JPH0259417A - 疎水性シリカの製造方法 - Google Patents
疎水性シリカの製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は疎水性シリカの製造方法、特には毒性や腐蝕性
のある残存不純物量が極めて少ないので、電子電気部品
、精密材料部品、医療用部品などに使用されるシリコー
ン樹脂、シリコーンゴム製品の充填剤として有用とされ
る疎水性シリカの製造方法に関するものである。
のある残存不純物量が極めて少ないので、電子電気部品
、精密材料部品、医療用部品などに使用されるシリコー
ン樹脂、シリコーンゴム製品の充填剤として有用とされ
る疎水性シリカの製造方法に関するものである。
［従来の技術］
粉末状のシリカ充填剤を表面改質する方法についてはす
でに各種の方法が提案されており、これについては例え
ばシリカ粉末をヘキサメチルジシラザンで処理する方法
［Ｊ、ｏｆ Ｐｈｙ。
でに各種の方法が提案されており、これについては例え
ばシリカ粉末をヘキサメチルジシラザンで処理する方法
［Ｊ、ｏｆ Ｐｈｙ。
Ｃｈｅｍ、７２−８．Ｐ、２７５０ （１９６８）］
。
。
ヒエームドシリヵをアンモニア接触させたのちシリル化
窒素化合物と接触させる方法（特公昭４９−２０７３９
号公報参照）、シクロトリシロキサンにアミンまたはア
ンモニアを用いる方法（特公昭４５−１２５６７号公報
参照）、ハロゲン化シランで処理する方法（特開昭５１
−１４９００号公報参照）などが知られている。
窒素化合物と接触させる方法（特公昭４９−２０７３９
号公報参照）、シクロトリシロキサンにアミンまたはア
ンモニアを用いる方法（特公昭４５−１２５６７号公報
参照）、ハロゲン化シランで処理する方法（特開昭５１
−１４９００号公報参照）などが知られている。
しかし、これらの方法はいずれも窒素含有化合物、ハロ
ゲン化シラン化合物などを用いるものであるために、シ
リカとの反応時にアミン、アンモニア、塩酸などの腐蝕
性物質を生ずるという不利があり、このために工程用の
機器の損傷が早められ、これらの方法で製造された表面
改質シリカ。
ゲン化シラン化合物などを用いるものであるために、シ
リカとの反応時にアミン、アンモニア、塩酸などの腐蝕
性物質を生ずるという不利があり、このために工程用の
機器の損傷が早められ、これらの方法で製造された表面
改質シリカ。
疎水性シリカについては十分な注意と技術によってこれ
らの化合物を取り除く必要があるし、二のような処理を
したシリカもこれをシリコーンゴムの充填剤として使用
した場合には硬化触媒として使用する白金またはロジウ
ムがこの不純物で被毒して硬化速度が遅くなったり、得
られたシリコーンゴム成形物の変質が早められ、さらに
は未硬化ゴムコンパウンドの可望化戻り現象（クリープ
ハードニング）が促進されるという不利があるので、こ
のシリカ充填剤の表面改質についてはこのような不利を
伴なわない方法の開発が望まれている。
らの化合物を取り除く必要があるし、二のような処理を
したシリカもこれをシリコーンゴムの充填剤として使用
した場合には硬化触媒として使用する白金またはロジウ
ムがこの不純物で被毒して硬化速度が遅くなったり、得
られたシリコーンゴム成形物の変質が早められ、さらに
は未硬化ゴムコンパウンドの可望化戻り現象（クリープ
ハードニング）が促進されるという不利があるので、こ
のシリカ充填剤の表面改質についてはこのような不利を
伴なわない方法の開発が望まれている。
［発明の構成］
本発明はこのような不利を解決することのできる疎水性
シリカの製造方法に関するものであり、これはシリカ粉
末１００重量部を、１分子中に式＞Ｃ＝Ｃ＜ 、
で示される基を１個以上含有０３１ミ するシリルケテンアセタール化合物１〜５０重量部を用
いて２５〜４００℃の温度で処理することを特徴とする
ものである。
シリカの製造方法に関するものであり、これはシリカ粉
末１００重量部を、１分子中に式＞Ｃ＝Ｃ＜ 、
で示される基を１個以上含有０３１ミ するシリルケテンアセタール化合物１〜５０重量部を用
いて２５〜４００℃の温度で処理することを特徴とする
ものである。
すなわち、本発明者らはシリカ粉末の疎水化処理におい
て腐蝕性物質を発生しない処理剤を用いる方法について
種々検討した結果、上記した式＞Ｃ−Ｃ＜ 、
で示される基を１分子中に少０３１ ミ なくとも１個有するシリルケテンアセタール化合物を使
用すると、 基）で表わされるシリルケテンアセタール化合物はシリ
カ中に存在するアルコール性ＯＨ基、シラノール基と反
応してこれをシリル化してシリカを疎水化するが、この
シリルケテンアセタールはチル化合物となり、このもの
は全く腐蝕性を有しないので従来法における不利が解決
されるということを見出すと共に、この方法で得られた
疎水性シリカを充填剤として使用したシリコーン樹脂。
て腐蝕性物質を発生しない処理剤を用いる方法について
種々検討した結果、上記した式＞Ｃ−Ｃ＜ 、
で示される基を１分子中に少０３１ ミ なくとも１個有するシリルケテンアセタール化合物を使
用すると、 基）で表わされるシリルケテンアセタール化合物はシリ
カ中に存在するアルコール性ＯＨ基、シラノール基と反
応してこれをシリル化してシリカを疎水化するが、この
シリルケテンアセタールはチル化合物となり、このもの
は全く腐蝕性を有しないので従来法における不利が解決
されるということを見出すと共に、この方法で得られた
疎水性シリカを充填剤として使用したシリコーン樹脂。
シリコーンゴムは電子、電気部品、精密材料部品、医療
用部品などとして使用しても何ら不利を生じることがな
いということを確認して本発明を完成させた。
用部品などとして使用しても何ら不利を生じることがな
いということを確認して本発明を完成させた。
つぎにこれをさらに詳述する。
本発明の方法において始発材とされるシリカは化学的に
は実質的にＳｉｎ、で表わされるものであればよいし、
これは一般にはシリコーンゴムの充填剤として用いられ
ている補強性、準補強性のものとすればよく、これは非
補強性のものであってもよいが、実用面からは比表面積
が５Ｃ）＋”７ｇ以上のヒユームドシリカ、沈降性シリ
カ、粒子径が０．１〜１００μｍのシリカ粉末、特には
ヒユームドシリカ、沈降性シリカとすればよい。
は実質的にＳｉｎ、で表わされるものであればよいし、
これは一般にはシリコーンゴムの充填剤として用いられ
ている補強性、準補強性のものとすればよく、これは非
補強性のものであってもよいが、実用面からは比表面積
が５Ｃ）＋”７ｇ以上のヒユームドシリカ、沈降性シリ
カ、粒子径が０．１〜１００μｍのシリカ粉末、特には
ヒユームドシリカ、沈降性シリカとすればよい。
また、このシリカを処理するために使用されるシリルケ
テンアセタール化合物は１分子中に式＞Ｃ＝Ｃ＜。５１
ヨで示される基を少なくとも１個含有するものであれば
よく、これには下記のものが例示され、このけい素原子
に結合している有機基は目的によってはビニル基、フェ
ニル基、トリフルオロプロピル基に置換したものとして
もよいが、本発明の目的からこれらはＮ、Ｐ。
テンアセタール化合物は１分子中に式＞Ｃ＝Ｃ＜。５１
ヨで示される基を少なくとも１個含有するものであれば
よく、これには下記のものが例示され、このけい素原子
に結合している有機基は目的によってはビニル基、フェ
ニル基、トリフルオロプロピル基に置換したものとして
もよいが、本発明の目的からこれらはＮ、Ｐ。
Ｓなどの元素は含有しないものとする必要がある。
このシリルケテンアセタール化合物によるシリカの処理
は、シリカとシリルケテンアセタールを混合して２５〜
４００℃、好ましくは５０〜２００℃で反応させればよ
いが、このシリルケテンアセタール化合物が沸点の低い
ものであるときにはこれを気相でシリカ中に吹き込んで
もよく、これによればシリカに含有されているアルコー
ル性ＯＨ基またはシラノール基が次式 ％式％ （Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は１価炭化水素基）によって
表わされる様にシリル化されるので、このシリカは疎水
化され、この場合シリルケテンアセタールもエステル化
合物に変成されるがこの変成物は全く腐蝕性を有しない
ので、このものはシリカ中に残存してもシリカの実用面
に不利を与えるおそれはない。
は、シリカとシリルケテンアセタールを混合して２５〜
４００℃、好ましくは５０〜２００℃で反応させればよ
いが、このシリルケテンアセタール化合物が沸点の低い
ものであるときにはこれを気相でシリカ中に吹き込んで
もよく、これによればシリカに含有されているアルコー
ル性ＯＨ基またはシラノール基が次式 ％式％ （Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は１価炭化水素基）によって
表わされる様にシリル化されるので、このシリカは疎水
化され、この場合シリルケテンアセタールもエステル化
合物に変成されるがこの変成物は全く腐蝕性を有しない
ので、このものはシリカ中に残存してもシリカの実用面
に不利を与えるおそれはない。
なお、ここに使用されるシリルケテンアセター Ｈｓ
ル化合物は例えば式 ＞ＣＨ２ＮＬｉでＣＨ。
によって示される化合物と反応させたのち、へロシラン
と反応させることにより次式 メタクリルエステルにウィルキンソン錯体の存在下にハ
イドロジエンシランまたはシロキサンを付加させること
により、次式 で表わされる様に容易に得ることができるので、本発明
の方法を容易にかつ安価に実施することができるという
有利性が与えられる。
と反応させることにより次式 メタクリルエステルにウィルキンソン錯体の存在下にハ
イドロジエンシランまたはシロキサンを付加させること
により、次式 で表わされる様に容易に得ることができるので、本発明
の方法を容易にかつ安価に実施することができるという
有利性が与えられる。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例
比表面積２００ｍ’／ｇのヒユームドシリカ粉１００重
量部に、式 によって容易に得ることができるし、これはまたで示さ
れるシリルケテンアセタール化合物３０重量部を加え、
フラスコ中で攪拌して均一化し、ついで８０℃に加熱し
て２時間反応させたのち、１２０℃／１トールに減圧し
て余剰の化合物および副生物を除去したところ、このよ
うにして得たシリカはつぎのような物性を示した。
量部に、式 によって容易に得ることができるし、これはまたで示さ
れるシリルケテンアセタール化合物３０重量部を加え、
フラスコ中で攪拌して均一化し、ついで８０℃に加熱し
て２時間反応させたのち、１２０℃／１トールに減圧し
て余剰の化合物および副生物を除去したところ、このよ
うにして得たシリカはつぎのような物性を示した。
処理前 処理後
Ｃ量（燃焼法） ０％ １０．３％比表面
積（ＢＥＴ法） ２００ｍ２／ｇ １４５ｍ２／ｇ
撥水性 なし あり手続補正書
（自発） 昭和６３年９月２１日 １、事件の表示 昭和６３年特許願第２０８８８８号 ２、発明の名称 疎水性シリカの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 名称
積（ＢＥＴ法） ２００ｍ２／ｇ １４５ｍ２／ｇ
撥水性 なし あり手続補正書
（自発） 昭和６３年９月２１日 １、事件の表示 昭和６３年特許願第２０８８８８号 ２、発明の名称 疎水性シリカの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 名称
Claims (1)
- １、シリカ粉末１００重量部を、１分子中に式▲数式、
化学式、表等があります▼で示される基を１個以上含有
するシリルケテンアセタール化合物１〜５０重量部を用
いて２５〜４００℃の温度範囲で処理することを特徴と
する疎水性シリカの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20888888A JPH0259417A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 疎水性シリカの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20888888A JPH0259417A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 疎水性シリカの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0259417A true JPH0259417A (ja) | 1990-02-28 |
| JPH0470253B2 JPH0470253B2 (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=16563785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20888888A Granted JPH0259417A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 疎水性シリカの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0259417A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2659658A1 (fr) * | 1989-11-02 | 1991-09-20 | Shinetsu Chemical Co | Silice traitee par un organosilicone et composition la contenant. |
| WO1999036356A3 (en) * | 1998-01-15 | 1999-12-09 | Cabot Corp | Polyfunctional organosilane treatment of silica |
| JP2022104993A (ja) * | 2016-12-28 | 2022-07-12 | ポーラ化成工業株式会社 | 粉体粒子表面の改質方法 |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP20888888A patent/JPH0259417A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2659658A1 (fr) * | 1989-11-02 | 1991-09-20 | Shinetsu Chemical Co | Silice traitee par un organosilicone et composition la contenant. |
| US5200440A (en) * | 1989-11-02 | 1993-04-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Organosilicone-treated silica and a composition containing it |
| WO1999036356A3 (en) * | 1998-01-15 | 1999-12-09 | Cabot Corp | Polyfunctional organosilane treatment of silica |
| JP2022104993A (ja) * | 2016-12-28 | 2022-07-12 | ポーラ化成工業株式会社 | 粉体粒子表面の改質方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0470253B2 (ja) | 1992-11-10 |
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