JPH025575A - 同一基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜太陽電池およびショットキ障壁ダイオード - Google Patents
同一基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜太陽電池およびショットキ障壁ダイオードInfo
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- JPH025575A JPH025575A JP1024087A JP2408789A JPH025575A JP H025575 A JPH025575 A JP H025575A JP 1024087 A JP1024087 A JP 1024087A JP 2408789 A JP2408789 A JP 2408789A JP H025575 A JPH025575 A JP H025575A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業」−の＋１１用分野）
本発明は一般的に番、末シ」ツ１−」−障壁薄膜ダイオ
ードに関する。特に、本発明は、同一の柔吹竹のある基
板上にアモルファスシリコン薄膜太陽電池おにびシヨツ
トキ障壁ダイＡ−ドを製造づ”る方法に関する。
ードに関する。特に、本発明は、同一の柔吹竹のある基
板上にアモルファスシリコン薄膜太陽電池おにびシヨツ
トキ障壁ダイＡ−ドを製造づ”る方法に関する。
（従来の技術）
グ［１−放電形成水系添加ア［ルファスシリコンＪＩＱ
シコツトキ障壁ダイＡ−ドは、５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｃｏ＋ｏ＋ｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ、 Ｖｏｌ、 ２３．
１９７７、ｐｐ４２１−４２４の１′５ｕｒｒａｃｅ
５ｔａｔｅｓ ａｎｄ ｅａｒｒｉｅｒｌｌｅｉｇｈｔ
ｓ ｏｒ Ｍｅｔａｌ静ｏｒｐｈｏｕｓ ５ｉｌｉｃｏ
ｎ ５ｅｈｏｔｔｋｙ８ａｒｒｉｅｒＳ”と題する論文
＋ｊおいてＷｒＯｎＳｋ ｉ等によって最初（ζ報告さ
れでいる３、シ」ツトキ陣ＩＶは、△ｌ、 Ｎｉ、Ｃｒ
、Ｐｄ、Δ１、Ｒｉｌ、））を金ｍ模ど非ドーブア）二
ルファスシリコン膜の間に形成された。、非ドープ水素
添加アモルファスシリコン（ａ−３ｉ：Ｈ）は、３２０
℃〜３５０℃に保持された基板」二！、：Ｄ、Ｃ，放電
によってシシンと）ノー（被着された。ｌこれＩうの基
板は、ステン１ノス鋼上の３００人Ｍ−ぎのリンドープ
ａ−Ｓｃ ｉ層からなり、非ドーブア土ルファスシリ１
ン膜に、ｔ−ミックまたは低抵抗接触を形成する。
シコツトキ障壁ダイＡ−ドは、５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｃｏ＋ｏ＋ｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ、 Ｖｏｌ、 ２３．
１９７７、ｐｐ４２１−４２４の１′５ｕｒｒａｃｅ
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ｓ ｏｒ Ｍｅｔａｌ静ｏｒｐｈｏｕｓ ５ｉｌｉｃｏ
ｎ ５ｅｈｏｔｔｋｙ８ａｒｒｉｅｒＳ”と題する論文
＋ｊおいてＷｒＯｎＳｋ ｉ等によって最初（ζ報告さ
れでいる３、シ」ツトキ陣ＩＶは、△ｌ、 Ｎｉ、Ｃｒ
、Ｐｄ、Δ１、Ｒｉｌ、））を金ｍ模ど非ドーブア）二
ルファスシリコン膜の間に形成された。、非ドープ水素
添加アモルファスシリコン（ａ−３ｉ：Ｈ）は、３２０
℃〜３５０℃に保持された基板」二！、：Ｄ、Ｃ，放電
によってシシンと）ノー（被着された。ｌこれＩうの基
板は、ステン１ノス鋼上の３００人Ｍ−ぎのリンドープ
ａ−Ｓｃ ｉ層からなり、非ドーブア土ルファスシリ１
ン膜に、ｔ−ミックまたは低抵抗接触を形成する。
金属アモルファスシリコンショットキａ９膜ダイオード
の研究は続いている。静ｐ１ 四１ｙｓ、 Ｌｅｔｔ
３９（３）、１ ＾ｕｇｕｓｔ、１９８１ Ｉ）Ｄ
２７４−・２７６の’ ５ｉｌｉｃｉｄｅ ｒ＊ａｔｉ
ｏｎ ｉｎ Ｐｄ −ａ−３ｉ：ＩｔＳｃｈｏｔｔｋｙ
８ａｒｌ”１ｅｒＳ ″と題する論文にＪメい（、Ｔ
ｌｉｏｍｐｓｏｎｉはパラジウムどのアｔルファスシリ
ニ１ンシ」ツ１−キ障壁薄膜ダイオード（、二ついて報
告１〕ている。パラジウムシコットキ障壁は石英基板［
に形成された。、にｒまたはＮｉを１１Ｃ部電極を形成
１−るように被着１）、それに続いて、５００人のリン
ドープｎ ａ−３ｉ：Ｈと００２−２．Ｏｕ厚の非ド
ープａ−３ｔ：Ｈを被６した。これによって、１ｖでＩ
Ｘ １０”２Ａ／ｃｍ２の明方向ｚｍ密戊が冑られた
。金属ア［ルフ７スシリコン障壁ｉｄ膜ダイオードにつ
いて文献で報告されたものの中で、これが最も高い順方
向電流密度の１つであると思われる。
の研究は続いている。静ｐ１ 四１ｙｓ、 Ｌｅｔｔ
３９（３）、１ ＾ｕｇｕｓｔ、１９８１ Ｉ）Ｄ
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８ａｒｌ”１ｅｒＳ ″と題する論文にＪメい（、Ｔ
ｌｉｏｍｐｓｏｎｉはパラジウムどのアｔルファスシリ
ニ１ンシ」ツ１−キ障壁薄膜ダイオード（、二ついて報
告１〕ている。パラジウムシコットキ障壁は石英基板［
に形成された。、にｒまたはＮｉを１１Ｃ部電極を形成
１−るように被着１）、それに続いて、５００人のリン
ドープｎ ａ−３ｉ：Ｈと００２−２．Ｏｕ厚の非ド
ープａ−３ｔ：Ｈを被６した。これによって、１ｖでＩ
Ｘ １０”２Ａ／ｃｍ２の明方向ｚｍ密戊が冑られた
。金属ア［ルフ７スシリコン障壁ｉｄ膜ダイオードにつ
いて文献で報告されたものの中で、これが最も高い順方
向電流密度の１つであると思われる。
ａ膜ダイオードは広く利用されている。一般に、薄膜製
造技術は、結晶またはいわゆる「ディスクリート」ダイ
スートを１Ｕ込するのに用いられるつ丁−ハスケールの
処理技術より′Ｉｉ、（ｊｉｉでかつ高い収率を与える
。しかし、公知の薄８Ｑダイオードは多くの応用分野で
具合が悪い特性をｈ゛する。これらのダイオードが上に
製造される剛体基板は素子が物理的に変形する必だがあ
る応用分野では用いることができない。金属接触層から
汚染物質はしばしば処理の間に半導体母体と反応し、ダ
イオードの電気特性を劣下させる。ダイオードは通常、
他の半導体素子とともに用いられるからダイオード１．
１別々に製造され、相ｎ接続されなければならない、３ 改良された薄膜シコットキ障壁ダイオードが引続き要望
されていることは明らかである。よりコスト節約的なロ
ール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ＞処理
方法を用いて製造する（Ｔ、とがて゛きるダイオードが
所望される。この形式のダイオードが柔軟性がある場合
は、プレーナ素子が適していない分野でもより容易に成
形が可能となるであろう。
造技術は、結晶またはいわゆる「ディスクリート」ダイ
スートを１Ｕ込するのに用いられるつ丁−ハスケールの
処理技術より′Ｉｉ、（ｊｉｉでかつ高い収率を与える
。しかし、公知の薄８Ｑダイオードは多くの応用分野で
具合が悪い特性をｈ゛する。これらのダイオードが上に
製造される剛体基板は素子が物理的に変形する必だがあ
る応用分野では用いることができない。金属接触層から
汚染物質はしばしば処理の間に半導体母体と反応し、ダ
イオードの電気特性を劣下させる。ダイオードは通常、
他の半導体素子とともに用いられるからダイオード１．
１別々に製造され、相ｎ接続されなければならない、３ 改良された薄膜シコットキ障壁ダイオードが引続き要望
されていることは明らかである。よりコスト節約的なロ
ール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ＞処理
方法を用いて製造する（Ｔ、とがて゛きるダイオードが
所望される。この形式のダイオードが柔軟性がある場合
は、プレーナ素子が適していない分野でもより容易に成
形が可能となるであろう。
金属層の汚染物質が製造から隔離されている場合は、製
造収率およびダイオード特性が改９′ｅきる。
造収率およびダイオード特性が改９′ｅきる。
より大きな順方向電流密度を有するシ］ツ１−ｉ：ダイ
オードも無論要望されている。これらの特性をＩＴＩる
ダイオードは、それらが他の半導体素子とともに集積回
路上で効果的に形成−ｌ、゛きれば最も右用どなるであ
ろう。
オードも無論要望されている。これらの特性をＩＴＩる
ダイオードは、それらが他の半導体素子とともに集積回
路上で効果的に形成−ｌ、゛きれば最も右用どなるであ
ろう。
（発明の概要）
本発明は同一の基板上にアモルファスシリコン薄膜シヨ
ツトキ１ｌｌｉ壁ダイオードおよび太陽’、１ｆｆｉ
ｉｌＪを製）もする方法を提供１゛る。まず、金属接触
層をイ１づる薄い柔軟性のある基板が用意される。第１
４爪形で第１導電率値を有する水素添加ア［ルファスシ
リコンの第１の層が基板の接触層上に被６される。負性
形水素添加アモルファスシリコンの第２の層が第１のシ
リコン層の太陽電池部十１．：被首される。第１導電形
で第２尋電率値を右する第３の水素添加アモルファスシ
リコン層が、第２シリニ］ン居に隣接して第１シリコン
層のダイオード部に被４される。第２導電形で第３の導
電率値をｈする第４の水素添加アモルファスシリコン層
が第２シリコン層上の太陽電池部に被着される。′１１
２、第３のシリコン層は、ダイオード、太陽電池部の境
冑で絶縁性材料によっておｎいから分離される。
ツトキ１ｌｌｉ壁ダイオードおよび太陽’、１ｆｆｉ
ｉｌＪを製）もする方法を提供１゛る。まず、金属接触
層をイ１づる薄い柔軟性のある基板が用意される。第１
４爪形で第１導電率値を有する水素添加ア［ルファスシ
リコンの第１の層が基板の接触層上に被６される。負性
形水素添加アモルファスシリコンの第２の層が第１のシ
リコン層の太陽電池部十１．：被首される。第１導電形
で第２尋電率値を右する第３の水素添加アモルファスシ
リコン層が、第２シリニ］ン居に隣接して第１シリコン
層のダイオード部に被４される。第２導電形で第３の導
電率値をｈする第４の水素添加アモルファスシリコン層
が第２シリコン層上の太陽電池部に被着される。′１１
２、第３のシリコン層は、ダイオード、太陽電池部の境
冑で絶縁性材料によっておｎいから分離される。
ダイオード部の第２の唐および太陽゛潰池品の第４の層
上に導電性材料層が被着さねる。この導電性材料層はダ
イオード部で第２シリコン層とシ」ットキ障壁を形成す
る。
上に導電性材料層が被着さねる。この導電性材料層はダ
イオード部で第２シリコン層とシ」ットキ障壁を形成す
る。
好適実施例１こおいて、基板は簿いｆ軟性のあるポリイ
ミド基板のロールとして用意され、その基板は、その−
トに被着されたスデン１ノススチールボンデイング層、
そのボンディング層」二（被着されたアルミニウム金属
層、およびそのアルミニウム層上（二被わされた窒化チ
タン拡散障ｇ層を有する接触層を有１“る。本発明の方
法はグロー放電装置内でロール・ツーーｏ−ル（ｒｏｌ
ｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）法を用いて実施される。第１の層
１．ｉ ｎ ”形シリコンの層である。第２層を被着す
ることはダイオード部をマスクすることを含む、第３の
層を被着すること（３１太ｌｌＫ！電池部をマスクして
、ｎ形シリコンの第３の層を被着することを含む。第４
層を被着することはダイオード部をマスクして、ｐ＋形
シリコンの第４の層を被着することを含む。太陽電池と
ダイオード部は１ノー４ｆり新法を用いて分離される。
ミド基板のロールとして用意され、その基板は、その−
トに被着されたスデン１ノススチールボンデイング層、
そのボンディング層」二（被着されたアルミニウム金属
層、およびそのアルミニウム層上（二被わされた窒化チ
タン拡散障ｇ層を有する接触層を有１“る。本発明の方
法はグロー放電装置内でロール・ツーーｏ−ル（ｒｏｌ
ｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）法を用いて実施される。第１の層
１．ｉ ｎ ”形シリコンの層である。第２層を被着す
ることはダイオード部をマスクすることを含む、第３の
層を被着すること（３１太ｌｌＫ！電池部をマスクして
、ｎ形シリコンの第３の層を被着することを含む。第４
層を被着することはダイオード部をマスクして、ｐ＋形
シリコンの第４の層を被着することを含む。太陽電池と
ダイオード部は１ノー４ｆり新法を用いて分離される。
本発明によるｉｔ？膜ダイＡ−ドは、その柔軟性によっ
て種々の応用に適］ノでいる。ｎ＋シリコン層（これは
、１０１８へ一１０２０原子／／Ｊ３の濃度−〇リンで
ドープできる）は高い順方向電流密度を牛にさせ−る。
て種々の応用に適］ノでいる。ｎ＋シリコン層（これは
、１０１８へ一１０２０原子／／Ｊ３の濃度−〇リンで
ドープできる）は高い順方向電流密度を牛にさせ−る。
￥Ｊ造中におけるアルミニウムによる゛Ｆ′−導体母体
の汚染は窒化チタン拡散障壁によって防止される。また
、ダイオード（五回路内で効果的に相互接続′Ｃき、太
陽型ｉｔ！！セルに関連（〕て用いることができる。
の汚染は窒化チタン拡散障壁によって防止される。また
、ダイオード（五回路内で効果的に相互接続′Ｃき、太
陽型ｉｔ！！セルに関連（〕て用いることができる。
（実施例）
本発明の第１実施例、ずな４つら、共通の金属化基板１
７上に製造されたｐ−１−ｎ太陽電池１２およびシコッ
トキ障壁ダイオード１４を有づ−る薄膜上ノリシック集
積回路、が第１図に概略的に示されている。金属化ＩＪ
板１７は基板１６にがぶざる金属（導電性）接触層１８
によって形成される。
７上に製造されたｐ−１−ｎ太陽電池１２およびシコッ
トキ障壁ダイオード１４を有づ−る薄膜上ノリシック集
積回路、が第１図に概略的に示されている。金属化ＩＪ
板１７は基板１６にがぶざる金属（導電性）接触層１８
によって形成される。
基板１６は、ポリイミド、ポリエステルのようなプラス
Ｌツク材料から形成された漣く、柔軟性が６うりかつ絶
縁性の基板が望ましい。これらの形式のポリイミド基板
ｔよ公知であり、市販されている。
Ｌツク材料から形成された漣く、柔軟性が６うりかつ絶
縁性の基板が望ましい。これらの形式のポリイミド基板
ｔよ公知であり、市販されている。
図示された実施例では、金属接触層１８はステンレスス
チールボンＹイング層２０、アルミニウム金属層２２Ｊ
Ｖよび窒化チタン拡散障壁層２４がうなる。スデンレス
スチール２０はポリイミド基板１６に強く接着し、残り
の層に対する強い粘着ツノを与える。他の金属または導
電性材料を層２２のアルミニウムの代りに用いてもよい
。窒化チタン（ＴｉＮ）１２４がアルミニウム層２２の
−ににかぶさり、接触層１８および金属ＩＩ−）燐１７
の、Ｆ部層となる。
チールボンＹイング層２０、アルミニウム金属層２２Ｊ
Ｖよび窒化チタン拡散障壁層２４がうなる。スデンレス
スチール２０はポリイミド基板１６に強く接着し、残り
の層に対する強い粘着ツノを与える。他の金属または導
電性材料を層２２のアルミニウムの代りに用いてもよい
。窒化チタン（ＴｉＮ）１２４がアルミニウム層２２の
−ににかぶさり、接触層１８および金属ＩＩ−）燐１７
の、Ｆ部層となる。
太陽電池１２（で−なわち集積回路１０の太陽電池部）
およびダイオード１４（ダイオード部）の半導体母体は
、ｎ＋形水素添加アモルファスシリコン（第１の導電率
値をｈする第１導電形半導体）の第１の層２６が共通で
ある。水素添加アモルファスシリコン（ａ−８ｉ：ｌり
の第１の層２６は窒化チタン拡散Ｐ５壁層２４の上にか
ぶさり、金属接触層１８と、太陽電池１２、ｌｆイＡ−
ド１４の半導体母体との間にＡ−ミック）Ｋ触を形成す
る。
およびダイオード１４（ダイオード部）の半導体母体は
、ｎ＋形水素添加アモルファスシリコン（第１の導電率
値をｈする第１導電形半導体）の第１の層２６が共通で
ある。水素添加アモルファスシリコン（ａ−８ｉ：ｌり
の第１の層２６は窒化チタン拡散Ｐ５壁層２４の上にか
ぶさり、金属接触層１８と、太陽電池１２、ｌｆイＡ−
ド１４の半導体母体との間にＡ−ミック）Ｋ触を形成す
る。
第１図に示されるように、太陽電池１２とダイオード部
４は集積回路１０上で８−７７いに隣接１ノ、かつエポ
キシ絶縁性壁（ス１−リップ）２８によって分離されて
いる。ｐ−１−ｎ太陽電ｔｔｆ；１２の母体は、シリコ
ン層２６の１にかぶさる真性形（ｉ−形）の水素添加ア
トルファスシリコンの第２の岡３０、およびその層の上
にか、只さる水糸添加アモルファスシリコン（第２の導
°Ｒ率員を有する第２導電形材料）のｐ −形層３２か
ら／Ｚる。導電性材料の接触層３４１メ層３２の−にに
かぶさっている。
４は集積回路１０上で８−７７いに隣接１ノ、かつエポ
キシ絶縁性壁（ス１−リップ）２８によって分離されて
いる。ｐ−１−ｎ太陽電ｔｔｆ；１２の母体は、シリコ
ン層２６の１にかぶさる真性形（ｉ−形）の水素添加ア
トルファスシリコンの第２の岡３０、およびその層の上
にか、只さる水糸添加アモルファスシリコン（第２の導
°Ｒ率員を有する第２導電形材料）のｐ −形層３２か
ら／Ｚる。導電性材料の接触層３４１メ層３２の−にに
かぶさっている。
図示された実施例では、接触Ｒ３Ｊはシリコン層３２と
オーミック接触を形成する７４部導電性酸化物（ＴＣＯ
）層によって形成される。この頂部電極は周知のように
、接触層３４の金属を用いても形成できる。
オーミック接触を形成する７４部導電性酸化物（ＴＣＯ
）層によって形成される。この頂部電極は周知のように
、接触層３４の金属を用いても形成できる。
ショットキダイオード１４の母体も層２６の上にかぶざ
る水糸添加アモルファスシリコン〈第３の導電率（ぬを
有する第１導電形材料）の０３Ｌｉ層３６を有づる。、
ＴＣＯＩ触層３８が層３６の上にかぶさる。第１実施例
では層３６は、約ｉ ｏ ＩＬ。
る水糸添加アモルファスシリコン〈第３の導電率（ぬを
有する第１導電形材料）の０３Ｌｉ層３６を有づる。、
ＴＣＯＩ触層３８が層３６の上にかぶさる。第１実施例
では層３６は、約ｉ ｏ ＩＬ。
１０ 原子／Ｃｍ３のｔｌａ麿でリンが低濃度ドープさ
れた真情シリコン層（Ｐ Ｈ３／ Ｓ ＋ ８４ ＝
Ｉ Ｘ１０−４すなりも気相で１％の１／１０以下）で
ある。
れた真情シリコン層（Ｐ Ｈ３／ Ｓ ＋ ８４ ＝
Ｉ Ｘ１０−４すなりも気相で１％の１／１０以下）で
ある。
他のＶ族原木をドーピングのために用いてもよい。
導電性酸化物層３８はｎ形シリコン層３６とシヨツトキ
障壁を形成する導電性材料でできている。
障壁を形成する導電性材料でできている。
周知のように、金属または他の導電性材料を層３８に用
いてシコツトキ障壁を形成する。
いてシコツトキ障壁を形成する。
集積回路１０およびショットキダイオード１４４．１公
知の６のを越える右利な特徴を有４るｎ集積回路１０Ｌ
ｔ柔軟性のある基板上に形成されるから、以下に説明す
るようなロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏ
ｌｌ）法を大面積かつコスト節約な製造に対して利用で
きる。単結晶素子と異なって、ダイＡ−−ドおよび太陽
電池セルは小形で弾力性がある（もろくない）。回路が
柔軟性を有するため、個々の応用に応じて成形すること
がｒきる。ダイオード１４太陽電池１２と同じ基板上に
形成されるから、これら２つの素子は電子回路を形成す
る様効果的に相〃接続できる。第１実浦例では、複数の
ダイオード１４がプロラギングダイオードとして太陽電
池１２の直列配列と直列１こ結合される。
知の６のを越える右利な特徴を有４るｎ集積回路１０Ｌ
ｔ柔軟性のある基板上に形成されるから、以下に説明す
るようなロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏ
ｌｌ）法を大面積かつコスト節約な製造に対して利用で
きる。単結晶素子と異なって、ダイＡ−−ドおよび太陽
電池セルは小形で弾力性がある（もろくない）。回路が
柔軟性を有するため、個々の応用に応じて成形すること
がｒきる。ダイオード１４太陽電池１２と同じ基板上に
形成されるから、これら２つの素子は電子回路を形成す
る様効果的に相〃接続できる。第１実浦例では、複数の
ダイオード１４がプロラギングダイオードとして太陽電
池１２の直列配列と直列１こ結合される。
これら全ての素子はここに説明（）た方法を用いて同一
の基板−［に製１ａできる。拡散障壁として窒化チタン
を使用することによって、アルミニウム金属層からの汚
染物質が太陽電池およびダイオードのアモルファスシリ
コン母体とＩＪ Ｑ中に反応するのを防止する。窒化チ
タンは通常の被着の間に不活性であるが、アルミニウム
、シリコン層の間の電流の流れにＲ影響を及ばずことは
ない。
の基板−［に製１ａできる。拡散障壁として窒化チタン
を使用することによって、アルミニウム金属層からの汚
染物質が太陽電池およびダイオードのアモルファスシリ
コン母体とＩＪ Ｑ中に反応するのを防止する。窒化チ
タンは通常の被着の間に不活性であるが、アルミニウム
、シリコン層の間の電流の流れにＲ影響を及ばずことは
ない。
低濃度ドープされたシリコン層３６をダイオード１４に
おいて用いることによって、ダイオード１４の順方向バ
イアスス１ノツシヨルド電Ｊ１を減少ししからその順方
向電流密度を増大できることが判明した。これらの利点
はダイオードの逆方向電圧をそれ程減少することなしに
達成される。
おいて用いることによって、ダイオード１４の順方向バ
イアスス１ノツシヨルド電Ｊ１を減少ししからその順方
向電流密度を増大できることが判明した。これらの利点
はダイオードの逆方向電圧をそれ程減少することなしに
達成される。
１α２当り１アンペア以上の順方向電流密度が実験にお
いて観察された。この電流密度は、報告された最新技術
による電流密疫の１００倍である。
いて観察された。この電流密度は、報告された最新技術
による電流密疫の１００倍である。
ダイオードはまた０ｏ１５〜０．２０ボルトのスレツシ
コルド電ローをイｉし、これは＋１ｉ結晶のシリコフシ
コツ１−キダイＡ−−ドのものと同じである。
コルド電ローをイｉし、これは＋１ｉ結晶のシリコフシ
コツ１−キダイＡ−−ドのものと同じである。
集積回路１０を製造する方法を第２図〜・第１０図を参
照して説明する。第２図および第３図に示されるように
、集積回路１０は主真空室４０内で実施されるロール−
ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）法を用いて
製造される。始めに金属化基板１７の供給ロール４２が
主真空室４０内に配置される。
照して説明する。第２図および第３図に示されるように
、集積回路１０は主真空室４０内で実施されるロール−
ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）法を用いて
製造される。始めに金属化基板１７の供給ロール４２が
主真空室４０内に配置される。
次に、金属化基板１７の端部は、一連の小さな真空室４
４．４６．４８および５０を通過させられ、最後に巻取
りロール５２に巻取られる。好適実施例において、金属
化基板１７の１−ルは第１図に示されたポリイミド基板
１６および金属化層１８を含むように製造されている。
４．４６．４８および５０を通過させられ、最後に巻取
りロール５２に巻取られる。好適実施例において、金属
化基板１７の１−ルは第１図に示されたポリイミド基板
１６および金属化層１８を含むように製造されている。
ステンレススチール層２０、アルミニウム層２２および
窒化チタン層２４は、スパッタリングのような任意の公
知の従来方法によって基板１６１に被着できる。第１実
施例において、アルミニウム層２２は１０００Å〜３０
００人の厚さを有し、窒化チタン層２４は１００人−・
３００人のＵさをイ１する。ステンレススチール層の層
２０は５０Å〜２００人の厚さを有する。他の実施例で
は、同Ｂ （すで出願された” ５ｅａｌ ｉｎｇ 普
Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ Ｆ山“と題する同時係属出願に記
載された方法によってスｉンレススブールによって封止
または包囲される。金属化Ｖ根１７は真空室４４に入れ
る前に公知のグロー放電法（図示せず）を用いてみがく
こともできる。ロール４２を離ね、真空室４４に入る前
の金属化基板の断面図が第４図に示されている。。
窒化チタン層２４は、スパッタリングのような任意の公
知の従来方法によって基板１６１に被着できる。第１実
施例において、アルミニウム層２２は１０００Å〜３０
００人の厚さを有し、窒化チタン層２４は１００人−・
３００人のＵさをイ１する。ステンレススチール層の層
２０は５０Å〜２００人の厚さを有する。他の実施例で
は、同Ｂ （すで出願された” ５ｅａｌ ｉｎｇ 普
Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ Ｆ山“と題する同時係属出願に記
載された方法によってスｉンレススブールによって封止
または包囲される。金属化Ｖ根１７は真空室４４に入れ
る前に公知のグロー放電法（図示せず）を用いてみがく
こともできる。ロール４２を離ね、真空室４４に入る前
の金属化基板の断面図が第４図に示されている。。
シリコン層２６は、螺板１７が真空室４４を通過するど
ぎその金属化基板１７十に被着される。
ぎその金属化基板１７十に被着される。
この膜は、本発明によってダイオード１４Ｊ３よび太陽
電池１２を形成することが望まれる基板の全部分に被η
される。第１実施例で、そのシリ」ンはリンドープされ
、２００人＝４００人（好ましくは、３００人）の１γ
さに被ｎされる。」二にシリコン層２６を有する金属化
基板の断面図は第５図に小されている。
電池１２を形成することが望まれる基板の全部分に被η
される。第１実施例で、そのシリ」ンはリンドープされ
、２００人＝４００人（好ましくは、３００人）の１γ
さに被ｎされる。」二にシリコン層２６を有する金属化
基板の断面図は第５図に小されている。
真空室４４を頗ねた後、層２６が被るさ４１． ／：：
金属化基板１２は真空室４６に入る。第３図に模式的に
示されているように、マスク５４が、ショツトギグイオ
ード１４が形成されるべき基板の一部のＬに室４６内ぐ
マウン１−される。イこで、ＪＩ付性形リコンの履３０
が、太陽電池１２を形成することが望まれる金属化基板
１７の一部の上にのみ被着される。シリコ−２層３０は
３０００人−７０００人のりさく好ましくは５５００人
の厚さ）に被着できる。被着層２６゜３０を有する金属
化基板１７の断面図が第６図に示されている。
金属化基板１２は真空室４６に入る。第３図に模式的に
示されているように、マスク５４が、ショツトギグイオ
ード１４が形成されるべき基板の一部のＬに室４６内ぐ
マウン１−される。イこで、ＪＩ付性形リコンの履３０
が、太陽電池１２を形成することが望まれる金属化基板
１７の一部の上にのみ被着される。シリコ−２層３０は
３０００人−７０００人のりさく好ましくは５５００人
の厚さ）に被着できる。被着層２６゜３０を有する金属
化基板１７の断面図が第６図に示されている。
被着層２６．３０を右プ“る金属化基板は次に真空室４
８に入る。第３図に示されるように、真空室４８は、太
陽電池１４が形！どされるべき金属化基板１７の一部の
上に隣接しτ゛配置れたマスク５６をイｉする。そこで
、シリニ」ンのｎ形成（層）３６がダイオード１４が形
成されるべき基板の一部のにに被着される。層２６．３
０および３６が被着されている金属化基板１７の断面図
は第７図に小されている。ｎ形シリコン層３６は３００
０人−１００００人の厚さに被着できる。好適実施例で
は、シリコン層３６は５０００人の厚さに被着される。
８に入る。第３図に示されるように、真空室４８は、太
陽電池１４が形！どされるべき金属化基板１７の一部の
上に隣接しτ゛配置れたマスク５６をイｉする。そこで
、シリニ」ンのｎ形成（層）３６がダイオード１４が形
成されるべき基板の一部のにに被着される。層２６．３
０および３６が被着されている金属化基板１７の断面図
は第７図に小されている。ｎ形シリコン層３６は３００
０人−１００００人の厚さに被着できる。好適実施例で
は、シリコン層３６は５０００人の厚さに被着される。
層２６．３０．３６のある金属化基板１７は、真空室４
８を出ると、真空室５０に入る。第３図に模式的に示さ
れているように、マスク５８が、シコツ１−キダイオー
ド１４が形成されるべき金属化基板１７の一部の−Ｖに
真空室５０内で配置される。それによって、ｐ 形シリ
コン層３２がシリコン層３０の上に被着される。層３２
は１００Å〜２００人の厚さ（０：ｆましく【五１５０
人の厚さ）に被着できる。シリコン層２６．３０．３２
および３６が被ｎされている金１化螺板１７の断面図は
第８図に示されている。シリコン層２６．３０゜３２お
よび３６が被着された金属化基板１７は室５０を出た後
巻取りリール５２に巻取られる。第１図および第４図〜
第８図には便宜」−ダイオード１４、太陽電池１２がそ
れぞれ１個だけ示されている（Ｊれども、それぞれ複数
個のダイオード１４および太陽電池１２をここで説明し
たマスク手続を用いて金属化基板１７上に形成できるこ
とは明らかであろう。
８を出ると、真空室５０に入る。第３図に模式的に示さ
れているように、マスク５８が、シコツ１−キダイオー
ド１４が形成されるべき金属化基板１７の一部の−Ｖに
真空室５０内で配置される。それによって、ｐ 形シリ
コン層３２がシリコン層３０の上に被着される。層３２
は１００Å〜２００人の厚さ（０：ｆましく【五１５０
人の厚さ）に被着できる。シリコン層２６．３０．３２
および３６が被ｎされている金１化螺板１７の断面図は
第８図に示されている。シリコン層２６．３０゜３２お
よび３６が被着された金属化基板１７は室５０を出た後
巻取りリール５２に巻取られる。第１図および第４図〜
第８図には便宜」−ダイオード１４、太陽電池１２がそ
れぞれ１個だけ示されている（Ｊれども、それぞれ複数
個のダイオード１４および太陽電池１２をここで説明し
たマスク手続を用いて金属化基板１７上に形成できるこ
とは明らかであろう。
被着層２６．３０．３２および３６のある金属化基板１
７のロールは次に巻取りリール５２から除去され、さら
に謂２６の上でシリコン層３０゜３６をＪ３互いから分
離するように処叩される。第９図に示されるにうに、こ
の分離は層３０．３６間にギＶツ１６２を切込むレーザ
６０を用いて実施できる。ギャップ６２は層３２上のあ
る点まで１ボギシ６４のような絶縁材料で充填される。
７のロールは次に巻取りリール５２から除去され、さら
に謂２６の上でシリコン層３０゜３６をＪ３互いから分
離するように処叩される。第９図に示されるにうに、こ
の分離は層３０．３６間にギＶツ１６２を切込むレーザ
６０を用いて実施できる。ギャップ６２は層３２上のあ
る点まで１ボギシ６４のような絶縁材料で充填される。
この製造段階の集積回路は第１０図に示されている。
Ｒ後に、頂部導Ｎ性層３４．３８ （または伯の金属材
料）が公知の方法でそれぞれシリコン層３０．３２に付
加される。これらの製造工程を用いて、お豆いに隣接し
て配列された源膜太陽電池１２およびショットキ障壁ダ
イオード１４を備えた集積回路１０が形成される。太陽
電池１２とダイオード１４は金属接触層１８によって電
気的に相互接続されるａ複数個のダイオード１４および
太陽電池１２をこの方法を用いてＪ３互いに隣接して形
成できることも明らかであろう。上述した各処理■稈は
従来の容ｆｌｉＲＦグロー放電装置において実施できる
。光化学蒸着のような他の方法を用いることもできる。
料）が公知の方法でそれぞれシリコン層３０．３２に付
加される。これらの製造工程を用いて、お豆いに隣接し
て配列された源膜太陽電池１２およびショットキ障壁ダ
イオード１４を備えた集積回路１０が形成される。太陽
電池１２とダイオード１４は金属接触層１８によって電
気的に相互接続されるａ複数個のダイオード１４および
太陽電池１２をこの方法を用いてＪ３互いに隣接して形
成できることも明らかであろう。上述した各処理■稈は
従来の容ｆｌｉＲＦグロー放電装置において実施できる
。光化学蒸着のような他の方法を用いることもできる。
シラン、水素および小スフィンを気体として用いること
ができる。製造中、基板１６は２００℃−３００℃の温
度（好ましくは２５０℃）に維持することができる。Ｒ
Ｆパワー密度は１Ｃ１１２当り０．０１〜０．１ｗ（好
適実施例では０゜０３７Ｗ／α２）でよい。圧力は０、
２５Ｔｏｒｒ 〜１ 、５丁０「「（好適実施例では１
゜Ｑ Ｔｏｒｒ）に維持すればよい。
ができる。製造中、基板１６は２００℃−３００℃の温
度（好ましくは２５０℃）に維持することができる。Ｒ
Ｆパワー密度は１Ｃ１１２当り０．０１〜０．１ｗ（好
適実施例では０゜０３７Ｗ／α２）でよい。圧力は０、
２５Ｔｏｒｒ 〜１ 、５丁０「「（好適実施例では１
゜Ｑ Ｔｏｒｒ）に維持すればよい。
集積回路１０はその意図した使用の前にさらに処叩を行
うことが必要である。一実施例ｒ ＬＬ 、集積回路１
０は連続した充電を与えるようにバッテリ（図示ぜ”ず
）１．：巻くことができる。この実施例では、集積回路
１０はＪ３１Ｕいに隣接し１、直列に接続された複＠個
の太陽電池１２を含むように製造されることになる。金
属バスバー（図示せず〉を太陽電池１２、ダイオード１
４を相互接続するのに用いることかできる。太陽電池１
２８よびダイオード１４は、たとえば、”！１１１、ａ
ｒｃｏｎｎｅｃｔｅｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄ
ｅｖｉｅｃｓ ″とＶＭ”Ｊ−る出願Ｗ ５Ｑ第１３１
．４１６号に記載された態様で相互接続することができ
る６集積回路１０がこのｆ１Ｍ横で用いられるとき、シ
］ツｌ−キダイオード１４は直列に接続して、太陽電池
１２を通じてのバッテリの放電を防ぐブロッキングダイ
オードどして用いることができる。１４のようなダイＡ
゛−ドはまた、「バイパス」ダイオードとして太陽電池
１２とともに用いることができる。ダイオード１４を太
陽電池１２に相互接続するのに任意の公知の方法を用い
てよい。
うことが必要である。一実施例ｒ ＬＬ 、集積回路１
０は連続した充電を与えるようにバッテリ（図示ぜ”ず
）１．：巻くことができる。この実施例では、集積回路
１０はＪ３１Ｕいに隣接し１、直列に接続された複＠個
の太陽電池１２を含むように製造されることになる。金
属バスバー（図示せず〉を太陽電池１２、ダイオード１
４を相互接続するのに用いることかできる。太陽電池１
２８よびダイオード１４は、たとえば、”！１１１、ａ
ｒｃｏｎｎｅｃｔｅｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄ
ｅｖｉｅｃｓ ″とＶＭ”Ｊ−る出願Ｗ ５Ｑ第１３１
．４１６号に記載された態様で相互接続することができ
る６集積回路１０がこのｆ１Ｍ横で用いられるとき、シ
］ツｌ−キダイオード１４は直列に接続して、太陽電池
１２を通じてのバッテリの放電を防ぐブロッキングダイ
オードどして用いることができる。１４のようなダイＡ
゛−ドはまた、「バイパス」ダイオードとして太陽電池
１２とともに用いることができる。ダイオード１４を太
陽電池１２に相互接続するのに任意の公知の方法を用い
てよい。
本発明の第２の好適実施例、１”なわら集積回路’１０
０が第１１図に示されている。集積回路１００は＃Ｊ述
した集積回路１０と同様のものであって、同じ参照番＠
は同じ部分を指導ものと１ノで用いられる。集積回路１
００は共通の金属化基板１７上で２ヨツトキ障壁ダイオ
ード１４′に隣接して形成されたｐ−１−ｎ太陽電池１
２を含む。明らかなように、ダイオード１４′とダイオ
ード１４の唯一の）ｉいは、ダイオード１４′では、真
性形の水素添加アモルファスシリコンの層３６′がシリ
コン！ｆｌ ２６に被着されるのに対し、ダイオード１
４ぐ（，１ｎ形シリコン居３６が被着されることである
３３集積回路１００は、小さなＷ４６内のマスク５４を
除去し、その室で行なわれる被着を省略することによっ
て第２図〜第１０図を参照して説明１）だ方法を用いて
製造できる。集積回路１００のダイオード１４′は、ｎ
形シリコン層３６から冑られるダイオード１４の増大し
た順方向電流密度およびそれに付随した利点を持つこと
はない。
０が第１１図に示されている。集積回路１００は＃Ｊ述
した集積回路１０と同様のものであって、同じ参照番＠
は同じ部分を指導ものと１ノで用いられる。集積回路１
００は共通の金属化基板１７上で２ヨツトキ障壁ダイオ
ード１４′に隣接して形成されたｐ−１−ｎ太陽電池１
２を含む。明らかなように、ダイオード１４′とダイオ
ード１４の唯一の）ｉいは、ダイオード１４′では、真
性形の水素添加アモルファスシリコンの層３６′がシリ
コン！ｆｌ ２６に被着されるのに対し、ダイオード１
４ぐ（，１ｎ形シリコン居３６が被着されることである
３３集積回路１００は、小さなＷ４６内のマスク５４を
除去し、その室で行なわれる被着を省略することによっ
て第２図〜第１０図を参照して説明１）だ方法を用いて
製造できる。集積回路１００のダイオード１４′は、ｎ
形シリコン層３６から冑られるダイオード１４の増大し
た順方向電流密度およびそれに付随した利点を持つこと
はない。
本発明を好適実施例について説明しＩご６ノれども、１
業ζ゛（、Ｌ本発明の精神および範囲から離れることな
しに形式および綱部について神々の変更をなし得ること
が理解できるであろう。
業ζ゛（、Ｌ本発明の精神および範囲から離れることな
しに形式および綱部について神々の変更をなし得ること
が理解できるであろう。
第１図は、本発明の一実施例による太陽電池およびシコ
ン１−キ障壁ダイオードをｉ゛する集積回路の断面図で
ある１゜ 第２図は、第１図に示された集積回路を製造がるのに用
いられる装置の概略側面図である。。 第３図は、第１図に示された集積回路を製造するのに用
いられる装置の概略平面図である。 第４図−第８図は、第２図および第３図に示された装置
にお〔するｙｌ造の中間ｆたでの集積回路の断面図であ
る。 第９図は、ダイオード部と太陽電池部を分間するレーザ
とどもに製造中間点における集積回路の断面図を承り。 第１０図は、ダイオード部と太陽電池部の間の間隙に二
付加される絶紅材料ととも（二、第９図に示されたダイ
Ａ′−ドの断面図を示す。 第１１図は、本発明の第２実施例による太陽電池Ｊ３よ
びショットキ障壁を有する集積回路の断面図である。 １０．１００・・・薄膜モノリシック集積回路、１２・
・・ｐ−１−ｎ太陽電池、 １４・・・ショットキ障壁ダイオード、１７・・・共通
金属化基板、１８・・・金属接触層、１６・・・基板（
ポリイミド）、 ２０・・・ステンレススチールボンディング層、２２・
・・アルミニウム金属層、 ２４・・・窒化ヂタン拡故障壁層、 ２６・・・ｎ１形水索添加アモルファスシリコン（ａ−
８ｉ：Ｈ） 層、 ２８・・・Ｊ８縁性ストリップ、 ３０・・・ｉ形水索添加ア七ルファスシリコン（ａ−３
ｉ ：Ｈ） 層、 ３２・・・ｐ＋形水素添加アモルファスシリコン（ａ−
８ｉ：Ｈ）層、 ３４．３８・・・ＴＣＯ（頂部導電性醇化物）層、３６
・・・ｎ形水木添加アモルファスシ１ノーコン（３−３
ｉ：Ｈ）層、 ３６′・・・１形水素添加アモルファスシ■ノコン（ａ
−３ｉ ：Ｈ）層。
ン１−キ障壁ダイオードをｉ゛する集積回路の断面図で
ある１゜ 第２図は、第１図に示された集積回路を製造がるのに用
いられる装置の概略側面図である。。 第３図は、第１図に示された集積回路を製造するのに用
いられる装置の概略平面図である。 第４図−第８図は、第２図および第３図に示された装置
にお〔するｙｌ造の中間ｆたでの集積回路の断面図であ
る。 第９図は、ダイオード部と太陽電池部を分間するレーザ
とどもに製造中間点における集積回路の断面図を承り。 第１０図は、ダイオード部と太陽電池部の間の間隙に二
付加される絶紅材料ととも（二、第９図に示されたダイ
Ａ′−ドの断面図を示す。 第１１図は、本発明の第２実施例による太陽電池Ｊ３よ
びショットキ障壁を有する集積回路の断面図である。 １０．１００・・・薄膜モノリシック集積回路、１２・
・・ｐ−１−ｎ太陽電池、 １４・・・ショットキ障壁ダイオード、１７・・・共通
金属化基板、１８・・・金属接触層、１６・・・基板（
ポリイミド）、 ２０・・・ステンレススチールボンディング層、２２・
・・アルミニウム金属層、 ２４・・・窒化ヂタン拡故障壁層、 ２６・・・ｎ１形水索添加アモルファスシリコン（ａ−
８ｉ：Ｈ） 層、 ２８・・・Ｊ８縁性ストリップ、 ３０・・・ｉ形水索添加ア七ルファスシリコン（ａ−３
ｉ ：Ｈ） 層、 ３２・・・ｐ＋形水素添加アモルファスシリコン（ａ−
８ｉ：Ｈ）層、 ３４．３８・・・ＴＣＯ（頂部導電性醇化物）層、３６
・・・ｎ形水木添加アモルファスシ１ノーコン（３−３
ｉ：Ｈ）層、 ３６′・・・１形水素添加アモルファスシ■ノコン（ａ
−３ｉ ：Ｈ）層。
Claims (8)
- （１）同一基板上に形成されたアモルファスシリコン薄
膜太陽電池およびシヨツトキ障壁ダイオードであって、 柔軟性のある基板、 該基板上の第１導電層 第１導電層上のダイオード部にダイオード母体を形成す
る少なくとも１個のシリコン、 前記ダイオード母体に隣接かつ離隔して前記ダイオード
部との間に間隙を形成する、第１導電胴上の太陽電池部
に太陽電池母体を形成する少なくとも１個のシリコン、 前記ダイオード母体と前記太陽電池母体の間の間隙内に
ある絶縁性材料、および 前記ダイオード母体および前記太陽電池上にある第２導
電層であって、該ダイオード母体はその導電性材料の第
１、第２層の一方とオーミック接触し、他方の導電層と
シヨツトキ障壁を形成する前記第２導電層を有する前記
太陽電池およびダイオード。 - （２）前記基板は薄くて、柔軟性があり、かつ塑性の基
板である請求項１に記載の太陽電池およびダイオード。 - （３）前記基板はポリイミド材料基板である請求項２に
記載の太陽電池およびダイオード。 - （４）前記第１導電層は、前記基板上に被着された金属
層、および該金属層に被着された窒化チタン拡散層を含
む、請求項１に記載の太陽電池およびダイオード。 - （５）前記金属層はアルミニウム層である、請求項４に
記載の太陽電池およびダイオード。 - （６）前記窒化チタン拡散障壁層は１００Å〜３００Å
の厚さに被着される、請求項５に記載の太陽電池および
ダイオード。 - （７）前記ダイオード母体は、１０＾１＾８〜１０＾２
＾０原子／ｃｍ＾３の濃度でリンがドープされたｎ形シ
リコンからなる、請求項１に記載の太陽電池およびダイ
オード。 - （８）前記太陽電池母体および前記ダイオード母体は前
記第１導電層上に被着されたｎ形シリコンの非分離層を
含む、請求項１に記載の太陽電池およびダイオード。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15289588A | 1988-02-05 | 1988-02-05 | |
| US152895 | 1988-02-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025575A true JPH025575A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=22544911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1024087A Pending JPH025575A (ja) | 1988-02-05 | 1989-02-03 | 同一基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜太陽電池およびショットキ障壁ダイオード |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0327023B1 (ja) |
| JP (1) | JPH025575A (ja) |
| KR (1) | KR890013825A (ja) |
| DE (1) | DE68922008D1 (ja) |
| MY (1) | MY104396A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013531A (ja) * | 1998-05-28 | 2006-01-12 | Emcore Corp | バイパスダイオードを有する太陽電池 |
| US7592538B2 (en) | 2001-10-24 | 2009-09-22 | Emcore Solar Power, Inc. | Method of fabricating a multijunction solar cell with a bypass diode having an intrinsic layer |
| US8263855B2 (en) | 2001-10-24 | 2012-09-11 | Emcore Solar Power, Inc. | Multijunction solar cell with a bypass diode |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19921545A1 (de) | 1999-05-11 | 2000-11-23 | Angew Solarenergie Ase Gmbh | Solarzelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen |
| CN100437221C (zh) * | 2005-10-14 | 2008-11-26 | 群康科技(深圳)有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| US9029685B2 (en) | 2005-11-18 | 2015-05-12 | The Boeing Company | Monolithic bypass diode and photovoltaic cell with bypass diode formed in back of substrate |
| US20110315220A1 (en) * | 2010-06-29 | 2011-12-29 | General Electric Company | Photovoltaic cell and methods for forming a back contact for a photovoltaic cell |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3280455T3 (de) * | 1981-11-04 | 2000-07-13 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo K.K., Osaka | Biegsame photovoltaische Vorrichtung. |
| US4396793A (en) * | 1982-04-12 | 1983-08-02 | Chevron Research Company | Compensated amorphous silicon solar cell |
| JPS60240171A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽光発電装置 |
| US4697041A (en) * | 1985-02-15 | 1987-09-29 | Teijin Limited | Integrated solar cells |
-
1989
- 1989-01-26 MY MYPI89000093A patent/MY104396A/en unknown
- 1989-01-31 EP EP89101636A patent/EP0327023B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-31 DE DE68922008T patent/DE68922008D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-03 JP JP1024087A patent/JPH025575A/ja active Pending
- 1989-02-03 KR KR1019890001244A patent/KR890013825A/ko active IP Right Grant
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013531A (ja) * | 1998-05-28 | 2006-01-12 | Emcore Corp | バイパスダイオードを有する太陽電池 |
| JP4606959B2 (ja) * | 1998-05-28 | 2011-01-05 | エムコア・コーポレイション | バイパスダイオードを有する太陽電池 |
| US7592538B2 (en) | 2001-10-24 | 2009-09-22 | Emcore Solar Power, Inc. | Method of fabricating a multijunction solar cell with a bypass diode having an intrinsic layer |
| US7759572B2 (en) | 2001-10-24 | 2010-07-20 | Emcore Solar Power, Inc. | Multijunction solar cell with a bypass diode having an intrinsic layer |
| US8263855B2 (en) | 2001-10-24 | 2012-09-11 | Emcore Solar Power, Inc. | Multijunction solar cell with a bypass diode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0327023A3 (en) | 1990-05-23 |
| DE68922008D1 (de) | 1995-05-11 |
| EP0327023A2 (en) | 1989-08-09 |
| EP0327023B1 (en) | 1995-04-05 |
| KR890013825A (ko) | 1989-09-26 |
| MY104396A (en) | 1994-03-31 |
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