JP2015041659A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 上面に半導体素子が配設された支持基板20と、素子収容部9内に半導体素子を収容する樹脂ケース10とを備えて構成される。樹脂ケース10は、素子収容部9を取り囲む側壁10aと、半導体素子に接続された2以上の外部端子2を引き出すための2以上の端子孔12が形成された天板10bと、天板10b及び互いに対向する2つの側壁10aから張り出した隔壁15a,15bとを一体的に形成することにより構成され、天板10bには、封止材7を注入するための注入孔14が形成され、支持基板20上に注入された封止材7の上面が隔壁15a,15bの下端に到達するように封止材7を注入することにより、封止材7及び天板10b間に形成される空間が隔壁15a,15bにより端子孔12間において仕切られる。
【選択図】 図3
Description
図1は、本発明の実施の形態による半導体装置の一構成例を示した斜視図であり、半導体装置の一例として、パワー半導体モジュール1が示されている。図2は、図1のパワー半導体モジュール1の構成例を示した図であり、図中の(a)には、パワー半導体モジュール1を鉛直上方から見た場合が示され、(b)には、水平方向から見た場合が示されている。
図5は、図4の支持基板20の構成例を示した図であり、支持基板20を鉛直上方から見た場合が示されている。図6は、図5の支持基板20上に形成されたサイリスタ回路30の回路構成の一例を示した図である。支持基板20の上面には、5つの外部端子2a〜2c,3a,3bと、2つの絶縁基板21a,21bと、2つの半導体チップ22a,22bとが配設されている。
図7は、図4の樹脂ケース10の構成例を示した図であり、樹脂ケース10を鉛直下方から見た場合が示されている。図8は、図7の樹脂ケース10の構成例を示した断面図であり、B−B切断線により切断した場合の切断面が示されている。樹脂ケース10には、左右方向に長い素子収容部9が形成されている。
図9は、図2のパワー半導体モジュール1の構成例を示した図であり、樹脂ケース10及び支持基板20の位置関係が示されている。この図には、樹脂ケース10及び支持基板20の位置関係を明確にするために、樹脂ケース10の一部を破断して素子収容部9内の様子が示されている。
10 樹脂ケース
10a 側壁
10b 天板
10c 底面開口
12,12a〜12c,13,13a,13b 端子孔
14 注入孔
15a,15b 隔壁
16a〜16c ナット収容穴
20 支持基板
21,21a,21b 絶縁基板
22,22a,22b 半導体チップ
2,2a〜2c,3,3a,3b 外部端子
4 貫通孔
6 端子接続用のナット
7 封止材
8 空隙
9 素子収容部
Claims (4)
- 上面に半導体素子が配設された支持基板と、
底面開口を上記支持基板で塞ぐことにより形成される素子収容部内に上記半導体素子を収容する樹脂ケースとを備え、
上記樹脂ケースは、上記素子収容部を取り囲む側壁と、上記半導体素子に接続された2以上の外部端子を引き出すための2以上の端子孔が形成された天板と、上記天板及び互いに対向する2つの上記側壁から張り出した隔壁とを一体的に形成することにより構成され、
上記天板には、ゲル状の封止材を上記素子収容部内に注入するための注入孔が形成され、
上記支持基板上に注入された上記封止材の上面が上記隔壁の下端に到達するように、上記封止材を注入することにより、上記封止材及び上記天板間に形成される空間が、上記隔壁により上記端子孔間において仕切られることを特徴とする半導体装置。 - 上記外部端子には、端子接続用のボルトを挿通させる貫通孔が形成され、
上記天板の上面には、上記端子孔から引き出され、上記天板と対向するように折り曲げられた上記外部端子の上記貫通孔を介し、上記ボルトと係合する2以上の係合穴が形成され、
上記注入孔は、貫通させた上記係合穴からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 上記素子収容部は、一方向に長い形状からなり、
上記天板には、3つの上記係合穴が形成され、
上記素子収容部の長手方向に配列された上記係合穴のうち、中央の係合穴が貫通する一方、両端の係合穴が非貫通であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 少なくとも一つの上記外部端子は、金属プレートを加工して形成され、その一端が上記端子孔を介して上記素子収容部から引き出され、他端には、2以上の上記半導体素子に接続する分岐部が形成され、
上記分岐部は、上記支持基板上に注入された上記封止材によって覆われていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
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