JPH0249540B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0249540B2 JPH0249540B2 JP23893684A JP23893684A JPH0249540B2 JP H0249540 B2 JPH0249540 B2 JP H0249540B2 JP 23893684 A JP23893684 A JP 23893684A JP 23893684 A JP23893684 A JP 23893684A JP H0249540 B2 JPH0249540 B2 JP H0249540B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive sheet
- semiconductor substrate
- chips
- vacuum suction
- fixing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
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- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H10P72/742—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板を個々のチツプに切断
後、粘着シート上に均一な間隔に広げる方法に関
するものである。
後、粘着シート上に均一な間隔に広げる方法に関
するものである。
従来、半導体基板を粘着シートで分離して個々
の素子間を広げる場合、第２図Ａに示すように、
半導体基板１粘着シート２に固着し、第２図Ｂに
示すように、ダイサーを用いて半導体基板１を間
隔ａで切断し個々のチツプ３に分離する。次に、
第２図Ｃに示すように、粘着シート固定治具４で
粘着シート２を固定し、固定リング５上に乗せ粘
着シート固定治具４を押し下げるか固定リング５
を持ち上げて間隔ｂに広げる。さらに、第２図Ｄ
に示すように、粘着シート固定リング６で広げた
粘着シート２を固定し、余分の粘着シートを切り
取つている。
の素子間を広げる場合、第２図Ａに示すように、
半導体基板１粘着シート２に固着し、第２図Ｂに
示すように、ダイサーを用いて半導体基板１を間
隔ａで切断し個々のチツプ３に分離する。次に、
第２図Ｃに示すように、粘着シート固定治具４で
粘着シート２を固定し、固定リング５上に乗せ粘
着シート固定治具４を押し下げるか固定リング５
を持ち上げて間隔ｂに広げる。さらに、第２図Ｄ
に示すように、粘着シート固定リング６で広げた
粘着シート２を固定し、余分の粘着シートを切り
取つている。
しかしながら、粘着シート固定リング６の保持
力が弱いと、余分の粘着シートを切り取る時に切
り始めたところから粘着シート２が縮まるために
半導体基板の個々のチツプの並びが不規則になる
という欠点があつた。また、広げる量が少い時に
は固定リング５に粘着シート固定リング６をかけ
るすきまがなくなるという欠点があつた。
力が弱いと、余分の粘着シートを切り取る時に切
り始めたところから粘着シート２が縮まるために
半導体基板の個々のチツプの並びが不規則になる
という欠点があつた。また、広げる量が少い時に
は固定リング５に粘着シート固定リング６をかけ
るすきまがなくなるという欠点があつた。
本発明の特徴は、半導体基板を粘着シートに固
着し、該半導体基板が固着されていない該粘着シ
ートの部分を引き延ばし、該引き延ばされた粘着
シートの所定部を固定フレームに固着する工程
と、該固定フレームの外側の余分の粘着シートを
切り取る工程と、しかる後、前記粘着シートを真
空吸着台にのせて真空吸着する工程と、この真空
吸着した状態で前記半導体基板を各チツプに切断
する工程と、しかる後に真空吸着を開放すること
により先に引き延ばした粘着シートの戻り応力を
利用して前記半導体基板の切断されたチツプを
個々に分離する工程とを有する半導体基板の分離
方法にある。
着し、該半導体基板が固着されていない該粘着シ
ートの部分を引き延ばし、該引き延ばされた粘着
シートの所定部を固定フレームに固着する工程
と、該固定フレームの外側の余分の粘着シートを
切り取る工程と、しかる後、前記粘着シートを真
空吸着台にのせて真空吸着する工程と、この真空
吸着した状態で前記半導体基板を各チツプに切断
する工程と、しかる後に真空吸着を開放すること
により先に引き延ばした粘着シートの戻り応力を
利用して前記半導体基板の切断されたチツプを
個々に分離する工程とを有する半導体基板の分離
方法にある。
本発明を次に図面を参照して説明する。
第２図Ａに示すように半導体基板１を、塩化ビ
ニルもしくはポリオレフインのシート表面に粘着
剤としてアクリル系樹脂を塗つた粘着シート２に
固着したものを、第１図Ａに示すように、粘着シ
ート固定治具４で粘着シート２を固定し、エキス
パンド台７上で粘着テープ２の半導体基板１を固
着していない部分を延ばし、粘着シート固定フレ
ーム８を粘着シート２に固着し、余分の粘着シー
トを切り取る。すなわち第１図Ａの工程において
結果的に、半導体基板１が固着されている部分の
粘着テープは引き延ばされずに元の厚膜を維持
し、その囲りの半導体基板１が固着されていない
部分の粘着テープは引き延ばされて薄い厚膜とな
る。
ニルもしくはポリオレフインのシート表面に粘着
剤としてアクリル系樹脂を塗つた粘着シート２に
固着したものを、第１図Ａに示すように、粘着シ
ート固定治具４で粘着シート２を固定し、エキス
パンド台７上で粘着テープ２の半導体基板１を固
着していない部分を延ばし、粘着シート固定フレ
ーム８を粘着シート２に固着し、余分の粘着シー
トを切り取る。すなわち第１図Ａの工程において
結果的に、半導体基板１が固着されている部分の
粘着テープは引き延ばされずに元の厚膜を維持
し、その囲りの半導体基板１が固着されていない
部分の粘着テープは引き延ばされて薄い厚膜とな
る。
次に第１図Ｂに示すようにダイサーの真空吸着
台９に真空吸着Ａで固定し、間隔ａで完全切断し
た後に第１図Ｃに示すように真空吸着を開放す
る。これにより先に引き延ばした粘着シート２の
戻り応力で、この引き延ばされた部分の粘着シー
トが縮み、これにより引き延ばされなかつた半導
体基板の固着部分の粘着テープが周囲より引つ張
られてチツプが間隔ｂで均一に広げられる。
台９に真空吸着Ａで固定し、間隔ａで完全切断し
た後に第１図Ｃに示すように真空吸着を開放す
る。これにより先に引き延ばした粘着シート２の
戻り応力で、この引き延ばされた部分の粘着シー
トが縮み、これにより引き延ばされなかつた半導
体基板の固着部分の粘着テープが周囲より引つ張
られてチツプが間隔ｂで均一に広げられる。
このように本発明では、従来技術のように余分
の粘着シートを粘着シート固定リング６（第２図
Ｄ）の弾性力で固定するのではなく、粘着シート
の粘着を用いて粘着シートを粘着シート固定フレ
ームに固着するものでるから十分に保持力が得ら
れ個々のチツプの並びが不規則になることは無
い。又、本発明では、ダイザーで切断する際に真
空吸着台で粘着シート全面を吸着しているため切
断途中での戻り応力は作用せず、切断後真空を解
除すると同時に作用がはじまる。
の粘着シートを粘着シート固定リング６（第２図
Ｄ）の弾性力で固定するのではなく、粘着シート
の粘着を用いて粘着シートを粘着シート固定フレ
ームに固着するものでるから十分に保持力が得ら
れ個々のチツプの並びが不規則になることは無
い。又、本発明では、ダイザーで切断する際に真
空吸着台で粘着シート全面を吸着しているため切
断途中での戻り応力は作用せず、切断後真空を解
除すると同時に作用がはじまる。
第１図Ａは、本発明の一実施例に係る粘着シー
トに半導体基板を固着したまま引き延ばした状態
の断面図、第１図Ｂは、本発明の一実施例に係る
半導体基板の完全切断した状態の断面図、第１図
Ｃは、本発明の一実施例に係る引き延ばした状態
の断面図である。第２図Ａは従来の半導体基板を
粘着テープに固着した状態の断面図、第２図Ｂ
は、従来の半導体基板をダイサーで切断した状態
の断面図、第２図Ｃは、従来の引き延ばした状態
の断面図、第２図Ｄは従来の引き延ばした後粘着
シートを切断した状態の断面図である。 １……半導体基板、２……粘着シート、３……
チツプ、４……粘着シート固定治具、５……固定
リング、６……粘着シート固定リング、７……エ
キスパンド台、８……粘着シート固定フレーム、
９……真空吸着台。
トに半導体基板を固着したまま引き延ばした状態
の断面図、第１図Ｂは、本発明の一実施例に係る
半導体基板の完全切断した状態の断面図、第１図
Ｃは、本発明の一実施例に係る引き延ばした状態
の断面図である。第２図Ａは従来の半導体基板を
粘着テープに固着した状態の断面図、第２図Ｂ
は、従来の半導体基板をダイサーで切断した状態
の断面図、第２図Ｃは、従来の引き延ばした状態
の断面図、第２図Ｄは従来の引き延ばした後粘着
シートを切断した状態の断面図である。 １……半導体基板、２……粘着シート、３……
チツプ、４……粘着シート固定治具、５……固定
リング、６……粘着シート固定リング、７……エ
キスパンド台、８……粘着シート固定フレーム、
９……真空吸着台。
Claims (1)
- １ 半導体基板を粘着シートに固着し、該半導体
基板が固着されていない該粘着シートの部分を引
き延ばし、該引き延ばされた粘着シートの所定部
を固定フレームに固着する工程と、該固定フレー
ムの外側の余分の粘着シートを切り取る工程と、
しかる後、前記粘着シートを真空吸着台にのせて
真空吸着する工程と、この真空吸着した状態で前
記半導体基板を各チツプに切断する工程と、しか
る後に真空吸着を開放することにより先に引き延
ばした粘着シートの戻り応力を利用して前記半導
体基板の切断されたチツプを個々に分離する工程
とを有することを特徴とする半導体基板の分離方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59238936A JPS61116856A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 半導体基板の分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59238936A JPS61116856A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 半導体基板の分離方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61116856A JPS61116856A (ja) | 1986-06-04 |
| JPH0249540B2 true JPH0249540B2 (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=17037477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59238936A Granted JPS61116856A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 半導体基板の分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61116856A (ja) |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP59238936A patent/JPS61116856A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61116856A (ja) | 1986-06-04 |
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