JPH0249055B2 - Toransubaasarufuiruta - Google Patents
ToransubaasarufuirutaInfo
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- JPH0249055B2 JPH0249055B2 JP15634377A JP15634377A JPH0249055B2 JP H0249055 B2 JPH0249055 B2 JP H0249055B2 JP 15634377 A JP15634377 A JP 15634377A JP 15634377 A JP15634377 A JP 15634377A JP H0249055 B2 JPH0249055 B2 JP H0249055B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H15/00—Transversal filters
- H03H15/02—Transversal filters using analogue shift registers
- H03H15/023—Transversal filters using analogue shift registers with parallel-input configuration
Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電荷転送デバイスを有するトランス
バーサルフイルタに関する。
バーサルフイルタに関する。
ドーブされた半導体材料から成る基板の表面上
にそれぞれ少なくとも１個の絶縁層コンデンサ或
いは堰層コンデンサから成るコンデンサ素子の列
を有する電荷転送デバイスを備え、各コンデンサ
素子の外部電極には電荷転送デバイを動作させる
ため少なくとも２つの互いに位相のずれたシフト
パルス列を印加し得るようになつており、電荷転
送デバイスはろ波すべき信号を印加可能な直列入
力と、シフトパルス列の選択されたものに対して
決定されたすべてのコンデンサ素子において相互
作用のない増幅出力とを有し、増幅出力はろ波さ
れた信号を取出し得るフイルタ出力と接続され、
増幅出力の各々の増幅定数数はフイルタにより行
われるフイルタ作用のパルス応答の所属の値に対
応しているトランスバーサルフイルタは公知であ
る（IEEE Journal of Solid−Stete Circuits、
1973年４月、巻SC−８、第２号、138乃至146頁、
およびBell−Northern Research 11、４、第240
乃至243頁参照）。電荷輸送デパイスとして電荷結
合転送デバイス（CCD）或はバケツトブリゲー
ドデバイス（BBD）が使用される。相互作用の
無い増幅出力の実現のため、一方においていわゆ
る“分割電極”法或は他方において高入力抵抗を
持つ純増幅器を使用することができる。“分割電
極”法においては当該の各コンデンサ素子は、２
個の並置された、かつ基板中のドープされた領域
にわたつて結合された絶縁層コンデンサから成
る。これら両絶縁層コンデンサの容量比は希望す
る増幅定数に関係して選定される。相互作用の無
い増幅出力は所定のコンデンサ素子においての
み、殊に一定のシフトパルス列に対して決定され
たものにおいてのみ存在する。すべての相互作用
の無い増幅出力は、波された信号を取り出し得
るフイルタ出力と接続される。各相互作用の無い
増幅出力の増幅定数はフイルタにより実現される
べきフイルタ作用のインパルス応答の所属する値
にそれぞれ対応する。
にそれぞれ少なくとも１個の絶縁層コンデンサ或
いは堰層コンデンサから成るコンデンサ素子の列
を有する電荷転送デバイスを備え、各コンデンサ
素子の外部電極には電荷転送デバイを動作させる
ため少なくとも２つの互いに位相のずれたシフト
パルス列を印加し得るようになつており、電荷転
送デバイスはろ波すべき信号を印加可能な直列入
力と、シフトパルス列の選択されたものに対して
決定されたすべてのコンデンサ素子において相互
作用のない増幅出力とを有し、増幅出力はろ波さ
れた信号を取出し得るフイルタ出力と接続され、
増幅出力の各々の増幅定数数はフイルタにより行
われるフイルタ作用のパルス応答の所属の値に対
応しているトランスバーサルフイルタは公知であ
る（IEEE Journal of Solid−Stete Circuits、
1973年４月、巻SC−８、第２号、138乃至146頁、
およびBell−Northern Research 11、４、第240
乃至243頁参照）。電荷輸送デパイスとして電荷結
合転送デバイス（CCD）或はバケツトブリゲー
ドデバイス（BBD）が使用される。相互作用の
無い増幅出力の実現のため、一方においていわゆ
る“分割電極”法或は他方において高入力抵抗を
持つ純増幅器を使用することができる。“分割電
極”法においては当該の各コンデンサ素子は、２
個の並置された、かつ基板中のドープされた領域
にわたつて結合された絶縁層コンデンサから成
る。これら両絶縁層コンデンサの容量比は希望す
る増幅定数に関係して選定される。相互作用の無
い増幅出力は所定のコンデンサ素子においての
み、殊に一定のシフトパルス列に対して決定され
たものにおいてのみ存在する。すべての相互作用
の無い増幅出力は、波された信号を取り出し得
るフイルタ出力と接続される。各相互作用の無い
増幅出力の増幅定数はフイルタにより実現される
べきフイルタ作用のインパルス応答の所属する値
にそれぞれ対応する。
この発明の目的は冒頭に述べた形式のトランス
バーサルフイルタにおいて、同じフイルタ作用を
行う普通の形式の対応するトランスバーサルフイ
ルタに比較して、一層多くの種々のフイルタ特性
を実現できるフイルタを得ることにある。
バーサルフイルタにおいて、同じフイルタ作用を
行う普通の形式の対応するトランスバーサルフイ
ルタに比較して、一層多くの種々のフイルタ特性
を実現できるフイルタを得ることにある。
この目的を達成するためこの発明によれば、残
りのコンデンサ素子の少くも１個において、フイ
ルタ出力と接続された少くも１個の相互作用の無
い増幅出力が存在し、この増幅出力の増幅定数も
フイルタ作用のパルス応答の所属する値に対応す
ると有利である。
りのコンデンサ素子の少くも１個において、フイ
ルタ出力と接続された少くも１個の相互作用の無
い増幅出力が存在し、この増幅出力の増幅定数も
フイルタ作用のパルス応答の所属する値に対応す
ると有利である。
この発明の重要な利点は下記の通りである。
普通の形式の対応するトランスバーサルフイル
タに比して、任意のフイルタ作用を与える際、一
方において普通のものに比して所要面積が減少さ
れ、他方において同じ面積の際、付加の相互作用
の無い増幅出力により、フイルタ作用の再現の正
確さを著しく高めることができる。更に動作中シ
フトクロツク周波数の変更のみにより、付加的の
異なるフイルタ特性を得ることができる。
タに比して、任意のフイルタ作用を与える際、一
方において普通のものに比して所要面積が減少さ
れ、他方において同じ面積の際、付加の相互作用
の無い増幅出力により、フイルタ作用の再現の正
確さを著しく高めることができる。更に動作中シ
フトクロツク周波数の変更のみにより、付加的の
異なるフイルタ特性を得ることができる。
次に図示の２実施例についてこの発明を説明す
る。
る。
第１図は従来のトランスバーサルフイルタ
を、この発明による線図的に表わして実施例お
よびにと対比して概略的に示し、第２図はダイ
ヤグラムにおいて時間ｔについてのシフトクロ
ツクを、その下のダイヤフラムにおいて任意に
選んだ波されるべき信号の時間的経過をそれぞ
れ示し、第３乃至第７図はマトリクス状の図式
を、第８図は２個のダイヤフラムおよびにお
いて、この発明の１実施例の出力信号と対比して
普通のトランスバーサルフイルタの出力信号を時
間ｔについて示す。
を、この発明による線図的に表わして実施例お
よびにと対比して概略的に示し、第２図はダイ
ヤグラムにおいて時間ｔについてのシフトクロ
ツクを、その下のダイヤフラムにおいて任意に
選んだ波されるべき信号の時間的経過をそれぞ
れ示し、第３乃至第７図はマトリクス状の図式
を、第８図は２個のダイヤフラムおよびにお
いて、この発明の１実施例の出力信号と対比して
普通のトランスバーサルフイルタの出力信号を時
間ｔについて示す。
第１図において普通のトランスバーサルフイル
タをで示す。１０は電荷転送デバイスを示し、
２相動作に対する電荷結合送デバイスにより実現
される。この電荷結合転送デバイスの各素子は隣
接する２個のコンデンサ素子から成る。デバイス
の各素子にはそれぞれ数字１乃至４をつけた。コ
ンデンサ素子自体には各個の数字１１，１２，２
１，２２，３１，３２および４１，４２をつけて
ある。コンデンサ素子１１，２１，３１，４１は
２つの互に位相推移されたシフトパルス列の一方
のものに対して定められ、残りのコンデンサ素子
１２，２２，３２，４２は他方のパルス列に対し
て定められている。転送デバイスの直列入力はＥ
で示してある。一方のシフトパルス列に対する特
定のコンデンサ素子の各々に、それぞれ相互作用
のない増幅出力K11，K21，K31，K41が存在し、
全出力はフイルタ出力Ａと接続される。第１図中
のにおいてはコンデンサ素子１１，２１，３
１，４１に出力が存在する。しかしかかる出力は
これらコンデンサ素子の代りに、コンデンサ素子
１２，２２，３２，４２に同様に存在することが
できる。シンボルK11，K21，K31，K41は同様に
当該の相互作用のない増幅出力の増幅定数を現わ
す。電荷結合輸送デバイス１０は一般にｎ相動作
のためのデバイスであり、ここでｎ＝３，４，５
…である。その際デバイスの各素子は２個の隣接
するコンデンサ素子を包含し、かつ動作のため２
個の互い位相推移されたシフトインパルス列を印
加すべきである。電荷転送デバイスとしてバケツ
トブリゲードデバイス（BBD）を用いることも
できる。相互作用のない増幅出力に対しては種々
の構成が可能である。
タをで示す。１０は電荷転送デバイスを示し、
２相動作に対する電荷結合送デバイスにより実現
される。この電荷結合転送デバイスの各素子は隣
接する２個のコンデンサ素子から成る。デバイス
の各素子にはそれぞれ数字１乃至４をつけた。コ
ンデンサ素子自体には各個の数字１１，１２，２
１，２２，３１，３２および４１，４２をつけて
ある。コンデンサ素子１１，２１，３１，４１は
２つの互に位相推移されたシフトパルス列の一方
のものに対して定められ、残りのコンデンサ素子
１２，２２，３２，４２は他方のパルス列に対し
て定められている。転送デバイスの直列入力はＥ
で示してある。一方のシフトパルス列に対する特
定のコンデンサ素子の各々に、それぞれ相互作用
のない増幅出力K11，K21，K31，K41が存在し、
全出力はフイルタ出力Ａと接続される。第１図中
のにおいてはコンデンサ素子１１，２１，３
１，４１に出力が存在する。しかしかかる出力は
これらコンデンサ素子の代りに、コンデンサ素子
１２，２２，３２，４２に同様に存在することが
できる。シンボルK11，K21，K31，K41は同様に
当該の相互作用のない増幅出力の増幅定数を現わ
す。電荷結合輸送デバイス１０は一般にｎ相動作
のためのデバイスであり、ここでｎ＝３，４，５
…である。その際デバイスの各素子は２個の隣接
するコンデンサ素子を包含し、かつ動作のため２
個の互い位相推移されたシフトインパルス列を印
加すべきである。電荷転送デバイスとしてバケツ
トブリゲードデバイス（BBD）を用いることも
できる。相互作用のない増幅出力に対しては種々
の構成が可能である。
第１図の実施例およびにおいて、電荷転送
デバイスの各コンデンサ素子に、それぞれ共通の
フイルタ出力Ａと接続された所の、相互作用のな
い増幅出力が存在する。両実施例において、に
おける同じ相互作用に無い増幅出力K11，K21，
K31，K41が使用される。フイルタにおいて
におけるようにかかる出力のみが使用される。
ととを比較し、においてはなお４個のコンデ
ンサ素子１１，１２，２１，２２が必要なのみで
あることが示される。他のすべては同じのままで
ある。すなわちにおいては面積節約はに比し
ほぼ50％である。ｎ相動作（ｎ＝３、４、５）
…）に対する電荷転送デバイスの使用の際、の
所要面積はに比して1/nの減少が可能である。
デバイスの各コンデンサ素子に、それぞれ共通の
フイルタ出力Ａと接続された所の、相互作用のな
い増幅出力が存在する。両実施例において、に
おける同じ相互作用に無い増幅出力K11，K21，
K31，K41が使用される。フイルタにおいて
におけるようにかかる出力のみが使用される。
ととを比較し、においてはなお４個のコンデ
ンサ素子１１，１２，２１，２２が必要なのみで
あることが示される。他のすべては同じのままで
ある。すなわちにおいては面積節約はに比し
ほぼ50％である。ｎ相動作（ｎ＝３、４、５）
…）に対する電荷転送デバイスの使用の際、の
所要面積はに比して1/nの減少が可能である。
フイルタとフイルタとの相違は、コンデン
サ素子１２，２２，３２，４２に相互作用の無い
付加の増幅出力K12，K22，K32，K42（これらはフ
イルタ出力Ａと接続される）が存在することであ
る。すなわちにおいてはにおけるより２倍
の、相互作用の無い増幅出力が存在する。ｎ相動
作（ｎ＝３、４、５…）に対する電荷転送デバイ
スの使用の際、フイルタにおいて、フイルタ
におけるよりｎ倍の出力が存在し得る。
サ素子１２，２２，３２，４２に相互作用の無い
付加の増幅出力K12，K22，K32，K42（これらはフ
イルタ出力Ａと接続される）が存在することであ
る。すなわちにおいてはにおけるより２倍
の、相互作用の無い増幅出力が存在する。ｎ相動
作（ｎ＝３、４、５…）に対する電荷転送デバイ
スの使用の際、フイルタにおいて、フイルタ
におけるよりｎ倍の出力が存在し得る。
フイルタおよびの電荷転送デバイスに対す
るシフトクロツクの周波数を、如何に選ぶかが著
しく重要である。その際２つの場合が特に重要で
ある。１つの場合は、クロツク周波数をフイルタ
に対するクロツク周波数fpに等しく選び、之に
よりフイルタ出力Ａから過さた信号を送出する
所の出力周波数は２倍され（ｎ相動作に対する電
荷転送デバイスの使用の際ｎ倍され得る）、或は
シフトクロツクの周波数をfp／2（一般にfp／ｎ）
に選び、之により出力Ａにおける波された信号
の出力周波数はfpに等しい。出力Ａの出力周波数
はいずれの場合にも、入力Ｅにおいて波される
べき信号を走査する走査周波数よりも２倍（一般
にｎ倍）に高められる。
るシフトクロツクの周波数を、如何に選ぶかが著
しく重要である。その際２つの場合が特に重要で
ある。１つの場合は、クロツク周波数をフイルタ
に対するクロツク周波数fpに等しく選び、之に
よりフイルタ出力Ａから過さた信号を送出する
所の出力周波数は２倍され（ｎ相動作に対する電
荷転送デバイスの使用の際ｎ倍され得る）、或は
シフトクロツクの周波数をfp／2（一般にfp／ｎ）
に選び、之により出力Ａにおける波された信号
の出力周波数はfpに等しい。出力Ａの出力周波数
はいずれの場合にも、入力Ｅにおいて波される
べき信号を走査する走査周波数よりも２倍（一般
にｎ倍）に高められる。
従つて第１図のフイルタおよびに対し総計
４種のかかる場合を区別することができる。第１
図のフイルタに対するシフトクロツクの周波数
を上記のようにfpで、フイルタに対しf〓で、フ
イルタに対しf〓で表わすと、これらの場合を下
記のように区別することができる、f〓＝fp、f〓＝
fp、f〓＝fp／ｎおよびf〓＝fp／ｎ。実施例の特殊の
場合において、ｎ＝２である。シフトクロツクと
は、情報電荷が電荷送デバイスの素子から素子へ
とシフトさせるクロツクである。
４種のかかる場合を区別することができる。第１
図のフイルタに対するシフトクロツクの周波数
を上記のようにfpで、フイルタに対しf〓で、フ
イルタに対しf〓で表わすと、これらの場合を下
記のように区別することができる、f〓＝fp、f〓＝
fp、f〓＝fp／ｎおよびf〓＝fp／ｎ。実施例の特殊の
場合において、ｎ＝２である。シフトクロツクと
は、情報電荷が電荷送デバイスの素子から素子へ
とシフトさせるクロツクである。
更に説明のために２個のダイヤフラムおよび
を示す第２図が役立つ。ダイヤダラムは時間
ｔに関し、電荷転送デバイス１０に対するシフト
クロツクのパルス列を線で表わしている。パルス
巾はTpで表わす。その下にダイヤフラム中に、
波されるべき信号の任意に選んだ形状を時間ｔ
に関し示してある。シフトクロツクの周波数に対
しfp＝１／Tpが適用される。波されるべき信号
はフイルタにおいては、クロツク周波数fpで走
査される。走査された信号値はS11，S21，S31，
S41で示す。フイルタがクロツク周波数2fpで動
作されたとすると、付加的の信号値が走査される
であろう。この付加の信号値を第２図において
S12，S22，S32，S42で示す。しかしこの付加の信
号値は以下において重要で無い。
を示す第２図が役立つ。ダイヤダラムは時間
ｔに関し、電荷転送デバイス１０に対するシフト
クロツクのパルス列を線で表わしている。パルス
巾はTpで表わす。その下にダイヤフラム中に、
波されるべき信号の任意に選んだ形状を時間ｔ
に関し示してある。シフトクロツクの周波数に対
しfp＝１／Tpが適用される。波されるべき信号
はフイルタにおいては、クロツク周波数fpで走
査される。走査された信号値はS11，S21，S31，
S41で示す。フイルタがクロツク周波数2fpで動
作されたとすると、付加的の信号値が走査される
であろう。この付加の信号値を第２図において
S12，S22，S32，S42で示す。しかしこの付加の信
号値は以下において重要で無い。
第１図においてコンデンサ素子は２桁の参照数
字xyで示す。その際ｘは電荷転送デバイスの素
子の連続番号を意味し、入力Ｅに向つて数えられ
る。ｙは素子中のコンデンサ素子の連続番号を意
味し、やはり入力Ｅに向つて数えられる（電荷転
送デバイス１０においてｙは数字１、２であり、
一般には数字１乃至ｎである）。対応する仕方で
フイルタにおいて、相互作用の無い増幅出力は
Kxyをつけてある。従つて例えば出力K21はコン
デンサ素子２１に存在するものである。
字xyで示す。その際ｘは電荷転送デバイスの素
子の連続番号を意味し、入力Ｅに向つて数えられ
る。ｙは素子中のコンデンサ素子の連続番号を意
味し、やはり入力Ｅに向つて数えられる（電荷転
送デバイス１０においてｙは数字１、２であり、
一般には数字１乃至ｎである）。対応する仕方で
フイルタにおいて、相互作用の無い増幅出力は
Kxyをつけてある。従つて例えば出力K21はコン
デンサ素子２１に存在するものである。
増幅定数と共に評価された信号値は一般に形式
Kxy・suvで表わす。xyの意味は既に述べてあり、
ｕは走査時刻t1，t2など（第２図参照）のインデ
クスであり、ｖは１乃至ｎの数であり、フイルタ
がクロツク周波数ｎ・fpで動作されたときの、
tuおよびtu+1の付加的の走査時刻を与える。以下
ｎ＝１の場合のみが重要であるとする。
Kxy・suvで表わす。xyの意味は既に述べてあり、
ｕは走査時刻t1，t2など（第２図参照）のインデ
クスであり、ｖは１乃至ｎの数であり、フイルタ
がクロツク周波数ｎ・fpで動作されたときの、
tuおよびtu+1の付加的の走査時刻を与える。以下
ｎ＝１の場合のみが重要であるとする。
第３乃至７図には評価された信号Kxy・suvのマ
トリクス状の図式を示す。之においてｖ＝１の縦
列のみが重要である。ｖ＝２の縦列は省略するこ
とができる。この図式において出力信号に対して
重要な評価された信号値Kxy・suvを、それぞれ円
でかこむ。所定の円は線で互い結んである。この
ことは、線で結ばれた円中の値Kxy・suvが、出力
信号の形式のために総計されなければならないこ
とを意味する。
トリクス状の図式を示す。之においてｖ＝１の縦
列のみが重要である。ｖ＝２の縦列は省略するこ
とができる。この図式において出力信号に対して
重要な評価された信号値Kxy・suvを、それぞれ円
でかこむ。所定の円は線で互い結んである。この
ことは、線で結ばれた円中の値Kxy・suvが、出力
信号の形式のために総計されなければならないこ
とを意味する。
第３図に示す図式は第１図のフイレタ１に関す
る。時刻t1において読出された信号値S11が、電
荷転送デバイス中のコンデンサ素子１１に達した
ものと仮定する。その際コンデンサ素子２１中に
は信号値S21が、コンデンサ素子３１中に信号値
S31が、コンデンサ素子４１中に信号値S41が存在
する。これら信号値は電荷転送デバイスから並列
に読出され、フイルタ出力Ａから値K11・s11，
K21・s21，K31・s31しかしてK41・s41の和が得ら
れる。図式中でこれら評価された信号値の各々は
円に囲まれ、これら円は線により結ばれ、ころこ
とはこれら信号値が信号形式のため加えられるこ
とを意味する。次のクロツクに際しすべてのこれ
ら信号値は１コンデンサ素子だけ左にシフトさ
れ、之によりコンデンサ素子１１中に今や信号値
S21が、コンデンサ素子４１中に新規に到着すべ
き信号値S51が存在する。電荷転送デバイスはコ
ンデンサ素子の後に出力段を持たねばならず、そ
の中に存在する各信号値は次のクロツクの際に読
出され得る。このことは実施例およびに対し
ても適用する。出力段としては例えば障壁を持つ
電極が適する。信号値S21，S31，S41，S51Aはや
はり並列に読出され、フイルタ出力ＡではK11・
s21，K21・s31，K31・s41およびK41・s51の和が使
用される。この図式の同主旨の進行により波さ
れた信号の全信号値を簡単な仕方で確かめること
ができる。第３図の図式において波された信号
の最初の３個の信号値をA1，A2，A3で示す。
波された信号を取出す出力周波数に対しfA＝fpが
適用される。
る。時刻t1において読出された信号値S11が、電
荷転送デバイス中のコンデンサ素子１１に達した
ものと仮定する。その際コンデンサ素子２１中に
は信号値S21が、コンデンサ素子３１中に信号値
S31が、コンデンサ素子４１中に信号値S41が存在
する。これら信号値は電荷転送デバイスから並列
に読出され、フイルタ出力Ａから値K11・s11，
K21・s21，K31・s31しかしてK41・s41の和が得ら
れる。図式中でこれら評価された信号値の各々は
円に囲まれ、これら円は線により結ばれ、ころこ
とはこれら信号値が信号形式のため加えられるこ
とを意味する。次のクロツクに際しすべてのこれ
ら信号値は１コンデンサ素子だけ左にシフトさ
れ、之によりコンデンサ素子１１中に今や信号値
S21が、コンデンサ素子４１中に新規に到着すべ
き信号値S51が存在する。電荷転送デバイスはコ
ンデンサ素子の後に出力段を持たねばならず、そ
の中に存在する各信号値は次のクロツクの際に読
出され得る。このことは実施例およびに対し
ても適用する。出力段としては例えば障壁を持つ
電極が適する。信号値S21，S31，S41，S51Aはや
はり並列に読出され、フイルタ出力ＡではK11・
s21，K21・s31，K31・s41およびK41・s51の和が使
用される。この図式の同主旨の進行により波さ
れた信号の全信号値を簡単な仕方で確かめること
ができる。第３図の図式において波された信号
の最初の３個の信号値をA1，A2，A3で示す。
波された信号を取出す出力周波数に対しfA＝fpが
適用される。
第４図に示す図式はフイルタ、殊にf〓＝fpが
選定された場合に対して適用される。時刻t1に入
力Ｅに与えられた信号値S11がコンデンサ素子１
１までシフトされた場合、コンデンサ素子２１中
には信号値S21が存在する。両信号値は並列に読
出され、フイルタ出力Ａにおいて波された信号
の値A1＝K11・s11＋K31・s21が用いられる。これ
らの信号値は半クロツク時間後に１コンデンサ素
子だけ左にシフトされ、之によりコンデンサ素子
１２中に信号値S21が、コンデンサ素子２２中に
は新規に読出される信号値S31が存在する。両信
号値は同時刻に読出され、フイルタ出力Ａにおい
て波された信号の値A2＝K21・s21＋K41・s31を
得る。これら両信号値は完全なクロツク時間にお
いてやはり１コンデンサ素子だけ左にシフトさ
れ、この時刻に出力Ａにおいて波された信号の
値A3＝K11・s21＋K31・s31が得られ、以下同様で
ある。出力周波数に対してはこの場合fA＝2fpが
適用され波されるべき信号を走査する走査周波
数fEに対してはfE＝fpが適用される。
選定された場合に対して適用される。時刻t1に入
力Ｅに与えられた信号値S11がコンデンサ素子１
１までシフトされた場合、コンデンサ素子２１中
には信号値S21が存在する。両信号値は並列に読
出され、フイルタ出力Ａにおいて波された信号
の値A1＝K11・s11＋K31・s21が用いられる。これ
らの信号値は半クロツク時間後に１コンデンサ素
子だけ左にシフトされ、之によりコンデンサ素子
１２中に信号値S21が、コンデンサ素子２２中に
は新規に読出される信号値S31が存在する。両信
号値は同時刻に読出され、フイルタ出力Ａにおい
て波された信号の値A2＝K21・s21＋K41・s31を
得る。これら両信号値は完全なクロツク時間にお
いてやはり１コンデンサ素子だけ左にシフトさ
れ、この時刻に出力Ａにおいて波された信号の
値A3＝K11・s21＋K31・s31が得られ、以下同様で
ある。出力周波数に対してはこの場合fA＝2fpが
適用され波されるべき信号を走査する走査周波
数fEに対してはfE＝fpが適用される。
第５図に示す図式はやはりフイルタに対して
適用されるが、今はf〓＝fp／２が選定された場合
に対するものである。時刻t1に入力Ｅに与えられ
た信号値S11がコンデンサ素子１１までシフトさ
れた場合、今はコンデンサ素子３１中に信号値
S31が存在する。何となれば今は各第２の時刻後
に始めて走査されるからである。この時刻にフイ
ルタ出力Ａは波された信号の値A1＝K11・s11＋
K31・s31が得られる。時間Tp＝１／fp後に１コン
デンサ素子だけ左へのシフトが生じ、之によりこ
の時刻に出力Ａには値A2＝K21・s31＋K41・s51が
存在する。出力周波数に対してはfA＝fpが適用さ
れ、走査周波数に対してはfE＝fp／２が適用され
る。
適用されるが、今はf〓＝fp／２が選定された場合
に対するものである。時刻t1に入力Ｅに与えられ
た信号値S11がコンデンサ素子１１までシフトさ
れた場合、今はコンデンサ素子３１中に信号値
S31が存在する。何となれば今は各第２の時刻後
に始めて走査されるからである。この時刻にフイ
ルタ出力Ａは波された信号の値A1＝K11・s11＋
K31・s31が得られる。時間Tp＝１／fp後に１コン
デンサ素子だけ左へのシフトが生じ、之によりこ
の時刻に出力Ａには値A2＝K21・s31＋K41・s51が
存在する。出力周波数に対してはfA＝fpが適用さ
れ、走査周波数に対してはfE＝fp／２が適用され
る。
第６図に示す図式はf〓＝fpの場合のフイルタ
に対して適用される。出力信号の信号値の形成
は、図式から最初の３個の信号値A1，A2，A3に
対して示す。以後の信号値は図式の同主旨の進行
により容易に確かめられる。ここではfA＝2fpお
よびfE＝fpが適用される。
に対して適用される。出力信号の信号値の形成
は、図式から最初の３個の信号値A1，A2，A3に
対して示す。以後の信号値は図式の同主旨の進行
により容易に確かめられる。ここではfA＝2fpお
よびfE＝fpが適用される。
第７図に示す図式はやはりフイルタに適用さ
れるが、今はf〓＝fp／２の場合に対して適用され
る。やはり図式から最初の３個の信号値A1，A2，
A3を取出す。図式の同主旨の進行により、波
された信号の以後の全信号値を容易に確かめるこ
とができる。この場合fA＝fpおよびfE＝fp／２が適
用される。
れるが、今はf〓＝fp／２の場合に対して適用され
る。やはり図式から最初の３個の信号値A1，A2，
A3を取出す。図式の同主旨の進行により、波
された信号の以後の全信号値を容易に確かめるこ
とができる。この場合fA＝fpおよびfE＝fp／２が適
用される。
第８図においてダイヤフラム中に、第１図の
フイルタの出力Ａからクロツク周波数fpによる
動作の際に取出されると同じような、波された
信号に対する１例を示す。ダイヤフラム中に比
較のため、第１図のフイルタの出力Ａにおける
出力信号を同じ入力信号に対して示し、その際こ
のフイルタはクロツク周波数f〓＝fpで動作する。
フイルタに比してフイルタにより波された
信号の平滑が得られることが明らかに分かる。情
報は２倍の（或はｎ倍の）周波数で現われる。こ
の波された信号はもはやフイルタの出力信号
の如き情報を持たない、之はもつばら良好な形状
を示し、よつて以後の処理が容易である。従つて
ベースバンドの信号を表わすのに、RC素子によ
る平滑で充分であり、すなわち走査信号中に含ま
れる高い周波数成分を去することができる。
フイルタの出力Ａからクロツク周波数fpによる
動作の際に取出されると同じような、波された
信号に対する１例を示す。ダイヤフラム中に比
較のため、第１図のフイルタの出力Ａにおける
出力信号を同じ入力信号に対して示し、その際こ
のフイルタはクロツク周波数f〓＝fpで動作する。
フイルタに比してフイルタにより波された
信号の平滑が得られることが明らかに分かる。情
報は２倍の（或はｎ倍の）周波数で現われる。こ
の波された信号はもはやフイルタの出力信号
の如き情報を持たない、之はもつばら良好な形状
を示し、よつて以後の処理が容易である。従つて
ベースバンドの信号を表わすのに、RC素子によ
る平滑で充分であり、すなわち走査信号中に含ま
れる高い周波数成分を去することができる。
両実施例において全コンデンサ素子は相互作用
の無い並列出力を備える。更にそうでない場合が
あることを指摘する。フイルタに対し新規のフ
イルタ特性を得るため、残余のコンデンサ素子の
少くも１個が相互作用の無い増幅出力を持てば既
に充分である。
の無い並列出力を備える。更にそうでない場合が
あることを指摘する。フイルタに対し新規のフ
イルタ特性を得るため、残余のコンデンサ素子の
少くも１個が相互作用の無い増幅出力を持てば既
に充分である。
前述の実施例にような多くの実施形において、
この出力の増幅定数はフイルタ作用のパルス応答
の所属の値に対応する。
この出力の増幅定数はフイルタ作用のパルス応答
の所属の値に対応する。
第１図は従来普通のトランスバーサルフイルタ
に比較して、この発明による２つの実施例お
よびを線図的に示し、第２図はダイヤグラム
において時間ｔに関するシフトクロツク、および
その下にダイヤグラムにおいて、任意に選んだ
波されるべき信号の時間的経過を示し、第３乃
至７図はマトリクス状の図式を示し、第８図は２
個のダイヤグラムおよびにおいて、普通のト
ランスバーサルフイルタの出力信号を、この発明
の１実施例の出力信号に比較して時間ｔに関して
示す。 Ａ……フイルタ出力、Ｅ……入力、K11，K12，
K21，K22，K31，K32，K41，K42……増幅出力、
Kxy・suv……増幅定数と共に評価された信号値、
S11，S12，S21，S22，S31，S32，S41，S42……走
査された信号値、Tp……パルス巾、１〜４……
電荷転送デバイス素子、１０……電荷転送デバイ
ス、１１，１２，２１，２２，３１，３２，４
１，４２……コンデンサ素子。
に比較して、この発明による２つの実施例お
よびを線図的に示し、第２図はダイヤグラム
において時間ｔに関するシフトクロツク、および
その下にダイヤグラムにおいて、任意に選んだ
波されるべき信号の時間的経過を示し、第３乃
至７図はマトリクス状の図式を示し、第８図は２
個のダイヤグラムおよびにおいて、普通のト
ランスバーサルフイルタの出力信号を、この発明
の１実施例の出力信号に比較して時間ｔに関して
示す。 Ａ……フイルタ出力、Ｅ……入力、K11，K12，
K21，K22，K31，K32，K41，K42……増幅出力、
Kxy・suv……増幅定数と共に評価された信号値、
S11，S12，S21，S22，S31，S32，S41，S42……走
査された信号値、Tp……パルス巾、１〜４……
電荷転送デバイス素子、１０……電荷転送デバイ
ス、１１，１２，２１，２２，３１，３２，４
１，４２……コンデンサ素子。
Claims (1)
- １ ドープされた半導体材料から成る基板の表面
上にそれぞれ少なくとも１個の絶縁層コンデンサ
或いは堰層コンデンサから成るコンデンサ素子の
列を有する電荷転送デバイスを備え、各コンデン
サ素子の外部電極には電荷転送デバイスを動作さ
せるため少なくとも２つの互いに位相のずれたシ
フトパルス列を印加し得るようになつており、電
荷転送デバイスはろ波すべき信号を印加可能な直
列入力と、シフトパルス列の選択されたものに対
して決定されたすべてのコンデンサ素子において
相互作用のない増幅出力とを有し、増幅出力はろ
波された信号を取出し得るフイルタ出力と接続さ
れ、増幅出力の各々の増幅定数はフイルタにより
行われるフイルタ作用のパルス応答の所属の値に
対応しているトランスバーサルフイルタにおい
て、残余のコンデンサ素子の少なくとも１個にお
いて、フイルタ出力と接続された少なくとも１個
の相互作用のない増幅出力が存在し、この増幅出
力の増幅定数もフイルタ作用のパルス応答の所属
の値に対応していることを特徴とするトランスバ
ーサルフイルタ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762658525 DE2658525C2 (de) | 1976-12-23 | 1976-12-23 | Transversalfilter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5381045A JPS5381045A (en) | 1978-07-18 |
| JPH0249055B2 true JPH0249055B2 (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=5996474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15634377A Expired - Lifetime JPH0249055B2 (ja) | 1976-12-23 | 1977-12-23 | Toransubaasarufuiruta |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249055B2 (ja) |
| BE (1) | BE862285A (ja) |
| CA (1) | CA1098594A (ja) |
| DE (1) | DE2658525C2 (ja) |
| FR (1) | FR2375766A1 (ja) |
| GB (1) | GB1595985A (ja) |
| IT (1) | IT1089198B (ja) |
| NL (1) | NL7714198A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0004563B1 (de) * | 1978-03-31 | 1982-06-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Transversalfilter |
| DE2814053A1 (de) * | 1978-03-31 | 1979-10-11 | Siemens Ag | Transversalfilter mit paralleleingaengen |
-
1976
- 1976-12-23 DE DE19762658525 patent/DE2658525C2/de not_active Expired
-
1977
- 1977-12-12 FR FR7737366A patent/FR2375766A1/fr active Granted
- 1977-12-21 NL NL7714198A patent/NL7714198A/xx not_active Application Discontinuation
- 1977-12-22 IT IT3108577A patent/IT1089198B/it active
- 1977-12-22 CA CA293,739A patent/CA1098594A/en not_active Expired
- 1977-12-22 GB GB5362177A patent/GB1595985A/en not_active Expired
- 1977-12-23 JP JP15634377A patent/JPH0249055B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1977-12-23 BE BE183813A patent/BE862285A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2375766B1 (ja) | 1980-08-22 |
| NL7714198A (nl) | 1978-06-27 |
| DE2658525A1 (de) | 1978-06-29 |
| IT1089198B (it) | 1985-06-18 |
| GB1595985A (en) | 1981-08-19 |
| FR2375766A1 (fr) | 1978-07-21 |
| CA1098594A (en) | 1981-03-31 |
| BE862285A (fr) | 1978-04-14 |
| DE2658525C2 (de) | 1986-02-27 |
| JPS5381045A (en) | 1978-07-18 |
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