JPH0254629A - トランジスタ電力増幅器 - Google Patents
トランジスタ電力増幅器Info
- Publication number
- JPH0254629A JPH0254629A JP63206063A JP20606388A JPH0254629A JP H0254629 A JPH0254629 A JP H0254629A JP 63206063 A JP63206063 A JP 63206063A JP 20606388 A JP20606388 A JP 20606388A JP H0254629 A JPH0254629 A JP H0254629A
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- JP
- Japan
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- detector
- power amplifier
- transistor
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- Prior art date
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- Granted
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 2
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＡＭ変調波を増幅するトランジスタ電力増幅
器に関し、特にテレビジョン放送機に用いるトランジス
タ電力増幅器に関する。
器に関し、特にテレビジョン放送機に用いるトランジス
タ電力増幅器に関する。
従来、この種のテレビジョン放送機に用いるトランジス
タ電力増幅器は、良好な直線性と高出力、低消費電力が
要求される為、トランジスタをＡＢ級動作で使用するこ
とが多く、特に高出力が要求される終段のトランジスタ
電力増幅器はどＢ級に近いＡＢ級動作となっている。
タ電力増幅器は、良好な直線性と高出力、低消費電力が
要求される為、トランジスタをＡＢ級動作で使用するこ
とが多く、特に高出力が要求される終段のトランジスタ
電力増幅器はどＢ級に近いＡＢ級動作となっている。
上述した従来のトランジスタ電力増幅器は、ＡＢ級動作
であるためアベレージビクチュアレベル（以下ＡＰＬと
呼ぶ）により直線性が変化する、所謂ＡＰＬ変動が大き
いという欠点を有していた。
であるためアベレージビクチュアレベル（以下ＡＰＬと
呼ぶ）により直線性が変化する、所謂ＡＰＬ変動が大き
いという欠点を有していた。
一般にこのＡＰＬ変動は、ＡＰＬ５０％以下即ちテレビ
ジョン放送波の画成分の包絡線の平均値が一部レベル以
上であり、トランジスタ電力増幅器に一部レベル以上の
電流が流れる場合には、白レベル側の直線性が良好で微
分利得等が平坦であるのに、ＡＰＬ９０％ではトランジ
スタ電力増幅器に流れる電流が減少するため白レベル側
の利得が減少し白レベル側の微分利得がつまるという傾
向を有している。
ジョン放送波の画成分の包絡線の平均値が一部レベル以
上であり、トランジスタ電力増幅器に一部レベル以上の
電流が流れる場合には、白レベル側の直線性が良好で微
分利得等が平坦であるのに、ＡＰＬ９０％ではトランジ
スタ電力増幅器に流れる電流が減少するため白レベル側
の利得が減少し白レベル側の微分利得がつまるという傾
向を有している。
本発明のトランジスタ電力増幅器は、入力信号の一部を
検波する検波器と検波器の出力をインピータンス変換す
るトランジスタのエミッタフォロワ回路を有し、前述の
検波器の出力に応じてＡ３級動作トランジスタ電力増幅
器のベースバイアス電圧を制御している。このためＡＰ
Ｌ９０％でトランジスタ電力増幅器に流れる電流が減少
し白レベル側の微分利得がつまる場合には、ベースバイ
アス電圧を上げ微分利得を伸ばす方向に動作し、ＡＦＬ
変化による微分利得の変化を減少させることを可能とし
ている。
検波する検波器と検波器の出力をインピータンス変換す
るトランジスタのエミッタフォロワ回路を有し、前述の
検波器の出力に応じてＡ３級動作トランジスタ電力増幅
器のベースバイアス電圧を制御している。このためＡＰ
Ｌ９０％でトランジスタ電力増幅器に流れる電流が減少
し白レベル側の微分利得がつまる場合には、ベースバイ
アス電圧を上げ微分利得を伸ばす方向に動作し、ＡＦＬ
変化による微分利得の変化を減少させることを可能とし
ている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の系統図である。
第１図によると、トランジスタ電力増幅器の入力１から
入力された信号は方向性結合器２によって一部を取り出
され検波器７によって検波される。
入力された信号は方向性結合器２によって一部を取り出
され検波器７によって検波される。
ここで検波器７の出力は、入力信号のＡＰＬがＡＰＬ９
０％と高い場合に電圧が高＜ＡＰＬＩＯ％とＡＰＬが低
い場合は、低電圧出力となる。次にこの検波器７の出力
は、トランジスタのエミッタフォロア回路８を通りイン
ピーダンス変換されベースバイアス抵抗９．ＲＦ阻止コ
イル１１を通りＡＢ級動作トランジスタ４のベースにベ
ースバイアスとして供給される。従ってＡＰＬ９０％の
場合で、ＡＢ級動作のトランジスタ電力増幅器に流れる
電流が少く、白レベル側の利得が減少し、白側の微分利
得がつまる場合には、検波器７の出力電圧が上がり、ベ
ースバイアス電圧を上げＡＢ級動作トランジスタに流れ
る電流を追加し白側の微分利得を伸ばし平坦にすること
が可能である。
０％と高い場合に電圧が高＜ＡＰＬＩＯ％とＡＰＬが低
い場合は、低電圧出力となる。次にこの検波器７の出力
は、トランジスタのエミッタフォロア回路８を通りイン
ピーダンス変換されベースバイアス抵抗９．ＲＦ阻止コ
イル１１を通りＡＢ級動作トランジスタ４のベースにベ
ースバイアスとして供給される。従ってＡＰＬ９０％の
場合で、ＡＢ級動作のトランジスタ電力増幅器に流れる
電流が少く、白レベル側の利得が減少し、白側の微分利
得がつまる場合には、検波器７の出力電圧が上がり、ベ
ースバイアス電圧を上げＡＢ級動作トランジスタに流れ
る電流を追加し白側の微分利得を伸ばし平坦にすること
が可能である。
第２図は及び第３図は第１図を更に具体的にした回路図
である。第２図においては、第１図の方向性供給器２の
代りに分圧抵抗２１と終端抵抗２２によって入力信号の
一部がとり出され検波ダイオード２３により検波される
。
である。第２図においては、第１図の方向性供給器２の
代りに分圧抵抗２１と終端抵抗２２によって入力信号の
一部がとり出され検波ダイオード２３により検波される
。
次に検波ダイオード２３によって検波された信号は、高
周波バイパスコンデンサ２４．抵抗２５、直流阻止コン
デンサ２６によって成形され、画成分の平均レベル即ち
ＡＰＬに応じた電圧波形となる。そして前述のＡＰＬに
応じた電圧波形は、クランプレベル設定用可変抵抗２７
及びクランプ用ダイオード２８によってＤＣ電圧をクラ
ンプされた後エミッタフォロアトランジスタ２９によっ
てインピーダンス変換され抵抗３１．バイアス回路用ダ
イオード３２．バイアス電圧設定用可変抵抗３３．ベー
スバイアス回路直列抵抗３４から成る従来のベースバイ
アス回路に加えられる。
周波バイパスコンデンサ２４．抵抗２５、直流阻止コン
デンサ２６によって成形され、画成分の平均レベル即ち
ＡＰＬに応じた電圧波形となる。そして前述のＡＰＬに
応じた電圧波形は、クランプレベル設定用可変抵抗２７
及びクランプ用ダイオード２８によってＤＣ電圧をクラ
ンプされた後エミッタフォロアトランジスタ２９によっ
てインピーダンス変換され抵抗３１．バイアス回路用ダ
イオード３２．バイアス電圧設定用可変抵抗３３．ベー
スバイアス回路直列抵抗３４から成る従来のベースバイ
アス回路に加えられる。
また、第３図においては、方向性結合器２により、入力
信号１の一部を取り出し、直流阻止コンデンサ２６を通
り検波ダイオード２３により検波される。検波された信
号はコンデンサ３８に充放電される。またコンデンサ３
８の両端に発生する電圧は画成分の平均レベル（ＡＰＬ
）によって変化するが、その変化する速度は抵抗３９，
４．０゜４１やコンデンサ３８の値により任意に選ぶこ
とができ、ＡＰＬが変動しても微分利得特性等の定常変
化を追従することができる。また、更に、クランプレベ
ル設定用可変抵抗２７．抵抗３７によりＤＣ電圧をクラ
ンプし、トランジスタエミッタフォロワ回路２９によっ
てインピーダンス変換され、ＡＢ級動作トランジスタ４
のベースバイアス回路に加えられる。
信号１の一部を取り出し、直流阻止コンデンサ２６を通
り検波ダイオード２３により検波される。検波された信
号はコンデンサ３８に充放電される。またコンデンサ３
８の両端に発生する電圧は画成分の平均レベル（ＡＰＬ
）によって変化するが、その変化する速度は抵抗３９，
４．０゜４１やコンデンサ３８の値により任意に選ぶこ
とができ、ＡＰＬが変動しても微分利得特性等の定常変
化を追従することができる。また、更に、クランプレベ
ル設定用可変抵抗２７．抵抗３７によりＤＣ電圧をクラ
ンプし、トランジスタエミッタフォロワ回路２９によっ
てインピーダンス変換され、ＡＢ級動作トランジスタ４
のベースバイアス回路に加えられる。
従って、第２図及び第３図の回路によりベースバイアス
電圧は、従来と異なり画成分の平均レベル（ＡＬＰ）に
応じて変化し、ＡＬＰ変動を減少させる事が可能である
。
電圧は、従来と異なり画成分の平均レベル（ＡＬＰ）に
応じて変化し、ＡＬＰ変動を減少させる事が可能である
。
以上説明したように、本発明はテレビジョン放送波を増
幅するＡＥ級動作のトランジスタ電力増幅器において入
力信号の一部を検波器を用いて検波し、波形成形後トラ
ンジスタのエミッタフォロア回路によりインピーダンス
変換した後ベースバイアス回路に加えることにより、ベ
ースバイアス電圧をＡＰＬ変動による特性の変動を抑制
するよう制御し、微分利得特性等のＡＰＬ変動を減少さ
せる効果を有する。
幅するＡＥ級動作のトランジスタ電力増幅器において入
力信号の一部を検波器を用いて検波し、波形成形後トラ
ンジスタのエミッタフォロア回路によりインピーダンス
変換した後ベースバイアス回路に加えることにより、ベ
ースバイアス電圧をＡＰＬ変動による特性の変動を抑制
するよう制御し、微分利得特性等のＡＰＬ変動を減少さ
せる効果を有する。
また、入力信号の一部を検波する検波器と検波器出力を
インピーダンス変換するトランジスタのエミッタフォロ
ア回路との間に、抵抗やコンデンサから成る回路を組み
込み、これら抵抗やコンデンサの値を任意に定めること
によりＡＰＬが変動しても微分利得特性等の定常変化を
追従できる効果を有する。
インピーダンス変換するトランジスタのエミッタフォロ
ア回路との間に、抵抗やコンデンサから成る回路を組み
込み、これら抵抗やコンデンサの値を任意に定めること
によりＡＰＬが変動しても微分利得特性等の定常変化を
追従できる効果を有する。
第１図は、本発明の一実施例の系統図、第２図及び第３
図は第１図を具体化した回路図、第４図は従来の回路図
である。 １・・・・・・トランジスタ電力増幅器の入力、２・・
・・・・方向性結合器、３・・・・・・トランジスタ電
力増幅器の入力整合回路、４・・・・・・ＡＢ級動作ト
ランジスタ、５・・・・・・トランジスタ電力増幅器の
出力整合回路、６・・・・・・トランジスタ電力増幅器
の出力、７・・・・・・検波器、８・・・・・・トラン
ジスタのエミッタフォロア回路、９・・・・・・ベース
バイアス回路直列抵抗、１ｏ・・・・・・バイパスコン
デンサ、１１・・印・バイアス回路のＲＦ阻止コイル、
２１・・・・・・分圧抵抗、２２・・・・・・終端抵抗
、２３・・・・・・検波ダイオード、２４・・・・・・
高周波バイパスコンデンサ、２５・・・・・・ｍＬ２６
・・・・・・直流阻止コンデ、ンサ、２７・・・・・・
クランプレベル設定用可変抵抗、２８・・・・・・クラ
ンプ用ダイオード、２９・・・・・・エミッタフォロア
トランジスタ、３ｏ。 ３１・・・・・・抵抗、３２・・・・・・バイアス回路
用ダイオード、３３・・・・・・バイアス電圧設定用可
変抵抗、３４・・・・・・ベースバイアス回路直列抵抗
、３５．３６・・・・・・ベースバイアス用直流電圧入
力端子、３７・・・・・・クランプレベル設定用抵抗、
３８・・・・・・コンデンサ、３９．４０．４１・・・
・・・抵抗、４２・・・・・・可変抵抗、４３・・・・
・・高周波バイパスコンデンサ。
図は第１図を具体化した回路図、第４図は従来の回路図
である。 １・・・・・・トランジスタ電力増幅器の入力、２・・
・・・・方向性結合器、３・・・・・・トランジスタ電
力増幅器の入力整合回路、４・・・・・・ＡＢ級動作ト
ランジスタ、５・・・・・・トランジスタ電力増幅器の
出力整合回路、６・・・・・・トランジスタ電力増幅器
の出力、７・・・・・・検波器、８・・・・・・トラン
ジスタのエミッタフォロア回路、９・・・・・・ベース
バイアス回路直列抵抗、１ｏ・・・・・・バイパスコン
デンサ、１１・・印・バイアス回路のＲＦ阻止コイル、
２１・・・・・・分圧抵抗、２２・・・・・・終端抵抗
、２３・・・・・・検波ダイオード、２４・・・・・・
高周波バイパスコンデンサ、２５・・・・・・ｍＬ２６
・・・・・・直流阻止コンデ、ンサ、２７・・・・・・
クランプレベル設定用可変抵抗、２８・・・・・・クラ
ンプ用ダイオード、２９・・・・・・エミッタフォロア
トランジスタ、３ｏ。 ３１・・・・・・抵抗、３２・・・・・・バイアス回路
用ダイオード、３３・・・・・・バイアス電圧設定用可
変抵抗、３４・・・・・・ベースバイアス回路直列抵抗
、３５．３６・・・・・・ベースバイアス用直流電圧入
力端子、３７・・・・・・クランプレベル設定用抵抗、
３８・・・・・・コンデンサ、３９．４０．４１・・・
・・・抵抗、４２・・・・・・可変抵抗、４３・・・・
・・高周波バイパスコンデンサ。
Claims (1)
- ＡＭ変調波を増幅するＡＢ級動作トランジスタ電力増幅
器において入力信号の部を検波する検波器と、前記検波
器の出力をインピーダンス変換するトランジスタのエミ
ッタフォロア回路を有し、前記検波器の出力に応じて該
ＡＢ級動作トランジスタ電力増幅器のベースバイアス電
圧を制御するトランジスタ電力増幅器において、入力信
号の一部を検波する検波器と、検波器の出力をインピー
ダンス変換するトランジスタのエミッタフォロア回路と
の間に検波された信号を充放電するコンデンサと、前記
コンデンサにつながる抵抗やコンデンサ等から成る回路
を組み込み、前記検波信号を充放電するコンデンサの両
端に発生する電圧が変化する速度を前記組み込んだ回路
の各素子の値により任意に設定し微分利得特性等の定常
変化を追従できることを特徴とするトランジスタ電力増
幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63206063A JPH0720064B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | トランジスタ電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63206063A JPH0720064B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | トランジスタ電力増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254629A true JPH0254629A (ja) | 1990-02-23 |
| JPH0720064B2 JPH0720064B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=16517235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63206063A Expired - Lifetime JPH0720064B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | トランジスタ電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720064B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0454007A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-21 | Nec Corp | 高周波パルス電力増幅器 |
| US6331799B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-12-18 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Bias circuit for control input of power transistor |
| JP2007166101A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電力増幅器および無線機 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009125555A1 (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-15 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅器 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63206063A patent/JPH0720064B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0454007A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-21 | Nec Corp | 高周波パルス電力増幅器 |
| US6331799B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-12-18 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Bias circuit for control input of power transistor |
| JP2007166101A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電力増幅器および無線機 |
| JP4609300B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2011-01-12 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅器および無線機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0720064B2 (ja) | 1995-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080306 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306 Year of fee payment: 14 |