JPH0245964A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0245964A JPH0245964A JP63197457A JP19745788A JPH0245964A JP H0245964 A JPH0245964 A JP H0245964A JP 63197457 A JP63197457 A JP 63197457A JP 19745788 A JP19745788 A JP 19745788A JP H0245964 A JPH0245964 A JP H0245964A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置、詳しくは、封止樹脂のクラック
発生を防止した構造に関する。
発生を防止した構造に関する。
従来の技術
従来、ワイヤーボンド方式によるＬＳＩ実装構造として
は、第３図、第４図の平面図、断面図に示す様に、リー
ドフレーム１のダイパッド部にＡｕ／Ｓｉ共晶接合や、
Ａｇペースト接合や、ハンダ付は等により半導体チップ
をグイボンドし、その後樹脂モールド形成されるもので
ある。なお、第４図は第３図のＢ−Ｂ ’断面である。
は、第３図、第４図の平面図、断面図に示す様に、リー
ドフレーム１のダイパッド部にＡｕ／Ｓｉ共晶接合や、
Ａｇペースト接合や、ハンダ付は等により半導体チップ
をグイボンドし、その後樹脂モールド形成されるもので
ある。なお、第４図は第３図のＢ−Ｂ ’断面である。
発明が解決しようとする課題
半導体チップ面積の増大に伴い、グイパッド面積も増大
しているが、樹脂モールド部の大きさは従来と同様であ
るため、ダイパッド部と樹脂との界面で密着性が悪くな
り、剥離等が発生し、そこに樹脂自身の吸湿や樹脂とリ
ードフレームとの界面からの吸湿による水分が、ダイパ
ッド部と樹脂との剥離した界面、つまり、ダイパッド下
部にたまる。
しているが、樹脂モールド部の大きさは従来と同様であ
るため、ダイパッド部と樹脂との界面で密着性が悪くな
り、剥離等が発生し、そこに樹脂自身の吸湿や樹脂とリ
ードフレームとの界面からの吸湿による水分が、ダイパ
ッド部と樹脂との剥離した界面、つまり、ダイパッド下
部にたまる。
その後の実装で、ハンダデイツプやリフローなどの急激
な熱ストレスが加わると、吸湿された水分が気化膨張に
より飽和水蒸気となってクラックが発生するという不具
合が生じてきた。
な熱ストレスが加わると、吸湿された水分が気化膨張に
より飽和水蒸気となってクラックが発生するという不具
合が生じてきた。
本発明はこの様な問題点を解決した半導体装置を提供す
ることを目的とするものである。
ることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
本発明は、ダイパッド部の裏面と樹脂モールドの下部と
の間樹脂モールド内に引張応力緩和プレートを設けた半
導体装置である。
の間樹脂モールド内に引張応力緩和プレートを設けた半
導体装置である。
作用
この構造によりプレートが樹脂モールド部とリードフレ
ームとの間にかかる熱ストレスによる引張応力を緩和す
る様に作用する。
ームとの間にかかる熱ストレスによる引張応力を緩和す
る様に作用する。
実施例
以下、本発明の実施例を図に参照して説明する。
第１図は本発明に用いる半導体装置の透視図である。第
３図と異なるのは、ダイパッド裏面２と樹脂モールド下
部５の間に引張応力緩和プレート６を設けられたことで
ある。第２図は第１図のＡ−Ａ ’断面である。
３図と異なるのは、ダイパッド裏面２と樹脂モールド下
部５の間に引張応力緩和プレート６を設けられたことで
ある。第２図は第１図のＡ−Ａ ’断面である。
なお、引張応力緩和プレートの形状としては、樹脂との
密着性を高めるために、透孔７を随所に設けた網目状の
物が好ましく、大きさは、半導体装置ごとに異なる。ダ
イパッド裏面２と樹脂モールド下部５との間の引張応力
緩和プレート６との距離は、３：１の割合で設置するの
が有効である。
密着性を高めるために、透孔７を随所に設けた網目状の
物が好ましく、大きさは、半導体装置ごとに異なる。ダ
イパッド裏面２と樹脂モールド下部５との間の引張応力
緩和プレート６との距離は、３：１の割合で設置するの
が有効である。
材質としては、鉄ニツケル合金を用いることに効果があ
り、形状としては透孔７にかかわらず、種々の形状の場
合でも同等の効果がみられる。
り、形状としては透孔７にかかわらず、種々の形状の場
合でも同等の効果がみられる。
発明の詳細
な説明した様に本発明においては、引張応力緩和プレー
ト６を有するためにダイパッド部の裏面にたまった水分
が急激な熱ストレスにより気化膨張し、飽和水蒸気とな
ってクラックが発生するという不具合を緩和することが
できる。
ト６を有するためにダイパッド部の裏面にたまった水分
が急激な熱ストレスにより気化膨張し、飽和水蒸気とな
ってクラックが発生するという不具合を緩和することが
できる。
第１図は本発明の透視平面図、第２図は本発明の断面図
、第３図は従来品の透視平面図、第４図は従来品の断面
図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・ダイパ
ッド、３・・・・・・半導体チップ、４・・・・・・リ
ードワイヤー ５・・・・・・樹脂モールド部、６・・
・・・・引張応力緩和プレート。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名／ １ノードフν−ム 箪３図 ７−−− 追支了乙
、第３図は従来品の透視平面図、第４図は従来品の断面
図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・ダイパ
ッド、３・・・・・・半導体チップ、４・・・・・・リ
ードワイヤー ５・・・・・・樹脂モールド部、６・・
・・・・引張応力緩和プレート。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名／ １ノードフν−ム 箪３図 ７−−− 追支了乙
Claims (1)
- リードフレームのダイパッド部に固定された半導体チッ
プを樹脂モールドするとともに、前記ダイパッド部の裏
面と前記樹脂モールドの下部との間に、プレートを設け
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63197457A JPH0245964A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63197457A JPH0245964A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245964A true JPH0245964A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16374827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63197457A Pending JPH0245964A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245964A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015053379A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP63197457A patent/JPH0245964A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015053379A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
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