JPH0242028A - エポキシドの不斉水素化分解 - Google Patents
エポキシドの不斉水素化分解Info
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- JPH0242028A JPH0242028A JP1139413A JP13941389A JPH0242028A JP H0242028 A JPH0242028 A JP H0242028A JP 1139413 A JP1139413 A JP 1139413A JP 13941389 A JP13941389 A JP 13941389A JP H0242028 A JPH0242028 A JP H0242028A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はキラルな・ホスフィン配位子を含むロジウムま
たはルテニウム触媒を使用するエポキシドの不斉接触水
素化分解によってキラルなアルコール類を製造する方法
に関する。
たはルテニウム触媒を使用するエポキシドの不斉接触水
素化分解によってキラルなアルコール類を製造する方法
に関する。
キラルなアルコール類は天然物および薬物の合成に用い
る一群の化学薬品である。これら化合物は従来から醗酵
法によるか、またはラセミ混合物の高コスト分割法を用
いてつくられている。
る一群の化学薬品である。これら化合物は従来から醗酵
法によるか、またはラセミ混合物の高コスト分割法を用
いてつくられている。
キラルなアルコール類の非伝統的製造法がB、R。
James 、 Adv、Organomet、Che
Ia、Ser、、 1979,17,319およびR
,NoyorI等、J、All1.Chem、Soc、
、 19g7,109゜5856に開示されている。こ
れらはブロキラルなケトンの不斉水素化によるキラルな
アルコール類の合成を記載している。K、B、5har
pless等、Pureand Appl、CheLm
、、55巻、4号、 589.1983はある種の型の
キラルなアルコール類をつくるため、キラルなエポキシ
ドをL t A I Hz、またはN a B H4で
水素化分解する方法を開示している。
Ia、Ser、、 1979,17,319およびR
,NoyorI等、J、All1.Chem、Soc、
、 19g7,109゜5856に開示されている。こ
れらはブロキラルなケトンの不斉水素化によるキラルな
アルコール類の合成を記載している。K、B、5har
pless等、Pureand Appl、CheLm
、、55巻、4号、 589.1983はある種の型の
キラルなアルコール類をつくるため、キラルなエポキシ
ドをL t A I Hz、またはN a B H4で
水素化分解する方法を開示している。
上記引用文献のうち、本発明方法によるキラルアルコー
ル類の製造法を開示したものはない。
ル類の製造法を開示したものはない。
本発明は、キラルなホスフィン配位子を含むロジウムま
たはルテニウム触媒を使用するエポキシドの不斉水素化
分解によってキラルなアルコール類を製造する方法に関
する。
たはルテニウム触媒を使用するエポキシドの不斉水素化
分解によってキラルなアルコール類を製造する方法に関
する。
本発明方法は次のスキーム:
(式中、R1は水素、アルキル、アリールおよびカルボ
キシル含有基から選ばれ、R2はカルボキシル含有基で
ある)により説明される。R1の例にはメチル、エチル
、プロピル、フェニル、ベンジル、カルボキシル、カル
ボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチルお
よびこれらの塩が包含される。R2の例にはカルボキシ
ル、カルボキシエチル、カルボキシメチル、カルボキシ
ブチルおよびそれらの塩が含まれる。
キシル含有基から選ばれ、R2はカルボキシル含有基で
ある)により説明される。R1の例にはメチル、エチル
、プロピル、フェニル、ベンジル、カルボキシル、カル
ボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチルお
よびこれらの塩が包含される。R2の例にはカルボキシ
ル、カルボキシエチル、カルボキシメチル、カルボキシ
ブチルおよびそれらの塩が含まれる。
本発明方法に適したエポキシドは、カルボキシル含有基
を有する少なくとも一つのキラル中心をもつエポキシド
である。特に適当なエポキシドはメソ形であり、このも
のは不斉水素化分解を行なったとき、主要化学種として
キラルな化合物の一鏡像体を生成する。適当なエポキシ
ドの例には、シスーエポキシコハク酸ニナトリウム塩、
3−メチル−3−フエニルグリシド酸ナトリウム、3−
sec−ブチル−3−メチルグリシド酸ナトリウム、2
.3−エポキシ酪酸ナトリウム、2,3−エポキシ−3
−(2−メトキシフェニル)プロピオン酸ナトリウム塩
、2.3−エポキシ−2,3−ジメチルコハク酸エアト
リウム塩、2,3−エポキシ−1,4−ブタンジカルボ
ン酸エアトリウム塩、3−フエニルグリシド酸リチウム
およびグリシド酸ナトリウムおよび他の酸塩が包含され
る。非対称なキラルエボキシドの本質的に純粋な鏡像体
を使用する場合、位置特異的水素化分解により、本質的
に純粋なキラルアルコール生成物が得られる。
を有する少なくとも一つのキラル中心をもつエポキシド
である。特に適当なエポキシドはメソ形であり、このも
のは不斉水素化分解を行なったとき、主要化学種として
キラルな化合物の一鏡像体を生成する。適当なエポキシ
ドの例には、シスーエポキシコハク酸ニナトリウム塩、
3−メチル−3−フエニルグリシド酸ナトリウム、3−
sec−ブチル−3−メチルグリシド酸ナトリウム、2
.3−エポキシ酪酸ナトリウム、2,3−エポキシ−3
−(2−メトキシフェニル)プロピオン酸ナトリウム塩
、2.3−エポキシ−2,3−ジメチルコハク酸エアト
リウム塩、2,3−エポキシ−1,4−ブタンジカルボ
ン酸エアトリウム塩、3−フエニルグリシド酸リチウム
およびグリシド酸ナトリウムおよび他の酸塩が包含され
る。非対称なキラルエボキシドの本質的に純粋な鏡像体
を使用する場合、位置特異的水素化分解により、本質的
に純粋なキラルアルコール生成物が得られる。
例えば、
キラルな触媒
十
+
H
式中、本はキラル中心であり、Rは水素、アルキル、ア
リールまたはカルボニル含有基である。非対称エポキシ
ドのラセミ混合物を用いる場合、キラル中心の保持のた
め完全変換ではラセミヒドロキシル生成物が得られる。
リールまたはカルボニル含有基である。非対称エポキシ
ドのラセミ混合物を用いる場合、キラル中心の保持のた
め完全変換ではラセミヒドロキシル生成物が得られる。
例えば、
式中、Rは上で定義した通りである。
しかし、部分変換においては、出発原料の一つのジアス
テレオマーは他より早く反応し、出発原料が二つのジア
ステレオマーの50150混合物を含むとしても、生成
物が一つの主要鏡像体を含むように速度論的分割が起こ
りうる。
テレオマーは他より早く反応し、出発原料が二つのジア
ステレオマーの50150混合物を含むとしても、生成
物が一つの主要鏡像体を含むように速度論的分割が起こ
りうる。
本発明に適した触媒はキラルなホスフィン配位子を含む
ロジウムまたはルテニウムの不斉水素化触媒である。他
の貴金属不斉水素化触媒は望むキラルなヒドロキシル化
合物を殆どあるいは全く生じない。適当なロジウム触媒
には構造Rh(ジエン)(キラルなホスフィン)Aを有
する触媒が包含され、この場合ジエンはノルボルナジェ
ンおよびシクロオクタジエンあるいはエチレンのような
アルケン2分子を包含する。Aは対イオン、例えばBF
PF Cj70 ハロゲン化物、擬4゛
6° 4′ ハロゲン化物、およびカルボキシレートである。
ロジウムまたはルテニウムの不斉水素化触媒である。他
の貴金属不斉水素化触媒は望むキラルなヒドロキシル化
合物を殆どあるいは全く生じない。適当なロジウム触媒
には構造Rh(ジエン)(キラルなホスフィン)Aを有
する触媒が包含され、この場合ジエンはノルボルナジェ
ンおよびシクロオクタジエンあるいはエチレンのような
アルケン2分子を包含する。Aは対イオン、例えばBF
PF Cj70 ハロゲン化物、擬4゛
6° 4′ ハロゲン化物、およびカルボキシレートである。
キラルなホスフィンは一つ以上のキラル中心を含むホス
フィン配位子である。適当なロジウム触媒の例には、[
ロジウム(1,5−シクロオクタジエン)(R,R−1
,2−エタンジイルビス−(0−メトキシフェニル)フ
ェニルホスフィンコテドラフルオロボレート([Rh
(COD)(R。
フィン配位子である。適当なロジウム触媒の例には、[
ロジウム(1,5−シクロオクタジエン)(R,R−1
,2−エタンジイルビス−(0−メトキシフェニル)フ
ェニルホスフィンコテドラフルオロボレート([Rh
(COD)(R。
R−DIPAMP)]BF4)、 Cロジウム(2゜
5−ノルボルナジェン)(R−1,2−ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)シクロヘキシルエタン]ヘキサフルオロ
ホスフェート([Rh (NBD)(R−Cycpho
s)] PF6) 、 [0ジウム(2,5−ノルボ
ルナジェン)(2R,3R−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)ブタン]過塩素酸塩([Rh(NBD) (R,
R−Chlraphos)] (j! 04) 。
5−ノルボルナジェン)(R−1,2−ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)シクロヘキシルエタン]ヘキサフルオロ
ホスフェート([Rh (NBD)(R−Cycpho
s)] PF6) 、 [0ジウム(2,5−ノルボ
ルナジェン)(2R,3R−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)ブタン]過塩素酸塩([Rh(NBD) (R,
R−Chlraphos)] (j! 04) 。
[ロジウム(1,5−シクロオクタジエン)(2R。
3R−0−イソプロピリデン−2,3−ジヒドロ午シー
1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンコテドラ
フルオロボレート([Rh (COD)(R,R−Di
op) B F4 ) 、Cロジウム(2,5−ノルボ
ルナジェン)(R−1,2−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)プロパン)]過塩素酸塩([Rh (R−Prop
hos ] CN 04) 、 [ロジウム(2,5
−ノルボルナジェン)(R−1,2−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)フェニルエタン)コ過塩素酸塩([Rh
(NBD) (R−Phenp、hos) ]CRO
4)、 [0ジウム(ノルボルナジェン)((+)−
2,3−0−イソプロピリデン−2,3−ジヒドロキシ
−1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン)]コ
テドラフルオロボレート([Rh (NBD)((+)
−DIOP] BF4)。
1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンコテドラ
フルオロボレート([Rh (COD)(R,R−Di
op) B F4 ) 、Cロジウム(2,5−ノルボ
ルナジェン)(R−1,2−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)プロパン)]過塩素酸塩([Rh (R−Prop
hos ] CN 04) 、 [ロジウム(2,5
−ノルボルナジェン)(R−1,2−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)フェニルエタン)コ過塩素酸塩([Rh
(NBD) (R−Phenp、hos) ]CRO
4)、 [0ジウム(ノルボルナジェン)((+)−
2,3−0−イソプロピリデン−2,3−ジヒドロキシ
−1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン)]コ
テドラフルオロボレート([Rh (NBD)((+)
−DIOP] BF4)。
[ロジウム(ノルボルナジェン)((R)−α−[(s
)−2,1′−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセ
ニル]エチルジメチルアミン)コテドラフルオロボレー
ト ([Rh (NBD)(BPPFA)] BF4)
、 [ロジウム(ノルボルナジェン)(s、5)−2
,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ペンタン)]テト
ラフルオロボレート、([Rh (N B D)(s
kewphos) ] B F4) 。
)−2,1′−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセ
ニル]エチルジメチルアミン)コテドラフルオロボレー
ト ([Rh (NBD)(BPPFA)] BF4)
、 [ロジウム(ノルボルナジェン)(s、5)−2
,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ペンタン)]テト
ラフルオロボレート、([Rh (N B D)(s
kewphos) ] B F4) 。
[ロジウム(ノルボルナジェン) ((−) −N−
を−ブトキシカルボニル−4−ジフェニルホスフィノ−
2−ジフェニルホスホスフイノメチルピロリジン)]テ
トラフルオロボレート、([Rh(NBD)(BPPM
)] BF4)、 クロロ(ノルボルナジェン)(N
、N’−ビス[(R)−αメチルベンジル]−N、N’
−ビス(ジフェニルホスフィノ)エチレンジアミン)ロ
ジウム。
を−ブトキシカルボニル−4−ジフェニルホスフィノ−
2−ジフェニルホスホスフイノメチルピロリジン)]テ
トラフルオロボレート、([Rh(NBD)(BPPM
)] BF4)、 クロロ(ノルボルナジェン)(N
、N’−ビス[(R)−αメチルベンジル]−N、N’
−ビス(ジフェニルホスフィノ)エチレンジアミン)ロ
ジウム。
(Rh (NBD)(PNNP)CN)、 [ロジウ
ム(ノルボルナジェン)(トランス−4,5−ビス(5
H−ジベンゾホスホリルメチル)−2,2−ジメチル−
1,3−ジオキソラン)]テトラフルオロボレート、(
[Rh (NBD)(D I PH0L)]BF4)、
クロロ(ノルボルナジェン)((R)−(+) −2
,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビ
ナフチル)ロジウム。
ム(ノルボルナジェン)(トランス−4,5−ビス(5
H−ジベンゾホスホリルメチル)−2,2−ジメチル−
1,3−ジオキソラン)]テトラフルオロボレート、(
[Rh (NBD)(D I PH0L)]BF4)、
クロロ(ノルボルナジェン)((R)−(+) −2
,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビ
ナフチル)ロジウム。
(RH(NBD) (R−B INAP) C!l)
、クロロ(ノルボルナジェン)((R)−2,3−ビス
(ジフェニルホスフィノ)プロパン)ロジウム。
、クロロ(ノルボルナジェン)((R)−2,3−ビス
(ジフェニルホスフィノ)プロパン)ロジウム。
(Rh (NBD)(R−PROPHOS)CN)。
クロロ((s、5)−2,3−ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)ブタン)ロジウムニ量体、([Rh(CHIRA
PHOS)CN ] 2)、 [ロジウム(シクロオ
クタジエン”)((R,R)−N−ベンジル−3,4−
ビス(ジフェニルホスフィノ)ピロリジン)]テトラフ
ルオロボレー)、([Rh(COD) (N−Bz
−pyrphos)] BF4) 。
ィノ)ブタン)ロジウムニ量体、([Rh(CHIRA
PHOS)CN ] 2)、 [ロジウム(シクロオ
クタジエン”)((R,R)−N−ベンジル−3,4−
ビス(ジフェニルホスフィノ)ピロリジン)]テトラフ
ルオロボレー)、([Rh(COD) (N−Bz
−pyrphos)] BF4) 。
[ロジウム(ノルボルナジェン)((R)−1,2−ビ
ス(ジフェニルホスフィノ)−シクロヘキシルエタン)
]テトラフルオロボレート、([Rh(N B D)
(cycphos)] B F4) 、 クロロ(ノ
ルボルナジェン)(N、N’ −ビス[(S)−α−
(1−ナフチル)−エチル]−N、N’ −ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)エチレンジアミン)−ロジウム、
(Rh (NBD)((S)−ナフチルエチル−PN
NP)(J! )、およびジクロロテトラキス(ジメチ
ルスルホキシド)ルテニウム+(s、5)−2,3−ビ
ス(ジフェニルホスフィR−DipaIIp) (C
OD) 1 BF4の調製に関しては、Vlneyar
d、B、D、、Knovles、W、S、、5abac
ky、 M、J。
ス(ジフェニルホスフィノ)−シクロヘキシルエタン)
]テトラフルオロボレート、([Rh(N B D)
(cycphos)] B F4) 、 クロロ(ノ
ルボルナジェン)(N、N’ −ビス[(S)−α−
(1−ナフチル)−エチル]−N、N’ −ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)エチレンジアミン)−ロジウム、
(Rh (NBD)((S)−ナフチルエチル−PN
NP)(J! )、およびジクロロテトラキス(ジメチ
ルスルホキシド)ルテニウム+(s、5)−2,3−ビ
ス(ジフェニルホスフィR−DipaIIp) (C
OD) 1 BF4の調製に関しては、Vlneyar
d、B、D、、Knovles、W、S、、5abac
ky、 M、J。
Bachman、G、L、およびWeinkauf’f
’、D、J、、 J、Amer。
’、D、J、、 J、Amer。
Cheffi、Soc、、1977、99.5046参
照。[Rh (Dlop)(COD)] BF4の調製
については、Kagan。
照。[Rh (Dlop)(COD)] BF4の調製
については、Kagan。
H、B、およびDang、T、P、、J、^mer、c
hem、soc、、1972,94゜6429り照。[
Rh (R−Cycphos)NBDI PF6の調製
については、R11ey、D、P、およびShumat
e。
hem、soc、、1972,94゜6429り照。[
Rh (R−Cycphos)NBDI PF6の調製
については、R11ey、D、P、およびShumat
e。
R,E、、 J、Org、Chem、、 1980.4
5.5187参照。本発明方法に適した触媒の詳細な記
述はr Asy+gllet r Ic5ynthes
is J 、 5巻、 James D 、 Mor
rison編。
5.5187参照。本発明方法に適した触媒の詳細な記
述はr Asy+gllet r Ic5ynthes
is J 、 5巻、 James D 、 Mor
rison編。
Acadeo+!c Press、オーランド(198
5)に開示されている。上記引用文献は参考としてここ
に取り入れである。
5)に開示されている。上記引用文献は参考としてここ
に取り入れである。
触媒濃度に特に制限はなく、反応条件により広く変化し
うる。触媒濃度はlXl0’から5×10−1Mの範囲
でよく、特に適当な濃度は約I×10−4から5X10
1Mの範囲にある。触媒濃度を高めると反応速度が増加
する。触媒が過剰にあっても、望むヒドロキシル化合物
への選択性に対して殆どあるいは全く悪影響を及ぼさな
い。
うる。触媒濃度はlXl0’から5×10−1Mの範囲
でよく、特に適当な濃度は約I×10−4から5X10
1Mの範囲にある。触媒濃度を高めると反応速度が増加
する。触媒が過剰にあっても、望むヒドロキシル化合物
への選択性に対して殆どあるいは全く悪影響を及ぼさな
い。
本発明方法の反応温度は、反応を開始させ持続させるの
に十分な温度である。この温度は室温より下から(室温
は約23℃)溶媒系の沸点を越す1g度まで変化しつる
。特に適当な反応温度は0℃から100℃までの範囲内
にある。反応温度をより高くすると反応速度が増す。水
の存在下で高い反応温度、例えば60℃またはそれ以上
を用いると、エポキシドの加水分解が起こり、ヒドロキ
シル化合物への選択性を低下させる。これに対して、低
い反応温度、例えば20℃未満を用いると反応速度が減
少する。
に十分な温度である。この温度は室温より下から(室温
は約23℃)溶媒系の沸点を越す1g度まで変化しつる
。特に適当な反応温度は0℃から100℃までの範囲内
にある。反応温度をより高くすると反応速度が増す。水
の存在下で高い反応温度、例えば60℃またはそれ以上
を用いると、エポキシドの加水分解が起こり、ヒドロキ
シル化合物への選択性を低下させる。これに対して、低
い反応温度、例えば20℃未満を用いると反応速度が減
少する。
この反応は触媒および基質の可溶化に適した溶媒系、例
えばエーテル類、アルコール類、ニトリル、ケトンおよ
びその混合物の中で行なう。適当な溶媒の例には水、テ
トラヒドロフラン、メタノ−ル、アセトニトリルおよび
アセトンが包含される。存在する溶媒の量は広く変化し
うる。反応系を単一相とするのに十分な溶媒を使用する
ことが望ましい。溶媒対基質の比は1000 : 1か
ら1:1の範囲で変化しうるが、特に適当な範囲は10
0:1から2=1である。
えばエーテル類、アルコール類、ニトリル、ケトンおよ
びその混合物の中で行なう。適当な溶媒の例には水、テ
トラヒドロフラン、メタノ−ル、アセトニトリルおよび
アセトンが包含される。存在する溶媒の量は広く変化し
うる。反応系を単一相とするのに十分な溶媒を使用する
ことが望ましい。溶媒対基質の比は1000 : 1か
ら1:1の範囲で変化しうるが、特に適当な範囲は10
0:1から2=1である。
反応圧は大気圧あるいはそれ以上である。特に適当な範
囲は大気圧(103kPa)から約3,000ポンド/
平方インチ(21,000kPa)までであり、特に適
当な範囲は20ポンド/平方インチゲージ圧(140k
Pa)から1000ボンド/平方インチゲージ圧(70
00kPa)までである。溶媒がアルコールであるとき
、その溶媒が水素源となるので、反応は外部N2源なし
で行なうことができる。しかし、反応速度を増加させる
外部水素源、例えばHガスを用いることが好ましい。N
2圧が高い程反応速度が大となる。N2は便利な手段の
いずれを用いても、例えば加圧した給源、例えばガスボ
ンベあるいはポンプを用いて反応物に導入できる。
囲は大気圧(103kPa)から約3,000ポンド/
平方インチ(21,000kPa)までであり、特に適
当な範囲は20ポンド/平方インチゲージ圧(140k
Pa)から1000ボンド/平方インチゲージ圧(70
00kPa)までである。溶媒がアルコールであるとき
、その溶媒が水素源となるので、反応は外部N2源なし
で行なうことができる。しかし、反応速度を増加させる
外部水素源、例えばHガスを用いることが好ましい。N
2圧が高い程反応速度が大となる。N2は便利な手段の
いずれを用いても、例えば加圧した給源、例えばガスボ
ンベあるいはポンプを用いて反応物に導入できる。
反応時間は触媒濃度、基質濃度、水素圧、および反応温
度に依存する。反応時間は約5分から約150時間に及
ぶ。反応速度が比較的遅い反応条件下では、反応体の高
変換を促進するために長い反応時間を用いるのが有利で
ある。特に適当な反応時間は約1時間から約75時間ま
でである。
度に依存する。反応時間は約5分から約150時間に及
ぶ。反応速度が比較的遅い反応条件下では、反応体の高
変換を促進するために長い反応時間を用いるのが有利で
ある。特に適当な反応時間は約1時間から約75時間ま
でである。
下記の例は説明を目的とするだけで、如何なる仕方でも
本発明を制限する意図はない。
本発明を制限する意図はない。
例
例1から例17を下記手順に従って実施した。
100m1のFisher −Porter反応びんに
基質、シス−エポキシコハク酸エアトリウム塩、触媒、
および溶媒系をN2雰囲気下で入れた。このびんを指示
通りに水素ガスで加圧し、かきまぜて反応させた。溶媒
を蒸発させることにより粗製生成物を得、転換%をNM
Rにより決定し、鏡像体過剰分(e。
基質、シス−エポキシコハク酸エアトリウム塩、触媒、
および溶媒系をN2雰囲気下で入れた。このびんを指示
通りに水素ガスで加圧し、かきまぜて反応させた。溶媒
を蒸発させることにより粗製生成物を得、転換%をNM
Rにより決定し、鏡像体過剰分(e。
e、)を誘導体調製後にキラルなGLCで測定した。キ
ラルなアルコール化合物のGLC分析法はν、A、Ko
nig等、 J、Chromatogr、、19g2,
238,427により開示されている。
ラルなアルコール化合物のGLC分析法はν、A、Ko
nig等、 J、Chromatogr、、19g2,
238,427により開示されている。
Claims (10)
- (1)キラルなホスフィン配位子を含むロジウムまたは
ルテニウム触媒を使用してエポキシドを不斉水素化分解
することからなる、キラルなアルコール類の製造法。 - (2)キラルなホスフィン配位子を含むロジウムまたは
ルテニウム触媒は、([Rh(NBD)−((+)−D
IOP]BF_4)、([Rh(NBD)−(BPPF
A)]BF_4)、([Rh(NBD)−(skewp
hos)]BF_4)、[Rh(NBD)−(BPPM
)]BF_4、(Rh(NBD)−(PNNP)Cl)
、[Rh(NBD)−(DIPHOL)]BF_4、(
Rh(NBD)−(R−BINAP)Cl)、(Rh(
NBD)−(R−PROPHOS)Cl)、[Rh−(
CHIRAPHOS)Cl]_2、[Rh−(COD)
(N−Bz−pyrphos)]BF_4、[Rh(N
BD)(cycphos)]BF_4、Rh−(NBD
)((s)−ナフチルエチル−PNNP)−Cl、およ
び(Ru(DMSO)_4Cl_2+CHIRAPHO
S)から選ばれる、特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (3)エポキシドはシス−エポキシコハク酸、3−メチ
ル−3−フエニルグリシド酸ナトリウム、3−sec−
ブチル−3−メチルグリシド酸ナトリウム、2,3−エ
ポキシ酪酸ナトリウム、2,3−エポキシ−3−(2−
メトキシフェニル)プロピオン酸ナトリウム塩、2,3
−エポキシ−2,3−ジメチルコハク酸エアトリウム塩
、2,3−エポキシ−1,4−ブタンジカルボン酸二ナ
トリウム塩、3−フエニルグリシド酸リチウム、および
他の酸塩からなる群から選ばれる、特許請求の範囲第2
項記載の方法。 - (4)エポキシドはアキラルなメソ形である、特許請求
の範囲第3項記載の方法。 - (5)エポキシドは非対称なキラルエポキシドの純粋な
鏡像体である、特許請求の範囲第3項記載の方法。 - (6)エポキシドは非対称エポキシドのラセミ混合物で
ある、特許請求の範囲第3項記載の方法。 - (7)触媒濃度は1×10^−^6から5×10^−^
1Mの範囲にある、特許請求の範囲第2項記載の方法。 - (8)反応温度は0℃から100℃の範囲にある、特許
請求の範囲第7項記載の方法。 - (9)H_2ガスからなる外部水素源を用いる、特許請
求の範囲第8項記載の方法。 - (10)キラルなホスフィン配位子を含むロジウムまた
はルテニウム触媒を使用してエポキシドを不斉水素化分
解することからなるキラルなアルコール類の製造法にお
いて、ロジウムまたはルテニウム触媒を([Rh(NB
D)−((+)−DIOP]BF_4)、([Rh(N
BD)(BPPFA)]BF_4)、([Rh(NBD
)−(skewphos)]BF_4)、[Rh(NB
D)(BPPM)]BF_4、(Rh(NBD)−(P
NNP)Cl)、[Rh(NBD)(DIPHOL)]
BF_4、(Rh(NBD)(R−BINAP)Cl)
、(Rh(NBD)(R−PROPHOS)Cl)、[
Rh(CHIRAPHOS)Cl]_2、[Rh(CO
D)(N−Bz−pyrphos)]BF_4、[Rh
(NBD)(cycphos)]BF_4、Rh(NB
D)((s)−ナフチルエチル−PNNP)Clおよび
(Ru(DMSO)_4Cl_2+CHIRAPHOS
から選び、触媒濃度は1×10^−^6から5×10^
−^1Mの範囲とし、反応温度は0℃から100℃の範
囲とし、H_2ガスからなる外部水素源を用いる方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US200857 | 1988-06-03 | ||
US07/200,857 US4870208A (en) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | Asymmetric hydrogenolysis of epoxides |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0242028A true JPH0242028A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=22743488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1139413A Pending JPH0242028A (ja) | 1988-06-03 | 1989-06-02 | エポキシドの不斉水素化分解 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4870208A (ja) |
EP (1) | EP0345243A3 (ja) |
JP (1) | JPH0242028A (ja) |
AU (1) | AU611805B2 (ja) |
CA (1) | CA1315295C (ja) |
ES (1) | ES2012437A4 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6279650B1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-08-28 | Dasan C & I Co., Ltd. | Temperature-Humidity controller for semiconductor equipment and controlling method thereof |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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