JPH0250431A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0250431A JPH0250431A JP20126788A JP20126788A JPH0250431A JP H0250431 A JPH0250431 A JP H0250431A JP 20126788 A JP20126788 A JP 20126788A JP 20126788 A JP20126788 A JP 20126788A JP H0250431 A JPH0250431 A JP H0250431A
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- Japan
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- film
- metal wiring
- irregularities
- integrated circuit
- circuit device
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003938 response to stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特にその金属配線
の形成構造に関する。
の形成構造に関する。
従来、半導体集積回路装置の素子分離領域はロコス（Ｌ
ＯＣＯ３）構造とされ金属配線は平坦化された眉間絶縁
膜上に形成される。
ＯＣＯ３）構造とされ金属配線は平坦化された眉間絶縁
膜上に形成される。
このように、従来の金属配線は平坦な層間絶縁膜上に形
成され眉間絶縁膜とは単に電気接続のための開孔部のみ
で固定されているにすぎないので、金属配線上部の配線
保護膜またはパッケージのモールド樹脂等の温度変化等
によるストレスを受けて左右に移動し、断線したり、他
の金属配線と接触する等の事故を起こし、半導体装置を
不良にするという欠点がある。
成され眉間絶縁膜とは単に電気接続のための開孔部のみ
で固定されているにすぎないので、金属配線上部の配線
保護膜またはパッケージのモールド樹脂等の温度変化等
によるストレスを受けて左右に移動し、断線したり、他
の金属配線と接触する等の事故を起こし、半導体装置を
不良にするという欠点がある。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、配線保護膜または
パッケージのモールド樹脂等によるストレスにより金属
配線が位置ズレを生じることなき半導体４Ａ積回路装置
を提供することである。
パッケージのモールド樹脂等によるストレスにより金属
配線が位置ズレを生じることなき半導体４Ａ積回路装置
を提供することである。
本発明によれば、半導体集積回路装置は、半導体基板と
、前記半導体基板上に形成される素子分離用絶縁膜と、
前記素子分離用絶縁膜上に表面に凹凸部を備えて形成さ
れる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に前記凹凸部と機
械的に結合して形成される金属配線膜を含んで構成され
る。
、前記半導体基板上に形成される素子分離用絶縁膜と、
前記素子分離用絶縁膜上に表面に凹凸部を備えて形成さ
れる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に前記凹凸部と機
械的に結合して形成される金属配線膜を含んで構成され
る。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体集積回路装置の
金属配線部の部分断面図である。本実施例によれば、本
発明の半導体集積回路装置は、半導体基板１と、この半
導体基板１上に順次積層形成された素子分離用絶縁膜２
．導電性膜３および表面に凹凸部を形成する層間絶縁膜
４と、この眉間絶縁膜４上の凹凸部と機械的に結合して
形成された金属配ｌ＆ｌ膜５と、この金属配線膜５を被
覆する配線保護膜６とを含む。本実施例から明らかなよ
うに、本発明の半導体集積回路装置は、金属配線膜５の
下部を局部的に層間絶縁膜４に形成した凹凸部と強固に
結合させているので、仮置配線保護Ｊｌｉ６からの機械
的ストレスを受けることがあっても位置ズレを起こすこ
とはない。従って、従来の如き位置ズレに基づく金属配
線の断線または相互接触による特性不良の発生を完全に
解決することができる。上記実施例の半導体集積回路装
置の構造はづきの工程を経ればきわめて容易に製造する
ことが可能である。
金属配線部の部分断面図である。本実施例によれば、本
発明の半導体集積回路装置は、半導体基板１と、この半
導体基板１上に順次積層形成された素子分離用絶縁膜２
．導電性膜３および表面に凹凸部を形成する層間絶縁膜
４と、この眉間絶縁膜４上の凹凸部と機械的に結合して
形成された金属配ｌ＆ｌ膜５と、この金属配線膜５を被
覆する配線保護膜６とを含む。本実施例から明らかなよ
うに、本発明の半導体集積回路装置は、金属配線膜５の
下部を局部的に層間絶縁膜４に形成した凹凸部と強固に
結合させているので、仮置配線保護Ｊｌｉ６からの機械
的ストレスを受けることがあっても位置ズレを起こすこ
とはない。従って、従来の如き位置ズレに基づく金属配
線の断線または相互接触による特性不良の発生を完全に
解決することができる。上記実施例の半導体集積回路装
置の構造はづきの工程を経ればきわめて容易に製造する
ことが可能である。
第２図（ａ）〜（ｂ）は上記実施例の製法の一つを示す
工程順序図で、半導体基板１上に素子分離用絶縁膜２．
導電性膜３１層間絶縁膜４を順次形成した後感光性樹脂
Ｍ７をバターニング形成し〔第２図（ａ）参照〕、つい
でこの感光性樹脂膜７のパターンをマスクとして眉間絶
縁膜４をエツチングして凹凸部を表面に形成した後〔第
２図（ｂ）参照〕、金属配線膜５をこの上に形成すれば
よい。
工程順序図で、半導体基板１上に素子分離用絶縁膜２．
導電性膜３１層間絶縁膜４を順次形成した後感光性樹脂
Ｍ７をバターニング形成し〔第２図（ａ）参照〕、つい
でこの感光性樹脂膜７のパターンをマスクとして眉間絶
縁膜４をエツチングして凹凸部を表面に形成した後〔第
２図（ｂ）参照〕、金属配線膜５をこの上に形成すれば
よい。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、金属配線
膜は眉間絶縁膜の凹凸を介して眉間絶縁膜と機械的に強
固に結合され、配線保護膜等のストレスに対して左右に
移動しなくなるので、半導体集積回路装置の品質の信頼
性の向上に顕著なる効果を奏することができる。
膜は眉間絶縁膜の凹凸を介して眉間絶縁膜と機械的に強
固に結合され、配線保護膜等のストレスに対して左右に
移動しなくなるので、半導体集積回路装置の品質の信頼
性の向上に顕著なる効果を奏することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体集積回路装置の
金属配線部の部分断面図、第２図（ａ）〜（ｂ）は上記
実施例の製法の一つを示す工程順序図である。 １・・・半導体基板、２・・・素子分離用絶縁膜、３・
・・導電性膜、４・・・層間絶縁膜、５・・・金属配線
膜、６・・・配線保護膜、７・・・感光性樹脂膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 烏 １ 図 潰 ２ 図
金属配線部の部分断面図、第２図（ａ）〜（ｂ）は上記
実施例の製法の一つを示す工程順序図である。 １・・・半導体基板、２・・・素子分離用絶縁膜、３・
・・導電性膜、４・・・層間絶縁膜、５・・・金属配線
膜、６・・・配線保護膜、７・・・感光性樹脂膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 烏 １ 図 潰 ２ 図
Claims (1)
- 半導体基板と、前記半導体基板上に形成される素子分
離用絶縁膜と、前記素子分離用絶縁膜上に表面に凹凸部
を備えて形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に
前記凹凸部と機械的に結合して形成される金属配線膜と
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126788A JPH0250431A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126788A JPH0250431A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250431A true JPH0250431A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16438119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20126788A Pending JPH0250431A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0250431A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513042U (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-19 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体集積回路 |
| US5256903A (en) * | 1990-02-28 | 1993-10-26 | Hitachi Ltd. | Plastic encapsulated semiconductor device |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP20126788A patent/JPH0250431A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5256903A (en) * | 1990-02-28 | 1993-10-26 | Hitachi Ltd. | Plastic encapsulated semiconductor device |
| JPH0513042U (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-19 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体集積回路 |
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