JPH0254406A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH0254406A JPH0254406A JP20514788A JP20514788A JPH0254406A JP H0254406 A JPH0254406 A JP H0254406A JP 20514788 A JP20514788 A JP 20514788A JP 20514788 A JP20514788 A JP 20514788A JP H0254406 A JPH0254406 A JP H0254406A
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Landscapes
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＶＴＲ，ＤＡＴあるいはＦＤＤ等に用いられる
高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録するのに
適した磁気へノドに関する。
高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録するのに
適した磁気へノドに関する。
従来の技術
高密度磁気記録再生においては、記録媒体の保磁力を大
きくすれば有利であることが一最に知られているが、高
保磁力の記録媒体に情報を記録するためには強い磁場が
必要となる。へノドコア材として主流をなすフェライト
材はその飽和磁束密度が４０００〜５０００ガウス程度
であるため、磁気記録媒体の保磁力が１０００エルステ
ッド以上の磁気記録媒体（例えばメタルテープ）になる
と記録が不十分になるという欠点がある。
きくすれば有利であることが一最に知られているが、高
保磁力の記録媒体に情報を記録するためには強い磁場が
必要となる。へノドコア材として主流をなすフェライト
材はその飽和磁束密度が４０００〜５０００ガウス程度
であるため、磁気記録媒体の保磁力が１０００エルステ
ッド以上の磁気記録媒体（例えばメタルテープ）になる
と記録が不十分になるという欠点がある。
そこでフェライトよりも飽和磁束密度の大きいＣｏＮｂ
Ｚｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等のＣｏ系の非晶質合金が利用
されている。しかしながらこれら非晶質磁性合金に於い
ても飽和磁束密度を大きくするためには合金中のＣＯ量
を多くすることが必要となる。一方ＣＯ量を多くすると
非晶質合金の結晶化温度が低くなり、熱処理工程の多い
へラドの製造に支障をきたす、従って現状では９０００
ガウス程度以下の飽和磁束密度を示す非晶質合金を利用
してしか磁気ヘッドとして製造できていない。
Ｚｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等のＣｏ系の非晶質合金が利用
されている。しかしながらこれら非晶質磁性合金に於い
ても飽和磁束密度を大きくするためには合金中のＣＯ量
を多くすることが必要となる。一方ＣＯ量を多くすると
非晶質合金の結晶化温度が低くなり、熱処理工程の多い
へラドの製造に支障をきたす、従って現状では９０００
ガウス程度以下の飽和磁束密度を示す非晶質合金を利用
してしか磁気ヘッドとして製造できていない。
そこでヘッド材料として１００００ガウス以上の飽和磁
束密度を示すセンダスト（ＦｅＡＩＳｉ）合金が利用さ
れている（例えば、第９回日本応用磁気学会学術講演概
要集、２９ＰＡ−２）、そして磁気ヘッドの形としては
第２図（ａ）に示すように主コアがフェライトからなり
、ギャップ近傍のみが高飽和磁束密度のセンダスト薄膜
からなるＭＩＧタイプのヘッド、第２図（ｂ）に示すよ
うに補助コアにフェライトを用いて、トランクとなるセ
ンダストＷｉＩＩ！Ｊをサンドイッチにしたタイプのヘ
ッドなどがある０両者ともにセンダスト薄膜をフエライ
Ｉ・基板上に１０μｍ程度以上堆積することが必要にな
る。
束密度を示すセンダスト（ＦｅＡＩＳｉ）合金が利用さ
れている（例えば、第９回日本応用磁気学会学術講演概
要集、２９ＰＡ−２）、そして磁気ヘッドの形としては
第２図（ａ）に示すように主コアがフェライトからなり
、ギャップ近傍のみが高飽和磁束密度のセンダスト薄膜
からなるＭＩＧタイプのヘッド、第２図（ｂ）に示すよ
うに補助コアにフェライトを用いて、トランクとなるセ
ンダストＷｉＩＩ！Ｊをサンドイッチにしたタイプのヘ
ッドなどがある０両者ともにセンダスト薄膜をフエライ
Ｉ・基板上に１０μｍ程度以上堆積することが必要にな
る。
発明が解決しようとする課題
しかしながらＦｅＡ／！Ｓｉ合金薄膜をフェライト基板
上に１０μｍ程度成形し、ＦｅＡｌＳｉ合金の軟磁気特
性を良（するため６００″Ｃ程度で熱処理を行うと、Ｆ
ｅＡｇ５ｔ合金膜がフェライトから剥離する。この程度
の激しいものは ＦｅＡ／！Ｓｔ膜がフェライトを引き剥す形で剥離する
。
上に１０μｍ程度成形し、ＦｅＡｌＳｉ合金の軟磁気特
性を良（するため６００″Ｃ程度で熱処理を行うと、Ｆ
ｅＡｇ５ｔ合金膜がフェライトから剥離する。この程度
の激しいものは ＦｅＡ／！Ｓｔ膜がフェライトを引き剥す形で剥離する
。
これはＦｅＡｆｆｉＳ１合金膜中のＡＩ！、、Ｓｉがフ
ェライトと反応して、ＦｅＡｌＳｉ合金とフェライトの
境界でこれらの反応層（Ｓｉ０２ 、Ａ１２０ａ等）が
形成されるためである。これらの反応層の熱膨張係数は
ＦｅＡ／！Ｓｔ合金に比べると小さいために境界におい
て大きな歪が生じて剥離などの原因となる。また剥離に
いたらなかった場合でもこれらの反応層は第２図（ａ）
では疑似ギャップ、第２図Φ）では初期形成膜の特性劣
化による記録再生特性の劣化、等の原因となり磁気ヘッ
ドに悪影響を及ぼす。
ェライトと反応して、ＦｅＡｌＳｉ合金とフェライトの
境界でこれらの反応層（Ｓｉ０２ 、Ａ１２０ａ等）が
形成されるためである。これらの反応層の熱膨張係数は
ＦｅＡ／！Ｓｔ合金に比べると小さいために境界におい
て大きな歪が生じて剥離などの原因となる。また剥離に
いたらなかった場合でもこれらの反応層は第２図（ａ）
では疑似ギャップ、第２図Φ）では初期形成膜の特性劣
化による記録再生特性の劣化、等の原因となり磁気ヘッ
ドに悪影響を及ぼす。
また非磁性酸化物基板上にＦｅＡｆＳｉ合金膜を形成す
る場合でも、両者の境界で大きな歪が生じるため、Ｆｅ
Ａｌ！、Ｓｉ合金膜の初期形成膜の特性劣化、記録再生
特性の劣化、膜の剥離等の現象が現れ、磁気ヘッドに悪
影響を及ぼす。
る場合でも、両者の境界で大きな歪が生じるため、Ｆｅ
Ａｌ！、Ｓｉ合金膜の初期形成膜の特性劣化、記録再生
特性の劣化、膜の剥離等の現象が現れ、磁気ヘッドに悪
影響を及ぼす。
課題を解決するための手段
ＦｅＡｊ！Ｓｉ合金薄膜を作製する際にフェライト基板
上、もしくは非磁性酸化物基板上にまずＮｉ系薄膜を形
成し、その後ＦｅＡｊ！Ｓｉ合金膜を所望の膜厚だけ形
成する。
上、もしくは非磁性酸化物基板上にまずＮｉ系薄膜を形
成し、その後ＦｅＡｊ！Ｓｉ合金膜を所望の膜厚だけ形
成する。
作用
この技術的手段の作用は次のようになる。
フェライトもしくは非磁性酸化物基板とＦｅＡｊ！Ｓｔ
合金の境界にＮｉ系薄膜を形成し、両者の反応を防止す
る。
合金の境界にＮｉ系薄膜を形成し、両者の反応を防止す
る。
フェライト基板上もしくは非磁性酸化物基板上にＮｉ系
薄膜を形成することでＦｅＡｆＳｉ合金の初期形成膜の
特性が大幅に改善できる。また両者の境界で反応層の形
成を防止でき、フェライト基板上にＦｅＡｆｆｉＳ１合
金膜が１０μｍ以上形成可能となる。この結果第２図の
へラドに現れていた疑似ギャップ、記録再生特性の劣化
、歪の増大などの現象を減少させることが可能となる。
薄膜を形成することでＦｅＡｆＳｉ合金の初期形成膜の
特性が大幅に改善できる。また両者の境界で反応層の形
成を防止でき、フェライト基板上にＦｅＡｆｆｉＳ１合
金膜が１０μｍ以上形成可能となる。この結果第２図の
へラドに現れていた疑似ギャップ、記録再生特性の劣化
、歪の増大などの現象を減少させることが可能となる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を用いて説明する
。
。
第１図（ａ）は本発明により形成した磁気ヘッドの一例
である。ギャップ近傍に高飽和磁束密度のＦｅ／’Ｆ！
Ｓｉを主成分とした合金薄膜１を用い、それ以外の磁路
はフェライト２を用いたいわゆるＭＩＧタイプのヘッド
である。なお３はガラスである。ＦｅＡｌＳｉ合金１ｔ
ｌ！１の厚さは１０μｍである。厚さ０．１μｍのＮｉ
膜４がフェライト２とＦｅＡ／！Ｓｉ合金ｌの間に形成
されている。
である。ギャップ近傍に高飽和磁束密度のＦｅ／’Ｆ！
Ｓｉを主成分とした合金薄膜１を用い、それ以外の磁路
はフェライト２を用いたいわゆるＭＩＧタイプのヘッド
である。なお３はガラスである。ＦｅＡｌＳｉ合金１ｔ
ｌ！１の厚さは１０μｍである。厚さ０．１μｍのＮｉ
膜４がフェライト２とＦｅＡ／！Ｓｉ合金ｌの間に形成
されている。
従来例では、−ＬＯｄＢ（１ＭＨｚ）あった疑似ギャッ
プ効果がＮｉ膜４を用いることにより一２４ｄＢ （１
μｍ）に減少した。
プ効果がＮｉ膜４を用いることにより一２４ｄＢ （１
μｍ）に減少した。
第１図（ｂ）は本発明により形成した磁気ヘッドの一例
である。主コアとなるのがＦｅＡｌＳｉを主成分とした
合金１１！５、補助コアとなるのがフェライト６、その
あいだにあるのが、厚さ０．１μｍのＮｉ膜７である。
である。主コアとなるのがＦｅＡｌＳｉを主成分とした
合金１１！５、補助コアとなるのがフェライト６、その
あいだにあるのが、厚さ０．１μｍのＮｉ膜７である。
この例では、ＦｅＡ／！Ｓｉ合金薄膜の膜厚は２０μｍ
であり、これがトラック幅になっている。
であり、これがトラック幅になっている。
従来フェライト上にＦｅＡｊ！Ｓｉ合金膜を２０μｍ堆
積することが非常に困難であったが、この手法を用いる
ことにより可能となった。
積することが非常に困難であったが、この手法を用いる
ことにより可能となった。
第１図（Ｃ）は本発明により形成した磁気ヘッドの一例
である。主コアとなるのがＦｅＡｊ！Ｓｉを主成分とし
た合金膜５、それを挾持しているのが非磁性セラミック
基板９である。５と９のあいだにあるのが、厚さ０．１
μｍのＮｉ膜７である。この例では、ＦｅＡ／！Ｓｔ合
金薄膜の膜厚は２０μｍであり、これがトラック幅にな
っている。
である。主コアとなるのがＦｅＡｊ！Ｓｉを主成分とし
た合金膜５、それを挾持しているのが非磁性セラミック
基板９である。５と９のあいだにあるのが、厚さ０．１
μｍのＮｉ膜７である。この例では、ＦｅＡ／！Ｓｔ合
金薄膜の膜厚は２０μｍであり、これがトラック幅にな
っている。
初期形成膜の特性向上により記録再生特性が１ｄＢ（０
，１Ｍ七〜５Ｍセ）アップした。
，１Ｍ七〜５Ｍセ）アップした。
第１図にはＮｉ系薄膜としてＮｉ膜を用いた例を示した
がこれの代わりにＮｉ系の膜としてＮｌＲｕ合金膜、Ｎ
ｌＴｔ合金膜、ＮｌＮｂ合金膜、ＮｉＮ膜を用いても同
様の効果が得られる。
がこれの代わりにＮｉ系の膜としてＮｌＲｕ合金膜、Ｎ
ｌＴｔ合金膜、ＮｌＮｂ合金膜、ＮｉＮ膜を用いても同
様の効果が得られる。
第３図は本発明により製造される磁気ヘッドの製造方法
の一例である。
の一例である。
第３図（ａ）ではまず研磨、ケミカルエツチングを施し
た磁気劣化層のないフェライト基板１１上にＮｉ膜１２
を０．１ μｍ、Ｆ ｅＡｆｓ ｉ合金薄膜１３を１０
μｍ順にスパッタ法で形成する。このサンプルを複合パ
ー１４とする。
た磁気劣化層のないフェライト基板１１上にＮｉ膜１２
を０．１ μｍ、Ｆ ｅＡｆｓ ｉ合金薄膜１３を１０
μｍ順にスパッタ法で形成する。このサンプルを複合パ
ー１４とする。
スパッタ時の基板温度は２００″Ｃとした。１２゜１３
の膜は真空を破らずに形成するのが望ましい。
の膜は真空を破らずに形成するのが望ましい。
第３図（ｂ）では第３図（ａ）で形成した複合バー１４
にトラック加工を施す。１７がトラックである。
にトラック加工を施す。１７がトラックである。
その後ギャップ面１９にギャップ材料としてＳ ｉ ０
２ 、ガラス（図では省略）を所望量形成する。
２ 、ガラス（図では省略）を所望量形成する。
第３図（Ｃ）では第３図（ｂ）で形成したパー２本を１
組としてギャップ形成を行う０巻線窓の部分にガラス１
５をいれ、このガラスをトランク溝部に流し込む、でき
あがったバーをギャップバー１６とする。ギャップ形成
条件は最高温度６００°Ｃ１保持時間１時間とした。
組としてギャップ形成を行う０巻線窓の部分にガラス１
５をいれ、このガラスをトランク溝部に流し込む、でき
あがったバーをギャップバー１６とする。ギャップ形成
条件は最高温度６００°Ｃ１保持時間１時間とした。
第３図（イ）ではギャップパー１６にチップスライスを
施す。１８ａ−ｈは切断線である。所望の形状の磁気ヘ
ッドができあがる。
施す。１８ａ−ｈは切断線である。所望の形状の磁気ヘ
ッドができあがる。
第４図は本発明により製造される磁気ヘッドの製造方法
の一例である。
の一例である。
第４図（ａ）ではＭｎＺｎ−フェライト基板２１に所定
幅の溝を所定間隔に形成し、その溝部にガラス２２が形
成しである複合基板の２枚を１組とする。
幅の溝を所定間隔に形成し、その溝部にガラス２２が形
成しである複合基板の２枚を１組とする。
１枚の複合基板上にまずＮｉ膜２４を０．１μｍ、Ｆｅ
、ｌｊ！Ｓｉ合金膜２５を２０μｍ形成する（トラック
幅２０μｍの磁気ヘッドを作る場合）。この際高周波領
域での磁気特性を向上させるために絶縁物（例えば５ｉ
０２（図では省略））とＦｅＡｊ！Ｓｔ合金との積層構
造にするのが望ましい。
、ｌｊ！Ｓｉ合金膜２５を２０μｍ形成する（トラック
幅２０μｍの磁気ヘッドを作る場合）。この際高周波領
域での磁気特性を向上させるために絶縁物（例えば５ｉ
０２（図では省略））とＦｅＡｊ！Ｓｔ合金との積層構
造にするのが望ましい。
スパッタ時の基板温度は２００°Ｃとした。２４゜２５
の膜は真空を破らずに形成するのが望ましい。
の膜は真空を破らずに形成するのが望ましい。
もう１枚の基板上にはガラス層２６を２μｍ形成する。
第４図Φ）では第４図（ａ）で作った２枚の基板を電気
炉の中で約６００°Ｃで加熱加圧接着し、複合ブロック
２７を製造する。この際、窒素雰囲気中で行うのが望ま
しい。
炉の中で約６００°Ｃで加熱加圧接着し、複合ブロック
２７を製造する。この際、窒素雰囲気中で行うのが望ま
しい。
第４図（Ｃ）ではこの複合ブロフクを短冊切断し、２本
のバー２８．２９を１組として、１本のバーには巻線溝
加工などを行う、３０ａ−ｅは切断線である。
のバー２８．２９を１組として、１本のバーには巻線溝
加工などを行う、３０ａ−ｅは切断線である。
第４図（ｄ）では２本のバー２８．２９の突合せ面（ギ
ャップ面）を研磨した後、この面にＳ ｉ ０２ 。
ャップ面）を研磨した後、この面にＳ ｉ ０２ 。
ガラス（共に図では省略）を順にスパッタ法で形成し、
電気炉内で加圧加熱接着し、ヘッドバー３２とする。こ
のときの温度は工程Φ）で行った接着がゆるまないよう
にこの温度より少し低い５６０″Ｃくらいが望ましい。
電気炉内で加圧加熱接着し、ヘッドバー３２とする。こ
のときの温度は工程Φ）で行った接着がゆるまないよう
にこの温度より少し低い５６０″Ｃくらいが望ましい。
その後ヘツドバー３２を適当に切断して磁気ヘッドがで
きあがる。３３ａ−ｅは切断線である。
きあがる。３３ａ−ｅは切断線である。
第５図は本発明により製造される磁気ヘッドの製造方法
の一例である。
の一例である。
第５図（ａ）では非磁性酸化物基板４１の２枚を１組と
し、１枚の基板４１上にまずＮｉ膜４２を０．１μｍ、
ＦｅＡｊ！Ｓｉ合金＃４３を２０μｍ形成する（トラッ
ク幅２０μｍの磁気ヘッドを作る場合）。
し、１枚の基板４１上にまずＮｉ膜４２を０．１μｍ、
ＦｅＡｊ！Ｓｉ合金＃４３を２０μｍ形成する（トラッ
ク幅２０μｍの磁気ヘッドを作る場合）。
この際高周波領域での磁気特性を向上させるために絶縁
物（例えば５ｉ０２（図では省略））とＦｅＡｊ！Ｓｉ
合金との積層構造にするのが望ましい。
物（例えば５ｉ０２（図では省略））とＦｅＡｊ！Ｓｉ
合金との積層構造にするのが望ましい。
スパッタ時の基板温度は２００℃とした。４２゜４３の
膜は真空を破らずに形成するのが望ましい。
膜は真空を破らずに形成するのが望ましい。
もう１枚の基板上にはガラス層４４を２μｍ形成する。
第５図［有］）では第５図（ａ）で作った２枚の基板を
電気炉の中で約６００°Ｃで加熱加圧接着し、複合ブロ
ック４５を製造する。この際、窒素雰囲気中で行うのが
望ましい。
電気炉の中で約６００°Ｃで加熱加圧接着し、複合ブロ
ック４５を製造する。この際、窒素雰囲気中で行うのが
望ましい。
第５図（Ｃ）ではこの複合ブロックを短冊切断し、２本
のバー４６．４７を１組として、１本のバーには巻線溝
加工などを行う、４８ａ−ｅは切断線である。
のバー４６．４７を１組として、１本のバーには巻線溝
加工などを行う、４８ａ−ｅは切断線である。
第５図（ｄ）では、２本のバー４６．４７の突合せ面（
ギャップ面）を研磨した後、この面にＳＩＯ，。
ギャップ面）を研磨した後、この面にＳＩＯ，。
ガラス（共に図では省略）を順にスパッタ法で形成し、
電気炉内で加圧加熱接着し、ヘッドバー５０とする。こ
のときの温度は工程Φ）で行った接着がゆるまないよう
にこの温度より少し低い５６０℃くらいが望ましい。
電気炉内で加圧加熱接着し、ヘッドバー５０とする。こ
のときの温度は工程Φ）で行った接着がゆるまないよう
にこの温度より少し低い５６０℃くらいが望ましい。
その後ヘツドバー５０を適当に切断して磁気ヘッドがで
きあがる。５１ａ、ｂは切断線である。
きあがる。５１ａ、ｂは切断線である。
なお本発明の一実施例ではＮｉ膜の膜厚に０．１μｍを
用いたが反応を防止するのには０．０２μｍもあれば十
分である。
用いたが反応を防止するのには０．０２μｍもあれば十
分である。
但し加熱すると、ＮｉがＦｅＡ／！Ｓｉ合金中に拡散し
、ＦｅＡｊ！５ｉＮｉ合金となる。
、ＦｅＡｊ！５ｉＮｉ合金となる。
ＦｅＡ／！５ｉＮｉ合金のＮｉ量が６ｗｔ、％を越えて
くると磁気特性が劣化するためにＮｉ膜の膜厚は余り大
きくはできない０例えばＦｅＡｊ！Ｓｉ合金膜を１０μ
ｍ形成する場合は、Ｎｉ膜は０．６μｍ以下にすること
が、またＦｅＡｆＳｉ合金膜を２０Ｉ１ｍ形成する場合
は、Ｆｅ−Ｎ１膜は１．２μｍ以下にすることが、また
Ｎｉｏ、＊。Ｒｕａ、＋。合金膜とＦｅＡｊ！Ｓｉ合金
膜の組合せでは後者が１０μｍの時前者は０．６６μｍ
以下に、後者が２０μｍの時は前者は１．３２μｍ以下
にするのが磁気特性、ヘッド効率からも望ましい。
くると磁気特性が劣化するためにＮｉ膜の膜厚は余り大
きくはできない０例えばＦｅＡｊ！Ｓｉ合金膜を１０μ
ｍ形成する場合は、Ｎｉ膜は０．６μｍ以下にすること
が、またＦｅＡｆＳｉ合金膜を２０Ｉ１ｍ形成する場合
は、Ｆｅ−Ｎ１膜は１．２μｍ以下にすることが、また
Ｎｉｏ、＊。Ｒｕａ、＋。合金膜とＦｅＡｊ！Ｓｉ合金
膜の組合せでは後者が１０μｍの時前者は０．６６μｍ
以下に、後者が２０μｍの時は前者は１．３２μｍ以下
にするのが磁気特性、ヘッド効率からも望ましい。
発明の効果
本発明による磁気ヘッドのコア材料製造方法により、例
えばＶＴＲ，ＤＡＴ、ＦＤＤ用ヘッドのコア材料として
ＦｅＡｊ！ＳＬ合金合金薄膜が利用でき、高飽和磁束密
度の記録効率の優れた磁気ヘッドを今までに比べて歩留
り良く製造できる。
えばＶＴＲ，ＤＡＴ、ＦＤＤ用ヘッドのコア材料として
ＦｅＡｊ！ＳＬ合金合金薄膜が利用でき、高飽和磁束密
度の記録効率の優れた磁気ヘッドを今までに比べて歩留
り良く製造できる。
第１図徊〒→−→は本発明の磁気ヘッドの斜視図、第２
図は従来の磁気ヘッドの実施例を示す斜視図、第３図、
第４図、第５図は本発明の磁気ヘッドの製造方法の工程
図である。 １・・・・・・ＦｅＡｆＳｉ合金薄膜、２．６・・・・
・・フェライト、３・・・・・・ガラス、４・・・・・
・Ｎｉ膜、５・・・・・・ＦｅＡｊ！Ｓｔを主成分とし
た合金膜、７・・・・・・厚さ０．１μｍのＮｉ膜、９
・・・・・・非磁性セラミック基板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名Ｈ−−−Ｆ
ｅＡＩδｆ４≧会噂Ｍｆ ｓ−ｒａｓｔ６＝ ｓ ｍ弁ｈｔｒ＝−ｍ棟第 図 第 図 Ｊあ、 ＪＪｂ Ｊ１５ｃ 第 図 第 図 ５イ（フー５１ｂ
図は従来の磁気ヘッドの実施例を示す斜視図、第３図、
第４図、第５図は本発明の磁気ヘッドの製造方法の工程
図である。 １・・・・・・ＦｅＡｆＳｉ合金薄膜、２．６・・・・
・・フェライト、３・・・・・・ガラス、４・・・・・
・Ｎｉ膜、５・・・・・・ＦｅＡｊ！Ｓｔを主成分とし
た合金膜、７・・・・・・厚さ０．１μｍのＮｉ膜、９
・・・・・・非磁性セラミック基板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名Ｈ−−−Ｆ
ｅＡＩδｆ４≧会噂Ｍｆ ｓ−ｒａｓｔ６＝ ｓ ｍ弁ｈｔｒ＝−ｍ棟第 図 第 図 Ｊあ、 ＪＪｂ Ｊ１５ｃ 第 図 第 図 ５イ（フー５１ｂ
Claims (4)
- （１）主コアがフェライトで、ギャップ近傍がＦｅＡｌ
Ｓｉを主成分とする合金膜からなる磁気ヘッドで、フェ
ライト基板上にＮｉ系薄膜が０．０３μｍから１．０μ
ｍ形成され、その上に上記ＦｅＡｌＳｉを主成分とする
合金膜が所望の厚さ形成されていることを特徴とする磁
気ヘッド。 - （２）非磁性酸化物基板上もしくはフェライト基板上に
Ｎｉ系薄膜が０．０３μｍから１．０μｍ形成され、そ
の上に主コアとなるＦｅＡｌＳｉを主成分とする合金膜
が所望の厚さ形成されていることを特徴とする磁気ヘッ
ド。 - （３）Ｎｉ系薄膜が純Ｎｉ膜であることを特徴とする請
求項（１），（２）のいずれかに記載の磁気ヘッド。 - （４）Ｎｉ系薄膜がＮｉを２０重量％以上含む薄膜であ
ることを特徴とする請求項（１），（２）のいずれかに
記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20514788A JPH0254406A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20514788A JPH0254406A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254406A true JPH0254406A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16502200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20514788A Pending JPH0254406A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254406A (ja) |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP20514788A patent/JPH0254406A/ja active Pending
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