JPH024999B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH024999B2 JPH024999B2 JP55152527A JP15252780A JPH024999B2 JP H024999 B2 JPH024999 B2 JP H024999B2 JP 55152527 A JP55152527 A JP 55152527A JP 15252780 A JP15252780 A JP 15252780A JP H024999 B2 JPH024999 B2 JP H024999B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film electrode
- lead wire
- electrode
- soldering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 41
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス基板上に形成された薄膜電極と
リード線との接続方法に関し、特に半田付けによ
る接続方法に関する。
リード線との接続方法に関し、特に半田付けによ
る接続方法に関する。
本発明の目的は、ガラス基板上に形成された薄
膜電極に半田コーテイングを施し、リード線の半
田付けに際しては、薄膜電極の端面より0.5mm以
上薄膜電極の内面側に入つた所にリード線の半田
付け後の立ち上り部がある様にする事により、薄
膜電極のハガレ力を分散し、信頼性の高いしかも
低コストのリード線半田付け方法を提供する事に
ある。
膜電極に半田コーテイングを施し、リード線の半
田付けに際しては、薄膜電極の端面より0.5mm以
上薄膜電極の内面側に入つた所にリード線の半田
付け後の立ち上り部がある様にする事により、薄
膜電極のハガレ力を分散し、信頼性の高いしかも
低コストのリード線半田付け方法を提供する事に
ある。
ここで半田付け後のリード線の立ち上がり部の
定義を第１図に説明する。基板１上に厚膜又は薄
膜で作られた電極膜２が形成され、リード３は図
の様に半田４により半田付けされている。Ａ点は
リード線の変曲点であり、Ｂ点は半田付けの際半
田の表面張力によりできるダレ部である。本発明
では、このＢ点をリード線の立ち上がり部と、Ｆ
点からＢ点の間を半田付けによる接続部と定義す
る。又説明中で端面と言うのは第２図の様にリー
ド線を配置して半田付けを行なつた時、イ部側の
端面を示す。ロ，ハ側の端面は、横端面と言う言
葉で説明をする。
定義を第１図に説明する。基板１上に厚膜又は薄
膜で作られた電極膜２が形成され、リード３は図
の様に半田４により半田付けされている。Ａ点は
リード線の変曲点であり、Ｂ点は半田付けの際半
田の表面張力によりできるダレ部である。本発明
では、このＢ点をリード線の立ち上がり部と、Ｆ
点からＢ点の間を半田付けによる接続部と定義す
る。又説明中で端面と言うのは第２図の様にリー
ド線を配置して半田付けを行なつた時、イ部側の
端面を示す。ロ，ハ側の端面は、横端面と言う言
葉で説明をする。
又、本発明による効果は基板がガラスであり、
電極膜が薄膜電極の時に顕著である為、以下これ
により説明していく。
電極膜が薄膜電極の時に顕著である為、以下これ
により説明していく。
ガラス基板上に形成された薄膜電極とリード線
との半田付けにおいて特に問題となるのは、薄膜
電極の密着力が弱い為、いかにリード線にかかつ
た力を薄膜電極にかけない様にするかである。従
来の方法を第３図に示す。５はガラス基板、６は
ガラスとの密着力を確保する為のCr等の下地電
極、７は半田付けを可能とする為のNi等の上層
電極、８はリード線３との半田付け用の半田、９
は補強材である。リード線３は薄膜電極の端面迄
半田付けされている。リード線の立ち上がり部は
薄膜電極端面と言う事になる。ここで補強材９の
ない時を考えてみると、第３図の矢印↑の様に力
がかかつた場合、応力のかかる場所は薄膜電極の
端面Ｃ点であり集中応力が起こる。その為密着力
の弱いCrとNiの界面からわずかな力でハガレが
生じる。この力は電極薄膜の巾が１mmの時、５ｇ
程度である。その為補強材９が必要となつてく
る。補強材としては第３図の様に接着剤をコート
する方法、機械的に上からリード線を押える方法
等が取られている。
との半田付けにおいて特に問題となるのは、薄膜
電極の密着力が弱い為、いかにリード線にかかつ
た力を薄膜電極にかけない様にするかである。従
来の方法を第３図に示す。５はガラス基板、６は
ガラスとの密着力を確保する為のCr等の下地電
極、７は半田付けを可能とする為のNi等の上層
電極、８はリード線３との半田付け用の半田、９
は補強材である。リード線３は薄膜電極の端面迄
半田付けされている。リード線の立ち上がり部は
薄膜電極端面と言う事になる。ここで補強材９の
ない時を考えてみると、第３図の矢印↑の様に力
がかかつた場合、応力のかかる場所は薄膜電極の
端面Ｃ点であり集中応力が起こる。その為密着力
の弱いCrとNiの界面からわずかな力でハガレが
生じる。この力は電極薄膜の巾が１mmの時、５ｇ
程度である。その為補強材９が必要となつてく
る。補強材としては第３図の様に接着剤をコート
する方法、機械的に上からリード線を押える方法
等が取られている。
以上の様に従来の方法では必ず補強材が必要と
なり、工数アツプの要因となつていた。
なり、工数アツプの要因となつていた。
本発明はかかる欠点を除去し、補強材がなくて
も使用に必要な強度が確保できる低コストのリー
ド線半田付け方法を提供するものである。
も使用に必要な強度が確保できる低コストのリー
ド線半田付け方法を提供するものである。
本発明の要旨は、ガラス基板上に形成された薄
膜電極上に半田コーテイングする工程、前記薄膜
電極に接続されるべきリード線表面に半田コーテ
イングをする工程、前記薄膜電極の接続部に前記
リード線を半田付けする工程よりなり、前記薄膜
電極上の半田コーテイングは少なくとも前記接続
部から薄膜電極端面にわたつて施され、前記接続
部から前記薄膜電極端面までの距離は少なくとも
0.5mm以上離れていることを特徴とするリード線
半田付け方法である。
膜電極上に半田コーテイングする工程、前記薄膜
電極に接続されるべきリード線表面に半田コーテ
イングをする工程、前記薄膜電極の接続部に前記
リード線を半田付けする工程よりなり、前記薄膜
電極上の半田コーテイングは少なくとも前記接続
部から薄膜電極端面にわたつて施され、前記接続
部から前記薄膜電極端面までの距離は少なくとも
0.5mm以上離れていることを特徴とするリード線
半田付け方法である。
以下、第５図、第６図について本発明の実施例
に基いて詳細に説明する。
に基いて詳細に説明する。
ガラス基板５の上に、Crの下地電極６、半田
付けを可能とするNiの上層電極７により薄膜電
極を形成していく。その上に第３層として、半田
コーテイング層１０を形成する。この半田コーテ
イング層１０は、半田溶融層への浸漬、手による
半田コート等どの様な方法でもかまわない。リー
ド線３側は、半田付け性を良くする為に薄膜電極
側同様半田コーテイングを行なう。更に第５図の
様に折り曲げる。それぞれ以上の様な状態で、リ
ード線３の折り曲げ部が薄膜電極の端面にこない
様に重ね合わせ加熱すると第６図の様になる。こ
の時のリード線の立ち上がり部はＥ点となる。以
上の様に半田付けされたリード線へ第６図に矢印
↑の様な力が加わつた時半田コーテイング層１０
が形成される為（薄膜電極は数千Å・半田コーテ
イング層は数十μ）、半田がクツシヨン材となり、
Ｅ点への集中応力でなく、Ｅ点の周囲へ、面とな
つて応力がかかる。この為本発明でのピール強度
は薄膜巾を１mmとした時、100ｇ以上確保できる。
この強度は十分使用に供するものであり、補強材
が必要なくなる。尚、リード線の立ち上り部Ｅ点
は端面からある程度の距離をとらないと本発明の
効果がでない。その距離は、薄膜電極の端面より
５mm以上離れた所でありこれ未満では、５〜30ｇ
と極端に低下する。又、立ち上がり部が薄膜電極
の端面より0.5mm以上離れていればリード線をＺ
字状に折り曲げなくて、半田付けを行つても、本
発明の効果は得られる。又、リード線と電極膜の
間にスペーサを入れ、半田付けの際に成形し半田
付けを行つても良い。本発明の説明では薄膜電極
２層で説明したが、何層であつてもなんらさしつ
かえない。
付けを可能とするNiの上層電極７により薄膜電
極を形成していく。その上に第３層として、半田
コーテイング層１０を形成する。この半田コーテ
イング層１０は、半田溶融層への浸漬、手による
半田コート等どの様な方法でもかまわない。リー
ド線３側は、半田付け性を良くする為に薄膜電極
側同様半田コーテイングを行なう。更に第５図の
様に折り曲げる。それぞれ以上の様な状態で、リ
ード線３の折り曲げ部が薄膜電極の端面にこない
様に重ね合わせ加熱すると第６図の様になる。こ
の時のリード線の立ち上がり部はＥ点となる。以
上の様に半田付けされたリード線へ第６図に矢印
↑の様な力が加わつた時半田コーテイング層１０
が形成される為（薄膜電極は数千Å・半田コーテ
イング層は数十μ）、半田がクツシヨン材となり、
Ｅ点への集中応力でなく、Ｅ点の周囲へ、面とな
つて応力がかかる。この為本発明でのピール強度
は薄膜巾を１mmとした時、100ｇ以上確保できる。
この強度は十分使用に供するものであり、補強材
が必要なくなる。尚、リード線の立ち上り部Ｅ点
は端面からある程度の距離をとらないと本発明の
効果がでない。その距離は、薄膜電極の端面より
５mm以上離れた所でありこれ未満では、５〜30ｇ
と極端に低下する。又、立ち上がり部が薄膜電極
の端面より0.5mm以上離れていればリード線をＺ
字状に折り曲げなくて、半田付けを行つても、本
発明の効果は得られる。又、リード線と電極膜の
間にスペーサを入れ、半田付けの際に成形し半田
付けを行つても良い。本発明の説明では薄膜電極
２層で説明したが、何層であつてもなんらさしつ
かえない。
本発明の効果を更に増す為には、第７図に示す
様にリード線の半田付け部においてリード線の側
面だけにかかつている半田付けではなく、第８図
に示す様なリード線を半田が覆う様にすれば、更
に効果がある。
様にリード線の半田付け部においてリード線の側
面だけにかかつている半田付けではなく、第８図
に示す様なリード線を半田が覆う様にすれば、更
に効果がある。
以上の如く本発明は、ガラス基板上の薄膜電極
上にリード線を接合しにくいにもかかわらず薄膜
電極上に又リード線表面に半田がコーテイングさ
れているため、この半田を介して両者の接合が強
力になされるとともに、リード線は断面的に半田
により完全に覆われていることから薄膜電極に対
するリード線の接合は更に強力となるものであ
る。しかも、このリード線の半田付けされた部分
の外方が前記ガラス基板から離れる方向に立ち上
がる立ち上がり部が形成されているから、リード
線にはがし方向の外力が加わつてもこの立ち上が
り部により外力がやわらげられ薄膜電極に対する
はがし力が分散するとともに、その立ち上がり部
が薄膜電極の端面より0.5mm以上内側面に位置し
ているため、ガラス基板に対し薄膜電極が剥離し
やすい端面部の接合力が高まり、且つリード線と
薄膜電極に介在する半田により外力が吸収され更
にはがれにくくなるものである。
上にリード線を接合しにくいにもかかわらず薄膜
電極上に又リード線表面に半田がコーテイングさ
れているため、この半田を介して両者の接合が強
力になされるとともに、リード線は断面的に半田
により完全に覆われていることから薄膜電極に対
するリード線の接合は更に強力となるものであ
る。しかも、このリード線の半田付けされた部分
の外方が前記ガラス基板から離れる方向に立ち上
がる立ち上がり部が形成されているから、リード
線にはがし方向の外力が加わつてもこの立ち上が
り部により外力がやわらげられ薄膜電極に対する
はがし力が分散するとともに、その立ち上がり部
が薄膜電極の端面より0.5mm以上内側面に位置し
ているため、ガラス基板に対し薄膜電極が剥離し
やすい端面部の接合力が高まり、且つリード線と
薄膜電極に介在する半田により外力が吸収され更
にはがれにくくなるものである。
以上のように本発明によれば、簡単な操作によ
り、はがれのない良質な接合力が得られるもので
ある。
り、はがれのない良質な接合力が得られるもので
ある。
第１図はリード線立ち上がり部定義用及び、本
発明の他の実施例の断面図である。第２図は端面
に定義用斜視図である。第３図は従来の方法を示
す断面図、第４図及び第５図・第６図は本発明の
一実施例である。第７図は半田付け部の比較例、
である。
発明の他の実施例の断面図である。第２図は端面
に定義用斜視図である。第３図は従来の方法を示
す断面図、第４図及び第５図・第６図は本発明の
一実施例である。第７図は半田付け部の比較例、
である。
Claims (1)
- １ ガラス基板上に形成された薄膜電極上に半田
コーテイングする工程、前記薄膜電極に接続され
るべきリード線表面に半田コーテイングをする工
程、前記薄膜電極の接続部に前記リード線を半田
付けする工程よりなり、前記薄膜電極上の半田コ
ーテイングは少なくとも前記接続部から薄膜電極
端面にわたつて施され、前記接続部から前記薄膜
電極端面までの距離は少なくとも0.5mm以上離れ
ていることを特徴とするリード線半田付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15252780A JPS5776775A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Method of soldering lead wire |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15252780A JPS5776775A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Method of soldering lead wire |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5776775A JPS5776775A (en) | 1982-05-13 |
| JPH024999B2 true JPH024999B2 (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=15542378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15252780A Granted JPS5776775A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Method of soldering lead wire |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5776775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018131864A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 日精株式会社 | 駐車装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS596569A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-13 | Nec Corp | 混成集積回路の製造方法 |
| JPS59144194A (ja) * | 1983-02-07 | 1984-08-18 | 株式会社日立製作所 | セラミツクス基板の半田付け用端子 |
| JP2648385B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1997-08-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2543446B2 (ja) * | 1991-02-26 | 1996-10-16 | 正一 大谷 | 自転車 |
| JP5135679B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2013-02-06 | 株式会社村田製作所 | 積層型圧電素子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS536882A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-21 | Hitachi Ltd | Thick circuit substrate |
| JPS5313247B2 (ja) * | 1974-04-15 | 1978-05-09 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313247U (ja) * | 1976-07-16 | 1978-02-03 |
-
1980
- 1980-10-30 JP JP15252780A patent/JPS5776775A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313247B2 (ja) * | 1974-04-15 | 1978-05-09 | ||
| JPS536882A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-21 | Hitachi Ltd | Thick circuit substrate |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018131864A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 日精株式会社 | 駐車装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5776775A (en) | 1982-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3550875B2 (ja) | リードフレームとこれを用いた半導体装置 | |
| JPH024999B2 (ja) | ||
| JPS62232948A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP3735917B2 (ja) | 振動子 | |
| WO2002061768A1 (fr) | Connecteur de resistance et son procede de fabrication | |
| JP3699271B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JPS6156623B2 (ja) | ||
| JP2998484B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0195589A (ja) | リードレス部品の取付構造 | |
| JP2697743B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2648385B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11186649A (ja) | 半導体レーザユニットおよびその製造方法 | |
| JPH05198931A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP4366777B2 (ja) | 電子部品 | |
| JPS62569B2 (ja) | ||
| JPH0219934Y2 (ja) | ||
| JP2582534B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07183329A (ja) | 素子パッケージおよびその製造方法 | |
| JPH0143872Y2 (ja) | ||
| JPH04162734A (ja) | 半導体装置及びその形成方法 | |
| JPS58161352A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6129192Y2 (ja) | ||
| JP2924858B2 (ja) | リードフレームとその製造方法 | |
| JPH0637151A (ja) | Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法 | |
| JPH06224365A (ja) | 半導体パッケージ用リードフレームおよびその製造方法 |