JPH025370A - 高分子固体電解質 - Google Patents

高分子固体電解質

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JPH025370A
JPH025370A JP88141585A JP14158588A JPH025370A JP H025370 A JPH025370 A JP H025370A JP 88141585 A JP88141585 A JP 88141585A JP 14158588 A JP14158588 A JP 14158588A JP H025370 A JPH025370 A JP H025370A
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    • Y02E60/10Energy storage using batteries

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は何機固体二次電池、エレクトロクロミック素工
、全固体コンデンサー等にa用な高分子固体電解質に関
する。
[従来の技術] ポリエチレンオキシド(PEO)とある種のアルカリ金
属が結晶性の錯体を形成して高いイオン伝導性を有する
ことが報告されて以来(”Fast IonTrans
porL In 5olid”、 P、Vanishl
tactat、 Eds、p、131(1979) N
orth )IollandPublishing c
o、) PE0−アルカリ金属複合体を中心に高分子固
体電解質の研究が進んできた。
高分子固体電解質は、無機系固体電解質に比べ、軽量で
柔軟性、高エネルギー密度を有し、成形性に優れている
が、室温におけるイオン伝導度は一般に低い。しかしな
がら、近年高分子固体電解質に関する研究が活発になさ
れ、室温で10−’ S/cJ11〜10−’ S/a
mのイオン伝導度を自°する材料が報告されている。こ
れらの報告の中でも、ポリホスファゼンは室温で10−
3〜IO’S/amの高いイオン伝導率を何し、注目さ
れているか、成膜性に関しては機械的強度に問題がある
。現在のところ、高イオン伝導性と、成膜性加工性の両
方の特性に優れた高分子固体電解質は、得られていない
のが現状である。このような流れの中で比較的高いイオ
ン伝導性と、機械的強度を有する材料が報告された。[
5olid  5tateO口1cs、  18  &
  19.338(19gfli)]しかしながら、こ
の高分子固体電解質は、架橋成膜過程でウレタン化反応
と同時に強度やイオン伝導度の低下、着色など膜の劣化
につながるいくつかの副反応が進行し、常時安定した均
質な膜を得ることは困難であった。
[目 的] 本発明は、上記の問題点に鑑み、イオン伝導度か高く、
機械的強度にもすぐれ、かつ着色することのない高分子
固体電解質を提供することを目的とするものである。
[構 成コ 本発明者は、従来よりPEO架橋体をマトリクスとする
高分子固体電解質において上記課題を解決するため研究
を重ねてきたが、このためには特定波数における吸光度
の比が一定の関係を満たす架橋PEOをマトリックスと
して使用することが有効であることを見出し、本発明に
至った。
すなわち、本発明は、ポリエチレンオキシド架(ム体を
ポリマーマトリクスとする高分子固体電解質において、
該架橋体のIRスペクトルの1280 am″「の吸光
度が842cm−’における吸光度に比べてA 12)
1o/ A 842≦0.80であることを特徴とする
高分子固体電解質である。
以下、本発明について、詳細に説明する。
高分子固体電解質、即ち、イオン電導性高分子は、少な
くとも、マトリックスとなる高分子とキャリアとなる電
解質塩とから構成されている。イオン伝導は高分子マト
リックス中へ溶媒和された電解質が、解離してマトリッ
クス中を電解にそった拡散移動をすることによって実現
される。電解質塩はマトリクス中の無定形部分上に選択
的に解離するため、代表的高分子固体電解質の1つであ
る、ポリエチレンオキシドは無定形部分におけるイオン
伝導性には優れている。しかしながら、該高分子は結晶
性であるため、室温付近では、ポリマー鎖の一部が結晶
化し、そのため急激なイオン伝導度の低下がおこる。高
分子鎖の結晶化を防ぎ、低温においても無定形状態を保
持させ、結果的には高イオン伝導度を得るためには結晶
性分子鎖の一部を架橋させる方法が有効である。ポリマ
ー鎖の一部を架橋させることは、イオン解離基の結晶化
をおさえる効果だけでなく、ポリマーマトリクスに機械
的強度や、柔軟性を付与させる結果となる。
高分子固体電解質を広くデバイスに応用させるにあたっ
ては、素子の導通や、破損を防ぐために十分な機械的強
度と柔軟性を有することが望まれる。また、高分子固体
電解質と電極界面においては、電子やイオンの交換反応
や拡散がおこること、ある種の素子では、反応と共に電
極の体積変化を伴うこと等を考慮すると、高分子固体電
解質が十分な柔軟性を有することが期待される。
本発明においては、多官能性のPEOとジイソシアネー
トあるいはトリイソシアネートを反応させて得られるウ
レタン架橋型PEOの合成法について、種々検討し、得
られたPEO架橋体と、その電気物性の関係を明らかに
し、優れた高分子固体電解質を得るに至った。
ウレタン架橋体の合成は、基本的にはPEOとイソシア
ネートを必要な量混合して加熱をすれば良い。しかしな
がら、インシアネートは活性が高いため、PEO中の水
分と反応して、アミンあるいはアミンを経てウレアを生
成する。
これらが系内に増えると、膜が着色すると共に、架橋密
度が下がり、膜の物性が低下する原因となっていた。
我々は、膜物性低下の最大の原因である多官能性PEO
の水分をベンゼンと共沸させて除去することにより副反
応を抑え、優れた架橋体を得ることに成功した。
副反応による架橋密度の低下はFT−IRスペクトルに
よって判断できる。−OHと−NGOが等二となるよう
に調整したものは、架橋反応が100%進行すれば、−
OH基による吸収はゼロとなる。
すなわちA、28゜/ A 842−0となる。本発明
においてはA I280/ A B4□≦0.80の特
性を有する架橋体において良好な固体電解質が得られた
多官能性PEOと多官能性イソシアナートとの反応は、
PEOの融点以上の高温で3〜7日間を要するが、この
反応を加速するため、触媒を使用することかできる。触
媒の使用により速い飼料では10分弱で成膜し、反応時
間を大巾に短縮することかできた。また、触媒の使用に
より、より温和な条件で反応を進めることができるため
、高温のため生じる副反応が一層抑制され、着色のない
架橋体を再現性よく得ることができた。
さらに触媒を使用することによりポリマーマトリクスと
電解質塩の複合化過程と架橋成膜過程をワンステップで
行うことが塩l4度や塩の種類を選ぶことなく広範囲で
可能となった。
また、成膜は溶媒を用いてキャスティングすることによ
り操作性が向上し均一な薄膜を得ることができた。さら
に、反応に不活性な溶媒を選択することにより反応速度
を制御できた。
PEOとイソシアネートの混合比は、官能基の反応性が
全て等しいとしたフローリーのゲル化理論によると α>1/ (f−1) α:分岐係数(ある官能基が分岐鎖を経て別の分子とつ
ながっている確率) 1′1分岐1111位の官能性 の条件を満たす時無限網目構造が生しるということであ
るから、例えば3官能性分技分子を用いたときは、α〉
1/2となるよう調整すればよい。本発明においては、
両者の混合化が官能基比で1対1となるよう1凋整した
場合良好な結果が得られた。
以下、さらに具体的に説明する。
本発明において用いられる多官能性PEOは、例えば、
ポリエチレンオキンドジオール、ポリエチレンオキシド
トリオール、ポリエチレンオキシドテトラオール・・・
等、1分子中に−OHMを2つ以上有するものが選ばれ
る。さらに上記多官能性PEOに他の構造単位、例えば
プロピレンオキシド等を導入したものでもよい。エチレ
ンオキシドのくり返し数は20〜100が望ましい。
本発明において用いられるイソシアナートは、例えば などがあげられる。
ただし、PEOと反応させて架橋構造を得るには、PE
Oとイソシアネートの両者を同時に2官能性以下とする
選択はできない。
本発明で用いられる上記の触媒としては、ジブチル錫ジ
ラウレート、ジブチル錫(2−エチルヘキソエート)、
オクトエ酸錫ナフテン酸亜鉛、2−エチルヘキソエート
鉛、塩化錫、塩化鉄、2−エチルヘキソエート鉄、2−
エチルヘキソエートコバルト、アンチモントリクロリド
等のH機金属化合物、またはトリエチルアミン、トリエ
チレンジアミン、■、8−ジアザ−ビシクロ[5,4,
0] ウンデセン−7等の3級アミンが選ばれる。特に
錫系触媒を用いるときには副反応が抑えられ良質な膜が
得られた。調整時の濃度はイソシアネートの活性によっ
て、また種類によって異なるが一般的にはPEOに対し
て1νt%以下が望ましい。
本発明で用いられる反応溶媒としては各官能基や触媒に
不活性で、かつ、これらを溶解させるものが選ばれる。
例えばベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチルケ
トン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、エ
チレンカーボネート、プロピレンカーボネート等があげ
られるが、なかでも上記のケトン系溶媒を用いるとイソ
シアネートに対してマスキング効果があるためキャステ
ィング溶媒のポットライフを延長することができ、操作
性もよく、均一な膜を得ることができた。
ポリマーマトリックスと電界質塩の複合化法は電界質塩
溶液に成膜後のポリマーを浸漬し、膨潤させながら複合
化する2段階法と、電解質塩をあらかじめ溶解させたポ
リマー溶液をキャスティングして複合化する1段階法が
ある。
後者の方法は従来の架橋成膜法においては、反応温度が
高く反応時間が長い系においてはLiBF4やLiCF
3SO3等の電解質塩は、架橋が完結する前に分解して
しまい複合膜はf5られにくい。またLiCIO4のよ
うに比較的熱安定性のよい塩を用いた場合でも架橋反応
の妨げとなるため、高濃度に添加すると膜の均一性かと
るしく低下してしまう。これらの欠点を解決するにも、
触媒q在ドでキャスティングによって成膜する方法は有
用である。
高分子固体電解質のキャリアとなる電解質塩としては、
SCN″’、CI−、Br−、l−BF4−  PF6
−、ASF6−、C104CF3SO3−、B (C6
H5)4−等のアニオンと、Li”、Na”、K”等の
アルカリ金属カチオン、(C4H9)4 N”(C2H
5)4N+等の白゛機カチオン等のカチオンとからなる
電解質塩が挙げられる。
前記触媒を使用する場合におりるポリエチレンオキシド
架橋体の成膜方法は上記の多官能性ポリエチレンオキシ
ドと多官能性イソシアネートを当量とり、これに電解質
塩と触媒を加えて、溶媒に溶かし基板上に成膜する。反
応温度及び反応時間はイソシアネートの活性度に応じて
、触媒量を1調整して任意に変えることができる。
ウレタン架橋PEOの合成法は、基本的にはPEOとイ
ソシアネートを必要な量とり混合して加熱をすればよい
。調製には、PEOの融点において両者を混合、撹拌し
て成膜重合する方法、両者を不活性な低沸点溶媒に溶解
させたのち、溶液からキャストする方法があげられる。
前者は、PEOの融点がイソシアネートの沸点より十分
に低い場合において、適当である。また、後者は、薄膜
化が必要である場合や、また、イソシアネートの活性が
高すぎて扱いにくい際に、有利な方法である。
(実施例1) ・1ス均分子量が3000のポリエチレンオキシドトリ
オールをベンゼンに溶かし、60℃で減圧し、ベンゼン
と共に水分を除去した。その後、80℃で24時間、1
O−5Torrの高真空を使って脱気乾燥させ、ここに
精製したトリレン−2,5−ジイソシアネートと官能基
比が1対1となるように調整し、基板上に膜厚50μm
に成膜し、80℃で72時間反応させてPEO架橋体を
得た。次にPEO架橋体をLiCIO4のメタノール溶
液に浸析させ、電解質塩を複合化した。塩濃度はEOユ
ニットあたり0.02モルとした。このフィルムのIR
チャートを第1図に・Rした。
1280cm”の吸収ピークの吸光度と 842cm−
’のピークの吸光度の比A I 280/ A B4□
を算出した。
また複素インピーダンス法による室温におけるイオン伝
導度をalll定し、表−1に示した。
(実施例2) ・[均分子量が3000のポリエチレンオキシドトリオ
ールを実施例1と同様に脱水し、4.4゛−ジフェニル
ジイソンアネートを当量加え、同様に合成、J・1価を
行った。
(実施例3) ql均分子量が3000のポリエチレンオキシドトリオ
ールを実施例1と同様にして脱水し、ヘキサメチレンジ
イソシアネートを当量加え、同様に合成、評価しまた。
(実施例4) 平均分子量が1000のポリエチレンオキシドジオール
とP、P’、P−1−ジイソシアネート・トリフェニル
メタンを用いた以外は実施例1と同様にして合成し、評
価を行った。
(比較例1) PEOトリオールを70℃で溶融し、10−’Torr
の真空系を用いて24時間減圧乾燥を行った以外は実施
例1と同様にして合成し、評価を行った。
(比較例2) 実施例1において、常温で10″′3Torrで24時
間真空乾燥させた以外は同様にして合成し、評価を行っ
た。
(比較例3) 実施例2においてPEOトリオールを70℃で溶融させ
、10’Torrの真空系を用いて24時間減圧乾燥さ
せた以外は同様にして合成、評価した。
(比較例4) 実施例3においてPEOトリオールを70°Cで溶融さ
せ、10’Torrの真空系を用いて24時間減圧乾燥
させた以外は同様にして合成、評価した。
(比較例5) 実施例4において、PEOを70℃で溶融させ、10’
Torrの真空系を用いて減圧乾燥させた以外同様にし
てPEO架橋体を合成し、評価を行った。
表−1 (実施例5) T均分子Q 3000のポリエチレンオキシドトリオー
ルlog、  トリレン−2,4−ジイソシアネート0
.85gと架橋触媒としてジブチル錫ジラウレートo、
ooag、 vK電解質塩してLicI04を0.08
g(0,05mol/EO−t = ット)、メチルエ
チルケ!・ン 10g中に溶解し、該溶液をキャスティ
ングして70℃で10分加熱し、架橋膜を得た。これを
十分に乾燥させた後、FT−IR及び複素インピーダン
ス法による室温におけるイオン伝導度をApl定し、第
1図(a)および表2に示した。
(実施例6〜14) 実施例5において触媒、電解質塩、溶媒をそれぞれ礎え
、同様にして架橋成膜を行った。各成分の調整量と反応
時間、得られた膜のFT−1t?におけるOH而円内変
角振動起因する2280cm−’の吸収ピークの吸光度
と、メチレン横ゆれ振動に起因する 842 c ra
−’のピークの吸光度の比(A I 28o/ A s
42 )と、室温におけるイオン伝導度を測定し、表−
2に示した。
(比較例6) 平均分子量が3000のポリエチレンオキシドトリオー
ルをベンゼンに溶かし、60℃で減圧し、ベンゼンと共
に水分を除去した。その後、80℃で24時間、10’
 Torrの高真空を使って脱気乾燥させ、ここに精製
したトリレン−2,5−ジイソシアネートと官能基比が
1対1となるように調整し、さらにLiClO4を0.
1mol/EOユニット溶かし基板上に成膜し、80℃
で72時間反応させてPEO架橋体を得た。このフィル
ムのIRチャートを第1図(b)に示した。
また、A I280011−’ l A +142 C
I−’の値と室温におけるイオン伝導度を表−3に示し
た。
(比較例7〜9) 比較例6において電解質塩の種類と量を変化させ、同様
に成膜させた。1凋合率及び成膜性、PT−IR結果、
室温におけるイオン伝導度を表−31こン」クシた。
表−3 [効 果] 以上説明したように、本発明の構成による高分子固体電
解質は、イオン伝導度および機械的強度にすぐれており
、また着色することもない。
IRチャート、囃に)−ヰ(b) は実施例1で得られ たフィルムのIRチャート。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ポリエチレンオキシド架橋体をポリマーマトリクスとす
    る高分子固体電解質において、該架橋体のIRスペクト
    ルの1280cm^−^1と842cm^−^1におけ
    る吸光度の比がA_1_2_8_0/A_8_4_2≦
    0.80であることを特徴とする高分子固体電解質。
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