JPH0246680B2 - - Google Patents
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- JPH0246680B2 JPH0246680B2 JP56067725A JP6772581A JPH0246680B2 JP H0246680 B2 JPH0246680 B2 JP H0246680B2 JP 56067725 A JP56067725 A JP 56067725A JP 6772581 A JP6772581 A JP 6772581A JP H0246680 B2 JPH0246680 B2 JP H0246680B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
集積回路製造における重要な工程は、回路パタ
ーンが多数の技法の任意の１つにより形成された
マスクの使用である。次に回路パターンは感光性
皮膜、例えばホトレジストを有するシリコンウエ
ーハ上に放射、例えば紫外線またはＸ線を使用し
て露光する。Ｘ線は紫外線よりも著しく短い波長
を持つので、Ｘ線リトグラフイーはより微細なパ
ターン線の識別を可能にし、その結果ウエーハ上
の空間のより効果的な利用が得られる。
ーンが多数の技法の任意の１つにより形成された
マスクの使用である。次に回路パターンは感光性
皮膜、例えばホトレジストを有するシリコンウエ
ーハ上に放射、例えば紫外線またはＸ線を使用し
て露光する。Ｘ線は紫外線よりも著しく短い波長
を持つので、Ｘ線リトグラフイーはより微細なパ
ターン線の識別を可能にし、その結果ウエーハ上
の空間のより効果的な利用が得られる。
Ｘ線リトグラフイーで使用されるマスクは光学
的に透明である必要はない、それというのもＸ線
は光学的に不透明な材料を透過するからである。
したがつてマスクは光学的に不透明な材料、例え
ば金属から作つてもよい。マスク基板としての金
属の利点は例えばプラスチツクに比べて比較的耐
寸法変化性であることである。
的に透明である必要はない、それというのもＸ線
は光学的に不透明な材料を透過するからである。
したがつてマスクは光学的に不透明な材料、例え
ば金属から作つてもよい。マスク基板としての金
属の利点は例えばプラスチツクに比べて比較的耐
寸法変化性であることである。
Ｘ線マスク上に形成された回路パターンは該パ
ターンの形状（ポジマスク）に沈着されたＸ線吸
収材料、例えば金または吸収材料の地に埋込まれ
た非吸収性パターン形（ネガマスク）から成つて
いる。ポジまたはネガのＸ線回路パターンで必要
な工程は吸収材料、例えば金の層の沈着である。
金属基板を金または類似金属をコーチングするた
めの１方法は良く知られた電気メツキの技法であ
り、該方法では導電性金属から作られた基板をカ
ソードに物理的に結合する。
ターンの形状（ポジマスク）に沈着されたＸ線吸
収材料、例えば金または吸収材料の地に埋込まれ
た非吸収性パターン形（ネガマスク）から成つて
いる。ポジまたはネガのＸ線回路パターンで必要
な工程は吸収材料、例えば金の層の沈着である。
金属基板を金または類似金属をコーチングするた
めの１方法は良く知られた電気メツキの技法であ
り、該方法では導電性金属から作られた基板をカ
ソードに物理的に結合する。
実際的なＸ線リトグラフイー系はきわめて薄い
マスク基板に必要な小さな透視力を有するいわゆ
る軟いＸ線を使用する。厚さ1μｍおよび直径数
インチ（１インチ＝2.54cm）のオーダであつてよ
い基板は脆弱であり、かつ破損し易いので基板と
カソードとの物理的な接触なしに良好なコーチン
グを達成することがきわめて望ましい。
マスク基板に必要な小さな透視力を有するいわゆ
る軟いＸ線を使用する。厚さ1μｍおよび直径数
インチ（１インチ＝2.54cm）のオーダであつてよ
い基板は脆弱であり、かつ破損し易いので基板と
カソードとの物理的な接触なしに良好なコーチン
グを達成することがきわめて望ましい。
本発明は、基材とカソードから成る固体電極と
の破損する恐れのある接触の回避下にマスク基板
に金または類似のＸ線吸収材料を電気メツキする
ための装置に関する。
の破損する恐れのある接触の回避下にマスク基板
に金または類似のＸ線吸収材料を電気メツキする
ための装置に関する。
本発明は導電性基板に金属、例えば金の層をコ
ーチングするための方法および装置に関する。導
電性液体を含有する液密なケーシングが電気メツ
キ溶液中に浸漬されている。コーチングすべき基
板がそのコーチングされる面をアノードに向けて
ケーシングの壁を形成する。カソードやケーシン
グ内で基板のもう１つの面から予め測定された間
隔の所に固定されている。直流電圧をアノード、
カソード間に接続し、金属イオンをカソードに向
けて移動させ、かつ基板に沈着させる。
ーチングするための方法および装置に関する。導
電性液体を含有する液密なケーシングが電気メツ
キ溶液中に浸漬されている。コーチングすべき基
板がそのコーチングされる面をアノードに向けて
ケーシングの壁を形成する。カソードやケーシン
グ内で基板のもう１つの面から予め測定された間
隔の所に固定されている。直流電圧をアノード、
カソード間に接続し、金属イオンをカソードに向
けて移動させ、かつ基板に沈着させる。
次に添付図面に示した本発明の１実施形につき
本発明を詳説する。
本発明を詳説する。
添付図面は好適なメツキ溶液１２、例えばシア
ノ金酸塩を含有するタンク１１を示す。アノード
１３はタンク１１内に配置される。アノード１３
はステンレス鋼または白金被覆されたチタン鋼状
線材から形成されていてよい。
ノ金酸塩を含有するタンク１１を示す。アノード
１３はタンク１１内に配置される。アノード１３
はステンレス鋼または白金被覆されたチタン鋼状
線材から形成されていてよい。
ケーシング１４はコーチングすべき基板を収容
するために断面形を有している。例えば実際の構
成ではケーシング１４の断面形は円形であるマス
ク基板とホルダーを収容するために円形である。
ケーシング１４はケーシング自体の、電気メツキ
を避けるために非導電性材料、例えばナイロンか
ら形成される。
するために断面形を有している。例えば実際の構
成ではケーシング１４の断面形は円形であるマス
ク基板とホルダーを収容するために円形である。
ケーシング１４はケーシング自体の、電気メツキ
を避けるために非導電性材料、例えばナイロンか
ら形成される。
環状ホルダー１６に固定された、コーチングさ
れる基板１５はコーチングされる面をアノード１
３に向けてケーシング１４内に置かれる。ケーシ
ング１４の延長部１７が基板１５と重なり、かつ
コーチングイオンに曝される円形範囲を規定す
る。
れる基板１５はコーチングされる面をアノード１
３に向けてケーシング１４内に置かれる。ケーシ
ング１４の延長部１７が基板１５と重なり、かつ
コーチングイオンに曝される円形範囲を規定す
る。
ケーシング１４内にカソード１８が存在する。
カソード１８の一部はケーシング１４の開口１９
から突出している。
カソード１８の一部はケーシング１４の開口１９
から突出している。
カソード１８のロツド部分１８ａの突出端部は
好適な電気的結合を作るのに有用である。
好適な電気的結合を作るのに有用である。
カソード１８の形成部分も結合片１８ｃを介し
てロツド部分１８ａに結合される円形部材１８ｂ
である。
てロツド部分１８ａに結合される円形部材１８ｂ
である。
カソード１８の円形部分１８ｂはケーシング１
４内で基板１５近くに、しかし接触しない位置に
固定される。カソード１８は任意の有利な手段
（図示せず）によつて所定位置に固定してよい。
カソード部分１８ｂを0.75インチ（1.905cm）〜
10ミル（0.025mm）に置くのが良好なコーチング
を与えることが判明した。
４内で基板１５近くに、しかし接触しない位置に
固定される。カソード１８は任意の有利な手段
（図示せず）によつて所定位置に固定してよい。
カソード部分１８ｂを0.75インチ（1.905cm）〜
10ミル（0.025mm）に置くのが良好なコーチング
を与えることが判明した。
数部材から成つていてよいケーシング１４は所
定位置の基板１５とともに組立てられる。浸漬さ
れるケーシング部分は液密である。浸漬の前にケ
ーシング１４に開口１９から非電気メツキ溶液を
含む非導電性液体を充填する。このようにしてカ
ソード１８が金属でコーチングされることが防止
される。ケーシングを溶液中に浸漬し、かつ基板
１５を以下に記載するようにしてコーチングす
る。次いでケーシング１４を取外し、かつ基板１
５を変える。
定位置の基板１５とともに組立てられる。浸漬さ
れるケーシング部分は液密である。浸漬の前にケ
ーシング１４に開口１９から非電気メツキ溶液を
含む非導電性液体を充填する。このようにしてカ
ソード１８が金属でコーチングされることが防止
される。ケーシングを溶液中に浸漬し、かつ基板
１５を以下に記載するようにしてコーチングす
る。次いでケーシング１４を取外し、かつ基板１
５を変える。
スイツチ２０が電気メツキ工程の間アノード１
３とカソード１８とバツテリー２１を接続する。
３とカソード１８とバツテリー２１を接続する。
スイツチ２０を閉じると、電流がカソード１９
から導電性電解質溶液を通つてアノード１３に流
れる。この電流の流れは溶液中の金属からイオン
を形成させる。イオンは電解質を通つて移動し、
基板１５の表面に沈着して所望の層を形成する。
層の厚さは電圧を加える時間を制御することによ
り制御される。例えば実際の構成形において電極
間に直流3Vを数分間加えれば、1μｍ厚の皮膜を
形成するのに十分であつた。
から導電性電解質溶液を通つてアノード１３に流
れる。この電流の流れは溶液中の金属からイオン
を形成させる。イオンは電解質を通つて移動し、
基板１５の表面に沈着して所望の層を形成する。
層の厚さは電圧を加える時間を制御することによ
り制御される。例えば実際の構成形において電極
間に直流3Vを数分間加えれば、1μｍ厚の皮膜を
形成するのに十分であつた。
こうして基板１５と無接触に電気メツキが達成
される。この方法は脆弱な基板を破損する可能性
を減少させる。更に基板の円形形状にきわめて一
致した円形部分１８ｂは他の接触方法によるより
も均一なコーチングを与える。カソード１８をケ
ーシング１４内に隔離することによりコーチング
されるのが防止される。ケーシング１４が非導電
性であるためにケーシングのコーチングが回避さ
れる。これら２つの利点によりこれが金の場合に
は特に高価であるコーチング金属の節約が得られ
る。
される。この方法は脆弱な基板を破損する可能性
を減少させる。更に基板の円形形状にきわめて一
致した円形部分１８ｂは他の接触方法によるより
も均一なコーチングを与える。カソード１８をケ
ーシング１４内に隔離することによりコーチング
されるのが防止される。ケーシング１４が非導電
性であるためにケーシングのコーチングが回避さ
れる。これら２つの利点によりこれが金の場合に
は特に高価であるコーチング金属の節約が得られ
る。
基板を電気メツキ前に非導電性材料、例えば、
オートレジストでマスキングしてもよいことは注
意すべきである。かかるマスキングの後には電着
はオートレジストを含まない範囲にのみ生じる。
このことは電気メツキ金属のきわめて微細なパタ
ーンの沈着を可能にする。
オートレジストでマスキングしてもよいことは注
意すべきである。かかるマスキングの後には電着
はオートレジストを含まない範囲にのみ生じる。
このことは電気メツキ金属のきわめて微細なパタ
ーンの沈着を可能にする。
本発明をマスク基板に関して記載してきたが、
この技法が任意のタイプの導電性基板または対象
物、例えばシリコンウエーハをコーチングするた
めに適用可能であることを注意すべきである。
この技法が任意のタイプの導電性基板または対象
物、例えばシリコンウエーハをコーチングするた
めに適用可能であることを注意すべきである。
添付図面は本発明の１実施形を図示したもので
ある。 １１……タンク、１２……メツキ溶液、１３…
…アノード、１４……ケーシング、１５……基
板、１８……カソード。
ある。 １１……タンク、１２……メツキ溶液、１３…
…アノード、１４……ケーシング、１５……基
板、１８……カソード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性基板を電気メツキするための装置にお
いて、 メツキ溶液を含有するタンク、 該メツキ溶液中に浸漬されかつ導電性液体を含
有する１つの側面に前記基板を備えている液密な
ケーシング、 該ケーシングは前記のタンクから自由に取り出
すことができ、 メツキ溶液中で基板の１表面に対向して配置浸
漬されたアノード、 前記ケーシング中で基板の他方の表面に隣接か
つ固定して浸漬されたカソード、 カソード及び基板が円形の形状であり、 基板により構成されていないケーシング部分が
非導電性材料から形成されており、 カソードあるいはケーシングをコーチングせず
に基板の前記の１表面をコーチングするためにア
ノードとカソードとの間に電位を加えるための素
子 を組合わせて成ることを特徴とする、導電性基板
を電気メツキするための装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/147,662 US4302316A (en) | 1980-05-07 | 1980-05-07 | Non-contacting technique for electroplating X-ray lithography |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS572899A JPS572899A (en) | 1982-01-08 |
| JPH0246680B2 true JPH0246680B2 (ja) | 1990-10-16 |
Family
ID=22522406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6772581A Granted JPS572899A (en) | 1980-05-07 | 1981-05-07 | Method and device for electroplating electroconductive substrate |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4302316A (ja) |
| JP (1) | JPS572899A (ja) |
| DE (1) | DE3114181A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4454009A (en) * | 1983-05-17 | 1984-06-12 | S.G. Owen Limited | Method of, and a machine for, electroplating |
| US4696878A (en) * | 1985-08-02 | 1987-09-29 | Micronix Corporation | Additive process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography and the resulting mask |
| JPH087642Y2 (ja) * | 1990-11-16 | 1996-03-04 | ヤマハ株式会社 | リードの半田メッキ装置 |
| US5437724A (en) * | 1993-10-15 | 1995-08-01 | United Technologies Corporation | Mask and grit container |
| US6228231B1 (en) | 1997-05-29 | 2001-05-08 | International Business Machines Corporation | Electroplating workpiece fixture having liquid gap spacer |
| US5976331A (en) * | 1998-04-30 | 1999-11-02 | Lucent Technologies Inc. | Electrodeposition apparatus for coating wafers |
| US6071388A (en) * | 1998-05-29 | 2000-06-06 | International Business Machines Corporation | Electroplating workpiece fixture having liquid gap spacer |
| US8551313B2 (en) * | 2007-11-15 | 2013-10-08 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for electroplating on soi and bulk semiconductor wafers |
| CN108431107B (zh) | 2015-12-25 | 2021-06-15 | 日东电工株式会社 | 有机硅发泡片材及其制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4849630A (ja) * | 1971-10-26 | 1973-07-13 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3414502A (en) * | 1965-01-18 | 1968-12-03 | Columbia Broadcasting Syst Inc | Electroplating apparatus for use with a phonograph record matrix |
| GB1350070A (en) * | 1970-09-23 | 1974-04-18 | Int Computers Ltd | Relectrolytic deposition of metals |
| US3915832A (en) * | 1972-07-17 | 1975-10-28 | Western Electric Co | Electroplating apparatus for forming a nonuniform coating on workpieces |
| US4042480A (en) * | 1973-10-04 | 1977-08-16 | Noz Francis X | Apparatus for selectively applying a metal coating to the metallic parts of elements which pass through an insulator |
| NL7316245A (nl) * | 1973-10-04 | 1975-04-08 | Galentan Ag | Werkwijze voor het selectief aanbrengen van een llaag op de door een isolerend lichaam ge- e metaaldelen van electrische bouwelementen. |
| US4043894A (en) * | 1976-05-20 | 1977-08-23 | Burroughs Corporation | Electrochemical anodization fixture for semiconductor wafers |
| US4126521A (en) * | 1977-10-19 | 1978-11-21 | Computer Peripherals, Inc. | Method of coating metal surfaces |
-
1980
- 1980-05-07 US US06/147,662 patent/US4302316A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-04-08 DE DE19813114181 patent/DE3114181A1/de active Granted
- 1981-05-07 JP JP6772581A patent/JPS572899A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4849630A (ja) * | 1971-10-26 | 1973-07-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3114181A1 (de) | 1982-01-28 |
| DE3114181C2 (ja) | 1991-06-27 |
| US4302316A (en) | 1981-11-24 |
| JPS572899A (en) | 1982-01-08 |
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