JPH0245171B2 - Hisenkeihikarisoanteisoshi - Google Patents
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- JPH0245171B2 JPH0245171B2 JP12161282A JP12161282A JPH0245171B2 JP H0245171 B2 JPH0245171 B2 JP H0245171B2 JP 12161282 A JP12161282 A JP 12161282A JP 12161282 A JP12161282 A JP 12161282A JP H0245171 B2 JPH0245171 B2 JP H0245171B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/026—Optical bistable devices based on laser effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体レーザに注入する光入力と半
導体レーザの光出力の非線形な光双安定性を用い
た光機能素子に関する。
導体レーザの光出力の非線形な光双安定性を用い
た光機能素子に関する。
半導体レーザを光源とし、光フアイバを伝送路
とする光通信方式は、通信容量、経済性等で既存
の通信方式より優れたものとなる可能性があり、
新しい通信方式として各方面から注目されてい
る。この光通信方式においては、必要に応じて、
送る情報を電気信号から光信号に、あるいは光信
号から電気信号に変換しているが、光信号が増
幅、記憶、論理演算等の信号処理にそのまま使わ
れる場合は比較的少ない。もし光を直接、記憶や
論理演算等の信号処理に用いることができれば、
光通信システムの機能の多様化にとつて極めて有
効と思われる。
とする光通信方式は、通信容量、経済性等で既存
の通信方式より優れたものとなる可能性があり、
新しい通信方式として各方面から注目されてい
る。この光通信方式においては、必要に応じて、
送る情報を電気信号から光信号に、あるいは光信
号から電気信号に変換しているが、光信号が増
幅、記憶、論理演算等の信号処理にそのまま使わ
れる場合は比較的少ない。もし光を直接、記憶や
論理演算等の信号処理に用いることができれば、
光通信システムの機能の多様化にとつて極めて有
効と思われる。
光を用いた記憶や論理演算を行なう光機能素子
のひとつに、オプテイカル エンジニアリング
（OPTICAL ENGINEERING））誌1980年第19
巻、４号、第456〜462頁所載のスミス（P.W.
Smith）氏による論文に記載された光双安定素子
がある。この光双安定素子はフアブリ・ペロ共振
器内に媒質としてリチウム・ナイオベイト
（LiNbO3）結晶で構成された電気光学位相変調
器が挿入されており、フアブリ・ペロ共振器から
の光出力の一部を受光器で受光し、その光強度に
比例した電圧を電気光学位相変調器に帰還する構
成であり、媒質の屈折率が帰還電圧によつて強制
的に変えられることを利用したものである。
のひとつに、オプテイカル エンジニアリング
（OPTICAL ENGINEERING））誌1980年第19
巻、４号、第456〜462頁所載のスミス（P.W.
Smith）氏による論文に記載された光双安定素子
がある。この光双安定素子はフアブリ・ペロ共振
器内に媒質としてリチウム・ナイオベイト
（LiNbO3）結晶で構成された電気光学位相変調
器が挿入されており、フアブリ・ペロ共振器から
の光出力の一部を受光器で受光し、その光強度に
比例した電圧を電気光学位相変調器に帰還する構
成であり、媒質の屈折率が帰還電圧によつて強制
的に変えられることを利用したものである。
この素子の特性はフアブリ・ペロ共振器からの
出力光強度が入力光強度に対してヒステリシスを
示し、ある入力光強度の範囲で二つの安定な出力
光強度を定常状態として取ることができるものと
なつている。この特性を生かすことにより光によ
る記憶や光による論理演算等の光機能素子に応用
できる。しかしながら、この素子では使用可能な
帰還電圧で光双安定性に必要な位相差を生じる必
要があるので電気光学効果を受ける媒質の長さを
１cm以上にしなければならず、また各構成部品の
材料が異なるため部品の集積化により価格を低下
させ信頼性を向上させるには不向きである。
出力光強度が入力光強度に対してヒステリシスを
示し、ある入力光強度の範囲で二つの安定な出力
光強度を定常状態として取ることができるものと
なつている。この特性を生かすことにより光によ
る記憶や光による論理演算等の光機能素子に応用
できる。しかしながら、この素子では使用可能な
帰還電圧で光双安定性に必要な位相差を生じる必
要があるので電気光学効果を受ける媒質の長さを
１cm以上にしなければならず、また各構成部品の
材料が異なるため部品の集積化により価格を低下
させ信頼性を向上させるには不向きである。
本発明の目的は半導体レーザ、受光素子の集積
化が可能でしかも外部環境の変化に対して安定に
動作する非線形光双安定素子を提供することにあ
る。
化が可能でしかも外部環境の変化に対して安定に
動作する非線形光双安定素子を提供することにあ
る。
この発明は共振器軸方向に分割された二つ以上
の電極により活性層が光増幅領域と過飽和吸収領
域とに分けられた半導体レーザと、その光増幅領
域内の活性層領域に外部から光を注入する手段
と、その半導体レーザからの出力光の少なくとも
一部を受光する受光素子と、この受光素子の出力
を増幅して二つ以上に分割された電極の少なくと
も一つに帰還するための増幅帰還路を含む非線形
光双安定素子が得られる。
の電極により活性層が光増幅領域と過飽和吸収領
域とに分けられた半導体レーザと、その光増幅領
域内の活性層領域に外部から光を注入する手段
と、その半導体レーザからの出力光の少なくとも
一部を受光する受光素子と、この受光素子の出力
を増幅して二つ以上に分割された電極の少なくと
も一つに帰還するための増幅帰還路を含む非線形
光双安定素子が得られる。
この発明においては、共振器軸方向に分割され
た二つ以上の電極を持つ半導体レーザの電極によ
り利得が損失を上廻るように電流注入される光増
幅領域と利得が損失を下廻るように電流注入され
る過飽和吸収領域とに活性層がわかれいる。ここ
で活性層のエネルギーギヤツプに相当する波長よ
りも短波長の光を光増幅領域に注入してその入力
光強度を増加させていくと、光励起により活性層
内での光子密度はさらに増加し過飽和吸収領域で
の吸収係数は殆んどゼロとなり、半導体レーザは
発振するようになる。次に発振した光出力の一部
を光強度に対応する信号電流に変換して過飽和吸
収領域に負帰還させると、過飽和吸収領域では利
得の増加を抑制する方向に作用する。このため光
増幅領域への入力光強度を増大させても過飽和吸
収領域では逆に利得を減少させる方向に作用する
ので光出力はほぼ一定の値を保つことができる。
逆に入力光強度を減少させると、信号電流の絶対
値は減少する。このため過飽和吸収領域では利得
が増加して発振閾値付近までの光出力はほぼ一定
の値を保つことができる。即ち、この発明におい
ては外部環境の温度が変わつて発振閾値が変化し
たり入力光強度が多少変化しても、光出力はほぼ
一定であるので、光機能素子としての信頼性を高
くすることができる。またこの場合入力光強度の
増加により過飽和吸収領域での損失がゼロになる
過程で、光子密度は減少することがある。この時
の入力光強度の値は入力光強度増加のときと減少
のときとで異なるため光双安定特性が発振閾値付
近で生じる。これにより光入力と半導体レーザの
光出力の関係がヒステリシスを示すので前述の光
双安定素子の持つ光機能素子としての特徴を持つ
ことができる。また半導体レーザ、受光素子を同
種類の材料で構成できるため、集積化が可能で信
頼性の高い非線形光双安定素子を実現できる。
た二つ以上の電極を持つ半導体レーザの電極によ
り利得が損失を上廻るように電流注入される光増
幅領域と利得が損失を下廻るように電流注入され
る過飽和吸収領域とに活性層がわかれいる。ここ
で活性層のエネルギーギヤツプに相当する波長よ
りも短波長の光を光増幅領域に注入してその入力
光強度を増加させていくと、光励起により活性層
内での光子密度はさらに増加し過飽和吸収領域で
の吸収係数は殆んどゼロとなり、半導体レーザは
発振するようになる。次に発振した光出力の一部
を光強度に対応する信号電流に変換して過飽和吸
収領域に負帰還させると、過飽和吸収領域では利
得の増加を抑制する方向に作用する。このため光
増幅領域への入力光強度を増大させても過飽和吸
収領域では逆に利得を減少させる方向に作用する
ので光出力はほぼ一定の値を保つことができる。
逆に入力光強度を減少させると、信号電流の絶対
値は減少する。このため過飽和吸収領域では利得
が増加して発振閾値付近までの光出力はほぼ一定
の値を保つことができる。即ち、この発明におい
ては外部環境の温度が変わつて発振閾値が変化し
たり入力光強度が多少変化しても、光出力はほぼ
一定であるので、光機能素子としての信頼性を高
くすることができる。またこの場合入力光強度の
増加により過飽和吸収領域での損失がゼロになる
過程で、光子密度は減少することがある。この時
の入力光強度の値は入力光強度増加のときと減少
のときとで異なるため光双安定特性が発振閾値付
近で生じる。これにより光入力と半導体レーザの
光出力の関係がヒステリシスを示すので前述の光
双安定素子の持つ光機能素子としての特徴を持つ
ことができる。また半導体レーザ、受光素子を同
種類の材料で構成できるため、集積化が可能で信
頼性の高い非線形光双安定素子を実現できる。
次に実施例を用いてこの発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図はこの発明の実施例の基本構成を示す図
であり、第２図はこの発明の実施例の基本構成に
基づいて動作させた場合の基本特性の光出力と光
入力の関係を示す特性図である。
であり、第２図はこの発明の実施例の基本構成に
基づいて動作させた場合の基本特性の光出力と光
入力の関係を示す特性図である。
半導体レーザレーザ１には発振閾値より若干高
い正の電流を注入する第１の電極２と発振閾値よ
り低い正の電流を注入する第２の電極３があり、
両者に共通のアース側の第３の電極４がある。ま
た第１の電極２と第２の電極３の境界には化学エ
ツチングされてできた溝５がある。第１の電極２
直下の活性層６へは半導体レーザ１の第１の壁開
面７を通して外部から入力光８が注入される。こ
のため入力光８の強度が弱い段階において、半導
体レーザ１の活性層６は、利得が損失をもともと
上廻つている光増幅領域９と、十分に電流が注入
されないために利得にくらべて損失が優勢の過飽
和吸収領域１０とに二分される。半導体レーザ１
からの出力光１１の一部光１２を取出すために、
ビームスプリツタ１３が半導体レーザ１の第２の
壁開面１４の前面に置かれている。出力光１１の
一部光１２は受光素子１５で光電流に変換されさ
らに増幅器１６で増幅されて第２の電極３に信号
電流Isとして負帰還される。信号電流Isが無い場
合にはレーザ発振後光入力Piの増大に伴つて光出
力Poは急峻なカーブを描いて増加する。そのた
め外部環境の温度が変わつて発振閾値が変化した
りあるいは光入力Piが多少変動したりして光出力
Poが大きく変動するので光機能素子としての信
頼性に問題が生ずる。他方本発明の信号電流Isが
有る場合には、増幅器１６で光電流の値を適切に
調整することにより光入力Piの広い範囲にわたつ
て光出力Poをほぼ一定の値に保つことができた。
また光入力Piの強度を増大させる場合と減少させ
る場合とではレーザ発振を始める入力光強度の値
が各々異なり、光出力Poと光入力Piの関係にヒ
ステリシスのあることもわかつた。この実施例で
は共振器軸方向の第１の電極２の長さが200μｍ、
第２の電極３の長さが50μｍ、溝５の幅が10μｍ、
ストライプ幅が6μｍのプレーナストライプ構造
でイソジウム・ガリウム・ヒソ・リン／インジウ
ム・リン（InGaAsP／InP）系の半導体レーザ
１、光出力の透過率が10％のビームスプリツタ１
３、インジウム・ガリウム・ヒソ／インジウム・
リン（InGaAs／InP）系のフオトダイオードの
受光素子を用いた。また半導体レーザ１の第１、
第２の電極２，３への注入電流I1，I2の値は各々
41mAと20mA、発振閾値35mAで、発振波長は
1.30μｍであつた。また光増幅領域９に注入する
光の波長は半導体レーザ１の発振波長よりも短く
する必要があり11.25μｍを使用した。この実施例
では半導体レーザ、受光素子を同種類の材料で構
成できるため集積化が可能で信頼性を高くでき
る。また光出力が立ち上るある光入力の強度以上
での光出力をほぼ一定の値に保つことができるの
で、外部環境の変化に対して入射光強度や注入電
流がある程度変化しても光出力は殆んど変わらず
安定に働くことがわかつた。
い正の電流を注入する第１の電極２と発振閾値よ
り低い正の電流を注入する第２の電極３があり、
両者に共通のアース側の第３の電極４がある。ま
た第１の電極２と第２の電極３の境界には化学エ
ツチングされてできた溝５がある。第１の電極２
直下の活性層６へは半導体レーザ１の第１の壁開
面７を通して外部から入力光８が注入される。こ
のため入力光８の強度が弱い段階において、半導
体レーザ１の活性層６は、利得が損失をもともと
上廻つている光増幅領域９と、十分に電流が注入
されないために利得にくらべて損失が優勢の過飽
和吸収領域１０とに二分される。半導体レーザ１
からの出力光１１の一部光１２を取出すために、
ビームスプリツタ１３が半導体レーザ１の第２の
壁開面１４の前面に置かれている。出力光１１の
一部光１２は受光素子１５で光電流に変換されさ
らに増幅器１６で増幅されて第２の電極３に信号
電流Isとして負帰還される。信号電流Isが無い場
合にはレーザ発振後光入力Piの増大に伴つて光出
力Poは急峻なカーブを描いて増加する。そのた
め外部環境の温度が変わつて発振閾値が変化した
りあるいは光入力Piが多少変動したりして光出力
Poが大きく変動するので光機能素子としての信
頼性に問題が生ずる。他方本発明の信号電流Isが
有る場合には、増幅器１６で光電流の値を適切に
調整することにより光入力Piの広い範囲にわたつ
て光出力Poをほぼ一定の値に保つことができた。
また光入力Piの強度を増大させる場合と減少させ
る場合とではレーザ発振を始める入力光強度の値
が各々異なり、光出力Poと光入力Piの関係にヒ
ステリシスのあることもわかつた。この実施例で
は共振器軸方向の第１の電極２の長さが200μｍ、
第２の電極３の長さが50μｍ、溝５の幅が10μｍ、
ストライプ幅が6μｍのプレーナストライプ構造
でイソジウム・ガリウム・ヒソ・リン／インジウ
ム・リン（InGaAsP／InP）系の半導体レーザ
１、光出力の透過率が10％のビームスプリツタ１
３、インジウム・ガリウム・ヒソ／インジウム・
リン（InGaAs／InP）系のフオトダイオードの
受光素子を用いた。また半導体レーザ１の第１、
第２の電極２，３への注入電流I1，I2の値は各々
41mAと20mA、発振閾値35mAで、発振波長は
1.30μｍであつた。また光増幅領域９に注入する
光の波長は半導体レーザ１の発振波長よりも短く
する必要があり11.25μｍを使用した。この実施例
では半導体レーザ、受光素子を同種類の材料で構
成できるため集積化が可能で信頼性を高くでき
る。また光出力が立ち上るある光入力の強度以上
での光出力をほぼ一定の値に保つことができるの
で、外部環境の変化に対して入射光強度や注入電
流がある程度変化しても光出力は殆んど変わらず
安定に働くことがわかつた。
第３図はこの発明の第２の実施例の斜視図であ
り、第４図はこの発明の実施例の構成に基づいて
動作させた場合の基本特性の光出力と光出力の関
係を示す特性図である。
り、第４図はこの発明の実施例の構成に基づいて
動作させた場合の基本特性の光出力と光出力の関
係を示す特性図である。
第２の実施例では、第１の実施例における外部
から半導体レーザ１に入力光８を注入する方法が
異なる。他の構成は第１の実施例と同じである。
即ち、外部から入力光８を光励起領域９の活性層
６領域に注入する方法は、第１の電極面上で活性
層６領域の真上の部分に幅10μｍ長さ10μｍの正
方形で等間隔に並んだ電極用金属の蒸着されてい
ない非蒸着部分の窓176ケ所を通して光注入を行
なおうというものである。InPのエネルギーギヤ
ツプに相当する波長は0.98μｍ前後であるから、
非蒸着部分の窓176ケ所から注入された波長1.25μ
ｍの入力光８はInGaAsP系の４元の活性層で十
分吸収される。この光入力の強度があるレベルに
達すると、過飽和吸収領域１０内でも損失を上廻
るようになり半導体レーザ１として波長1.30μｍ
のレーザ発振をすることになる。以下の内容は第
１の実施例と同様である。第２の実施例において
も第１の実施例と同様に半導体レーザ、受光素子
を同種類の材料で構成できるため、集積化が可能
で信頼性を高くできる。また、外部環境の変化に
対して入力光の強度がある程度変動したり注入電
流がある程度変化しても光出力は殆んど変わらず
安定に働くことがわかつた。
から半導体レーザ１に入力光８を注入する方法が
異なる。他の構成は第１の実施例と同じである。
即ち、外部から入力光８を光励起領域９の活性層
６領域に注入する方法は、第１の電極面上で活性
層６領域の真上の部分に幅10μｍ長さ10μｍの正
方形で等間隔に並んだ電極用金属の蒸着されてい
ない非蒸着部分の窓176ケ所を通して光注入を行
なおうというものである。InPのエネルギーギヤ
ツプに相当する波長は0.98μｍ前後であるから、
非蒸着部分の窓176ケ所から注入された波長1.25μ
ｍの入力光８はInGaAsP系の４元の活性層で十
分吸収される。この光入力の強度があるレベルに
達すると、過飽和吸収領域１０内でも損失を上廻
るようになり半導体レーザ１として波長1.30μｍ
のレーザ発振をすることになる。以下の内容は第
１の実施例と同様である。第２の実施例において
も第１の実施例と同様に半導体レーザ、受光素子
を同種類の材料で構成できるため、集積化が可能
で信頼性を高くできる。また、外部環境の変化に
対して入力光の強度がある程度変動したり注入電
流がある程度変化しても光出力は殆んど変わらず
安定に働くことがわかつた。
この発明は以上の代表的な実施例の他に幾つか
の変形が考えられる。前述の実施例では半導体レ
ーザ１内部に光増幅領域９と過飽和吸収領域１０
を二分して構成したが、光増幅領域９と過飽和吸
収領域１０の領域の数を三つ以上に分割しても光
機能素子の特性には違いはなく有効に動作させる
ことができる。また、前述の実施例では光増幅領
域９と過飽和吸収領域１０への注入電流の値を各
各発振閾値以上と発振閾値以下にわけたが、各領
域とも発振閾値以下の注入電流を流した状態で入
力光強度を強くして光入力と光出力との間で光双
安定性を示せるようにしてもよい。また過飽和吸
収領域１０に注入電流しない場合にも、光双安定
性を示すことができる。また以上の実施例では半
導体レーザ１にInGaAsP／InP系の半導体レーザ
を使用したが、ガリウム・アルミニウム・ヒソ／
ガリウム・ヒソ（GaAlAs／GaAs）系等他の材
料の半導体レーザを使用してもよい。また受光素
子１５としてInAsP／InP系のフオトダイオード
を使用したが他の材料のものでもまたアバランシ
エ・フオトダイオードを使用してもよい。また溝
５は化学エツチングにより製作したが、その代り
にイオンミーリングや逆スパツタリングを用いて
製作してもよい。また溝５の代りにプロトン照射
等をして絶縁層を形成させてもよい。
の変形が考えられる。前述の実施例では半導体レ
ーザ１内部に光増幅領域９と過飽和吸収領域１０
を二分して構成したが、光増幅領域９と過飽和吸
収領域１０の領域の数を三つ以上に分割しても光
機能素子の特性には違いはなく有効に動作させる
ことができる。また、前述の実施例では光増幅領
域９と過飽和吸収領域１０への注入電流の値を各
各発振閾値以上と発振閾値以下にわけたが、各領
域とも発振閾値以下の注入電流を流した状態で入
力光強度を強くして光入力と光出力との間で光双
安定性を示せるようにしてもよい。また過飽和吸
収領域１０に注入電流しない場合にも、光双安定
性を示すことができる。また以上の実施例では半
導体レーザ１にInGaAsP／InP系の半導体レーザ
を使用したが、ガリウム・アルミニウム・ヒソ／
ガリウム・ヒソ（GaAlAs／GaAs）系等他の材
料の半導体レーザを使用してもよい。また受光素
子１５としてInAsP／InP系のフオトダイオード
を使用したが他の材料のものでもまたアバランシ
エ・フオトダイオードを使用してもよい。また溝
５は化学エツチングにより製作したが、その代り
にイオンミーリングや逆スパツタリングを用いて
製作してもよい。また溝５の代りにプロトン照射
等をして絶縁層を形成させてもよい。
第１図はこの発明の第１の実施例の基本構成を
示す図、第２図は第１の実施例の基本特性である
光出力と光入力の関係を示す特性図、第３図はこ
の発明の第２の実施例の構成を示す図、第４図は
第２の実施例の基本特性である光出力と光入力の
関係を示す特性図である。 なお図において、１……半導体レーザ、２……
第１の電極、３……第２の電極、４……アース側
の第３の電極、５……溝、６……活性層、７……
第１の壁開面、８……入力光、９……光増幅領
域、１０……過飽和吸収領域、１１……出力光、
１２……出力光の一部光、１３……ビームスプリ
ツタ、１４……第２の壁開面、１５……受光素
子、１６……増幅器、１７……非常着部分の窓、
I1，I2……注入電流、Is……信号電流、Po……光
出力、Pi……光入力、をそれぞれあらわす。
示す図、第２図は第１の実施例の基本特性である
光出力と光入力の関係を示す特性図、第３図はこ
の発明の第２の実施例の構成を示す図、第４図は
第２の実施例の基本特性である光出力と光入力の
関係を示す特性図である。 なお図において、１……半導体レーザ、２……
第１の電極、３……第２の電極、４……アース側
の第３の電極、５……溝、６……活性層、７……
第１の壁開面、８……入力光、９……光増幅領
域、１０……過飽和吸収領域、１１……出力光、
１２……出力光の一部光、１３……ビームスプリ
ツタ、１４……第２の壁開面、１５……受光素
子、１６……増幅器、１７……非常着部分の窓、
I1，I2……注入電流、Is……信号電流、Po……光
出力、Pi……光入力、をそれぞれあらわす。
Claims (1)
- １ 共振器軸方向に分割された二つ以上の電極に
より活性層が光増幅領域と過飽和吸収領域とに分
けられた半導体レーザと、前記光増幅領域内の活
性層領域に外部から光を注入する手段と、前記半
導体レーザからの出力光の少なくとも一部を受光
する受光素子と、前記受光素子の出力を増幅して
前記電極の少なくとも一つに帰還するための増幅
帰還路を含む非線形光双安定素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12161282A JPH0245171B2 (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | Hisenkeihikarisoanteisoshi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12161282A JPH0245171B2 (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | Hisenkeihikarisoanteisoshi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5912421A JPS5912421A (ja) | 1984-01-23 |
| JPH0245171B2 true JPH0245171B2 (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=14815559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12161282A Expired - Lifetime JPH0245171B2 (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | Hisenkeihikarisoanteisoshi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245171B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60229387A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-14 | Nec Corp | 光情報記憶回路 |
| JPH0632328B2 (ja) * | 1984-07-16 | 1994-04-27 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光双安定素子 |
| JPH0797194B2 (ja) * | 1985-06-28 | 1995-10-18 | 日本電気株式会社 | 光信号シフト回路 |
| JPS62157014A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 光論理素子 |
| JPH0656908B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子 |
| JPH02189529A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-25 | Fujitsu Ltd | 光双安定半導体レーザ装置 |
| FR2673342B1 (fr) * | 1991-02-27 | 1994-04-08 | Alcatel Alsthom Cie Gle Electric | Dispositif a retroaction positive pour le traitement d'un signal optique. |
| JP4703312B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2011-06-15 | シャープ株式会社 | 非線形半導体光素子駆動装置 |
| JP2012015266A (ja) | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Sony Corp | 半導体光増幅器 |
| JP6080798B2 (ja) * | 2014-05-01 | 2017-02-15 | ソニー株式会社 | 半導体光増幅器及び半導体レーザ装置組立体並びに半導体光増幅器の位置調整方法 |
-
1982
- 1982-07-13 JP JP12161282A patent/JPH0245171B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5912421A (ja) | 1984-01-23 |
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