JPH0214834A - シリカガラスの製造法 - Google Patents

シリカガラスの製造法

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JPH0214834A
JPH0214834A JP16192688A JP16192688A JPH0214834A JP H0214834 A JPH0214834 A JP H0214834A JP 16192688 A JP16192688 A JP 16192688A JP 16192688 A JP16192688 A JP 16192688A JP H0214834 A JPH0214834 A JP H0214834A
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JP
Japan
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group
gel
silica glass
sol
cracks
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Pending
Application number
JP16192688A
Other languages
English (en)
Inventor
Fusaji Hayashi
林 房司
Koichi Takei
康一 武井
Yoichi Machii
洋一 町井
Toshikatsu Shimazaki
俊勝 嶋崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0214834A publication Critical patent/JPH0214834A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C1/00Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
    • C03C1/006Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光学用、半導体工業用、電子工業用、理化学用
等に使用されるシリカガラスの製造法に関する。
(従来の技術) 近年、シリカガラスの新たな製造法として注目をあびて
いるのが、ブルーゲル法である。
ゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造法は次の通りで
ある。
−S式5i(OR)4(但しRはアルキル基を表す)で
示されるシリコンアルコキシド及び/又はその重縮合物
、例えば (RO)、5i(O5i(OR))nO5i(OR)z
(n = 0〜8 )に水(あらかじめ触媒として酸、
アルカリを加えておいてもよい)を加え、加水分解しシ
リカヒドロシルとする。この時、シリコンアルコキシド
と水とが均一な系となる様に溶媒として適当なアルコー
ルを加えてもよい。このシリカゾル溶液を静置、昇温、
ゲル化剤添加等によりゲル化させる。
その後、ゲルを乾燥することによりシリカゲルとする。
この乾燥ゲルを適当な雰囲気中で焼結することによりシ
リカガラスを得る。
このブルーゲル法には以下の特長がある。
+1) S i Cl a等を原料とする火炎加水分解
等により生成するスートを焼結してガラス化する従来の
気相化学蒸着法よりも低温で製造できるため、省エネル
ギーで低コスト化できる。
(2)原料として液体状態で使用可能のため、精製が容
易に行え高純度化できる。
(3)室温で液相混合できるため、他成分と混合した場
合も均質かガラスができる。
このように種々の特長をもつゾル−ゲル法によるシリカ
ガラスの製造にもまだ未解決の問題が残されている。
特にゲルを乾燥する過程でゲルにクランクや割れが発生
し易く、モノリシックな大形の乾燥ゲルを歩留りよく製
造することが困難であるという問題である。クランクや
割れの発生する原因の一つにゲル乾燥時に水やアルコー
ル等の蒸発に伴いゲル中に応力が発生し、この応力がゲ
ルの強度より大きいとゲルはクランクや割れが発生ずる
と考えられている。またこの応力は次式 %式% (ΔP=応力、T=表面張力、θ=ぬれ角、r=細孔径
)で表されるように、表面張力が大きい程また細孔径が
小さい程大きくなる。
そこでこのような割れやクランクを防止する方法として
、ゾル?容液中の水の攪を多くしてゲル強度を上げる方
法、加水分解温度を高くして細孔径を大きくする方法な
どの方策が講じられている。
又、特開昭61−183129号公報には、割れやクラ
ンクを防止するため沸点が水より高い溶媒、例えばl−
ブタノール、1−ペンタノール、l−ヘキサノール、ト
ルエンをシリコンアルコキシドに添加する方法が提案さ
れている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら上記の方法ではいずれも十分に大きな乾燥
ゲル体を得るのは困難で、シリカガラス体となった時の
寸法があまり大きなものは得られなかった。
本発明は、クランクや割れの発生しないシリカガラスの
製造を提供するものである。
(課題を解決するための手段) 本発明は、ゲル乾燥中、水やアルコール等の蒸発に伴っ
て発生する応力がクランクや割れの一因になるものと考
え、このような大きな応力の発生を回避するために、シ
リコンアルコキシドの溶媒として、シラノール基と交換
能力を有する基を持つ溶媒を用いるものである。
本発明に用いるシリコンアルコキシドはシリコンアルコ
キシド単量体のみでなく重縮合物を用いてもよい、例え
ば (CI+30) isi (O3i (OCH3) 1
)nO5i (OCHz) s (n =1=0〜8 
)を挙げることができる。これらは一種でも複数でも使
用可能である。シリコンアルコキシドのアルキル基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基等が好ましい。
加水分解のために加える水は予め触媒として塩酸、硝酸
などの鉱酸、ギ酸、酢酸などの有機酸、また塩基として
アンモニアばかりでなくエチレンジアミンなどの有機塩
基を加えておいても良い。
シリコンアルコキシドに添加する溶媒はシラノール基(
−3t−011)の交換反応を起こさせるために、親水
性基であるカルボキシル基、アミノ基、イミノ基、ケト
ン基、アルデヒド基、シアノ基、アミド基、イミド基を
有する溶媒を使用する0例えば、ケトン類、アルデヒド
類、ケチン類、カルボン酸類、酸アミド類を挙げること
ができる。これらは一種でも複数でも使用可能である。
通常使用されるエタノール等のアルコールを併用するこ
ともできる。シリコンアルコキシドと溶媒及び水とは生
成するゾルをできるだけ均一なものとするためにスター
ラなどを用いてよく混合する。また超音波を照射しても
よい。ゾル調整時にシリカの微粒子を加えても良い。
生成したゾル溶液は手早く他の容器に移してゲル化させ
る。ゲル化時には生成したゲルからの溶媒の発散を防ぐ
ために容器を密封することが好ましく、またゲル化時の
温度は0℃以上が好ましい。
乾燥する工程では穴のある蓋に代えて、適当な雰囲気下
で乾燥収縮固化させて乾燥ゲルとする。
その後ゲル−ゾル法で焼結することによりシリカガラス
を製造する。
ゲル化する工程、乾燥する工程、焼結する工程は一般に
用いられる条件が使用される。例えばそれぞれ、0℃〜
100℃で数分〜数10日放置、室温〜100℃で数時
間〜数IO日放置、適当な雰囲気下で1000.〜13
00℃に50〜b (作用) 本発明によるゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造法
はゲル乾燥工程中に於いてシラノール基と交換能力を有
す基を持つ溶媒が残在しておりゲルの乾燥工程において
ゲル表面に生成したシラノールと添加した溶媒が置換し
、ゲル表面の表面張力を低下させ、細孔から水、アルコ
ール等の液体が蒸発する時に発生する毛管力を著しく低
減できるためにゲルのクラックや割れが防止できるもの
と考えられる。
実施例1 シリコンテトラメトキシド(SL(OCIh)n) :
 2−エトキシエタノール((,11,0C1h−C1
1!−011)  −1: lのモル比になるように調
整し、メタノール(C1l+OI+)を2−エトキシエ
タノールと同量加えて攪拌し均一1容ン&とした。この
?古漬に濃度が0. OI sol/ j!のアンモニ
ア水を5i(OCR,l)a  1モルに対し4モル加
え充分混合してシリカゾルを得た。得られたゾルを直径
150 amのテフロンをコーティングしたガラスシャ
ーレに深さIO鶴まで入れ密封して、室温でゲル化した
。ゲル化した後、穴のある蓋に代えて60℃で10日間
乾燥、その後150℃まで30℃/日で昇温し乾燥して
クラックや割れのない乾燥ゲルを得た。この乾燥ゲルを
焼成炉中、空気中1250℃まで100℃/時間の速度
で昇温加熱してクラックや発泡などのないシリカガラス
を得た。
このシリカガラスには失透や気泡はなく品質の高いもの
である。又分析の結果、このシリカガラスは市販のシリ
カガラスとその特性が一致した。
実施例2 シリコンテトラメトキシド(Si(OCIh)、)  
: 2−ヘキサノン(CHs(CHz)*C0CHs)
 = 1 : 1のモル比になるように調整し、エタノ
ール(CI、0f()を2−ヘキサノンと同量加えて攪
拌し均一溶液とした。この溶液に濃度がO,Ol go
t/ 1のアンモニア水を5i(OCHi)n  1モ
ルに対し4モル加え、充分混合してシリカゾルを得た。
得られたゾルを直径150龍のテフロンをコーティング
したガラスシャーレに深さIO錦まで入れ密封して室温
でゲル化した。
ゲル化した後、穴のある蓋に代えて60℃でIO日間乾
燥、その後150℃まで30℃/日の速度で昇温し乾燥
してクラックや割れのない乾燥ゲルを得た。この乾燥ゲ
ルを焼成炉中、空気中1250℃まで100℃/時間の
速度で昇温加熱してクランクや発泡などのないシリカガ
ラスを得た。
このシリカガラスには失透や気泡はなく品質の高いもの
である。又分析の結果、このシリカガラスは市販のシリ
カガラスとその特性が一致した。
比較例 シリコンテトラメトキシド(Si(OCHa)4): 
トルエン(C&1ISCH3) = 1 ’ 1のモル
比になるように調整し、メタノール(CIl、OH)を
トルエンと同量加えて攪拌し均一溶液とした。この溶液
に濃度が0.01WAol/lのアンモニア水をSi 
(OC1l+) a  1モルに対し4モル加え充分混
合してシリカゾルを得た。得られたゾルを直径150+
nのテフロンをコーティングしたガラスシャーレに深さ
1011mまで入れ密封して、室温でゲル化した。ゲル
化した後、穴のある蓋に代えて60℃で10日間乾燥、
その後150℃まで30℃/日の速度で昇温し乾燥した
ところ、乾燥中にクラックや割れ発生してしまった。こ
の理由は添加したトルエンがシラノール基との交換基を
持たないため、ゲル表面張力が低下しなかったためと考
えられる。
(発明の効果) 本発明によれば、大型のシリカガラスをゾル−ゲル法に
よりクランクや割れを発生することなく、容易に製造が
可能となる。その大きさは基本的には制約がなく形状も
板状の物に限らず棒状、管状のものも製造可能となり従
来よりも安価に製造することができる。
又、本発明によりシリカガラスは従来より安価に製造で
きるため、従来から使用されてきたIC製造用フォトマ
スク基材等の分野はもちろんのこと、これまで高価格の
ため使用されていなかった分野での需要の拡大も可能と
なる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、シリコンアルコキシドを加水分解してゾル溶液とす
    る工程、ゾルをゲル化する工程、ゲルを乾燥する工程及
    び焼成する工程とからなるシリカガラスの製造において
    、ゾル溶液とする工程でシラノール基と交換能力を有す
    る親水性基であるカルボキシル基、アミノ基、イミノ基
    、ケトン基、アルデヒド基、シアノ基、アミド基、イミ
    ド基を有する溶媒の少なくとも一種を添加することを特
    徴とするシリカガラスの製造法。
JP16192688A 1988-06-29 1988-06-29 シリカガラスの製造法 Pending JPH0214834A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7838311B2 (en) 2007-12-27 2010-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Process for producing light-emitting semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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