JPH0242787B2 - - Google Patents

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JPH0242787B2
JPH0242787B2 JP60102383A JP10238385A JPH0242787B2 JP H0242787 B2 JPH0242787 B2 JP H0242787B2 JP 60102383 A JP60102383 A JP 60102383A JP 10238385 A JP10238385 A JP 10238385A JP H0242787 B2 JPH0242787 B2 JP H0242787B2
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【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野) 本発明は低膨脹セラミツクスの製法に関するも
ので、更にくわしくは、緻密質で耐熱衝撃性、気
密性、さらに耐熱性にも優れたコージエライト系
緻密質低膨脹セラミツクスの製法に関するもので
ある。 (従来の技術および解決しようとする課題) 近年工業技術の進歩に伴い、耐熱性、耐熱衝撃
性に優れた材料の要求が増加している。セラミツ
クスの耐熱衝撃性は、材料の熱膨脹率、熱伝導
率、強度、弾性率、ポアソン比等の特性に影響さ
れると共に、製品の大きさや形状、さらに加熱、
冷却状態即ち熱移動速度にも影響される。 耐熱衝撃性に影響するこれらの諸因子のうち特
に熱膨脹係数の寄与率が大であり、とりわけ、熱
移動速度が大であるときには熱膨脹係数のみに大
きく左右されることが知られており、耐熱衝撃性
に優れた低膨脹材料の開発が強く望まれている。 従来比較的低膨脹なセラミツク材料として、コ
ージエライトが知られているが、一般にコージエ
ライトは、緻密焼結化が難しく、特に室温から
800℃までの熱膨脹係数が2.0×10-6/℃以下とな
るような低膨脹性を示すコージエライト素地で
は、カルシア、アルカリ、カリ、ソーダのような
融剤となるべき不純物量を極めて少量に限定する
必要があるためガラス相が非常に少なく多孔質に
なる。特に近年自動車排気ガス浄化用触媒担体と
して使用されているコージエライト質ハニカム構
造体は、室温から800℃までの熱膨脹係数が1.5×
10-6/℃以下であることを必要とするため、不純
物の少ないタルク、カリオン、アルミナ等の原料
が使用され、コージエライト焼結体の気孔率はせ
いぜい25〜45%の範囲ものしか得られない。 従つてこのようなコージエライトセラミツクス
を例えば、ハニカム構造にして回転蓄熱式交換体
に応用した場合、その開気孔率が大きいためハニ
カム構造体貫通孔を形成する隔壁表面の気孔、特
に連通気孔を通して加熱流体と熱回収側流体との
相互間に流体のリークが発生し、熱交換効率及び
熱交換体が使用されるシステム全体の効率が低下
する重大な欠点を有している。また、ターボチヤ
ージヤーローターのハウジングエギゾーストマニ
ホールド等に応用した場合、開気孔率が大きいた
め、圧力の高い空気が漏れてしまい重大な欠点と
なる。このようなことから耐熱衝撃性に優れた、
低膨脹で緻密質なコージエライトセラミツクスが
強く望まれていた。 従来緻密なコージエライトセラミツクスを得る
方法としては、コージエライト組成のバツチ調合
物を溶融して成形後、結晶化処理を行い、ガラス
セラミツクス化する方法が知られている。例え
ば、1977年発行の「ジヤーナル・オブ・ザ・カナ
デイアン・セラミツク・ソサエテイ」第46巻に掲
載されたトツピングとマースイの論文は、コージ
エライトのSiO2の20重量%以内をAlPO4で置換
したものを提案している。同論文によれば、
AlPO4を添加した原料主成分を1600℃で融解後冷
却したコージエライトガラスを生成し、再加熱後
冷却してコージエライトの結晶を生成させてい
る。得られるコージエライトは緻密であるが、析
出するコージエライト結晶相の配向を制御できな
いため熱膨脹係数が小さいものでも2.15×10-6
℃と未だ大きい欠点がある。 特開昭59−13741号公報と特開昭59−92943号公
報の発明は、Y2O3又はZnOを添加した主原料成
分にB2O3及び/又はP2O5を添加し、焼成して得
た結晶化ガラス成分を2〜7μに微粉砕してガラ
スフリツトとし、所要形状に成形後、再度焼成結
晶化させてなる結晶化ガラス体を提案している。
このものは熱膨脹係数が2.4〜2.6×10-6/℃と大
きい欠点がある。 コージエライトセラミツクスが低膨脹性を示す
理由は、例えば昭和50年(1975年)5月27日にア
ーウイン・エム・ラツチマン他に与えられた「ア
ニソトロピツク・コージエライトモノリス」とい
う名称の米国特許第3885977号明細書(対応日本
出願:特開昭50−75611号公報)に開示されてい
るように、板状粘土、積層粘土に起因する平面的
配向により、焼成後のコージエライトセラミツク
スが、配向して形成されるためであり、このため
ガラスセラミツクス化による緻密質コージエライ
トでは2.0×10-6/℃以上の高い熱膨脹係数とな
る。 本発明の目的は上述した課題を解決して、熱膨
脹係数が2.0×10-6/℃以下と低膨脹で開気孔率
が15%以下の緻密なコージエライト系セラミツク
スの製法を提供しようとするものである。 (問題点を解決するための手段) 本発明の低膨脹セラミツクスの製法は、P2O5
源原料がリン酸アルミニウム、リン酸マグネシウ
ム、リン酸亜鉛、リン酸鉄から選ばれた一種以上
の組合せであり、MgO、Al2O3、SiO2源原料が
主としてブルーサイト、マグネサイト、タルク、
粘土、アルミナ、水酸化アルミニウムから選ばれ
た原料から、化学組成がMgO7.5〜20重量%、
Al2O322.0〜44.3重量%、SiO237.0〜60重量%、
P2O52.0〜10.0重量%であるバツチを調整して、
調製したバツチを成形して成形体を得たのち、こ
の成形体を焼成し開気孔率が15%以下で、25〜
800℃の間の熱膨脹係数が2.0×10-6/℃以下であ
る焼結体を得ることを特徴とするものである。 コージエライトに含有するP2O5は焼成時に
AlPO4となり、コージエライト結晶中のSiO2
置換固溶し、コージエライトセラミツクスよりわ
ずかに低融点のコージエライト系固溶体を生成せ
しめ、焼結中に生成する液相の量を増大し、コー
ジエライトを容易に緻密化させるのである。しか
もこの液相は焼結後、冷却中に大部分コージエラ
イト系固溶体に結晶化してしまうため、カルシ
ア、アルカリ、カリ、ソーダのような融剤を用い
て緻密化させたコージエライトセラミツクスと異
なつて、熱膨脹係数が増大することもない。さら
に原料を従来のコージエライトに用いられている
タルク、粘土、アルミナ、ブルーサイト、マグネ
サイト、水酸化アルミニウムから選定することに
より、コージエライト結晶を配向させることがで
きるため、熱膨脹係数が2.0×10-6/℃以下と低
膨脹で緻密質なコージエライト系セラミツクスを
得ることができる。 孔の直径が5μm以上の総細孔容積は、通常0.04
c.c./g以下である。 コージエライト相のMgは、Znおよび/または
Feで10モル%以下置換された鉄コージエライト
又は鉄亜鉛コージエライトであつても良い。 P2O5源となる原料はリン酸アルミニウム、リ
ン酸マグネシウム、リン酸亜鉛、リン酸鉄から選
ばれる1種以上の組合せが好ましく、MgO、
Al2O3、SiO2源原料は主としてブルーサイト、マ
グネサイト、タルク、粘土、アルミナ、水酸化ア
ルミニウムから選ばれるのが好ましい。 また、ブルーサイト、マグネサイト、タルク等
のMgO源原料の平均粒径を5μm以下にすること
により、残存する開気孔の直径を5μm以下に抑
制し、開気孔率15%以下にても充分に気密性に優
れた緻密質コージエライト系セラミツクスを得る
ことができる。 (作用) 本発明はコージエライト相中にP2O5を2〜10
重量%、AlPO4として固溶させることにより、開
気孔率が15%以下で、25〜800℃の間の熱膨脹係
数が2.0×10-6/℃以下という、、緻密質で低膨脹
なコージエライト系セラミツクスが得られること
を新規に見出したことによる。 P2O5を2重量%以上と限定した理由は、それ
以下では、緻密化に充分な液相が生じないため緻
密化しないためであり、P2O510重量%以下に限
定した理由は、それ以上では、P2O5がAlPO4
しての固溶限を超えてしまい高膨脹化するためで
ある。 化学組成をMgO7.5重量%、Al2O322.0〜44.3重
量%、SiO237.0〜60重量%、P2O52.0〜10.0重量
%と限定した理由は、この範囲を超えては、コー
ジエライト相が充分に生成しないため、高膨脹化
してしまうためである。 焼成温度が1250℃以下ではコージエライト相が
充分に生成せず、また1450℃より大では軟化変形
してしまう。同様に、焼成時間が2hより短くて
はコージエライト相が充分に生成せず、20h以上
では温度にもよるが軟化による変形が起こる。 また残存している開気孔の直径が5μm以上の
総細孔容積を0.04c.c./g以下に限定した理由は、
加圧したガスのリーク量が直径5μm以上の細孔
の総細孔容積に依存し、0.04c.c./g以下にするこ
とにより、従来のコージエライトの半分以下のリ
ーク量に抑制することができるためである。 またコージエライト相2MgO・2Al2O3・5SiO2
のMgは、10モル%まで、Znおよび/またはFeで
置換されていても本発明に規定するコージエライ
ト系セラミツクスと同等の特性のコージエライト
系セラミツクスを得ることができる。 P2O5源を、リン酸アルミニウム、リン酸マグ
ネシウム、リン酸亜鉛、リン酸鉄から選ばれるリ
ン酸塩化合物一種または二種以上の組合せとした
理由は、リン酸は液体であるため混合が難しく、
不均一になつてしまうためである。またリン酸で
はコージエライトの生成温度以下の低温で局所的
に溶融して巨大なポアを生成してしまうためこれ
らの融点の比較的高い、水等に不溶性のリン酸塩
化合物の形態で添加することが望ましい。 MgO、Al2O3、SiO2源をブルーサイト、マグ
ネサイト、タルク粘土、アルミナ、水酸化アルミ
ニウムから選んだ理由は、これらの原料から作ら
れた、コージエライト系セラミツクスが特に低膨
脹化するためであるが、さらにMgO源が酸化マ
グネシウム、SiO2源がシリカ等から選定されて
も良い。 MgO源原料の平均粒径を5μm以下が好ましい
理由は、コージエライトセラミツクスでは、焼結
後MgO源原料粒子の形骸ポアが残存して、開気
孔率の原因となるためMgO源原料の平均粒径を
5μm以下に限定することにより、5μmより大き
い開気孔を抑制することができ、本発明の目的で
ある、気密性の高いコージエライトセラミツクス
が得られるためである。 (実施例) 以下、本発明の実施例について説明する。 第1表に記載する調合割合に従つて予め粒度調
整されたブルーサイト、マグネサイト、タルク、
アルミナ、水酸化アルミニウム、粘土、リン酸ア
ルミニウム、リン酸マグネシウム、リン酸鉄を混
合した。第2表に用いた原料の化学分析値を示
す。この混合物100重量部に水5〜10重量部、で
んぷん糊(水分80%)20重量部を加えニーダーで
十分に混練し真空押出成形機にてピツチ1.0mm、
薄壁の厚さ0.10mmの三角セル形状を有し、65mm四
方長さが120mmのハニカム柱状体に押出した。こ
のハニカム成形体を乾燥後第1表に記載した焼成
条件で焼成して本発明の実施例1〜13、参考例15
〜22のコージエライト系セラミツクハニカムを得
た。 第1表に示した各種コージエライト系セラミツ
クハニカムについて粉末X線回折によりコージエ
ライト結晶を定量すると共に、25℃から800℃の
温度範囲における熱膨脹係数、開気孔率、水銀圧
入式ポロシメーターによりセラミツクハニカム薄
壁部の直径5μm以上の総細孔容積、加圧空気の
薄壁からのリーク量をそれぞれ測定比較した。加
圧空気の薄壁からのリーク量は、コージエライト
系セラミツクハニカムの一方の端面に中央に20mm
×20mmの正方形の穴を有する65×65mmのゴム製パ
ツキンを装着し、もう一方の端面に穴の無い65×
65mmのゴム製パツキンを装着密閉し、前記ゴム製
パツキンの穴に1.4Kg/cm2の加圧空気を導入し、
加圧空気の流量を測定して単位面積当り、単位時
間当りのリーク量(Kg/m2sec)とした。結果は
第1表に示す通りである。また第1表中タルクの
*印は平均粒径が2.0μmのもの、**印は平均粒
径が10.0μmのものを示し、その他はすべて平均
粒径は5.0μmである。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】 第1表に示す実施例1〜13、参考例15〜22の結
果、およびその結果に基づくP2O5含有量と開気
孔率および熱膨脹係数の関係を示す第1図から明
らかなように、コージエライト組成にP2O5を2.0
〜10.0重量%含有させると、本発明で目的とする
開気孔率が15%以下であると共に25〜800℃の間
の熱膨脹係数が2.0×10-6/℃以下である低膨脹
セラミツクスが得られた。また、P2O5が2.0〜
10.0重量%の範囲内でかつ、MgO7.5〜20.0重量
%、Al2O322.0〜44.3重量%、SiO237.0〜60.0重量
%の範囲が好ましいことが第1表からわかる。 また、コージエライト相のMgをZnまたはFeで
部分的に置換しても本発明の低膨脹セラミツクス
を得ることができる。 さらに、1.4Kg/cm2加圧空気のセラミツクハニ
カム薄壁からのリーク量と孔の直径が5μm以上
の細孔容積との相関関係を示す第2図から明らか
なように、リーク量と孔の直径が5μm以上の細
孔容積には高い相関が認められる。第3図には実
施例6、参考例16、18の細孔径分布曲線を示す。
直径5μm以上の総細孔容積の少ない実施例6に
あつては、参考例16、18に比してリーク量が第2
図から明らかなように著しく低くなる。さらに第
2図より5μm以上の総細孔容積を0.04c.c./g以下
にすることによりリーク量を通常のコージエライ
トの半分以下に低減することができ、気密性が良
好であると共に熱膨脹係数が通常のコージエライ
トと同じ程度であるので良好な耐熱衝撃性も得ら
れ、高温構造材料として優れた特性を得ることが
できた。 第4図および第5図は参考例16および参考例18
の微構造組織をそれぞれ示していて、多孔質であ
り大きな気孔が存在していることがわかる。また
第6図は実施例13の微構造組織を示し、上述し
た参考例に比べて大きな気孔が少なく緻密質であ
ることがわかる。また第7図は実施例4に対する
CuKα線によるX線回折チヤートを示し、このチ
ヤートから主たる結晶相がコージエライト相で二
次結晶相としてムライト、コランダム、スピネル
が存在することがわかる。 (発明の効果) 以上詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の低膨脹セラミツクスの製法によれ
ば、コージエライト相中にP2O5を2〜10重量%
含有させ、所定の原料と原料の粒度を規定するこ
とにより、コージエライトと同等の低膨脹性を維
持しつつ素地の緻密化を達成できる低膨脹セラミ
ツクスを得ることができる。 そのため、その応用範囲は熱交換体としてのセ
ラミツク・リジエネレータにとどまらずセラミツ
ク・レキユペレータ、セラミツクターボチヤージ
ヤーローター用ハウジング等、気密性を必要とす
る低膨脹材料として広く十分な実用性を備えてい
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はコージエライト系セラミツクハニカム
のP2O5含有量と開気孔率および熱膨脹係数の関
係を示す図、第2図は1.4Kg/cm2加圧空気のセラ
ミツクハニカム薄壁からのリーク量と孔の直径が
5μm以上の総細孔容積との相関を表わす図、第
3図は細孔径分布曲線を示す図、第4図および第
5図は従来の低膨脹セラミツクスの結晶の構造を
拡大して示す写真、第6図は本発明の低膨脹セラ
ミツクスの結晶の構造を拡大して示す写真、第7
図はX線回折チヤートを示す図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 P2O5源原料がリン酸アルミニウム、リン酸
    マグネシウム、リン酸亜鉛、リン酸鉄から選ばれ
    た一種以上の組合せであり、MgO、Al2O3
    SiO2源原料が主としてブルーサイト、マグネサ
    イト、タルク、粘土、アルミナ、水酸化アルミニ
    ウムから選ばれた原料から、化学組成がMgO7.5
    〜20重量%、Al2O322.0〜44.3重量%、SiO237.0
    〜60重量%、P2O52.0〜10.0重量%であるバツチ
    を調整して、調製したバツチを成形して成形体を
    得たのち、この成形体を焼成し開気孔率が15%以
    下で、25〜800℃の間の熱膨脹係数が2.0×10-6
    ℃以下である焼結体を得ることを特徴とする低膨
    脹セラミツクスの製法。 2 MgO源原料の平均粒径が5μm以下である特
    許請求の範囲第1項の低膨脹セラミツクスの製
    法。
JP60102383A 1985-05-14 1985-05-14 低膨脹セラミックスの製法 Granted JPS61261257A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60102383A JPS61261257A (ja) 1985-05-14 1985-05-14 低膨脹セラミックスの製法
DE19863616045 DE3616045A1 (de) 1985-05-14 1986-05-13 Keramischer werkstoff mit niedriger ausdehnung und verfahren zu seiner herstellung

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JP60102383A JPS61261257A (ja) 1985-05-14 1985-05-14 低膨脹セラミックスの製法

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JPS61261257A JPS61261257A (ja) 1986-11-19
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0596395A (ja) * 1991-10-04 1993-04-20 Mitsubishi Electric Corp 接合材、接合方法および半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60102384A (ja) * 1983-11-02 1985-06-06 三菱電機株式会社 エレベ−タかご

Patent Citations (1)

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