JPH02500065A - マトリクスアドレス平面パネルデイスプレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 マトリクスアドレス平面パネルディスプレイ用するマトリクスアドレス平面パネ ルディスプレイに関する。

陰極線管（ＣＲＴ）はコンピュータ、テレビジョンセット等の可視情報表示のた めのディスプレイモニターにおいて使用される。この広い用途は、陰極線管によ り実現できるディスプレイの良好な性質、すなわち色、輝度、コントラストおよ び分解能によるものである。これらの性質を実現できるＣＲＴの１つの主要な特 性は、透明な面を被覆する蛍光物質の使用である。しかしながら、通常のＣＲＴ は物理的な深さ、すなわちそれらを大型および複雑にする実際のディスプレイス クリーンの背後の空間をかなり必要とするという欠点を有する。多数の重要な応 用ではこのような要求は有害である。

例えば多数の小型ポータプルコンピュータディスプレイおよび動作ディスプレイ に利用することができる深さは、ディスプレイとしてのＣＲＴの使用を不可能に する。したがって、典型的なＣＲＴの深さ要求がなく、一方では例えば輝度、分 解能、ディスプレイにおける多様性、電力要求等が匹敵し、またはそれより良好 なディスプレイ特性を備えた満足できるいワユる“平面パネルディスプレイ”ま たは“疑似平面パネルディスプレイ”を提供するためにかなりの支出と研究およ び開発が行われてきた。これらの試みは、いくつかの適用には利用可能な平面パ ネルディスプレイを生成したが、通常のＣＲＴに適合し得るディスプレイを生成 していない。

発明の要約 本発明は、ディスプレイの物理的な薄さを維持しながらＣＲＴにおいて使用され るタイプの蛍光物質の利点を利用する平面パネルディスプレイ装置に関する。そ れは別々にアドレス可能な光発生手段、好ましくは電子衝撃に反応して可視光線 を放射するＣＲＴタイプの蛍光手段と組合わせられた陰極を備えたカソードルミ ネセンス型のマトリクスアレイを含む。各陰極は自体が薄型フィルム電界放射陰 極のアレイであることが好ましく、蛍光手段がこのような陰極に密接な間隔を付 けられた透明な表面プレート上の被覆として設けられていることが好ましい。密 接な間隔（以後しばしば“中間電極”空間という）は所望の薄さ゛をディスプレ イ全体に与えるときだけでなく、高い分解能が達成されることを保証するために も重要である。すなわち、電子源とディスプレイスクリーン間に短い距離がある ために、所望のバス以外のパスを電子が通る傾向が減少し、クリアでシャープな 画素になる。本発明は平面パネルディスプレイを得るために薄型フィルム電界放 射陰極を透明な面に結合しようとする最初の試みではない。

このような装置は米国特許第３５００１０２号明細書に記載されている。クロス ト他の特許は広い概念を表わしてはいるが、その構造は満足できるディスプレイ を提供するものではない。

この特許明細書では、中間電極空間において生じる気体絶縁破壊または電子雪崩 を防止することの重要性およびその防止方法については何も論じていない。さら にクロスト他の特許の明細書にしたがって形成された実際の平面パネルディスプ レイは、排気された中空構造への大気圧の力による透明面の歪曲のためにスクリ ーン上に著しい歪みを呈すると考えられる。アレイにおける隣接した陰極基体間 の電気絶縁の問題も述べられていない。

本発明の顕著な特徴は、蛍光手段と陰極との間の空間が中間電極空間における圧 力において電子の平均自由行程に等しいか、もしくはそれより狭くなるように選 択されることである。この密接性が気体絶縁破壊またはイオン化雪崩の可能性を 大幅に減少させる。すなわち、それはこのような絶縁破壊または雪崩となり得る 中間電極空間における気体分子のイオン化の可能性を著しく減少する。

さらに本発明は、電界放射型陰極と関連された最少の中間電極空間により所望の マトリクスアドレシングを可能にする各画素用の電気接続構造を含む。すなわち 陰極の基体が密封された真空環境の外側で必要な電気接続を分配するように支持 構造を通じて延在し、陰極と駆動装置間に電気接続を容易にする。これは多数の 陰極およびそれらの間の密接な間隔のために、特に陰極アレイを有する平面パネ ルディスプレイにおいて有効である。この装置の重要な点は、隣接する陰極間の 電気的“混線″を回避するステップが実行されることである。支持構造はシリコ ンのような半導体材料であることが非常に望ましく、各基体に対する電気接続は それぞれ半導体材料を通る拡散領域のような導電領域である。半導体材料はｎ型 材料であり、一方陰極用の導電領域はｐ型である。その結果、負の電位が特定の 陰極導電領域のいずれかに与えられたときに、導電領域を支持部分の中のその他 の導電領域から自動的に絶縁し、それによって絶縁バリヤを設ける逆バイアスｐ ｎ接合が形成される。

図面の簡単な説明 第１図は、本発明のディスプレイパネルの好ましい実施例の全体的な斜視図であ る。

第２図は第１図に示された本発明の好ましい実施例の部分的な拡大図である。

第３図は好ましい実施例の単一画素の断面の拡大図である。

第４図は、アドレススキムを示す本発明の好ましい実施例のブロック図である。

第５図は第２図の一部分に類似した別の構造の断面の拡大第１図乃至第４図は、 本発明の平面パネルディスプレイの好ましい実施例を理解するために参照される 。簡単化された好ましい実施例は全体的に参照番号１１で表わされる。それは透 明なフェイスプレートまたは構造１２と背面支持プレートまたは構造１３を含む 。陰極のマトリクスアレイは支持プレートとフェイスプレート間に設けられる。

各陰極は、例えば米国特許第３８６５２４１号明細書、第３７５５７０４号明細 書および第３７９１４７１号明細書等（これらは全てチャールズ、Ａ、スピンド を発明者とする）に記載された型の集積抽出電極を具備した電界放射チップのア レイから成る。このような陰極の内の３つは、３原色である赤、緑および青の各 画素に対して１つづつ含まれている。

このような陰極が本発明の好ましい実施例に含まれる方法は、第２図によって最 も良く表わされている。これに関して電界放射型陰極を使用する１つの利点は、 陰極が真空空間を定めるプレートの１つである支持プレート中に直接食まれ得る ことである。説明された好ましい実施例はカラーディスプレイ用に構成され、そ れにしたがって前述のように各画素が３つの別々のト３極を含む。支持構造１３ はシリコン等の半導体材料から成り、各画素の３つの陰極は支持構造を通って延 在する導電領域である共通の基体１４に例えば標準拡散または熱移動（拡散の１ 形態）技術によって設けられる。支持構造を通って延在する電極用にこの基体を 設けることによって、マトリクス駆動装置は真空構造を通って基体と電気接続さ れる。

このような接続は、例えば第３図に示されるように支持部分の外側上の導電金属 等の薄いストリップ６を介して形成されることができる。前述されたように支持 構造が半導体材料である場合には、それはこのような支持構造を通じて電気接続 を設けるｐ型の導電領域を有するｎ型である。負の電位がｐ型頭域に生じたとき には、逆バイアスｐｎ接合がその領域の境界に隣接して形成され、それによって ｐ型頭域を別のｐ型である導電領域から電気的に絶縁する。半導体材料におい″ Ｃ導電領域を絶縁するために逆バイアスｐｎ接合を使用すること自体は新しくな いが、本発明の観点にしたがってそれを使用することは、特に平面パネルディス プレイにおいて好ましい分解能を得るために必要な隣接した陰極の密接な間隔を 生成することを助けるためを効である。導電領域を設ける導電材料は、半導体材 料を通じて拡散される例えばアルミニウム等である。しかしながら支持構造はシ リコンまたはその他の半導体材料以外の材料でもよいことが留意されるべきであ る。

例えば支持構造上、またはそれを通して電気接続を設けることができるガラスで あってもよい。

説明されたように、各陰極はそこから上方にフェイスプレート構造１２に向かっ て突出する多数の間隔を隔てられた電子放射チップ１５を含む。一般に各色素子 はディスプレイの寸法および所望される分解能にしたがって１００個から数百側 のこのようなチップを含んでいる二実際的な理由により実際に同一の表示を図面 で示すことばできない。導電ゲートまたは抽出電極装置はそこから電子放射を引 起こし制御するためにチップに隣接して位置される。このような装置は基体スト リップに直角であり、チップによりて放射される電子が通る開口を含む。３原色 の各色に対して１つづつ、３つの異なるゲート１７．１８および１９が各画素に 存在する（第３図参照）。第２図に最も良く示されているように、ゲート１７乃 至１９は支持構造の前面を横切って第２図に見られるように水平に延在する画素 の列全体に共通のストリップとして形成されている。このようなゲート電極は、 通常の光りソゲラフ技術によって共通基体から各画素のゲートを電気的に分離す る電気絶縁層２１上に簡単に設けられることができる。

この好ましい実施例における各画素の陽極は、インジウム錫酸化物のような導電 性の透明材料の薄い被覆またはフィルム２２である。各画素用の陽極は以下に示 されたスペーサを有する領域を除いてフェイスプレートの内面を被覆する。

３原色を提供する蛍光体ストリップ２３．２４および２６が層２２上に設けられ ている。このようなストリップは、それぞれゲートストリップ１７．１８および １９の各々に１つづつ対向し、複数の画素に対しても延在している。

電極ゲートと蛍光ストップの位置の間に真空空間が設けられる。真空度はを害な 電子雪崩（パッシェン）イオン化絶縁破壊および２次電子生成が所定の陰極・蛍 光体間隔およびその他の物理的ディメンションで避けられるようなものであるべ きである。前述のように、中間電極空間は中間電極空間における圧力での電子の 平均自由行程以下であることが最も望ましい。この密接性は中間空間における気 体分子のイオン化の可能性を著しく減少させ、それによって気体の絶縁破壊また は電子雪崩の可能性を阻止する。

密接した陰極・蛍光体間隔は、ゲート構造が実効的な輝度を増加する各画素の背 後にある反射面として動作させることを可能にする。これはディスプレイを付勢 するために電子が通過しなければならないアルミニウムのような蛍光物質上の反 射層を含む必要をなくす。

真空ために、平面パネルディスプレイを歪めて支持構造と表面プレート間の距離 を減少させる傾向があるディスプレイへの著しい大気圧が存在することが理解さ れるであろう。支持構造はこのような荷重に抵抗し、フェイスプレートと画素陰 極アレイ間の選択された距離を維持する。このような支持構造は、画素の隣接し た列の間に配置されるフェイスプレートと一体連結の細長い平行な脚部であるス ペーサ２７を含む。

このような脚部は、可視ディスプレイの分解能および品質に有害な影響を及ぼす ことなく画素間に配置されることができる。第３図の拡大図に示されているよう ・に、脚部２７は絶縁層２１上の支持構造１３と単に接触しているだけである。

このような脚部はフェイスプレートの領域全体を支持し、したがって電極ゲート と蛍光体ストリップ間の空間内の真空はフェイスプレートの有害な歪みを生じな い。

陰極のマトリクスアレイは、直角に関連された陰極基体とゲートとを一般的な通 常のマトリクス・アドレススキムでアドレスすることによって極めて簡単に付勢 される。基体およびゲート駆動装置の直角関係は、第１図において略図的にブロ ック２８および２９により示されている。（３本の線がゲート駆動ブロック２９ からディスプレイに延在し、また基体駆動ブロック２８とディスプレイ間に延在 するただ１本の線が示されているが、これはそれらの関係すなわち各基体に対し て３個のゲートが別々に付勢されることを示すためのものである）。

第４図は標準的なマトリクス・アドレススキム中に含まれるブロック２８および ２９を示す。直列データバス３１は、バッファ３２を通ってメモリ３３に所望の ディスプレイを定めるデジタルデータを供給する。マイクロプロセッサ３４もま たメモリ３３の出力を制御する。もし情報がアルファベットや数字の文字を定め るものであれば、ライン３６によって表わされたように、出力はゲート駆動回路 の動作を制御するシフトレジスタ３８に所望の文字を定める必要情報を供給する 文字発生器３７の方向に送られる。他方もし情報がアルファベットや数字の文字 ではない表示を定めるならば、このような情報はライン３９によって表わされた ようにメモリ３３からシフトレジスタ３８に直接供給される。

タイミング回路４１はゲート駆動回路２９の動作を制御し、この動作はライン４ ２によって示されるように基体の付勢と同期される。１つの列に沿うように選択 されたバスに沿ったディスプレイの適切な陰極基体が付勢されるが、残りの基体 は付勢されない。基体バスに直角な選択されたバスのゲー　トも付勢されるが、 残りのゲートは付勢されず、その結果選択され、た画素の基体およびゲートが所 望の画素ディスプレイを与える電子を生成するように同時に付勢される。本発明 において、画素のライン全体が同時に付勢される方が通常のように個々に画素を 付勢するより好ましいことに留意すべきである。したがって、ラスター走査方法 による個々の画素の連続的な付勢とは対照的に、連続的なラインがディスプレイ フレームを与えるために付勢されることができる。これは各画素が強化された輝 度に対して長いデユーティサイクルを有することを保証する。

第５図には別の構造が示されている。この図面は、第１図乃至第４図の実施例の 第２図で説明された基体およびゲート素子の一部分に類似する等大口である。最 初の実施例と第５図に示された実施例とのただ１つの顕著な違いは、単一画素に 与えられる共通基体および３つのゲートではなく、物理的に互いに分離されてい る別々の基体３１．３２および３３と共通ゲート３４が設けられていることであ る。別々の基体をもたらす拡散領域間の逆バイアスｐｎ接合の形成は、特にこの 実施例に関連して望ましい。前述の実施例に類似した部品は同じ番号で示されて いる。

本発明は好ましい実施例に関連して説明されているが、当業者は種々の変更が発 明の技術的範囲から逸脱することなく実行されることができることを理解するで あろう。例えば本発明の特徴は電界放射型の陰極を宵する陰極・蛍光体平面パネ ルディスプレイに包括されるが、それらは別の種類の平面パネルディスプレイに 適用されることができる。ゲート１７乃至１９は支持構造１３を通じて拡散また は延在される電気接続から駆動されてもよい。さらに特定のアドレス技術および 回路が示されているが、本発明が別のマトリクスアドレス配列に同様に適用され ることができることは理解されるであろう。

本特許権者に与えられるカバレージは請求項およびそれと等価の用語と構造によ って限定されることが意図されている。

補正書の翻訳文提出書（特許法第１８４条の８　）平成元年１月３０日 ＰＣＴ／ＵＳ８７１０１７４７ ２、発明の名称 マトリクスアドレス平面パネルディスプレイ３、特許出願人　゛ 住所　アメリカ合衆国　カリフォルニア州　９４０２５メンロ・パーク、ミドル フィールド・ロード５４５名称　コムチック・インターナショナル・マネージメ ント・コーポレーション 国籍　アメリカ合衆国 ４、代理人 東京都千代田区霞が関３丁目７番２号 〒１００　電話　０３（５０２）３１８１　（大代表）６、添付書類の目録 （１）補正書の翻訳文　１通 （１）請求の範囲を別紙のとおり訂正する。

（２）明細書第８頁第５行“直列データバス３１”を°直列データバス３１八′ と訂正し、同行°バッファ３２°を“バッファ３２Ａ°と訂正し、第６行“メモ リ３３“を°メモリ３３Ａ″と訂正し、第７行“マイクロプロセッサ３４°を“ マイクロプロセッサ３４Ａ″と訂正し、同行“メモリ３３”を°メモリ３３Ａ° と訂正し、Ｎ１３行゛メモリ３３”を°メモリ３３Ａ”と訂正する。

（３）明細書第９頁第５行“等大口′を“断面図”と訂正（４）図面第３図、第 ４図、および第５図を別紙のとおり訂正する（第２図は訂正なし）。

請求の範囲 （１）Ａ、第１の導電型の半導体材料から成る背面支持構造と、 Ｂ、前記支持構造から選択された距離だけ離された透明な表面構造と、 Ｃ９前記支持構造および前記表面構造上に設けられそれらの間に位置された別々 にアドレス可能な光発生手段のマトリクスアレイと、 Ｄ、前記アレイの選択された光発生手段を付勢する電気駆動手段と、 Ｅ９前記支持構造を通って延在し、前記第１の半導体材料の導電型と反対である 第２の導電型の半導体材料から構成された前記各光発生手段用の電気接続とを具 備し、電気接続上の支持構造は第１の導電型がｐ型であり第２の導電型はｐ型で あり、電気駆動手段が各光発生手段を付勢するように選択されたｐｎ接合部を逆 バイアスすることを特徴とする平面パネルディスプレイ。

（２）別々にアドレス可能な光発生手段の前記マトリクスアレイは、前記支持構 造と前記表面構造との間に位置され別々にアドレス可能な陰極を含み、蛍光手段 は前記透明な面構造に存在し、前記陰極から生じた電子による衝撃に反応して可 視光線を放射し、この蛍光手段は電子を誘導する導電手段を含む請求項１記載の 平面パネルディスプレイ。

（３）前記陰極はそれぞれ、 Ａ０間隔を隔ててそこから突出している１つ以上の電子放射チップを有する前記 支持構造における導電基体と、Ｂ５電子放射を生成し制御するように前記チップ に隣接して位置され、前記チップによって放射された電子が通過し得る開口を含 む導電ゲートと、 Ｃ１前記ゲー　１・から前記基体を電気的に分離する第１の電気絶縁層とを含む 請求項２記載の平面パネルディスプレイ。

（４）前記基体駆動手段は複数の第１のバスの１つを限定する前記基体のシーケ ンスを別々に付勢するために前記各電気接続を通じて前記アレイの基体に電気的 に接続され、前記ゲート手段は前記第１の複数のバスと交差する複数の第２のバ スの１つを限定する前記ゲート・のシーケンスを別々に付勢するように前記アレ イのゲートに電気的に接続されている請求項３記載の平面パネルディスプレイ。

（５）カラーディスプレイであり、その各画素はそれぞれ互いに物理的に分離さ れている基体を仔する３個の陰極を含む請求項４記載の平面パネルディスプレイ 。

（６）前記陰極と前記導電手段間の中間電極空間は、中間電極空間における電子 の平均自由行程以下である請求項２記載の平面パネルディスプレイ。

（７）前記第１の電気絶縁層は、固体絶縁体である請求項３記載の平面パネルデ ィスプレイ。

（８）削除 （９）削除 （１０）削除 （１１）前記ディスプレイは、それぞれが前記陰極の３個を含むカラー画素のマ トリクスから成るカラーディスプレイである請求項２記載の平面パネルディスプ レイ。

（１２）　Ａ、ｎ型の半導体材料から成る支持構造と、゛Ｂ、前記支持構造から 選択された距離を隔てられた透明な表面構造と、 Ｃ０前記支持構造および前記表面構造上に設けられそれらの間に位置された別々 にアドレス可能な陰極のマトリクスアミ子による衝撃に反応する前記透明な面構 造に存在し、電子を誘導する導電手段を含む蛍光手段と、Ｅ、前記アレイにおい て選択された陰極を付勢する電気駆動手段と、 Ｆ、前記導電手段から前記アレイを電気的に絶縁する陰極の前記アレイと前記導 電手段との間の真空の中間電極空間と、Ｇ、中間電極空間における圧力における 電子の平均自由行程以下である前記アレイと前記導電手段間の距離と、Ｈ２前記 支持構造を通じて延在し、ｐｎ接合を定めるようにｐ型半導体から構成されてい る前記各陰極のための電気接続と、各陰極を付勢するために選択されたｐｎ接合 を逆バイアスする電気駆動手段とを特徴とする平面パネルディスプレイ。

（１３）前記別々にアドレス可能な陰極はそれぞれ、Ａ８間隔を隔てて突出して いる多数の電子放射チップを有する前記支持構造における導電基体と、Ｂ、電子 放射を生成して制御するために前記チップに隣接して位置され、前記チップによ って放射された電子が通過する開口を含む導電ゲートと、 Ｃ０前記ゲートから前記基体を電気的に分離する第１の電気絶級層とを含む請求 項１２記載の平面パネルディスプレイ。

国際調査報告 ＡＮＮＥＸ　Ｔｏ　ＴＨＥ　ＩＮＴＥλＮＡＴＩＯＮＡＬ　５ＥＡＲＣＨＲＥ？ ＯＲＴ　０ＮＩｈＴＥＲ，’ｔｌＡＴＩＯＮＡＬ　ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮ　Ｎ ＣＬ　ＰＣＴ／ＵＳ　８７１０１７４７　（ＳＡ　１８３９６１ｔＪｓ−Ａ−３ ６６５２４１２３１０Ｓ／７２　ｔｌＳ−Ａ−３１１１２５５９２８１０Ｓ／７ ４

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ａ．第１の導電型の半導体材料から成る背面支持構造と、 Ｂ．前記支持構造から選択された距離だけ離された透明な表面構造と、 Ｃ．前記支持構造および前記表面構造上に設けられそれらの間に位置された別々 にアドレス可能な光発生手段のマトリクスアレイと、 Ｄ．前記アレイの選択された光発生手段を付勢する電気駆動手段と、 Ｅ．前記支持構造を通って延在する前記各光発生手段用の別々の電気接続とを具 備している平面パネルディスプレイ。
2. （２）別々にアドレス可能な光発生手段の前記マトリクスアレイは、前記支持構 造と前記表面構造との間に位置され別々にアドレス可能な陰極を含み、蛍光手段 は前記透明な面構造に存在し、前記陰極から生じた電子による衝撃に反応して可 視光線を放射し、この蛍光手段は電子を誘導する導電手段を含む請求項１記載の 平面パネルディスプレイ。
3. （３）前記陰極はそれぞれ、 Ａ．間隔を隔ててそこから突出している１つ以上の電子放射チップを有する前記 支持構造における導電基体と、Ｂ．電子放射を生成し制御するように前記チップ に隣接して位置され、前記チップによって放射された電子が通過し得る開口を含 む導電ゲートと、 Ｃ．前記ゲートから前記基体を電気的に分離する第１の電気絶縁層とを含む請求 項２記載の平面パネルディスプレイ。
4. （４）前記基体駆動手段は複数の第１のパスの１つを限定する前記基体のシーケ ンスを別々に付勢するために前記アレイの基体に電気的に接続され、前記ゲート 手段は前記第１の複数のパスと交差する複数の第２のパスの１つを限定する前記 ゲートのシーケンスを別々に付勢するように前記アレイのゲートに電気的に接続 されている請求項３記載の平面パネルディスプレイ。
5. （５）カラーディスプレイであり、その各画素はそれぞれ互いに物理的に分離さ れている基体を有する３個の陰極を含む請求項４記載の平面パネルディスプレイ 。
6. （６）前記陰極と前記導電手段間の中間電極空間は、中間電極空間における電子 の平均自由行程以下である請求項２記載の平面パネルディスプレイ。
7. （７）前記第１の電気絶縁層は、固体絶縁体である請求項３記載の平面パネルデ ィスプレイ。
8. （８）前記支持構造は前記マトリクスアレイにおける半導体材料であり、前記支 持構造を通って延在する前記電気接続はそれぞれ前記半導体材料を通って延在す る導電領域である請求項１記載の平面パネルディスプレイ。
9. （９）負の電位が前記電気接続に供給されたとき、隣接した導電領域から導電領 域を絶縁し、それによって絶縁バリアを設ける逆バイアスｐｎ接合が形成される ように、前記半導体材料は導電領域に隣接したｎ型材料であり、前記領域はｐ型 である請求項８記載の平面パネルディスプレイ。
10. （１０）前記支持構造の半導体材料はシリコンであり、前記陰極の各々に対する 前記導電領域は前記シリコンを通じて拡散されるアルミニウムを含む請求項８記 載の平面パネルディスプレイ。
11. （１１）前記ディスプレイは、それぞれが前記陰極の３個を含むカラー画素のマ トリクスから成るカラーディスプレイである請求項２記載の平面パネルディスプ レイ。
12. （１２）Ａ．支持構造と、 Ｂ．透明な表面構造と、 Ｃ．前記支持構造および前記表面構造上に設けられそれらの間に位置された別々 にアドレス可能な陰極のマトリクスアレイと、 Ｄ．可視光線を放射することによって前記陰極から生じた電子による衝撃に反応 する前記透明な面構造に存在し、電子を誘導する導電手段を含む蛍光手段と、Ｅ ．前記アレイにおいて選択された陰極を付勢する電気駆動手段と、 Ｆ．前記導電手段から前記アレイを電気的に絶縁する陰極の前記アレイと前記導 電手段との間の真空の中間電極空間と、Ｇ．中間電極空間における圧力における 電子の平均自由行程以下である前記アレイと前記導電手段間の距離とを特徴とす る平面パネルディスプレイ。
13. （１３）前記別々にアドレス可能な陰極はそれぞれ、Ａ．間隔を隔てて突出して いる多数の電子放射チップを有する前記支持構造における導電基体と、Ｂ．電子 放射を生成して制御するために前記チップに隣接して位置され、前記チップによ って放射された電子が通過する開口を含む導電ゲートと、 Ｃ．前記ゲートから前記基体を電気的に分離する第１の電気絶縁層とを含む請求 項１２記載の平面パネルディスプレイ。