JPH0258812A - 自己保持型ソレノイドの制御回路 - Google Patents
自己保持型ソレノイドの制御回路Info
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- JPH0258812A JPH0258812A JP21131988A JP21131988A JPH0258812A JP H0258812 A JPH0258812 A JP H0258812A JP 21131988 A JP21131988 A JP 21131988A JP 21131988 A JP21131988 A JP 21131988A JP H0258812 A JPH0258812 A JP H0258812A
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- plunger
- coil
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Links
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- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 13
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims 1
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 101100119059 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ERG25 gene Proteins 0.000 description 1
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Landscapes
- Electromagnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
[産業上の利用分野]
この発明はソレノイドで吸着したプランジャを永久磁石
で吸着位置に保持する自己保持型ソレノイドに関するも
のである。
で吸着位置に保持する自己保持型ソレノイドに関するも
のである。
[従来の技術]
従来、自己保持型ソレノイドはコイルの励磁によりプラ
ンジャが所定位置まで吸着移動され、その移動後には永
久磁石によりプランジャを所定位置に保持し、コイルの
励磁は解除されるようになっている。
ンジャが所定位置まで吸着移動され、その移動後には永
久磁石によりプランジャを所定位置に保持し、コイルの
励磁は解除されるようになっている。
[発明が解決しようとする課題1
ところが、上記のような自己保持型ソレノイドではプラ
ンジャが永久磁石で所定位置に保持されたとき同永久磁
石の保持力が最も強い。従って、この状態でソレノイド
に外部から機械的な衝撃が加わってプランジャが所定位
置からずれると永久磁石の保持力が低下し、この結果プ
ランジャが所定の吸着位置から離脱することがあるとい
う問題点があった。この発明の目的は様械的衝撃により
プランジャが所定の吸着位置から離脱した場合にはその
離脱を検出して自動的に吸着位置に復帰させ得る自己保
持型ソレノイドをソレノイド自身にプランジャの位置検
出センサを取付けることなく実現するにある。
ンジャが永久磁石で所定位置に保持されたとき同永久磁
石の保持力が最も強い。従って、この状態でソレノイド
に外部から機械的な衝撃が加わってプランジャが所定位
置からずれると永久磁石の保持力が低下し、この結果プ
ランジャが所定の吸着位置から離脱することがあるとい
う問題点があった。この発明の目的は様械的衝撃により
プランジャが所定の吸着位置から離脱した場合にはその
離脱を検出して自動的に吸着位置に復帰させ得る自己保
持型ソレノイドをソレノイド自身にプランジャの位置検
出センサを取付けることなく実現するにある。
発明の構成
[課題を解決するための手段1
この発明は上記問題点を解決するために、コイルに励磁
電流を流してプランジャをヨークに対し吸着及び離脱さ
せ、そのプランジャを永久磁石で吸着位置に保持する自
己保持型ソレノイドにおいて、コイル非励磁時における
プランジャの移動に基いてコイル両端間に発生する逆起
電力を検出する検出回路と、その検出回路の検出信号に
基いてコイルを励磁してプランジャを吸着位置に復帰さ
せる駆動回路とを備えた構成としている。
電流を流してプランジャをヨークに対し吸着及び離脱さ
せ、そのプランジャを永久磁石で吸着位置に保持する自
己保持型ソレノイドにおいて、コイル非励磁時における
プランジャの移動に基いてコイル両端間に発生する逆起
電力を検出する検出回路と、その検出回路の検出信号に
基いてコイルを励磁してプランジャを吸着位置に復帰さ
せる駆動回路とを備えた構成としている。
[作用1
上記手段により、永久磁石によるプランジャの自己保持
状態でプランジャが吸着位置から離脱しようとすると、
コイル両端間に発生する逆起電力が検出回路で検出され
、その検出信号に基いて駆動回路が動作してコイルが励
磁され、プランジャが吸着位置に復帰される。
状態でプランジャが吸着位置から離脱しようとすると、
コイル両端間に発生する逆起電力が検出回路で検出され
、その検出信号に基いて駆動回路が動作してコイルが励
磁され、プランジャが吸着位置に復帰される。
[実施例]
以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説
明すると、第2図に示すように自己保持型ソレノイド1
はヨーク2内にコイル3及び環状の永久磁石4が連なっ
て配設され、そのコイル3及び永久磁石4内にプランジ
ャ5が移動可能に配設されている。そして、コイル3に
プランジャ吸着方向の励磁電流が流れると、第2図に示
すようにプランジャ5はその先端がヨーク2に当接する
位置まで移動され、この状態でコイル3の励磁電流が遮
断されるとプランジャ5は永久磁石4から発せられる磁
力線Bにより同図に示す位置に保持される。また、コイ
ル3に逆方向の励磁電流が流れると、コイル3に発生す
る磁力線により永久磁石4に抗してプランジャ5がヨー
ク2から離脱するようになっている。
明すると、第2図に示すように自己保持型ソレノイド1
はヨーク2内にコイル3及び環状の永久磁石4が連なっ
て配設され、そのコイル3及び永久磁石4内にプランジ
ャ5が移動可能に配設されている。そして、コイル3に
プランジャ吸着方向の励磁電流が流れると、第2図に示
すようにプランジャ5はその先端がヨーク2に当接する
位置まで移動され、この状態でコイル3の励磁電流が遮
断されるとプランジャ5は永久磁石4から発せられる磁
力線Bにより同図に示す位置に保持される。また、コイ
ル3に逆方向の励磁電流が流れると、コイル3に発生す
る磁力線により永久磁石4に抗してプランジャ5がヨー
ク2から離脱するようになっている。
次に、自己保持型ソレノイド1を制御する制御回路を第
1図に従って説明すると、前記コイル3に励磁電流を流
すための4個のFET6a、6b。
1図に従って説明すると、前記コイル3に励磁電流を流
すための4個のFET6a、6b。
5c、5dはブリッヂ接続され、その間にコイル3が接
続されている。また、各FET6a、6b。
続されている。また、各FET6a、6b。
5c、6dはゲートに1」レベルの信号が入力されると
オン状態となってドレイン電流が流れるものであり、F
ET6a、6Cのドレインには各FETにドレイン電流
を流してコイル3を励磁するためのソレノイド川霧17
のプラス側端子が接続され、そのソレノイド用電源のマ
イナス側端子はFET6b、6dのソース端子とともに
グランド線14に接続されている。なお、各FET6a
、6b、6c、6dに2個ずつ接続されたダイオード8
は各FETを保護するためのサージ吸収用ダイオードで
ある。
オン状態となってドレイン電流が流れるものであり、F
ET6a、6Cのドレインには各FETにドレイン電流
を流してコイル3を励磁するためのソレノイド川霧17
のプラス側端子が接続され、そのソレノイド用電源のマ
イナス側端子はFET6b、6dのソース端子とともに
グランド線14に接続されている。なお、各FET6a
、6b、6c、6dに2個ずつ接続されたダイオード8
は各FETを保護するためのサージ吸収用ダイオードで
ある。
FET6a、6bとFET6c、6dのゲートにはそれ
ぞれ第−及び第二のゲート回路9.10が接続され、両
回路9.10には正負用電源11からプラス電位の電源
電圧が供給されている。
ぞれ第−及び第二のゲート回路9.10が接続され、両
回路9.10には正負用電源11からプラス電位の電源
電圧が供給されている。
第一のゲート回路9にはAND回路12を介して入力信
号が入力され、そのAND回路12の一方の入力端子T
1には前記ソレノイド1のプランジャ5を吸着位置に移
動させるための吸着信号が入力され、他方の入力端子は
インバータ13を介してグランド線14に接続されてい
る。従って、入力端子T1にHレベルの信号が入力され
るとAND回路12から第一のゲート回路9にHレベル
の信号が入力される。、第一のゲート回路9はAND回
路12からの入力信号に基いて動作し、出力端子Q1.
Q2から逆相の出力信号を出力する。
号が入力され、そのAND回路12の一方の入力端子T
1には前記ソレノイド1のプランジャ5を吸着位置に移
動させるための吸着信号が入力され、他方の入力端子は
インバータ13を介してグランド線14に接続されてい
る。従って、入力端子T1にHレベルの信号が入力され
るとAND回路12から第一のゲート回路9にHレベル
の信号が入力される。、第一のゲート回路9はAND回
路12からの入力信号に基いて動作し、出力端子Q1.
Q2から逆相の出力信号を出力する。
すなわち、AND回路12からHレベルの入力信号が入
力されると、常にはLレベルである出力端子Q1からの
出力信号SGIが第3図(a)に示すように一定時間だ
けHレベルとなり、これに同期して常にはHレベルにあ
る出力端子Q2の出力信号SG2は第3図(b)に示す
ようにLレベルとなる。そして、出力端子Q1は前記F
ET6a、5bのゲート端子に接続され、その出力信号
SGIがHレベルとなると両FET6a、5bがオン状
態となり、そのドレイン電流がコイル3に矢印へ方向に
流れて前記プランジャ5がヨーク2に吸着されるように
なっている。
力されると、常にはLレベルである出力端子Q1からの
出力信号SGIが第3図(a)に示すように一定時間だ
けHレベルとなり、これに同期して常にはHレベルにあ
る出力端子Q2の出力信号SG2は第3図(b)に示す
ようにLレベルとなる。そして、出力端子Q1は前記F
ET6a、5bのゲート端子に接続され、その出力信号
SGIがHレベルとなると両FET6a、5bがオン状
態となり、そのドレイン電流がコイル3に矢印へ方向に
流れて前記プランジャ5がヨーク2に吸着されるように
なっている。
第一のゲート回路9の出力端子Q2は抵抗R1及びコン
デンサCを介してグランド線14に接続され、コンデン
サCのプラス側端子は第一の駆動回路10のリセット端
子R8Iに接続されている。
デンサCを介してグランド線14に接続され、コンデン
サCのプラス側端子は第一の駆動回路10のリセット端
子R8Iに接続されている。
このリセット端子R8Iはトルベルの信号を入力するこ
とにより出力端子Q1のトルベルの出力信号SGIを直
ちにトルベルにリセットし、同時に出力端子Q2のトル
ベルの出力信号SG2を直ちにトルベルにリセットする
ものである。そして、出力端子Q2の出力信号SG2が
トルベルにある状態ではコンデンサCが充電状態にある
ため、第3図(C)に示すようにリセット端子R31に
はトルベルの入力信@SG3が入力され、出力信号SG
2がトルベルに転換するとコンデンサCと抵抗R1に基
く時定数により入力信号SG3の電位は徐々に低下する
が、その時定数は出力信号SG2の通常のトルベル転換
時間では入力信号SG3がトルベルまで低下することが
ないように設定されている。そして、以上のような第一
のゲート回路9、AND回路12、インバータ13及び
抵抗R1、コンデンサCでプランジt5をヨーク2に吸
着させる第一の駆動回路21が構成されている。
とにより出力端子Q1のトルベルの出力信号SGIを直
ちにトルベルにリセットし、同時に出力端子Q2のトル
ベルの出力信号SG2を直ちにトルベルにリセットする
ものである。そして、出力端子Q2の出力信号SG2が
トルベルにある状態ではコンデンサCが充電状態にある
ため、第3図(C)に示すようにリセット端子R31に
はトルベルの入力信@SG3が入力され、出力信号SG
2がトルベルに転換するとコンデンサCと抵抗R1に基
く時定数により入力信号SG3の電位は徐々に低下する
が、その時定数は出力信号SG2の通常のトルベル転換
時間では入力信号SG3がトルベルまで低下することが
ないように設定されている。そして、以上のような第一
のゲート回路9、AND回路12、インバータ13及び
抵抗R1、コンデンサCでプランジt5をヨーク2に吸
着させる第一の駆動回路21が構成されている。
第二のゲート回路10等で構成される第二の駆動回路2
2はリセット端子R82が前記正負用電源11のプラス
側端子に接続されてリセット動作が無効化されたこと以
外は第一の駆動回路21と同一構成であり、入力端子T
2にはプランジャ5をヨーク2から離脱させるための離
脱信号が入力される。すなわち、入力端子T2にトルベ
ルの信号が入力されると前記第一の駆動回路9と同様に
常にはトルベルである出力端子Q3からの出力信号SG
4が第4図(a、 )に示すように一定時間だけトルベ
ルとなり、これに同期して常にはトルベルにある出力端
子Q4から出力信号SG5がトルベルとなる。
2はリセット端子R82が前記正負用電源11のプラス
側端子に接続されてリセット動作が無効化されたこと以
外は第一の駆動回路21と同一構成であり、入力端子T
2にはプランジャ5をヨーク2から離脱させるための離
脱信号が入力される。すなわち、入力端子T2にトルベ
ルの信号が入力されると前記第一の駆動回路9と同様に
常にはトルベルである出力端子Q3からの出力信号SG
4が第4図(a、 )に示すように一定時間だけトルベ
ルとなり、これに同期して常にはトルベルにある出力端
子Q4から出力信号SG5がトルベルとなる。
第二のゲート回路10の出力端子Q3は前記FET6G
、6dのゲート端子に出力され、その出力端子Q3から
トルベルの出力信号SG4が出力されると同FET6c
、6dがオン状態となり、そのドレイン電流がコイル3
に矢印B方向に流れ、プランジャ5がヨーク2から離脱
する方向に移動されるようになっている。また、出力端
子Q4はAND回路20の一方の入力端子に接続されて
いて、第二のゲート回路10がコイル3への励磁信号を
出力している時以外は同AND回路2oにトルベルの信
号を出力している・。
、6dのゲート端子に出力され、その出力端子Q3から
トルベルの出力信号SG4が出力されると同FET6c
、6dがオン状態となり、そのドレイン電流がコイル3
に矢印B方向に流れ、プランジャ5がヨーク2から離脱
する方向に移動されるようになっている。また、出力端
子Q4はAND回路20の一方の入力端子に接続されて
いて、第二のゲート回路10がコイル3への励磁信号を
出力している時以外は同AND回路2oにトルベルの信
号を出力している・。
コイル3のFET6a、6d側の端子には抵抗R2及び
ダイオ゛−ド18を介して反転増幅器17のマイナス側
入力端子が接続され、同反転増幅器17のプラス側入力
端子は抵抗R3を介してコイル3のFET6b、6c側
の端子に接続されるとともに抵抗R4を介してグランド
線14に接続されている。反転増幅器17のプラス電源
入力端子は正負用電源11のプラス側端子に接続されて
プラス電源が入力されている。また、グランド線14は
正負用電源11の中間電位部分が接続され、反転増幅器
17のマイナス電源入力端子は正負用電源11のマイナ
ス側端子に接続されてグランド電位より低いマイナス電
源が常時供給されている。
ダイオ゛−ド18を介して反転増幅器17のマイナス側
入力端子が接続され、同反転増幅器17のプラス側入力
端子は抵抗R3を介してコイル3のFET6b、6c側
の端子に接続されるとともに抵抗R4を介してグランド
線14に接続されている。反転増幅器17のプラス電源
入力端子は正負用電源11のプラス側端子に接続されて
プラス電源が入力されている。また、グランド線14は
正負用電源11の中間電位部分が接続され、反転増幅器
17のマイナス電源入力端子は正負用電源11のマイナ
ス側端子に接続されてグランド電位より低いマイナス電
源が常時供給されている。
反転増幅器17の出力端子はバッフ?アンプ19を介し
て前記AND回路20の他方の入力端子に接続され、そ
のAND回路20の出力端子は前記第一のゲート回路9
の入力端子T1に接続されている。そして、以上のよう
な反転増幅器17を主として検出回路23が構成されて
いる。
て前記AND回路20の他方の入力端子に接続され、そ
のAND回路20の出力端子は前記第一のゲート回路9
の入力端子T1に接続されている。そして、以上のよう
な反転増幅器17を主として検出回路23が構成されて
いる。
次に、上記のように構成された自己保持型ンレノイドの
駆動回路についてその作用を説明する。
駆動回路についてその作用を説明する。
さて、プランジャ5がヨーク2からll!i脱した状態
から同プランジャ5を吸着位置に移動させるために入力
端子T1にトルベルの信号を入力すると、第一のゲート
回路9は出力端子Q1から一定時間だけトルベルの出力
信号SG1を出力し、出力端子Q2からSG1と逆相の
出力信号SG2を出力する。そして、出力信号SG1に
よりFET6a。
から同プランジャ5を吸着位置に移動させるために入力
端子T1にトルベルの信号を入力すると、第一のゲート
回路9は出力端子Q1から一定時間だけトルベルの出力
信号SG1を出力し、出力端子Q2からSG1と逆相の
出力信号SG2を出力する。そして、出力信号SG1に
よりFET6a。
6bがオンされてコイル3が励磁され、プランジャ5が
ヨーク2に吸着される。そして、一定時間後に出力信号
SG1がトルベルに復帰してもプランジャ5は永久磁石
4の磁力により吸着位置に保持される。また、出力信号
SG2がトルベルとなる時間では第3図(C)に示すよ
うにリセット信号SG3がトルベルまで低下することは
ないので出力信号SG1.SG2がリセットされること
はない。
ヨーク2に吸着される。そして、一定時間後に出力信号
SG1がトルベルに復帰してもプランジャ5は永久磁石
4の磁力により吸着位置に保持される。また、出力信号
SG2がトルベルとなる時間では第3図(C)に示すよ
うにリセット信号SG3がトルベルまで低下することは
ないので出力信号SG1.SG2がリセットされること
はない。
上記のように永久磁石の磁力により吸着位置に保持され
たプランジャ5が外部からの機械的な衝撃により吸着位
置からIll IRしようとすると、コイル3を鎖交す
る永久磁石4の磁力線Bの鎖交数が変化するので、その
電磁誘導作用によりコイル3両端間において第5図(a
)に示すようにグランド電位Gに対しマイナス電位とな
る逆起電力SG6が発生する。この逆起電力SG6が反
転増幅器17に入力されると、同反転増幅器17は第5
図(b)に示すHレベルの出力信号SG7をバッファア
ンプ19を介してAND回路20に出力し、この出力信
号に基いてAND回路20から同位相のHレベルの出力
信号が第一のゲート回路9の入力端子T1に出力される
。
たプランジャ5が外部からの機械的な衝撃により吸着位
置からIll IRしようとすると、コイル3を鎖交す
る永久磁石4の磁力線Bの鎖交数が変化するので、その
電磁誘導作用によりコイル3両端間において第5図(a
)に示すようにグランド電位Gに対しマイナス電位とな
る逆起電力SG6が発生する。この逆起電力SG6が反
転増幅器17に入力されると、同反転増幅器17は第5
図(b)に示すHレベルの出力信号SG7をバッファア
ンプ19を介してAND回路20に出力し、この出力信
号に基いてAND回路20から同位相のHレベルの出力
信号が第一のゲート回路9の入力端子T1に出力される
。
すると、第一のゲート回路9の出力端子Q1から再度H
レベルの出力信@SG1が一定時間出力され、FET6
a、6bがオンされてコイル3が励磁され、プランジャ
5が吸着位置に復帰する。
レベルの出力信@SG1が一定時間出力され、FET6
a、6bがオンされてコイル3が励磁され、プランジャ
5が吸着位置に復帰する。
そして、出力信号SG1がLレベルに復帰するとプラン
ジャ5は永久磁石4の磁力で吸着位置に保持され、プラ
ンジャ5が機械的衝撃等により吸着位置から離脱しよう
とするときには上記のような動作が繰返される。
ジャ5は永久磁石4の磁力で吸着位置に保持され、プラ
ンジャ5が機械的衝撃等により吸着位置から離脱しよう
とするときには上記のような動作が繰返される。
一方、吸着位置にあるプランジャ5をヨーク2から離脱
させるには、入力端子T2にHレベルの信号を入力する
と第二のゲート回路10はその出力端子Q3からHレベ
ルの出力信号SG4が出力され、出力端子Q4から逆相
の出力信号SG5が出力される。そして、出力信号SG
4によりFET6c、6dがオンされ、コイル3に矢印
B方向へ流れる励磁電流により永久磁石4の磁力に抗し
てプランジャ5がヨーク2から離脱する方向に移動され
る。このとき、出力信号SG5はLレベルであるので、
コイル3に流れる励磁電流に基いて反転増幅器17が動
作して同反転増幅器17の出力信号がHレベルとなった
としても、AND回路20からHレベルの信号が出力さ
れることはない。
させるには、入力端子T2にHレベルの信号を入力する
と第二のゲート回路10はその出力端子Q3からHレベ
ルの出力信号SG4が出力され、出力端子Q4から逆相
の出力信号SG5が出力される。そして、出力信号SG
4によりFET6c、6dがオンされ、コイル3に矢印
B方向へ流れる励磁電流により永久磁石4の磁力に抗し
てプランジャ5がヨーク2から離脱する方向に移動され
る。このとき、出力信号SG5はLレベルであるので、
コイル3に流れる励磁電流に基いて反転増幅器17が動
作して同反転増幅器17の出力信号がHレベルとなった
としても、AND回路20からHレベルの信号が出力さ
れることはない。
また、コイル3のインダクタンスが大きい場合には第一
のゲート回路9の出力端子Q1からのHレベルの出力信
QSGIに基いてコイル3に流れる励磁電流により、同
コイル3には第5図(C)に示す端子間電圧SG8が生
じる。すなわち、その端子間電圧SG8の立ち下がりに
おいてサージ電圧によりマイナス電位に達する逆起電力
5G8aが発生し、この逆起電力5G8aが前記逆起電
力SG6と同様に反転増幅器17からI−ルベルの出力
信号SG7を出力させる。すると、第一の駆動回路9か
らの出力信@SGIの立ち下がりに基いて反転増幅器1
7から出力される出力信号SG6により第一のゲート回
路9から出力信号SG1が繰返し出力されて同第−のゲ
ート回路9は発振状態となり第6図(a)に示す出力信
号SG9が出力される。
のゲート回路9の出力端子Q1からのHレベルの出力信
QSGIに基いてコイル3に流れる励磁電流により、同
コイル3には第5図(C)に示す端子間電圧SG8が生
じる。すなわち、その端子間電圧SG8の立ち下がりに
おいてサージ電圧によりマイナス電位に達する逆起電力
5G8aが発生し、この逆起電力5G8aが前記逆起電
力SG6と同様に反転増幅器17からI−ルベルの出力
信号SG7を出力させる。すると、第一の駆動回路9か
らの出力信@SGIの立ち下がりに基いて反転増幅器1
7から出力される出力信号SG6により第一のゲート回
路9から出力信号SG1が繰返し出力されて同第−のゲ
ート回路9は発振状態となり第6図(a)に示す出力信
号SG9が出力される。
この出力信号SG9の出力にともなって第一のゲート回
路9の出力端子Q2から第6図(b)に示す出力信号5
G10が出力される。この出力信号5G10は時間幅の
小さいパルス以外はLレベルであるので、第6図(C)
に示すようにリセット端子R8Iの入力信号5G11の
電位は徐々に低下し、やがてその入力信号5G11がL
レベルとなると出力端子Q1.Q2の出力信号SG9゜
5GIOはリセットされ、発振状態は停止される。
路9の出力端子Q2から第6図(b)に示す出力信号5
G10が出力される。この出力信号5G10は時間幅の
小さいパルス以外はLレベルであるので、第6図(C)
に示すようにリセット端子R8Iの入力信号5G11の
電位は徐々に低下し、やがてその入力信号5G11がL
レベルとなると出力端子Q1.Q2の出力信号SG9゜
5GIOはリセットされ、発振状態は停止される。
以上のようにこの自己保持型ソレノイド1ではヨーク2
に吸着されたプランジャ5が永久磁石4の磁力で自己保
持された状態でプランジャ5が吸着位置から#を脱しよ
うとすると、コイル3に発生する逆起電力を検出し、そ
の検出に基いて第一のゲート回路9からプランジャ5を
ヨーク2に吸着するための出力信号SGIが出力されて
プランジャ5が自動的に再吸着される。従って、この自
己保持型ソレノイド1に外部がら機械的な衝撃等が加わ
ってプランジ175が離脱しようとしても同プランジャ
5がヨーク2に自動的に吸着し直されるので、同プラン
ジャ5を安定して吸着位置に保持することができる。ま
た、プランジャ5のIll脱はコイル3に発生する逆起
電力で検出されるので、ソレノイド1にプランジャ5の
位置検出センサを別途設ける必要もない。
に吸着されたプランジャ5が永久磁石4の磁力で自己保
持された状態でプランジャ5が吸着位置から#を脱しよ
うとすると、コイル3に発生する逆起電力を検出し、そ
の検出に基いて第一のゲート回路9からプランジャ5を
ヨーク2に吸着するための出力信号SGIが出力されて
プランジャ5が自動的に再吸着される。従って、この自
己保持型ソレノイド1に外部がら機械的な衝撃等が加わ
ってプランジ175が離脱しようとしても同プランジャ
5がヨーク2に自動的に吸着し直されるので、同プラン
ジャ5を安定して吸着位置に保持することができる。ま
た、プランジャ5のIll脱はコイル3に発生する逆起
電力で検出されるので、ソレノイド1にプランジャ5の
位置検出センサを別途設ける必要もない。
発明の効果
以上詳述したように、この発明はコイルに励磁電流を流
してプランジャをヨークに対し吸着及び離脱させ、その
プランジャを永久磁石で吸着位置に保持する自己保持型
ソレノイドにおいて、コイル非励磁時に機械的衝撃によ
りプランジャが所定の吸着位置から離脱した場合にはそ
の離脱を検出すると同時に自動的に吸着位置に復帰させ
て信頼性を向上させ得る自己保持型ソレノイドをプラン
ジャの位置検出センサを同ソレノイドに取付けることな
く実現することができる浸れた効果を発揮する。
してプランジャをヨークに対し吸着及び離脱させ、その
プランジャを永久磁石で吸着位置に保持する自己保持型
ソレノイドにおいて、コイル非励磁時に機械的衝撃によ
りプランジャが所定の吸着位置から離脱した場合にはそ
の離脱を検出すると同時に自動的に吸着位置に復帰させ
て信頼性を向上させ得る自己保持型ソレノイドをプラン
ジャの位置検出センサを同ソレノイドに取付けることな
く実現することができる浸れた効果を発揮する。
第1図はこの発明を具体化した自己保持型ソレノイドの
制御回路を示す回路図、第2図はその自己保持型ソレノ
イドの縦断面図、第3図(a)(b)(C)は第一のゲ
ート回路の入出力波形を示す波形図、第4図(a)(b
)は第二のゲート回路の出力波形を示す波形図、第5図
(a>(b)は反転増幅器の入出力波形を示す波形図、
第5図(C)はコイルに励磁電流が流れる際のコイル端
子間電圧を示す波形図、第6図(a)(b)(c)は第
一のゲート回路の発振時における入出力波形を示す波形
図である。 コイル3、永久磁石4、プランジャ5、第一の駆動回路
21、検出回路23゜ 特許出願人 シーケーデイ 株式会社代 理
人 弁理士 恩1)博宣第6図(a) 第6図(b) 第6図(C)
制御回路を示す回路図、第2図はその自己保持型ソレノ
イドの縦断面図、第3図(a)(b)(C)は第一のゲ
ート回路の入出力波形を示す波形図、第4図(a)(b
)は第二のゲート回路の出力波形を示す波形図、第5図
(a>(b)は反転増幅器の入出力波形を示す波形図、
第5図(C)はコイルに励磁電流が流れる際のコイル端
子間電圧を示す波形図、第6図(a)(b)(c)は第
一のゲート回路の発振時における入出力波形を示す波形
図である。 コイル3、永久磁石4、プランジャ5、第一の駆動回路
21、検出回路23゜ 特許出願人 シーケーデイ 株式会社代 理
人 弁理士 恩1)博宣第6図(a) 第6図(b) 第6図(C)
Claims (1)
- 1.コイルに励磁電流を流してプランジャをヨークに対
し吸着及び離脱させ、そのプランジャを永久磁石で吸着
位置に保持する自己保持型ソレノイドにおいて、 コイル(3)非励磁時におけるプランジャ(5)の移動
に基いてコイル(3)両端間に発生する逆起電力を検出
する検出回路(23)と、 その検出回路(23)の検出信号に基いてコイル(3)
を励磁してプランジャ(5)を吸着位置に復帰させる駆
動回路(21)と、 を備えたことを特徴とする自己保持型ソレノイドの制御
回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21131988A JPH0258812A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 自己保持型ソレノイドの制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21131988A JPH0258812A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 自己保持型ソレノイドの制御回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0258812A true JPH0258812A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16603979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21131988A Pending JPH0258812A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 自己保持型ソレノイドの制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0258812A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020186794A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | Ckd株式会社 | 自己保持型電磁弁 |
WO2024024033A1 (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | ソレノイド制御装置 |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP21131988A patent/JPH0258812A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020186794A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | Ckd株式会社 | 自己保持型電磁弁 |
WO2024024033A1 (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | ソレノイド制御装置 |
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