから、このpH領域でシリカゾル中の5
iOz微粒子同士の相互作用(凝集等)が弱くなり、そ
の結果均一なゾルが得られ、ゲルが均一となるので乾燥
過程での割れの発生が抑制されたものと推察される。な
お、本発明は、上記の推察に拘束されるものではない。
[実施例]
(実施例1)
2−プロピルアル:]−ル284gと0.OIM:1リ
ン水溶液160gを混合し、これに16.8gポリエチ
レングリコール(分子量20000)を添加し溶解させ
た。得られた溶液を340gのテトラメトキシシラン(
S i (OCH3) 4 )にゆつくりと加え、更
に充分混合しシリカゾルを得た。
ン水溶液160gを混合し、これに16.8gポリエチ
レングリコール(分子量20000)を添加し溶解させ
た。得られた溶液を340gのテトラメトキシシラン(
S i (OCH3) 4 )にゆつくりと加え、更
に充分混合しシリカゾルを得た。
これを室温で一晩静置して熟成させた。次いで激しく撹
拌しながらシリカゾルに0.1M塩酸水溶液を少量ずつ
添加しシリカゾルのpHを4とした。
拌しながらシリカゾルに0.1M塩酸水溶液を少量ずつ
添加しシリカゾルのpHを4とした。
これをテフロンでコーティングした直径300mmのス
テンレス製シャーレに入れ、アルミ箔で蓋をし30℃で
ゲル化させた。蓋に孔を開け、60°Cの恒温槽中で2
週間乾燥し、その後、120°Cまで昇温しでその温度
で1日乾燥し、乾燥ゲルを得た。得られた乾燥ゲルには
、クラックや割れは全くみられなかった。得られた乾燥
ゲルを空気中1300℃まで加熱焼結し、シリカガラス
を得た。
テンレス製シャーレに入れ、アルミ箔で蓋をし30℃で
ゲル化させた。蓋に孔を開け、60°Cの恒温槽中で2
週間乾燥し、その後、120°Cまで昇温しでその温度
で1日乾燥し、乾燥ゲルを得た。得られた乾燥ゲルには
、クラックや割れは全くみられなかった。得られた乾燥
ゲルを空気中1300℃まで加熱焼結し、シリカガラス
を得た。
得られたシリカガラスには空孔等の欠陥は全くなかった
。
。
(実施例2)
実施例1と同様にして作製したシリカゾルに激しく撹拌
しながら0.1M塩酸水溶液を少量ずつ加え、シリカゾ
ルのpHを3とした。これを実施例1と同様にしてゲル
化、乾燥、焼結ガラス化した。乾燥ゲルには、クラック
や割れは全くみられず、又得られたシリカガラスにも、
空孔等の欠陥は全くなかった。
しながら0.1M塩酸水溶液を少量ずつ加え、シリカゾ
ルのpHを3とした。これを実施例1と同様にしてゲル
化、乾燥、焼結ガラス化した。乾燥ゲルには、クラック
や割れは全くみられず、又得られたシリカガラスにも、
空孔等の欠陥は全くなかった。
(実施例3)
実施例1と同様にして作製したシリカゾルに激しく撹拌
しながら0.1M塩酸水溶液を少量ずつ加え、シリカゾ
ルのpHを5とした。これを実施例1と同様にしてゲル
化、乾燥、焼結ガラス化した。乾燥ゲルには、クラック
や割れは全くなく、又得られたシリカガラスにも、空孔
等の欠陥は全くなかった。
しながら0.1M塩酸水溶液を少量ずつ加え、シリカゾ
ルのpHを5とした。これを実施例1と同様にしてゲル
化、乾燥、焼結ガラス化した。乾燥ゲルには、クラック
や割れは全くなく、又得られたシリカガラスにも、空孔
等の欠陥は全くなかった。
[発明の効果]
本発明によれば、クラックや割れがなく、又空孔等の欠
陥の少ない大形のシリカガラスをゲル−ゾル法により容
易に製造可能となる。その大きさは基本的には制約がな
く、形状も板状、棒状、管状等のいずれでも製造できる
。
陥の少ない大形のシリカガラスをゲル−ゾル法により容
易に製造可能となる。その大きさは基本的には制約がな
く、形状も板状、棒状、管状等のいずれでも製造できる
。
又、本発明によればシリカガラスは、従来よりも安価に
製造できるため、従来から使用されてきたIC製造用フ
ォトマスク基材等の分野はもちろん、液晶表示基材等に
も応用が拡大できる。
製造できるため、従来から使用されてきたIC製造用フ
ォトマスク基材等の分野はもちろん、液晶表示基材等に
も応用が拡大できる。
Claims (1)
- 1、ポリエチレングリコール及び/又はその誘導体の存
在下にシリコンアルコキシドを塩基性触媒を用いて加水
分解してSiO_2微粒子を含むシリカゾルを得、この
シリカゾルに酸を添加し、ゲル化し、乾燥、焼結するシ
リカガラスの製造法において、シリカゾルに酸を添加す
る際にシリカゾルのpHを3〜5とすることを特徴とす
るシリカガラスの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1123080A JP2666471B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | シリカガラスの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1123080A JP2666471B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | シリカガラスの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02302330A true JPH02302330A (ja) | 1990-12-14 |
JP2666471B2 JP2666471B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=14851699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1123080A Expired - Fee Related JP2666471B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | シリカガラスの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2666471B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59131539A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-28 | Seiko Epson Corp | 石英ガラスの製造法 |
JPH01119528A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカガラスの製造法 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP1123080A patent/JP2666471B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59131539A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-28 | Seiko Epson Corp | 石英ガラスの製造法 |
JPH01119528A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカガラスの製造法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2666471B2 (ja) | 1997-10-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |