JPH0255416A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0255416A JPH0255416A JP20698688A JP20698688A JPH0255416A JP H0255416 A JPH0255416 A JP H0255416A JP 20698688 A JP20698688 A JP 20698688A JP 20698688 A JP20698688 A JP 20698688A JP H0255416 A JPH0255416 A JP H0255416A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ＭＯ３型集積回路（ＭＯ３工０）に於けるＳ
ＯＦ （５ｗ１ｔｃｈｅｄ ＣａｐａｃｉｔｏｒＦ
ｉｌｔｅｒ ）の＋８造に関する。
ＯＦ （５ｗ１ｔｃｈｅｄ ＣａｐａｃｉｔｏｒＦ
ｉｌｔｅｒ ）の＋８造に関する。
［従来の技術］
第２図に示すように、従来ＭＯＳ工０でＳＣＥ’を形成
する場合、シリコン基板２０１上に、第１多結晶シリコ
ン層２０２を形成し、この抵抗を下げる目的で、リン、
ヒ素などのＮ型不純物を熱拡散もしくは、イオン注入に
よりドープする。次にこの第１多結晶シリコン膜２０２
を８００〜１１００℃のドライ酸素雰囲気もしくは、水
分もしくは水素を含んだ酸素雰囲気で熱酸化しシリコン
酸化膜２０３を形成する。次に第１多結晶シリコンと同
様な方法で、Ｎ型不純物を含む第２多結晶シリコン膜２
０４を形成し、先の第１多結晶シリコン２０２が電極と
なり、絶縁体としてシリコン酸化膜２０６からなるコン
デンサーとなる。ここで、このコンデンサーに求められ
る条件は次のようなものがある。
する場合、シリコン基板２０１上に、第１多結晶シリコ
ン層２０２を形成し、この抵抗を下げる目的で、リン、
ヒ素などのＮ型不純物を熱拡散もしくは、イオン注入に
よりドープする。次にこの第１多結晶シリコン膜２０２
を８００〜１１００℃のドライ酸素雰囲気もしくは、水
分もしくは水素を含んだ酸素雰囲気で熱酸化しシリコン
酸化膜２０３を形成する。次に第１多結晶シリコンと同
様な方法で、Ｎ型不純物を含む第２多結晶シリコン膜２
０４を形成し、先の第１多結晶シリコン２０２が電極と
なり、絶縁体としてシリコン酸化膜２０６からなるコン
デンサーとなる。ここで、このコンデンサーに求められ
る条件は次のようなものがある。
（１） 単位面積当りの各社を極力大きくしたい。つ
まり、シリコン酸化１摸２０３は、薄い方がよい。
まり、シリコン酸化１摸２０３は、薄い方がよい。
（２） コンデンサーとしての絶縁耐圧を大きくした
い。これはシリコン酸化膜２０６は、厚い方がよい。以
上の（］−） （２）を同時に満たすことは容易ではな
いため、−膜内には、信頼性上絶縁耐圧を上げるため、
シリコン酸化膜厚はｉ ｏｏｏ〜２０００’Ａとシリコ
ン酸化膜厚としてはかなり厚い膜厚を使用している。そ
のため、コンデンサーとしての容量を得るため、１つの
コンデンサー面積として、１００００−１０００００μ
ｍ２程度の■ｃとしては大面積を必要となる。
い。これはシリコン酸化膜２０６は、厚い方がよい。以
上の（］−） （２）を同時に満たすことは容易ではな
いため、−膜内には、信頼性上絶縁耐圧を上げるため、
シリコン酸化膜厚はｉ ｏｏｏ〜２０００’Ａとシリコ
ン酸化膜厚としてはかなり厚い膜厚を使用している。そ
のため、コンデンサーとしての容量を得るため、１つの
コンデンサー面積として、１００００−１０００００μ
ｍ２程度の■ｃとしては大面積を必要となる。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、従来の方法で問題となっている絶縁耐圧及び
単位面積当りの容量という相反する＊題を同時に解決し
ようとするものである。
単位面積当りの容量という相反する＊題を同時に解決し
ようとするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明では、比誘電率がシリコント１ρ化膜の３９に対
し、窒素、酸累組成により５〜７程度と大きくとれる。
し、窒素、酸累組成により５〜７程度と大きくとれる。
シリコン酸窒化膜を絶縁膜としてシリコン酸化膜と併用
することにより、従来より高容量のＳＯＦ ｉｆｆを提
供するものである。
することにより、従来より高容量のＳＯＦ ｉｆｆを提
供するものである。
［実施例］
第１図に本発明の構造を示す。従来例と同しように、シ
リコン基板１０１上に、多結晶シリコン［１ｏ２を４ｓ
ｏｏＸ形成する。電極としての抵抗を下げる目的で、こ
の多結晶シリコン膜に、９００°０の窒素ｔｐｏａｚ、
雰囲気で熱拡散を行ない、シート抵抗で２５Ω程度にし
た。次に、１゜００ ’Ｃドライ酸素雰囲気下で、この
多結晶シリコン膜１０２上に６ｏｏＸ程度のシリコンｍ
化膜１０３を酸化成長させる。次にプラズマＯＶＤ法に
より、シリコン酸窒化膜１０４を、４００”Ｏで形成す
る。ここでは、Ｎ２０ 、 ＮＨ３、Ｓ ｉＨ４ＩＴ）
各ガスのガス圧比のコントロールよりシリコン／酸素／
窒紫元素比 約２対１対２のシリコン酸窒化膜１０４を
７５０Ｘ形成した。尚このシリコン酸窒化膜１０４の比
誘電率として約６．２を得た。
リコン基板１０１上に、多結晶シリコン［１ｏ２を４ｓ
ｏｏＸ形成する。電極としての抵抗を下げる目的で、こ
の多結晶シリコン膜に、９００°０の窒素ｔｐｏａｚ、
雰囲気で熱拡散を行ない、シート抵抗で２５Ω程度にし
た。次に、１゜００ ’Ｃドライ酸素雰囲気下で、この
多結晶シリコン膜１０２上に６ｏｏＸ程度のシリコンｍ
化膜１０３を酸化成長させる。次にプラズマＯＶＤ法に
より、シリコン酸窒化膜１０４を、４００”Ｏで形成す
る。ここでは、Ｎ２０ 、 ＮＨ３、Ｓ ｉＨ４ＩＴ）
各ガスのガス圧比のコントロールよりシリコン／酸素／
窒紫元素比 約２対１対２のシリコン酸窒化膜１０４を
７５０Ｘ形成した。尚このシリコン酸窒化膜１０４の比
誘電率として約６．２を得た。
次に、先の多結晶７リコン１ｉ１ｏ２と同様に、第２多
結晶ンソコンＩｎ Ｔ ０５を、約４０００２形成し、
Ｎ型不純物を拡散し、シート抵抗で２５Ω程度にした。
結晶ンソコンＩｎ Ｔ ０５を、約４０００２形成し、
Ｎ型不純物を拡散し、シート抵抗で２５Ω程度にした。
また、本実施例ではシリコン酸窒化膜１０４の膜質の向
上を目的に、上記シーＶフン酸窒化膜１０４形成直後も
しくは、第２多結晶シリコン膜１［］５形成後のいづれ
かに、４ｏｏ〜８００℃の水素を含むアルゴンガス雰囲
気下で、２０分〜２時間のアニールヲ行った。
上を目的に、上記シーＶフン酸窒化膜１０４形成直後も
しくは、第２多結晶シリコン膜１［］５形成後のいづれ
かに、４ｏｏ〜８００℃の水素を含むアルゴンガス雰囲
気下で、２０分〜２時間のアニールヲ行った。
容量で１２％向上、耐圧では４２〜５０％の向上があっ
た。耐圧を従来法程度に下げれば、つまりシリコン酸化
膜及びシリコン１稜蟹化膜をより薄くすることにより、
容量値をより太き（することは可能である。
た。耐圧を従来法程度に下げれば、つまりシリコン酸化
膜及びシリコン１稜蟹化膜をより薄くすることにより、
容量値をより太き（することは可能である。
［発明の効果］
本発明では、絶縁膜としてシリコン酸窒化膜を使うこと
により、従来のシリコン酸化膜に比べ高容量を得ること
ができた。又、絶縁耐圧についても向上できた。これを
、従来のシリコン酸化膜１２０口＾のものと、本発明の
シリコン酸化膜６゜ＯＸプラスシシリコン窒化膜７５０
又の比較結果を以下の第１表にまとめる。
により、従来のシリコン酸化膜に比べ高容量を得ること
ができた。又、絶縁耐圧についても向上できた。これを
、従来のシリコン酸化膜１２０口＾のものと、本発明の
シリコン酸化膜６゜ＯＸプラスシシリコン窒化膜７５０
又の比較結果を以下の第１表にまとめる。
第１図が本発明のＳＣＦの断面図、第２図が従来法の５
ｃＦｆＩｂ 以上
ｃＦｆＩｂ 以上
Claims (1)
- 多結晶シリコン膜が形成されていること、該多結晶シリ
コン膜の熱酸化によるシリコン酸化膜が形成されている
こと、プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸窒化膜が形成
されていること、多結晶シリコン膜が形成されているこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20698688A JPH0255416A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20698688A JPH0255416A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0255416A true JPH0255416A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16532286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20698688A Pending JPH0255416A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0255416A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0588087A2 (en) * | 1992-08-20 | 1994-03-23 | Sony Corporation | Method of determining optimum optical conditions for an anti-reflective layer used in a method of forming a resist pattern |
| KR100276047B1 (ko) * | 1992-12-29 | 2000-12-15 | 이데이 노부유끼 | 레지스트패턴형성방법 및 박막형성방법 |
| US6444506B1 (en) * | 1995-10-25 | 2002-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing silicon thin film devices using laser annealing in a hydrogen mixture gas followed by nitride formation |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP20698688A patent/JPH0255416A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0588087A2 (en) * | 1992-08-20 | 1994-03-23 | Sony Corporation | Method of determining optimum optical conditions for an anti-reflective layer used in a method of forming a resist pattern |
| EP0588087A3 (en) * | 1992-08-20 | 1995-08-02 | Sony Corp | Method for determining the optimal optical properties of an anti-reflection layer and use of a method for forming a paint pattern. |
| KR100276047B1 (ko) * | 1992-12-29 | 2000-12-15 | 이데이 노부유끼 | 레지스트패턴형성방법 및 박막형성방법 |
| US6444506B1 (en) * | 1995-10-25 | 2002-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing silicon thin film devices using laser annealing in a hydrogen mixture gas followed by nitride formation |
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