JPS6261349A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6261349A JPS6261349A JP19955485A JP19955485A JPS6261349A JP S6261349 A JPS6261349 A JP S6261349A JP 19955485 A JP19955485 A JP 19955485A JP 19955485 A JP19955485 A JP 19955485A JP S6261349 A JPS6261349 A JP S6261349A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- resin
- partition plates
- semiconductor device
- epoxy resin
- Prior art date
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関するものであり、とりわけ
、複数の素子を含む、樹脂封止形の半導体装置に関する
ものである。
、複数の素子を含む、樹脂封止形の半導体装置に関する
ものである。
近年、電子機器の発達は著しく、機器の小形軽量化が活
発に行われつつある。これらのもとをなすものの一つと
して半導体装置の小形軽量化が考えられている。このな
かでも中容量の電力用半導体の小形化および軽量化の手
段として、従来のキャンタイプやスタッドタイプのもの
から樹脂封止形のものへの切替えがさかんに行われてき
ており。
発に行われつつある。これらのもとをなすものの一つと
して半導体装置の小形軽量化が考えられている。このな
かでも中容量の電力用半導体の小形化および軽量化の手
段として、従来のキャンタイプやスタッドタイプのもの
から樹脂封止形のものへの切替えがさかんに行われてき
ており。
ざらに複数の素子を琳−パッケージに納めた構造をもつ
、いわゆるパワーモジュールが数多く開発されるように
なってきた。このモジュールも、近年は、太番ｔ（３０
０に、１０ＯＯＶ）のものや、インバータ用としてる素
子を単一パッケージに組込んだものなどが多くなり、そ
のパッケージもしたいに大きくなってきた。
、いわゆるパワーモジュールが数多く開発されるように
なってきた。このモジュールも、近年は、太番ｔ（３０
０に、１０ＯＯＶ）のものや、インバータ用としてる素
子を単一パッケージに組込んだものなどが多くなり、そ
のパッケージもしたいに大きくなってきた。
第３図は、従来のこの種の半導体装置を示し、この例は
、内部に二つのトランジスタチップを含み、外部電極と
してそれぞれのコレクタ電極お二び共、１１１のエミッ
タ電極をそなえた半導体装置である。図において、放熱
板（１）の上面に絶縁基板（２）が固着されている。こ
の絶縁基板（２）上にコレクタ電極となる電極（３）、
そ７１ぞれエミッタ電極、ベーヌｕイ極となる電極（１
（−ｔ）が絶縁基板（コ）上に固着されている。さらに
コレクタ電極（３）の上面には、トランジスタチップ（
６）が固着され、そのチップ−Ｌ面にはＡｌ線（７）に
よりエミッタ電極（す、ベース電極（ｉ）に接続されて
いる。（ざ）（ｑ）は外部端子となるコレクタ電極を示
し、（１０）は同様のエミッタ電極を示す。なお、ここ
では信号端子については、この発明と関係がないため、
省略している。
、内部に二つのトランジスタチップを含み、外部電極と
してそれぞれのコレクタ電極お二び共、１１１のエミッ
タ電極をそなえた半導体装置である。図において、放熱
板（１）の上面に絶縁基板（２）が固着されている。こ
の絶縁基板（２）上にコレクタ電極となる電極（３）、
そ７１ぞれエミッタ電極、ベーヌｕイ極となる電極（１
（−ｔ）が絶縁基板（コ）上に固着されている。さらに
コレクタ電極（３）の上面には、トランジスタチップ（
６）が固着され、そのチップ−Ｌ面にはＡｌ線（７）に
よりエミッタ電極（す、ベース電極（ｉ）に接続されて
いる。（ざ）（ｑ）は外部端子となるコレクタ電極を示
し、（１０）は同様のエミッタ電極を示す。なお、ここ
では信号端子については、この発明と関係がないため、
省略している。
次に、トランジスタチップ（６）の上面およびＡｌ線（
り）を医護するために、放熱板（１）と樹脂ケース（／
／）で囲で上れた空間に樹脂のゲル（／２）が充填され
、さらにその上方にエポキシ樹脂（／３）が充填されて
いる。
り）を医護するために、放熱板（１）と樹脂ケース（／
／）で囲で上れた空間に樹脂のゲル（／２）が充填され
、さらにその上方にエポキシ樹脂（／３）が充填されて
いる。
上記の構成になる従来の半導体装置の組立工程を要約す
ると、まず、放熱板（１）上に絶縁基板（２）、コレク
タ電極（，７） 、エミッタ電極（＋）、ベース電極（
５）およびトランジスタチップ（６）を固着する。
ると、まず、放熱板（１）上に絶縁基板（２）、コレク
タ電極（，７） 、エミッタ電極（＋）、ベース電極（
５）およびトランジスタチップ（６）を固着する。
次に、トランジスタチップ（Ａ）上面の電極とべ一ヌ電
極（５）、エミッタ電極（ｌをそれぞ：ｔ”ＬＡ、ｌ線
（７）により接続する。この後、放熱板（１）を囲むよ
うに樹脂ケース（／／）を接着して取付ける。そしてこ
のケース（／／）の中にゲル（／コ）を注入キュアーシ
、トランジスタチップ（乙）およヒＡｌ線（７）を医護
する。ついで、ゲル（／、２）の上にエポキシ樹脂（／
３）を注入し、ケース（／／）の上方よシフタ（／ｌＩ
）をかぶせて後キユアーをする。以上のようにして製品
は完成される。
極（５）、エミッタ電極（ｌをそれぞ：ｔ”ＬＡ、ｌ線
（７）により接続する。この後、放熱板（１）を囲むよ
うに樹脂ケース（／／）を接着して取付ける。そしてこ
のケース（／／）の中にゲル（／コ）を注入キュアーシ
、トランジスタチップ（乙）およヒＡｌ線（７）を医護
する。ついで、ゲル（／、２）の上にエポキシ樹脂（／
３）を注入し、ケース（／／）の上方よシフタ（／ｌＩ
）をかぶせて後キユアーをする。以上のようにして製品
は完成される。
〔発明が解決しようとする問題点３
以上のような従来の半導体装置では、最終工程のエポキ
シ樹脂のキュアーを行うと、樹脂の硬化収縮によシケー
スの両端部がそれぞれ内側に引張られるために放熱板（
１）が下方に凸状に変形するとともに、トランジスタチ
ップ（６）も変形するという問題点があった。この影響
はケース（／／）の寸法が大きくなるほど顕著にあられ
れろため、近年、製品が大形になるにつれ大きな問題と
なってきている。また、この硬化時の収縮力は、外部端
子（ｇ）（９）（１０）に対しても加わるため、それぞ
れの端子の下方固着個所においてもそのストレスによっ
て不具合が生じるという問題点もあった。
シ樹脂のキュアーを行うと、樹脂の硬化収縮によシケー
スの両端部がそれぞれ内側に引張られるために放熱板（
１）が下方に凸状に変形するとともに、トランジスタチ
ップ（６）も変形するという問題点があった。この影響
はケース（／／）の寸法が大きくなるほど顕著にあられ
れろため、近年、製品が大形になるにつれ大きな問題と
なってきている。また、この硬化時の収縮力は、外部端
子（ｇ）（９）（１０）に対しても加わるため、それぞ
れの端子の下方固着個所においてもそのストレスによっ
て不具合が生じるという問題点もあった。
この発明は、かかる問題点を解消しよりとするもので、
充填される樹脂の硬化時に生じる放熱板等の変形を防止
することができ、装置の大形化を容易にした半導体装置
を得ることを目的とする。
充填される樹脂の硬化時に生じる放熱板等の変形を防止
することができ、装置の大形化を容易にした半導体装置
を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、ケース上面に結合される
フタの下面に仕切板を突設し、ケース内にコ層Ｖ（注形
されたユ稲類の樹脂の下方の樹脂層に仕切板が到達して
いる。
フタの下面に仕切板を突設し、ケース内にコ層Ｖ（注形
されたユ稲類の樹脂の下方の樹脂層に仕切板が到達して
いる。
この発明においては、上方の樹脂層が仕切板によって分
割され、樹脂硬化時にケース両端部に生じる引張力も分
割され、放熱板やトランジスタチップを変形させる力が
減少する。
割され、樹脂硬化時にケース両端部に生じる引張力も分
割され、放熱板やトランジスタチップを変形させる力が
減少する。
第／図、第コ図はこの発明の一実施例を示し２、第３図
におけると同一符号は同一部分を示［７ている。１だ、
製造工程は従来の半導体装置の場合と全く同−手Ｊｌｆ
ｉで行うことができる。第λ（Ａに示すフタ（，２ｐ
）の下口に一体に仕切板（，２り）をΩ個所突設しであ
る。この仕切板（２よ）の下端は、第１図に示すように
、ゲル（／２）の層まで到達している。
におけると同一符号は同一部分を示［７ている。１だ、
製造工程は従来の半導体装置の場合と全く同−手Ｊｌｆ
ｉで行うことができる。第λ（Ａに示すフタ（，２ｐ
）の下口に一体に仕切板（，２り）をΩ個所突設しであ
る。この仕切板（２よ）の下端は、第１図に示すように
、ゲル（／２）の層まで到達している。
以上の構成により、仕切板（２りにより、エポキシ樹脂
（／３）の層は、ケース（／／）内部で３分割されるこ
とになる。したがって、エポキシ樹万旨（／３）の硬化
収縮により生じる力は、仕切板（ＳＳ）がない場合には
、ケース（／／）の両端部を引き寄せるように働いて放
熱板（１）を変形させるが、この仕切板（２よ）を設け
たことによって、ケース（／／）の両端部は内側に引張
られるが、その引張力を生じさせるのは、ケース（／／
）と仕切板（、！、Ｓ−）間のエポキシ樹脂の硬化収縮
のみであるので、その力は著しく軽減され、放熱板（１
）やトランジスタチップ（Ａ）の変形が防止される。
（／３）の層は、ケース（／／）内部で３分割されるこ
とになる。したがって、エポキシ樹万旨（／３）の硬化
収縮により生じる力は、仕切板（ＳＳ）がない場合には
、ケース（／／）の両端部を引き寄せるように働いて放
熱板（１）を変形させるが、この仕切板（２よ）を設け
たことによって、ケース（／／）の両端部は内側に引張
られるが、その引張力を生じさせるのは、ケース（／／
）と仕切板（、！、Ｓ−）間のエポキシ樹脂の硬化収縮
のみであるので、その力は著しく軽減され、放熱板（１
）やトランジスタチップ（Ａ）の変形が防止される。
なお、上記実施例では、ケース（／／）内に充填される
一層の樹脂を、ゲル（／、２）とエポキシ樹脂（／３）
としたが、これに限らず、コ種類の樹脂を２層に充填し
たものであればよい。また、仕切板（２Ｓ）の個数も任
意でよい。
一層の樹脂を、ゲル（／、２）とエポキシ樹脂（／３）
としたが、これに限らず、コ種類の樹脂を２層に充填し
たものであればよい。また、仕切板（２Ｓ）の個数も任
意でよい。
この発明は、以上の説明から明らかなように、ケース上
端に結合するフタの下端に仕切板を突設し、ケース内に
一層に充填される樹脂の上層を仕切板により分割したの
で、樹脂の硬化収縮時にケース両端部を内側へ引張る力
が軽減され、放熱板やトランジスタチップの変形が防止
され、従来と同様のプロセスで装置の大形化が容易に達
成される。
端に結合するフタの下端に仕切板を突設し、ケース内に
一層に充填される樹脂の上層を仕切板により分割したの
で、樹脂の硬化収縮時にケース両端部を内側へ引張る力
が軽減され、放熱板やトランジスタチップの変形が防止
され、従来と同様のプロセスで装置の大形化が容易に達
成される。
第１図はこの発明の一実施例の正断面図、第一図は同じ
く一部斜視図、第３図は従来の半導体装置の正断面図で
ある。 （１）・・放熱板、（，２）・・絶縁基板、（３）・・
コレクタｍ１（Ｋ極）、（Ａ）・・トランジスタチップ
、（／／）・・樹脂ケース、（／、！ ）（／３）・・
ゲルおよびエポキシ樹脂でなる２層の樹脂、し豪）・・
フタ、（，２ｓ）・・仕切板。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
く一部斜視図、第３図は従来の半導体装置の正断面図で
ある。 （１）・・放熱板、（，２）・・絶縁基板、（３）・・
コレクタｍ１（Ｋ極）、（Ａ）・・トランジスタチップ
、（／／）・・樹脂ケース、（／、！ ）（／３）・・
ゲルおよびエポキシ樹脂でなる２層の樹脂、し豪）・・
フタ、（，２ｓ）・・仕切板。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）放熱板上に固着された絶縁基板と、この絶縁基板
上に固着された複数の電極と、この電極上にそれぞれ固
着された複数のトランジスタチップと、前記放熱板をと
り囲んで接着された樹脂ケースと、この樹脂ケース内に
上下２層に注形された２種類の樹脂と、前記樹脂ケース
の上端に結合されたフタとを備えた半導体装置において
、前記フタの下面に突設され先端が下層の前記樹脂まで
到達して上層の前記樹脂を分割した仕切板を備えてなる
ことを特徴とする半導体装置。 - （２）２種類の樹脂が、下層のゲル状樹脂と上層の硬化
エポキシ樹脂からなる特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19955485A JPS6261349A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19955485A JPS6261349A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6261349A true JPS6261349A (ja) | 1987-03-18 |
| JPH047590B2 JPH047590B2 (ja) | 1992-02-12 |
Family
ID=16409756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19955485A Granted JPS6261349A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6261349A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065812A (en) * | 1989-09-11 | 1991-11-19 | Nippon Steel Corporation | Process for the twin-roll type, continuous casting of metal sheets |
| JP2011023458A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015041659A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
| WO2024057752A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、半導体装置、及び車両 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55101052U (ja) * | 1979-01-10 | 1980-07-14 | ||
| JPS6120771U (ja) * | 1984-07-09 | 1986-02-06 | 日本フエラス工業株式会社 | サツシ枠の建付装置 |
-
1985
- 1985-09-11 JP JP19955485A patent/JPS6261349A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55101052U (ja) * | 1979-01-10 | 1980-07-14 | ||
| JPS6120771U (ja) * | 1984-07-09 | 1986-02-06 | 日本フエラス工業株式会社 | サツシ枠の建付装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065812A (en) * | 1989-09-11 | 1991-11-19 | Nippon Steel Corporation | Process for the twin-roll type, continuous casting of metal sheets |
| JP2011023458A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015041659A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
| WO2024057752A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、半導体装置、及び車両 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047590B2 (ja) | 1992-02-12 |
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