JPH0253509B2 - - Google Patents
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- JPH0253509B2 JPH0253509B2 JP56046783A JP4678381A JPH0253509B2 JP H0253509 B2 JPH0253509 B2 JP H0253509B2 JP 56046783 A JP56046783 A JP 56046783A JP 4678381 A JP4678381 A JP 4678381A JP H0253509 B2 JPH0253509 B2 JP H0253509B2
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- JP
- Japan
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- plating
- electroless
- dispersion
- plating film
- film
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
ａ 産業上の利用分野
本発明は無電解分散めつき層を有する加工製品
に関するものである。
に関するものである。
ｂ 従来の技術
従来の無電解めつきにはNi−Ｐマトリツクス
無電解めつきがあり、これにより、第１図のよう
に被めつき素材１上に無電解めつき被膜２を構成
していた。この被膜２は一種の装飾めつきであ
り、光沢があるが、マイクロビツカース硬さは大
略以下の定度である。
無電解めつきがあり、これにより、第１図のよう
に被めつき素材１上に無電解めつき被膜２を構成
していた。この被膜２は一種の装飾めつきであ
り、光沢があるが、マイクロビツカース硬さは大
略以下の定度である。
常 温：HmV500
400℃、1hr：HmV1000
熱処理後
またさらに従来の無電解めつきには無電解分散
めつきといわれる機能めつき方法があり、これに
より第２図のように被めつき素材３上に無電解分
散めつき被膜４を構成していた。該めつき被膜４
はSiC、ダイヤモンドなどの硬質微粒子あるいは
BN、セリサイトなどの自己潤滑微粒子を共析す
ることにより得られるる。該めつき被膜４は光沢
はないが、硬質微粒子を共析させた場合には耐摩
擦性にすぐれ、自己潤滑微粒子を共析させた場合
には潤滑性にすぐれたものとなる。硬度はNi−
Ｐ−ダイヤモンド無電解分散めつき被膜の場合、
マイクロビツカース硬さで大略以下の程度であ
る。
めつきといわれる機能めつき方法があり、これに
より第２図のように被めつき素材３上に無電解分
散めつき被膜４を構成していた。該めつき被膜４
はSiC、ダイヤモンドなどの硬質微粒子あるいは
BN、セリサイトなどの自己潤滑微粒子を共析す
ることにより得られるる。該めつき被膜４は光沢
はないが、硬質微粒子を共析させた場合には耐摩
擦性にすぐれ、自己潤滑微粒子を共析させた場合
には潤滑性にすぐれたものとなる。硬度はNi−
Ｐ−ダイヤモンド無電解分散めつき被膜の場合、
マイクロビツカース硬さで大略以下の程度であ
る。
常 温：HmV500
400℃、1hr：HmV1000
熱処理後
このように、無電解分散めつき被膜は熱処理を
施すマイクロビツカース硬さでHmV1100以上の
硬度を有するようになり、耐摩擦性を発揮揮する
こととなる。
施すマイクロビツカース硬さでHmV1100以上の
硬度を有するようになり、耐摩擦性を発揮揮する
こととなる。
ｃ 発明が解決しようとする課題
しかし、めつき被膜の硬度のみを高めると、被
めつき素材の材質によつては素材の硬度との差が
大きくなり、両者のバランスが保てず、例えば曲
げなどの外力に対しめつき被膜のみが耐えられ
ず、時にはめつき層に亀裂が生じたり、あるいは
剥離が生じたりする。
めつき素材の材質によつては素材の硬度との差が
大きくなり、両者のバランスが保てず、例えば曲
げなどの外力に対しめつき被膜のみが耐えられ
ず、時にはめつき層に亀裂が生じたり、あるいは
剥離が生じたりする。
また、被めつき素材の表面にダイヤモンドある
いはSiCなどの共析物が付着する部分では、被め
つき素材との密着性に劣るという欠点があつた。
いはSiCなどの共析物が付着する部分では、被め
つき素材との密着性に劣るという欠点があつた。
ｄ 課題を解決するための手段
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
Ni−Ｐマトリツクス中にSiC、ダイヤモンドなど
の硬質微粒子あるいはBN、セリサイトなどの自
己潤滑微粒子を共析させてなる無電解分散めつき
被膜と被めつき素材との間に緩衝帯として上記無
電解分散めつき被膜よりも硬度の低いNi−Ｐマ
トリツクス無電解めつきを下地めつきとして施
し、しかる後に熱処理してなる無電解分散めつき
層を有する加工製品を提供するものである。
Ni−Ｐマトリツクス中にSiC、ダイヤモンドなど
の硬質微粒子あるいはBN、セリサイトなどの自
己潤滑微粒子を共析させてなる無電解分散めつき
被膜と被めつき素材との間に緩衝帯として上記無
電解分散めつき被膜よりも硬度の低いNi−Ｐマ
トリツクス無電解めつきを下地めつきとして施
し、しかる後に熱処理してなる無電解分散めつき
層を有する加工製品を提供するものである。
ｅ 実施例
第３図は本発明にかかる無電解分散めつき層の
一実施例を説明する横断面図で、５は被めつき素
材、６はNi−Ｐマトリツクス無電解めつき（下
地めつき）被膜である。７は無電解分散めつき被
膜で、Ni−Ｐマトリツクス中にSiC、ダイヤモン
ドなどの硬質微粒子おるはBN、セリサイトなど
の自己潤滑微粒子を共析させてなるものである。
一実施例を説明する横断面図で、５は被めつき素
材、６はNi−Ｐマトリツクス無電解めつき（下
地めつき）被膜である。７は無電解分散めつき被
膜で、Ni−Ｐマトリツクス中にSiC、ダイヤモン
ドなどの硬質微粒子おるはBN、セリサイトなど
の自己潤滑微粒子を共析させてなるものである。
このようにして、本発明にかかる無電解分散め
つき層は、高硬度の無電解分散めつき被膜７と、
被めつき素材５との間に中間程度の硬度を有する
無電解めつき被膜６を介在することになる。
つき層は、高硬度の無電解分散めつき被膜７と、
被めつき素材５との間に中間程度の硬度を有する
無電解めつき被膜６を介在することになる。
実施例 １
(1) まず、以下の条件で、、Ni−Ｐマトリツクス
中にSiC、ダイヤモンドなどの硬質微粒子ある
いはBN、セリサイトなどの自己潤滑微粒子を
共析させていない無電解めつき被膜を、紡績関
係で使用されるコーミングワイヤ８（第４図）
に形成した。
中にSiC、ダイヤモンドなどの硬質微粒子ある
いはBN、セリサイトなどの自己潤滑微粒子を
共析させていない無電解めつき被膜を、紡績関
係で使用されるコーミングワイヤ８（第４図）
に形成した。
なお、このコーミングワイヤとは、第５図に
示したような鋸刃状の突起９を有したワイヤで
あり、突起部の耐摩耗性が要求される製品であ
る。そして、このワイヤを紡績工場で使用する
場合には、第４図に示したようなコーミングロ
ーラ１０にワイヤを巻き付けた状態にて使用す
る。
示したような鋸刃状の突起９を有したワイヤで
あり、突起部の耐摩耗性が要求される製品であ
る。そして、このワイヤを紡績工場で使用する
場合には、第４図に示したようなコーミングロ
ーラ１０にワイヤを巻き付けた状態にて使用す
る。
（めつき条件）
めつき浴組成
硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O） 35ｇ／
次亜リン酸ナトリウム（NaPH2O2・H2O）
10ｇ／ 酢酸ナトリウム（CH3COONa・3H2O）
７ｇ／ クエン酸ナトリウム（Na2C6H5O7）
10ｇ／ その他PHを調整するため水酸化ナトリウム
もしくは硫酸を必要量添加した。
10ｇ／ 酢酸ナトリウム（CH3COONa・3H2O）
７ｇ／ クエン酸ナトリウム（Na2C6H5O7）
10ｇ／ その他PHを調整するため水酸化ナトリウム
もしくは硫酸を必要量添加した。
めつき時間・温度
85〜90℃にて20分間めつき処理した。
(2) 次に、上記めつき処理を行つたコーミングワ
イヤをめつき浴から取り出し、直ちに以下の組
成めつき浴に侵漬し、Ni−Ｐマトリツクス中
にSiCを共析させてなる無電解分散めつき被膜
を形成した。
イヤをめつき浴から取り出し、直ちに以下の組
成めつき浴に侵漬し、Ni−Ｐマトリツクス中
にSiCを共析させてなる無電解分散めつき被膜
を形成した。
（めつき条件）
めつき浴組成
めつき浴の組成は、上記の下地めつき浴に
SiC（平均粒径2.5μｍ）を10ｇ／の割合で添
加したものとした。
SiC（平均粒径2.5μｍ）を10ｇ／の割合で添
加したものとした。
めつき時間・温度
85〜90℃にて40分間めつき処理した。
(3) しかる後に、300〜400℃で１時間熱処理を行
ないめつきを硬化させた。
ないめつきを硬化させた。
上記めつき処理により、コーミングワイヤの
上にNi−Ｐマトリツクス無電解めつき６（第
３図）を約5μｍ下地めつきとして施し、さら
にその上にNi−Ｐマトリツクス中にSiCを共析
させてなる無電解分散めつき被膜７を10μｍ形
成することができた。
上にNi−Ｐマトリツクス無電解めつき６（第
３図）を約5μｍ下地めつきとして施し、さら
にその上にNi−Ｐマトリツクス中にSiCを共析
させてなる無電解分散めつき被膜７を10μｍ形
成することができた。
なお、無電解分散めつき被膜６の中のSiC量
は分析したところその共析量は約7wt％であつ
た。
は分析したところその共析量は約7wt％であつ
た。
本発明による、二層から成る無電解めつき−
無電解分散めつき被膜の施されたコーミングワ
イヤ８を、コーミングローラ１０に巻き付け加
工を施したところ、巻き付けの湾曲に対して、
二層から成るめつき被膜は、柔軟に追随し、め
つき被膜には、何等、損傷は生じなかつた。
無電解分散めつき被膜の施されたコーミングワ
イヤ８を、コーミングローラ１０に巻き付け加
工を施したところ、巻き付けの湾曲に対して、
二層から成るめつき被膜は、柔軟に追随し、め
つき被膜には、何等、損傷は生じなかつた。
この巻き付け時の湾曲に対する柔軟さについ
て考察してみれば、コーミングワイヤ素材と、
無電解分散めつき被膜７との間に、硬さの幾分
低い、無電解めつき被膜６が、しかも若干厚膜
に形成されており、この中間層がコーミングワ
イヤ素材と、無電解分散めつき被膜７との間
で、変形に対して、緩衝的に働いているため
に、二層から成るめつき被膜が、変形に対する
追随性をもたらしているものと判断される。
て考察してみれば、コーミングワイヤ素材と、
無電解分散めつき被膜７との間に、硬さの幾分
低い、無電解めつき被膜６が、しかも若干厚膜
に形成されており、この中間層がコーミングワ
イヤ素材と、無電解分散めつき被膜７との間
で、変形に対して、緩衝的に働いているため
に、二層から成るめつき被膜が、変形に対する
追随性をもたらしているものと判断される。
そして、もちろんコーミングワイヤ８の鋸刃
部に施された、無電解分散めつき被膜は、SiC
共析量約7wt％の効果が十分に発揮され、よつ
て、コーミングワイヤの耐摩耗性は著しく向し
た。
部に施された、無電解分散めつき被膜は、SiC
共析量約7wt％の効果が十分に発揮され、よつ
て、コーミングワイヤの耐摩耗性は著しく向し
た。
しかもめつき両層を形成するにあたり共通の
組成の下地めつき浴を使用しているので共析成
分であるSiC以外の成分の濃度調整をする必要
がなかつた。
組成の下地めつき浴を使用しているので共析成
分であるSiC以外の成分の濃度調整をする必要
がなかつた。
実施例 ２
(1) まず、以下の条件で、Ni−Ｐマトリツクス
中にSiC、ダイヤモンドなどの硬質微粒子ある
いはBN、セリサイトなどの自己潤滑微粒子を
共析させていない無電解めつき被膜を、ピスト
ンリングに形成した。
中にSiC、ダイヤモンドなどの硬質微粒子ある
いはBN、セリサイトなどの自己潤滑微粒子を
共析させていない無電解めつき被膜を、ピスト
ンリングに形成した。
（めつき条件）
めつき浴組成
硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O） 35ｇ／
次亜リン酸ナトリウム（NaPH2O2・H2O）
10ｇ／ 酢酸ナトリウム（CH3COONa・3H2O）
７ｇ／ クエン酸ナトリウム（Na3C6H5O7）
10ｇ／ その他PHを調整するため水酸化ナトリウム
もしくは硫酸を必要量添加した。
10ｇ／ 酢酸ナトリウム（CH3COONa・3H2O）
７ｇ／ クエン酸ナトリウム（Na3C6H5O7）
10ｇ／ その他PHを調整するため水酸化ナトリウム
もしくは硫酸を必要量添加した。
めつき時間・温度
85〜90℃にて15分間めつき処理した。
(2) 次に、上記めつき処理を行つたピストンリン
グをめつき浴から取り出し、直ちに以下の組成
のめつき浴に侵漬し、Ni−Ｐマトリツクス中
にBNを共析させてなる無電解分散めつき被膜
を形成した。
グをめつき浴から取り出し、直ちに以下の組成
のめつき浴に侵漬し、Ni−Ｐマトリツクス中
にBNを共析させてなる無電解分散めつき被膜
を形成した。
（めつき条件）
めつき浴組成
めつき浴の組成は、上記の下地めつき浴に
BN（平均粒径2.0μｍ）を７ｇ／の割合で添
加したものとした。
BN（平均粒径2.0μｍ）を７ｇ／の割合で添
加したものとした。
めつき時間・温度
85〜90℃にて60分間めつき処理した。
(3) しかる後に、300〜400℃で１時間熱処理を行
ないめつき被膜を硬化させた。
ないめつき被膜を硬化させた。
上記めつき処理により、ピストンリング上に
Ni−Ｐマトリツクス無電解めつき６（第３図）
を約3.5μｍ下地めつきとして施し、さらにその
上にNi−Ｐマトリツクス中にBNを共析させて
なる無電解分散めつき被膜７を15μｍ形成する
ことができた。
Ni−Ｐマトリツクス無電解めつき６（第３図）
を約3.5μｍ下地めつきとして施し、さらにその
上にNi−Ｐマトリツクス中にBNを共析させて
なる無電解分散めつき被膜７を15μｍ形成する
ことができた。
なお、無電解分散めつき被膜７の中のBNは
分析したところその面積率は約15％であつた。
分析したところその面積率は約15％であつた。
この様に、本発明による二層から成る無電解
めつき−無電解分散めつき被膜が形成されたピ
ストンリングを、その表面がNi−Ｐ−BN無電
解分散めつき被膜であつて、優れた潤滑性、そ
してこの結果として優れた耐摩耗性を発揮し、
しかもピストンリングを分散めつき被膜との間
に無電解めつき被膜が存在するため、密着性に
おいても極めて、優れていた。
めつき−無電解分散めつき被膜が形成されたピ
ストンリングを、その表面がNi−Ｐ−BN無電
解分散めつき被膜であつて、優れた潤滑性、そ
してこの結果として優れた耐摩耗性を発揮し、
しかもピストンリングを分散めつき被膜との間
に無電解めつき被膜が存在するため、密着性に
おいても極めて、優れていた。
さらにめつき両層を形成するにあたり共通の
組成の下地めつき浴を使用しているので共析成
分であるBN以外の成分の濃度調整をする必要
がなかつた。
組成の下地めつき浴を使用しているので共析成
分であるBN以外の成分の濃度調整をする必要
がなかつた。
ｆ 作用
上記このように高硬度の無電解分散めつき被膜
７と、被めつき素材５との間に中間程度の硬度を
有する無電解めつき被膜６が介在することによ
り、曲げ等の外力に対し、この下地めつき中間層
が弾力的に働き、めつき被膜の亀裂および剥離の
発生を防止することができる。さらに、第２図の
ごとき従来の無電解分散めつき被膜４は、被めつ
き素材３の表面に直接ダイヤモンドあるいはSiC
などの共析物が付着する部分があるので、第１図
の無電解めつき被膜２に比べて被めつき素材との
密着性に劣る。本発明では、被めつき素材５の表
面に第１図と同様の分散材を使用していない無電
解めつき被膜が形成され、共析物が直接被めつき
素材面に付着することができないので、密着性に
おいても良好である。
７と、被めつき素材５との間に中間程度の硬度を
有する無電解めつき被膜６が介在することによ
り、曲げ等の外力に対し、この下地めつき中間層
が弾力的に働き、めつき被膜の亀裂および剥離の
発生を防止することができる。さらに、第２図の
ごとき従来の無電解分散めつき被膜４は、被めつ
き素材３の表面に直接ダイヤモンドあるいはSiC
などの共析物が付着する部分があるので、第１図
の無電解めつき被膜２に比べて被めつき素材との
密着性に劣る。本発明では、被めつき素材５の表
面に第１図と同様の分散材を使用していない無電
解めつき被膜が形成され、共析物が直接被めつき
素材面に付着することができないので、密着性に
おいても良好である。
ｇ 効果
本発明は、上記のように、被めつき素材へ高硬
度のNi−Ｐマトリツクス無電解分散めつきを施
す際、この無電解分散めつき被膜よりも硬度の低
いNi−Ｐマトリツクス無電解めつき被膜を被め
つき素材側に設けたので、めつき加工品に対する
曲げなどの外力に対し強くまた、被めつき素材面
への密着性の良いめつき被膜を得ることができ
る。
度のNi−Ｐマトリツクス無電解分散めつきを施
す際、この無電解分散めつき被膜よりも硬度の低
いNi−Ｐマトリツクス無電解めつき被膜を被め
つき素材側に設けたので、めつき加工品に対する
曲げなどの外力に対し強くまた、被めつき素材面
への密着性の良いめつき被膜を得ることができ
る。
第１図は従来の無電解めつき層を表す横断面
図、第２図は従来の無電解分散めつき層を表す横
断面図、第３図は本発明にかかる無電解分散めつ
き層を表す横断面図である。第４図は、本発明に
かかるコーミングワイヤを巻き付けたコーミング
ロールの側面図、第５図は本発明にかかるコーミ
ングワイヤの一部拡大図である。 １，３，５……被めつき素材、２，６……無電
解めつき被膜、４，７……無電解分散めつき被
膜。
図、第２図は従来の無電解分散めつき層を表す横
断面図、第３図は本発明にかかる無電解分散めつ
き層を表す横断面図である。第４図は、本発明に
かかるコーミングワイヤを巻き付けたコーミング
ロールの側面図、第５図は本発明にかかるコーミ
ングワイヤの一部拡大図である。 １，３，５……被めつき素材、２，６……無電
解めつき被膜、４，７……無電解分散めつき被
膜。
Claims (1)
- １ Ni−Ｐマトリツクス中にSiC、ダイヤモンド
などの硬質微粒子あるいはBN、セリサイトなど
の自己潤滑微粒子を共析させてなる無電解分散め
つき被膜と被めつき素材との間に上記硬質微粒子
あるいは自己潤滑微粒子を共析させていない上記
電解分散めつき被膜よりも硬度の低いNi−Ｐマ
トリツクス無電解めつきを下地めつきとして施
し、しかる後に熱処理してなることを特徴とする
無電解分散めつき層を有する加工製品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4678381A JPS57161054A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Electroless dispersion plating layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4678381A JPS57161054A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Electroless dispersion plating layer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57161054A JPS57161054A (en) | 1982-10-04 |
| JPH0253509B2 true JPH0253509B2 (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=12756920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4678381A Granted JPS57161054A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Electroless dispersion plating layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57161054A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60197880A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Aisin Seiki Co Ltd | 複合メッキ被膜 |
| JPH03186667A (ja) * | 1989-12-13 | 1991-08-14 | Kanai Hiroyuki | 摺動部材 |
| JP3561929B2 (ja) * | 1993-08-23 | 2004-09-08 | 株式会社豊田自動織機 | スクロール型圧縮機 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51109224A (ja) * | 1975-03-20 | 1976-09-28 | Satosen Co Ltd | Tainetsuseichokogokinhifukuojusuru kozotai |
-
1981
- 1981-03-30 JP JP4678381A patent/JPS57161054A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51109224A (ja) * | 1975-03-20 | 1976-09-28 | Satosen Co Ltd | Tainetsuseichokogokinhifukuojusuru kozotai |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57161054A (en) | 1982-10-04 |
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