JPH025559A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH025559A JPH025559A JP15643088A JP15643088A JPH025559A JP H025559 A JPH025559 A JP H025559A JP 15643088 A JP15643088 A JP 15643088A JP 15643088 A JP15643088 A JP 15643088A JP H025559 A JPH025559 A JP H025559A
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- Pending
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 30
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素体を固定する熱良導性基板と絶縁性
材料から成形された側壁および上蓋によって容器が構成
され、容器内には半導体素体の保護用樹脂が注入され、
上蓋上で半導体素体の１ｉ橿からの引出し端子と外部導
、体とがねし止めされる半導体装置に関する。
材料から成形された側壁および上蓋によって容器が構成
され、容器内には半導体素体の保護用樹脂が注入され、
上蓋上で半導体素体の１ｉ橿からの引出し端子と外部導
、体とがねし止めされる半導体装置に関する。
パワートランジスタモジュールなど一つまたは複数の半
導体素体を容器内に収容し、引出し端子を用いて電極と
接続し、容器外部で外部導体と引出し端子とを接続する
構造として、例えば第２図に概念的に示したような構造
が用いられる。第２図においては、パワー［・ランジス
タチップ１は、銅などの良導性材料からなる基板２と上
蓋３と側壁４が一体となった樹脂製容器上部によって構
成される容器に収容され、基板２上ムニ固着されている
。基板２上のチップ１の電橋とＭ線７のボンディングで
接続された引出し端子は、容器上部３゜４と容器基板１
との組合わせの際、上蓋３の貫通孔を通し、そのあとで
直角に曲げられている。引出し端子５と外部導体８との
接続は、上蓋３に形成されたナツト穴３１に嵌め込まれ
たナラ１−９に軸＆１１０のみで図示したボルトをねじ
込んで圧着することによって行われる。ボルトの先端は
ナツト穴３１の下に設けられる径の小さい有底孔である
逃げ穴１１の中に入る。、１のような容器中のトランジ
スタチップ１の保護のため、チップの」二をゲル材１２
で覆いさらにその−Ｊ二にエポキシ樹脂１３を注入して
固化させる。そのためゲル材１２と樹脂１３の注入口１
４がボルト穴の横に開けられている０図示しないが、注
入時の空気抜きの小さい穴も開けられている。
導体素体を容器内に収容し、引出し端子を用いて電極と
接続し、容器外部で外部導体と引出し端子とを接続する
構造として、例えば第２図に概念的に示したような構造
が用いられる。第２図においては、パワー［・ランジス
タチップ１は、銅などの良導性材料からなる基板２と上
蓋３と側壁４が一体となった樹脂製容器上部によって構
成される容器に収容され、基板２上ムニ固着されている
。基板２上のチップ１の電橋とＭ線７のボンディングで
接続された引出し端子は、容器上部３゜４と容器基板１
との組合わせの際、上蓋３の貫通孔を通し、そのあとで
直角に曲げられている。引出し端子５と外部導体８との
接続は、上蓋３に形成されたナツト穴３１に嵌め込まれ
たナラ１−９に軸＆１１０のみで図示したボルトをねじ
込んで圧着することによって行われる。ボルトの先端は
ナツト穴３１の下に設けられる径の小さい有底孔である
逃げ穴１１の中に入る。、１のような容器中のトランジ
スタチップ１の保護のため、チップの」二をゲル材１２
で覆いさらにその−Ｊ二にエポキシ樹脂１３を注入して
固化させる。そのためゲル材１２と樹脂１３の注入口１
４がボルト穴の横に開けられている０図示しないが、注
入時の空気抜きの小さい穴も開けられている。
（発明が解決しようとする課題）
−Ｆ記のような容器に注入口１４がらゲル材１２および
樹脂１３を注入すると、固化した樹脂１３の上面巳Ｊ、
図示のように凹面となる。従ってこの半導体装置を用い
て機器を組立てる際ごみあるいは水がたまって絶縁不良
の原因となるという欠点があった。
樹脂１３を注入すると、固化した樹脂１３の上面巳Ｊ、
図示のように凹面となる。従ってこの半導体装置を用い
て機器を組立てる際ごみあるいは水がたまって絶縁不良
の原因となるという欠点があった。
本発明の課題は、樹脂注入口に樹脂の凹面が生じて絶縁
不良を引きおこすおそれのない半導体装置を提供するこ
と乙こある。
不良を引きおこすおそれのない半導体装置を提供するこ
と乙こある。
〔課題を解決するためのｆ段〕
」−４記課題の解決のために、本発明は、半導体素体が
熱良導性基板と絶縁性材料から成形された側壁および上
蓋とよりなる容器中に収容され、上部を保護用樹脂で覆
われ、半導体素体の電極と接続された引出し端子は容器
外で、Ｊ：、Ｍｉに設けられたねじ機能を備えた穴にね
じ込まれるねじによって圧着される外部端子と接続され
る半導体装置において、ねじ機能を備えた穴の容器内部
側に、ねじの逃げ穴と半導体素体保ｎ用樹脂注入口を兼
ねた１通孔が連通したものとする。
熱良導性基板と絶縁性材料から成形された側壁および上
蓋とよりなる容器中に収容され、上部を保護用樹脂で覆
われ、半導体素体の電極と接続された引出し端子は容器
外で、Ｊ：、Ｍｉに設けられたねじ機能を備えた穴にね
じ込まれるねじによって圧着される外部端子と接続され
る半導体装置において、ねじ機能を備えた穴の容器内部
側に、ねじの逃げ穴と半導体素体保ｎ用樹脂注入口を兼
ねた１通孔が連通したものとする。
従来有底孔であった端子接続用のボルトのための逃げ穴
を貫通させて樹脂注入口域−兼ねさせることにより、注
入樹脂の表面はその」−に位置する引出し端子、ＩＡ部
厚導体よびねじによって覆われ露出しないため、樹脂の
固化時に表面に凹面が生じても絶縁不良の原因とはなら
ない７ 〔実施例〕 第１図は本発明の一実施例のパワートランジスタ半導体
装置を概念的に示し、第２図と共通の部分には同一の符
号が付されている。第２図と異なる点は樹脂注入口１４
がなく、樹脂製」二蓋３のナンド穴３１に嵌め込まれた
す７１□ ９にねじ込まれるねじの逃げ穴１１が１通孔
として形成されている点で、ナラ）９のす７１・穴３１
への嵌め込み、引出し端子５の折曲げ、外部導体８の積
重ね工程の前にこの貫通孔を利用してゲル材１２．エポ
キシ樹脂１３の注入を行う。ゲルＵ’１２はＵ線７を完
全に覆うまで注入しまたのち、エポキシ樹脂１３を逃げ
穴１１の下端よりやや」二まで達するように注入し固化
させる。余り多く注入すると樹脂が軸線１０で示すねじ
の先端に当たるおそれがある。この結果、注入されるゲ
ル材１２およびエポキシ樹脂の高ざＨは、第２図におＵ
る高さＨ６に比して著しく低くなり、特にエポキシ樹脂
量の節減になる。なお、注入を容品にするため、−にｍ
ｌに空気抜き穴を開Ｉ」ておくことが有効なのは第２図
の場合と同様である。
を貫通させて樹脂注入口域−兼ねさせることにより、注
入樹脂の表面はその」−に位置する引出し端子、ＩＡ部
厚導体よびねじによって覆われ露出しないため、樹脂の
固化時に表面に凹面が生じても絶縁不良の原因とはなら
ない７ 〔実施例〕 第１図は本発明の一実施例のパワートランジスタ半導体
装置を概念的に示し、第２図と共通の部分には同一の符
号が付されている。第２図と異なる点は樹脂注入口１４
がなく、樹脂製」二蓋３のナンド穴３１に嵌め込まれた
す７１□ ９にねじ込まれるねじの逃げ穴１１が１通孔
として形成されている点で、ナラ）９のす７１・穴３１
への嵌め込み、引出し端子５の折曲げ、外部導体８の積
重ね工程の前にこの貫通孔を利用してゲル材１２．エポ
キシ樹脂１３の注入を行う。ゲルＵ’１２はＵ線７を完
全に覆うまで注入しまたのち、エポキシ樹脂１３を逃げ
穴１１の下端よりやや」二まで達するように注入し固化
させる。余り多く注入すると樹脂が軸線１０で示すねじ
の先端に当たるおそれがある。この結果、注入されるゲ
ル材１２およびエポキシ樹脂の高ざＨは、第２図におＵ
る高さＨ６に比して著しく低くなり、特にエポキシ樹脂
量の節減になる。なお、注入を容品にするため、−にｍ
ｌに空気抜き穴を開Ｉ」ておくことが有効なのは第２図
の場合と同様である。
にの実施例で（壌ねじ止めをナツト穴３１へ落さし込ん
だナツトを利用して行ったが、樹脂注入口を兼ねた逃げ
穴１１を同じ径で上Ｍ３の」−面まで延長し、これをね
し穴に兼用さ」ｔでもよい。
だナツトを利用して行ったが、樹脂注入口を兼ねた逃げ
穴１１を同じ径で上Ｍ３の」−面まで延長し、これをね
し穴に兼用さ」ｔでもよい。
本発明によれば、熱良導性基板と樹脂製側壁および上蓋
からなる容器内に収容される半導体素体を覆う保護用樹
脂の注入口を、半導体素体の電極に接続される引出し端
子と外部導体との接続のために」二蓋にそなえられたね
じ機能４（ｉきの穴に連結されるねじの逃げ穴と兼用と
するＺ：とにより、注入樹脂の凹状表面が外気に露出す
ることがなく、絶縁不良の原因となることが防止された
。また容器内部に延びるねじ逃げ穴の先端よりやや十ま
で注入される樹脂量は、従来の装置の専用樹脂注入１コ
から注入される樹脂量に比して節減され、軽量の半導体
装置を得ることができた。
からなる容器内に収容される半導体素体を覆う保護用樹
脂の注入口を、半導体素体の電極に接続される引出し端
子と外部導体との接続のために」二蓋にそなえられたね
じ機能４（ｉきの穴に連結されるねじの逃げ穴と兼用と
するＺ：とにより、注入樹脂の凹状表面が外気に露出す
ることがなく、絶縁不良の原因となることが防止された
。また容器内部に延びるねじ逃げ穴の先端よりやや十ま
で注入される樹脂量は、従来の装置の専用樹脂注入１コ
から注入される樹脂量に比して節減され、軽量の半導体
装置を得ることができた。
第１図は本発明の一実施例の概念的断面図、第２図は従
来装置の概念的断面図である。 １：（・ランジスタチソプ、２；熱良導性基板、３：上
蓋、４：側壁、５−、引出し端子、８：外部導体、９＝
ナツト、１１；逃げ穴、１２ニゲル材、１３；エポキシ
樹脂。 代「人！Ｆ理Ｌ 山 口 、罷
来装置の概念的断面図である。 １：（・ランジスタチソプ、２；熱良導性基板、３：上
蓋、４：側壁、５−、引出し端子、８：外部導体、９＝
ナツト、１１；逃げ穴、１２ニゲル材、１３；エポキシ
樹脂。 代「人！Ｆ理Ｌ 山 口 、罷
Claims (1)
- （１）半導体素体が熱良導性基板と絶縁性材料から成形
された側壁および上蓋とよりなる容器中に収容され、上
部が保護用樹脂で覆われ、半導体素体の電極と接続され
た引出し端子は容器外で、上蓋に設けられたねじ機能を
備えた穴にねじ込まれるねじによって圧着される外部端
子と接続されるものにおいて、ねじ機能を備えた穴の容
器内部側に、ねじの逃げ穴と半導体素体保護用樹脂注入
口を兼ねた貫通孔が連通したことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15643088A JPH025559A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15643088A JPH025559A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025559A true JPH025559A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15627574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15643088A Pending JPH025559A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025559A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5203634A (en) * | 1990-06-14 | 1993-04-20 | Kim Myun H | Double guide strip opening device |
| EP0591900A2 (en) * | 1992-10-05 | 1994-04-13 | Fuji Electric Co. Ltd. | Resin-sealed semiconductor device |
| JPH06504744A (ja) * | 1991-11-22 | 1994-06-02 | メムテック・アメリカ・コーポレイション | ステンレス・スチール・ヤーンおよび保護着 |
| US5470419A (en) * | 1990-07-30 | 1995-11-28 | Ajinomoto Co., Inc. | Easily tearable film and pouch made therefrom |
| US5609420A (en) * | 1994-06-01 | 1997-03-11 | Minigrip, Inc. | Reclosable bag closure with tear containing strips |
| EP0791961A3 (en) * | 1996-02-22 | 1998-11-18 | Hitachi, Ltd. | Power semiconductor module |
| JP2015041659A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
| JP6438106B1 (ja) * | 2017-11-28 | 2018-12-12 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
| JP6472034B1 (ja) * | 2017-11-29 | 2019-02-20 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15643088A patent/JPH025559A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5203634A (en) * | 1990-06-14 | 1993-04-20 | Kim Myun H | Double guide strip opening device |
| US5470419A (en) * | 1990-07-30 | 1995-11-28 | Ajinomoto Co., Inc. | Easily tearable film and pouch made therefrom |
| JPH06504744A (ja) * | 1991-11-22 | 1994-06-02 | メムテック・アメリカ・コーポレイション | ステンレス・スチール・ヤーンおよび保護着 |
| EP0591900A2 (en) * | 1992-10-05 | 1994-04-13 | Fuji Electric Co. Ltd. | Resin-sealed semiconductor device |
| EP0591900A3 (en) * | 1992-10-05 | 1994-11-23 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device sealed in resin. |
| US5609420A (en) * | 1994-06-01 | 1997-03-11 | Minigrip, Inc. | Reclosable bag closure with tear containing strips |
| EP0791961A3 (en) * | 1996-02-22 | 1998-11-18 | Hitachi, Ltd. | Power semiconductor module |
| JP2015041659A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
| JP6438106B1 (ja) * | 2017-11-28 | 2018-12-12 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
| JP2019102500A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
| JP6472034B1 (ja) * | 2017-11-29 | 2019-02-20 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
| JP2019102553A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
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