JPH0257659A - 3元金属マトリックス複合物 - Google Patents
3元金属マトリックス複合物Info
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- JPH0257659A JPH0257659A JP1148187A JP14818789A JPH0257659A JP H0257659 A JPH0257659 A JP H0257659A JP 1148187 A JP1148187 A JP 1148187A JP 14818789 A JP14818789 A JP 14818789A JP H0257659 A JPH0257659 A JP H0257659A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/0047—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12486—Laterally noncoextensive components [e.g., embedded, etc.]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は不溶性セラミックと半金属で強化された金属
基質から成る3元金属基質複合物に関する。
基質から成る3元金属基質複合物に関する。
この発明の3元金属基質複合物は類似の材料を使用する
2元複合物よりも低くかつ一定した熱膨張係数をもち、
その一方で、密度は低くかつ成形性能が良好である。
2元複合物よりも低くかつ一定した熱膨張係数をもち、
その一方で、密度は低くかつ成形性能が良好である。
複合材料は周知であり、普通に使用されている。
複合物は元のいずれの成分の特性とも異なる特性を有す
る材料を創るために2種あるいはそれ以上の成分が結合
されている人工の材料として定義できる0周知の複合物
の1形態は2元金属複合物で、それは1金属基質と基質
中に分散され、−緒に結合されている1強化材料とから
成っている。強化は通常は繊維かウィスカーかあるいは
粒子の形で行なわれる。典型的な金属基質結合材料はア
ルミニウムコバルト、鉄、マグネシウム、チタンあるい
はこれらの材料の合金から成っている。典型的な強化材
料は炭化けい素、炭化ほう素、酸化アルミニウム、炭化
タングステン、および他のほう化物、炭化物、酸化物、
窒化物、けい化物、アルミ化物、セレン化物、硫化物お
よびゲルマニウム化物のようなセラミックスから成る。
る材料を創るために2種あるいはそれ以上の成分が結合
されている人工の材料として定義できる0周知の複合物
の1形態は2元金属複合物で、それは1金属基質と基質
中に分散され、−緒に結合されている1強化材料とから
成っている。強化は通常は繊維かウィスカーかあるいは
粒子の形で行なわれる。典型的な金属基質結合材料はア
ルミニウムコバルト、鉄、マグネシウム、チタンあるい
はこれらの材料の合金から成っている。典型的な強化材
料は炭化けい素、炭化ほう素、酸化アルミニウム、炭化
タングステン、および他のほう化物、炭化物、酸化物、
窒化物、けい化物、アルミ化物、セレン化物、硫化物お
よびゲルマニウム化物のようなセラミックスから成る。
これらの2元金属基質複合物は従来の合金よりも強く、
剛性であり特に耐窄耗性である。
剛性であり特に耐窄耗性である。
過去数年間、2元金属基質複合物の開発に巾広い研究が
貢献されてきた。その結果、金属基質中のセラミック強
化は種々の金属や合金の特性や機能的特質を改善するこ
とが良く知られている。セラミック繊維や、ウィスカー
やあるいは粒子は複合物の比強度、比係数および温度有
用性能を拡大するために基質金属の強化に使用される。
貢献されてきた。その結果、金属基質中のセラミック強
化は種々の金属や合金の特性や機能的特質を改善するこ
とが良く知られている。セラミック繊維や、ウィスカー
やあるいは粒子は複合物の比強度、比係数および温度有
用性能を拡大するために基質金属の強化に使用される。
比強度の改善はセラミック強化の採用により密度の減小
および絶対強度や係数の増大の両方により達成される。
および絶対強度や係数の増大の両方により達成される。
その結果典型的に複合物は有効な重量減小が行なわれて
、臨界強度あるいは剛性に適合できる。しかし、これら
の周知の2元金属基質複合物は、特に電子工業における
、多くの応用に対する十分に低い熱膨張係数および/あ
るいは良好な熱伝導率を持っていない。
、臨界強度あるいは剛性に適合できる。しかし、これら
の周知の2元金属基質複合物は、特に電子工業における
、多くの応用に対する十分に低い熱膨張係数および/あ
るいは良好な熱伝導率を持っていない。
現在、電子用基体や、密封微小回路パッケージや、チッ
プの下地や、ヒートシンクおよびヒートパイプに使用さ
れる重い材料と闇き換えるために熱膨張係数が低く、密
度が小さくかつ熱伝導率の良好である材料が要求されて
いる。このような材料の他の応用は低膨張、軽量、およ
び寸法安定性が重要である光学的基体(例えば、ミラー
)を包含している。
プの下地や、ヒートシンクおよびヒートパイプに使用さ
れる重い材料と闇き換えるために熱膨張係数が低く、密
度が小さくかつ熱伝導率の良好である材料が要求されて
いる。このような材料の他の応用は低膨張、軽量、およ
び寸法安定性が重要である光学的基体(例えば、ミラー
)を包含している。
高信顆性の電子工業においては、表面にセラミック素子
をマウントしたエポキシ−ガラス製の回路ボードを束縛
するために金属コアがしばしば採用される。この金属コ
アは一般的には銅グラッドーインパール、モリブデンあ
るいは銅−テングステン複合物から成る。軽量であるこ
とが決定的に重要である航空や宇宙への応用に対して、
これらの材料の全重量のため、これらの材料は好ましく
ない0回路ボードの金属コアは印刷回路ボードへセラミ
ック素子を結合しているろう接接合部のストレスを減じ
るために低い熱膨張係数であることが要求される。低熱
膨張係数でないならば、ろう接接合部はセラミック素子
とエポキシ−ガラス回路ボードとの膨張の差異によりこ
われる。また、回路ボードの金属コアは回路から熱を除
去するのに役立つ1例えば、かくて、インパールが大変
貧弱な熱伝導体であるので、コストを増加し、有効性を
制限する銅でクラッドしなければならない。
をマウントしたエポキシ−ガラス製の回路ボードを束縛
するために金属コアがしばしば採用される。この金属コ
アは一般的には銅グラッドーインパール、モリブデンあ
るいは銅−テングステン複合物から成る。軽量であるこ
とが決定的に重要である航空や宇宙への応用に対して、
これらの材料の全重量のため、これらの材料は好ましく
ない0回路ボードの金属コアは印刷回路ボードへセラミ
ック素子を結合しているろう接接合部のストレスを減じ
るために低い熱膨張係数であることが要求される。低熱
膨張係数でないならば、ろう接接合部はセラミック素子
とエポキシ−ガラス回路ボードとの膨張の差異によりこ
われる。また、回路ボードの金属コアは回路から熱を除
去するのに役立つ1例えば、かくて、インパールが大変
貧弱な熱伝導体であるので、コストを増加し、有効性を
制限する銅でクラッドしなければならない。
さらに、インパール、タングステンおよびモリブデンは
重い材料である。モリブデンの密度は10、2g/cc
でインパールは8.4/ccである。p!!、伝導率は
銅−クラッドインパールで約150w/nkでモリブデ
ンで160w/lkである。
重い材料である。モリブデンの密度は10、2g/cc
でインパールは8.4/ccである。p!!、伝導率は
銅−クラッドインパールで約150w/nkでモリブデ
ンで160w/lkである。
この発明は、金属結合基質材料と、本質的に不溶性セラ
ミックからなる強化材料と半金属から成る3元金属基質
複合物である。半金属は元素周期率表のIIIA族から
VIA族の元素である。これらの元素は非金属性と結合
して金属特性を幾分か示す。
ミックからなる強化材料と半金属から成る3元金属基質
複合物である。半金属は元素周期率表のIIIA族から
VIA族の元素である。これらの元素は非金属性と結合
して金属特性を幾分か示す。
この発明の3元金属基質複合物は類似の材料を用いる知
られている2元複合物の熱膨張係数よりも低く、かづ−
貫している。熱膨張係数は特殊な適応要求に適合するよ
うに調整できる。また、この発明は密度が低く、熱伝導
率が良好で、寸法安定性が良くかつ成形性能がある。
られている2元複合物の熱膨張係数よりも低く、かづ−
貫している。熱膨張係数は特殊な適応要求に適合するよ
うに調整できる。また、この発明は密度が低く、熱伝導
率が良好で、寸法安定性が良くかつ成形性能がある。
有利には、この発明の金属基質は複合物の40ないし6
0容量%で最も好ましい範囲は45ないし55容量パー
セントである。この発明の好ましい態様において、不溶
性セラミックは複合物の10−50容量パーセントで最
も好ましい範囲は30−40容量パーセントである。好
ましい半金属は複合物の10−40容量パーセントで最
も好ましい範囲は10−25容量パーセントである。
0容量%で最も好ましい範囲は45ないし55容量パー
セントである。この発明の好ましい態様において、不溶
性セラミックは複合物の10−50容量パーセントで最
も好ましい範囲は30−40容量パーセントである。好
ましい半金属は複合物の10−40容量パーセントで最
も好ましい範囲は10−25容量パーセントである。
この発明の1態様において、不溶性セラミックと半金属
は同じ元素を含有する。この発明の好ましい1態様にお
いて、3元金属基質複合物はアルミニウム合金基質と炭
化けい素の強化材料とけい素から成っている。
は同じ元素を含有する。この発明の好ましい1態様にお
いて、3元金属基質複合物はアルミニウム合金基質と炭
化けい素の強化材料とけい素から成っている。
実施例
この発明は不溶性セラミックと半金属で強化された金属
基質に向けられている。結果として得られた金属基質複
合物はアルミニウム酸化物のようなある種のセラミック
材料や低熱膨張係数を有する別の材料の熱膨張係数に合
わせるために調整される。3元複合物は軽量で約2.7
〜3.0(1/ccの密度を有する。かくして、銅−ク
ラッドインパール、銅−タングステン、あるいはモリブ
デンのような低熱膨張係数の他の知られた合金よりも重
さが軽いことに意義がある。この発明はアルミニウムあ
るいはアルミニウム合金の熱膨張係数よりも更に低い範
囲を有する。この発明の好まして態様の熱伝導率は約1
20v/ nkである。好ましくは、この発明の金属基
質は通常はアルミニウムあるいはアルミニウム合金であ
る。マグネシウムおよびマグネシウム合金あるいはチタ
ンおよびチタン合金がまた金属基質として使用できる。
基質に向けられている。結果として得られた金属基質複
合物はアルミニウム酸化物のようなある種のセラミック
材料や低熱膨張係数を有する別の材料の熱膨張係数に合
わせるために調整される。3元複合物は軽量で約2.7
〜3.0(1/ccの密度を有する。かくして、銅−ク
ラッドインパール、銅−タングステン、あるいはモリブ
デンのような低熱膨張係数の他の知られた合金よりも重
さが軽いことに意義がある。この発明はアルミニウムあ
るいはアルミニウム合金の熱膨張係数よりも更に低い範
囲を有する。この発明の好まして態様の熱伝導率は約1
20v/ nkである。好ましくは、この発明の金属基
質は通常はアルミニウムあるいはアルミニウム合金であ
る。マグネシウムおよびマグネシウム合金あるいはチタ
ンおよびチタン合金がまた金属基質として使用できる。
低い熱膨張係数および高体積弾性率を有する不溶性セラ
ミックはどのようなものもこの発明の3元金属基質複合
物に使用できる。ふされしい不溶性セラミックの典型例
は炭化けい素、窒化けい素、窒化アルミニウム、けい化
ほう素、および炭化ほう素である。
ミックはどのようなものもこの発明の3元金属基質複合
物に使用できる。ふされしい不溶性セラミックの典型例
は炭化けい素、窒化けい素、窒化アルミニウム、けい化
ほう素、および炭化ほう素である。
好ましい半金属はけい素、ほう素、およびゲルマニウム
である。不溶性セラミックと半金属が同じ元素を含有し
ていることがある種の適用には有利である0例えば、も
し炭化けい素が不溶性セラミックとして選ばれるならば
、けい素が半金属として選ばれる。一方、もし炭化ほう
素が不溶性セラミックとして選ばれるならば、ほう素が
半金属として選ばれる。
である。不溶性セラミックと半金属が同じ元素を含有し
ていることがある種の適用には有利である0例えば、も
し炭化けい素が不溶性セラミックとして選ばれるならば
、けい素が半金属として選ばれる。一方、もし炭化ほう
素が不溶性セラミックとして選ばれるならば、ほう素が
半金属として選ばれる。
2元金属基質複合物と比較して、この発明の3元組成物
は強化材料を担持する一定容量に対する熱膨張係数が低
く、更に一貫している。更に、この発明の3元金属基質
は等量のけい素あるいは不溶性セラミックのみでアルミ
ニウムあるいはアルミニウム合金を強化することにより
得られるものよりも成形性が良いか同等である。
は強化材料を担持する一定容量に対する熱膨張係数が低
く、更に一貫している。更に、この発明の3元金属基質
は等量のけい素あるいは不溶性セラミックのみでアルミ
ニウムあるいはアルミニウム合金を強化することにより
得られるものよりも成形性が良いか同等である。
この発明の3元組成物の好ましい範囲は強化材料として
平衡する半金属と不溶性セラミックと組合わせた40〜
60容量パーセントの金属基質である。好ましくは強化
材料が10−50容量パー−セントは不溶性セラミック
でなければならず、10〜40容量パーセントが半金属
でなければならない、最も好ましい組成と範囲は45〜
55容量パーセントアルミニウムあるいはアルミニウム
合金基質で、−力強化材料は30〜40容量パーセント
の不溶性セラミックおよび10〜25容量パーセントの
半金属を有している。不溶性セラミツクおよび半金属の
強化比率を変化させることによって熱膨張係数は特別の
適用の要求に合致するように調整され得る。アルミニウ
ム基質および炭化けい素とけい素の強化材を用いた本発
明の好ましい範囲の2種類の3元複合物の室温近傍の熱
膨張係数を表1に示す。
平衡する半金属と不溶性セラミックと組合わせた40〜
60容量パーセントの金属基質である。好ましくは強化
材料が10−50容量パー−セントは不溶性セラミック
でなければならず、10〜40容量パーセントが半金属
でなければならない、最も好ましい組成と範囲は45〜
55容量パーセントアルミニウムあるいはアルミニウム
合金基質で、−力強化材料は30〜40容量パーセント
の不溶性セラミックおよび10〜25容量パーセントの
半金属を有している。不溶性セラミツクおよび半金属の
強化比率を変化させることによって熱膨張係数は特別の
適用の要求に合致するように調整され得る。アルミニウ
ム基質および炭化けい素とけい素の強化材を用いた本発
明の好ましい範囲の2種類の3元複合物の室温近傍の熱
膨張係数を表1に示す。
表 1
(apl /c)
1 54.2 30.1 15.7
8.92° 47.0 35.0
18.0 8.0表1の材料1および2
の熱膨張係数は第1図および第2図で、個別に、アルミ
ニウムー炭化けい素およびアルミニウムーけい素の2元
複合物の熱膨張係数の計測値と比較される。2元複合物
の熱膨張係数の範囲の測定値はこれらの図において斜線
を入れて示されている。材料1の熱膨張係数は第1図お
よび第2図で点1で示される;材料2は点2で示される
。第1図および第2図の両者共に与えられた担持容量に
おいて、この発明の3元金属基質複合物の熱膨張係数は
AN /sicおよびAjl /siの2元複合物の熱
膨張係数よりも測定値が低い。
8.92° 47.0 35.0
18.0 8.0表1の材料1および2
の熱膨張係数は第1図および第2図で、個別に、アルミ
ニウムー炭化けい素およびアルミニウムーけい素の2元
複合物の熱膨張係数の計測値と比較される。2元複合物
の熱膨張係数の範囲の測定値はこれらの図において斜線
を入れて示されている。材料1の熱膨張係数は第1図お
よび第2図で点1で示される;材料2は点2で示される
。第1図および第2図の両者共に与えられた担持容量に
おいて、この発明の3元金属基質複合物の熱膨張係数は
AN /sicおよびAjl /siの2元複合物の熱
膨張係数よりも測定値が低い。
この発明の3元金属基質複合物の成分としてけい素およ
び炭化けい素の両者を採用することにより、けい素ある
いは炭化けい素単独で用いる以上の利点が得られる。け
い素および炭化けい素含有アルミニウムは炭化けい素の
みを含有のアルミニウムが有するより低い融点を有する
。この−層低い融点のなめに、アルミニウムー炭化けい
素の凝固におけるよりも低い温度が新規材料の凝固にお
いて使用される。より低い凝固温度があるアルミニウム
合金のより微細な結晶粒構造の生成を許す。
び炭化けい素の両者を採用することにより、けい素ある
いは炭化けい素単独で用いる以上の利点が得られる。け
い素および炭化けい素含有アルミニウムは炭化けい素の
みを含有のアルミニウムが有するより低い融点を有する
。この−層低い融点のなめに、アルミニウムー炭化けい
素の凝固におけるよりも低い温度が新規材料の凝固にお
いて使用される。より低い凝固温度があるアルミニウム
合金のより微細な結晶粒構造の生成を許す。
より微細な結晶粒構造が靭性や強度などの特性を改善す
る。この発明の3元金属基質複合物の凝固温度がたとえ
より低くても、凝固に必要な圧力は増加しない。したが
って、この発明の3元金属基質複合物材料の製造は同様
に炭化けい素を同様に担持したアルミニウムあるいはア
ルミニウム合金の製造よりも困難ではない、(この発明
の範囲における)けい素は融点を低めるために使用され
ると同時に、またけい素は炭化けい素よりも低い熱膨張
係数と一層小さな密度を持っているので、したがって3
元複合物の熱膨張係数と密度をけい素は低下する。炭化
けい素はアルミニウムに関するけい素金属の脱化影響を
減少する。このために、けい素のみを等量担持している
アルミニウムよりも3元複合物は成形性と機械加工性の
より良好で脆性がもっと小さい。
る。この発明の3元金属基質複合物の凝固温度がたとえ
より低くても、凝固に必要な圧力は増加しない。したが
って、この発明の3元金属基質複合物材料の製造は同様
に炭化けい素を同様に担持したアルミニウムあるいはア
ルミニウム合金の製造よりも困難ではない、(この発明
の範囲における)けい素は融点を低めるために使用され
ると同時に、またけい素は炭化けい素よりも低い熱膨張
係数と一層小さな密度を持っているので、したがって3
元複合物の熱膨張係数と密度をけい素は低下する。炭化
けい素はアルミニウムに関するけい素金属の脱化影響を
減少する。このために、けい素のみを等量担持している
アルミニウムよりも3元複合物は成形性と機械加工性の
より良好で脆性がもっと小さい。
この発明のアルミニウムーけい素−炭化けい素複合物は
組成範囲内に粉末混合物を調整し、完全密度のビレット
に粉末を真空ホットプレスして得られる。また、この材
料は加熱等圧プレス(旧P)、冷間ブレス後の焼結、鋳
造、鍛造、射出成型(インジェクションモールディング
)およびその他の標準的な冶金的技術によって製造し得
る。
組成範囲内に粉末混合物を調整し、完全密度のビレット
に粉末を真空ホットプレスして得られる。また、この材
料は加熱等圧プレス(旧P)、冷間ブレス後の焼結、鋳
造、鍛造、射出成型(インジェクションモールディング
)およびその他の標準的な冶金的技術によって製造し得
る。
この発明の好ましくは態様を述べてきたが、発明は必ず
しもそれに限定されない0種々の変更が特許請求の範囲
に記載された発明の範囲から離れることな〈実施できる
。
しもそれに限定されない0種々の変更が特許請求の範囲
に記載された発明の範囲から離れることな〈実施できる
。
第1図は、この発明の2種の3元金属基質複合物および
アルミニウム炭化けい素の2元踵合物の熱膨張係数対強
化成分担持容量の対比を示すグラフである。 第2図は、この発明の2種の3元金属基質複合物および
アメルミニウムとけい素の2元素複合物の熱膨張係数対
強化成分担持容量の対比を示すグラフである。 代 埋入 弁理士 湯 浅 恭 ジ、゛。 (外4″′−鴛″′ザ 図面の浄書(内容に変更なし) FIG、/ FIG、 2 手 続 補 正 書 1゜ 事件の表示 平成1年特許願第148187号 2、発明の名称 3元金域マトリックス複合物 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 アドヴ7ンスド・コンポジット・マテリアル
ズ・コーポレーション 4、代理人 住 所 東京都千代田区大手町二丁目2番1号5、補
正の対象 適正な図面
アルミニウム炭化けい素の2元踵合物の熱膨張係数対強
化成分担持容量の対比を示すグラフである。 第2図は、この発明の2種の3元金属基質複合物および
アメルミニウムとけい素の2元素複合物の熱膨張係数対
強化成分担持容量の対比を示すグラフである。 代 埋入 弁理士 湯 浅 恭 ジ、゛。 (外4″′−鴛″′ザ 図面の浄書(内容に変更なし) FIG、/ FIG、 2 手 続 補 正 書 1゜ 事件の表示 平成1年特許願第148187号 2、発明の名称 3元金域マトリックス複合物 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 アドヴ7ンスド・コンポジット・マテリアル
ズ・コーポレーション 4、代理人 住 所 東京都千代田区大手町二丁目2番1号5、補
正の対象 適正な図面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、金属結合基質材料と、本質的に不溶性セラミックと
半金属からなる強化材料とからなることを特徴とする3
元金属基質複合材料。 2、金属結合基質材料がアルミニウムおよびアルミニウ
ム合金、マグネシウムおよびマグネシウム合金、並びに
チタンおよびチタン合金からなる群から選択された材料
であることを特徴とする請求項1に記載の3元金属基質
複合材料。 3、不溶性セラミックが炭化けい素、窒化けい素、窒化
アルミニウム、けい化ほう素および炭化ほう素からなる
群から選択された材料であることを特徴とする請求項1
に記載の3元金属基質複合材料。 4、半金属がけい素、ほう素およびゲルマニウムからな
る群から選択された材料であることを特徴とする請求項
1に記載の3元金属基質複合材料。 5、不溶性セラミックおよび半金属が同一の元素を含有
していることを特徴とする請求項1に記載の3元金属基
質複合物。 6、該元素がけい素であることを特徴とする請求項5に
記載の3元金属基質複合物。 7、該元素がほう素であることを特徴とする請求項5に
記載の3元金属基質複合物。 8、該金属結合基質材料が複合物の40〜60容量パー
セントであり、該不溶性セラミックが複合物の10〜5
0容量パーセントであり、かつ該半金属が複合物の10
〜40容量パーセントであることを特徴とする請求項5
に記載の3元金属基質複合物。 9、該金属結合基質材料が複合物の45〜55容量パー
セントであり、該不溶性セラミックが複合物の30〜4
0容量パーセントであり、かつ該半金属が複合物の10
〜25容量パーセントであることを特徴とする請求項5
に記載の3元金属基質複合物。 10、アルミニウムあるいはアルミニウム合金基質と、
本質的に炭化けい素とけい素からなる強化材料とから成
ることを特徴とする3元金属基質複合物。 11、該アルミニウムあるいはアルミニウム合金基質が
複合物の40〜60容量パーセントであり、該炭化けい
素が複合物の10〜50容量パーセントであり、かつ該
けい素が複合物の10〜40容量パーセントであること
を特徴とする請求項10に記載の3元金属基質複合物。 12、該アルミニウムあるいはアルミニウム合金基質が
複合物の45〜55容量パーセントであり、該炭化けい
素が複合物の30〜40容量パーセントであり、かつ該
けい素が複合物の10〜25容量パーセントであること
を特徴とする請求項11に記載の3元金属基質複合物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/204,233 US5006417A (en) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | Ternary metal matrix composite |
US204233 | 1988-06-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0257659A true JPH0257659A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=22757139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1148187A Pending JPH0257659A (ja) | 1988-06-09 | 1989-06-09 | 3元金属マトリックス複合物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5006417A (ja) |
EP (1) | EP0346038A1 (ja) |
JP (1) | JPH0257659A (ja) |
DE (1) | DE346038T1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5040588A (en) * | 1988-11-10 | 1991-08-20 | Lanxide Technology Company, Lp | Methods for forming macrocomposite bodies and macrocomposite bodies produced thereby |
WO1991017129A1 (en) * | 1990-05-09 | 1991-11-14 | Lanxide Technology Company, Lp | Macrocomposite bodies and production methods |
US5435825A (en) * | 1991-08-22 | 1995-07-25 | Toyo Aluminum Kabushiki Kaisha | Aluminum matrix composite powder |
US5511603A (en) * | 1993-03-26 | 1996-04-30 | Chesapeake Composites Corporation | Machinable metal-matrix composite and liquid metal infiltration process for making same |
US5669059A (en) * | 1994-01-19 | 1997-09-16 | Alyn Corporation | Metal matrix compositions and method of manufacturing thereof |
US5980602A (en) * | 1994-01-19 | 1999-11-09 | Alyn Corporation | Metal matrix composite |
US5722033A (en) * | 1994-01-19 | 1998-02-24 | Alyn Corporation | Fabrication methods for metal matrix composites |
JP2866917B2 (ja) * | 1994-10-05 | 1999-03-08 | 工業技術院長 | 溶湯攪拌法によるセラミックス粒子強化マグネシウム基複合材料に対する超塑性発現法 |
US5744254A (en) * | 1995-05-24 | 1998-04-28 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Composite materials including metallic matrix composite reinforcements |
GB9519888D0 (en) * | 1995-09-29 | 1995-11-29 | Atomic Energy Authority Uk | Electrically isolating coating layers |
US6051045A (en) * | 1996-01-16 | 2000-04-18 | Ford Global Technologies, Inc. | Metal-matrix composites |
JP4080030B2 (ja) * | 1996-06-14 | 2008-04-23 | 住友電気工業株式会社 | 半導体基板材料、半導体基板、半導体装置、及びその製造方法 |
JP4304749B2 (ja) | 1998-02-24 | 2009-07-29 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置用部材の製造方法 |
US7658781B1 (en) | 1999-07-23 | 2010-02-09 | Marlene Rossing, legal representative | Silicon-containing composite bodies, and methods for making same |
US6503572B1 (en) | 1999-07-23 | 2003-01-07 | M Cubed Technologies, Inc. | Silicon carbide composites and methods for making same |
US20090130435A1 (en) | 1999-07-23 | 2009-05-21 | Aghajanian Michael K | Intermetallic-containing composite bodies, and methods for making same |
JP3207841B1 (ja) * | 2000-07-12 | 2001-09-10 | 三菱重工業株式会社 | アルミニウム複合粉末およびその製造方法、アルミニウム複合材料、使用済み燃料貯蔵部材およびその製造方法 |
US8128861B1 (en) | 2000-07-21 | 2012-03-06 | M Cubed Technologies, Inc. | Composite materials and methods for making same |
JP4289775B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2009-07-01 | 日本碍子株式会社 | 多孔質金属基複合材料 |
JP4113971B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2008-07-09 | 株式会社豊田自動織機 | 低膨張材料及びその製造方法 |
JP5048266B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2012-10-17 | 株式会社アライドマテリアル | 放熱基板とその製造方法 |
DE102016221137A1 (de) | 2016-10-26 | 2018-04-26 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Elektrisch-optischer Aufbau |
US11486651B2 (en) * | 2020-08-20 | 2022-11-01 | Huang-Chieh Metal Composite Material Tech. Co., Lt | Vapor chamber |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE759725A (fr) * | 1969-12-02 | 1971-05-17 | Castolin Sa | Matiere de rechargement heterogene |
DE3000171C2 (de) * | 1980-01-04 | 1982-04-29 | Vereinigte Aluminium-Werke Ag, 5300 Bonn | Faserverstärkter Verbundwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
JPS5798647A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-18 | Nissan Motor Co Ltd | Aluminum alloy material with superior wear resistance |
US4463058A (en) * | 1981-06-16 | 1984-07-31 | Atlantic Richfield Company | Silicon carbide whisker composites |
JPS59162242A (ja) * | 1983-03-05 | 1984-09-13 | Riken Corp | 耐摩耗性アルミニウム・珪素押出成形体およびその製造方法 |
JPS59173234A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-10-01 | Nissan Motor Co Ltd | ブレ−キロ−タ用アルミニウム合金 |
US4499156A (en) * | 1983-03-22 | 1985-02-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Titanium metal-matrix composites |
JPS6050137A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-19 | Riken Corp | 硬質粒子分散型耐熱耐摩耗性高力アルミニウム合金部材 |
JPS6050138A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-19 | Riken Corp | 硬質粒子分散型耐熱耐摩耗性高力アルミニウム合金部材とその製造方法 |
US4565744A (en) * | 1983-11-30 | 1986-01-21 | Rockwell International Corporation | Wettable coating for reinforcement particles of metal matrix composite |
JPS60245761A (ja) * | 1984-05-19 | 1985-12-05 | Kobe Steel Ltd | 複合繊維により強化された金属基複合材 |
JPS6135423A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 眼鏡フレ−ム用複合素材 |
US4836982A (en) * | 1984-10-19 | 1989-06-06 | Martin Marietta Corporation | Rapid solidification of metal-second phase composites |
JPH0696188B2 (ja) * | 1985-01-21 | 1994-11-30 | トヨタ自動車株式会社 | 繊維強化金属複合材料 |
US4682744A (en) * | 1985-04-08 | 1987-07-28 | Rca Corporation | Spacecraft structure |
JPS61240979A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-27 | 小口 昭宣 | スキ− |
US4605440A (en) * | 1985-05-06 | 1986-08-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Boron-carbide-aluminum and boron-carbide-reactive metal cermets |
DE3522166C1 (de) * | 1985-06-21 | 1986-08-07 | Daimler-Benz Ag, 7000 Stuttgart | Verwendung von Aluminium und einer Aluminiumlegierung zur Herstellung von faserverstaerkten Aluminiumgussteilen |
US4699849A (en) * | 1985-07-17 | 1987-10-13 | The Boeing Company | Metal matrix composites and method of manufacture |
JPS6254045A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Toyota Motor Corp | 炭化ケイ素及び窒化ケイ素短繊維強化アルミニウム合金 |
DE3686239T2 (de) * | 1985-11-14 | 1993-03-18 | Ici Plc | Faserverstaerkter verbundwerkstoff mit metallmatrix. |
JPS62174377A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | タ−ビン翼 |
-
1988
- 1988-06-09 US US07/204,233 patent/US5006417A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-06-05 EP EP89305635A patent/EP0346038A1/en not_active Withdrawn
- 1989-06-05 DE DE198989305635T patent/DE346038T1/de active Pending
- 1989-06-09 JP JP1148187A patent/JPH0257659A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0346038A1 (en) | 1989-12-13 |
US5006417A (en) | 1991-04-09 |
DE346038T1 (de) | 1990-06-13 |
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