JPH0241685Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241685Y2 JPH0241685Y2 JP1980097341U JP9734180U JPH0241685Y2 JP H0241685 Y2 JPH0241685 Y2 JP H0241685Y2 JP 1980097341 U JP1980097341 U JP 1980097341U JP 9734180 U JP9734180 U JP 9734180U JP H0241685 Y2 JPH0241685 Y2 JP H0241685Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- winding
- transformer
- semiconductor element
- gate signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は負荷に供給される交流電源を半導体素
子により位相制御するようにした位相制御装置に
関し、半導体制御素子のゲート部での無駄な電力
消費を無くしたものである。
子により位相制御するようにした位相制御装置に
関し、半導体制御素子のゲート部での無駄な電力
消費を無くしたものである。
第１図は従来の位相制御装置を示し、Ｅは交流
電源、Ｌは負荷である放電灯、Ｔは漏洩トランス
で、a1はその１次巻線、a2は２次巻線である。Ｑ
は交流電源Ｅを位相制御するトライアツクであ
り、トライアツクＱにコンデンサC4と抵抗R8と
の直列回路を並列接続し、トライアツクＱのゲー
トにパルス信号を与えた場合、確実にオンさせる
ことが難しいので、抵抗R1、トライアツクQ1、
トリガ素子Q2、位相を決定する調光器Ｓ、抵抗
R4，R5，R6，R7、コンデンサC2，C3から成るゲ
ート回路P1を設け、このゲート回路P1によりト
ライアツクＱを制御するようにしている。ところ
が、この場合ゲート信号が交流電源Ｅから抵抗
R1を介して直接トライアツクＱに流れるため、
抵抗R1への印加電圧が高く、ここでの電力損が
非常に大きくなり、従つてトライアツクＱのゲー
ト部での電力消費に大きな無駄があつた。
電源、Ｌは負荷である放電灯、Ｔは漏洩トランス
で、a1はその１次巻線、a2は２次巻線である。Ｑ
は交流電源Ｅを位相制御するトライアツクであ
り、トライアツクＱにコンデンサC4と抵抗R8と
の直列回路を並列接続し、トライアツクＱのゲー
トにパルス信号を与えた場合、確実にオンさせる
ことが難しいので、抵抗R1、トライアツクQ1、
トリガ素子Q2、位相を決定する調光器Ｓ、抵抗
R4，R5，R6，R7、コンデンサC2，C3から成るゲ
ート回路P1を設け、このゲート回路P1によりト
ライアツクＱを制御するようにしている。ところ
が、この場合ゲート信号が交流電源Ｅから抵抗
R1を介して直接トライアツクＱに流れるため、
抵抗R1への印加電圧が高く、ここでの電力損が
非常に大きくなり、従つてトライアツクＱのゲー
ト部での電力消費に大きな無駄があつた。
本考案は上記問題点を解決したもので、その特
徴とするところは、トランスを介して負荷に供給
される交流電源を、半導体素子により位相制御す
るようにした位相制御装置において、 前記トランスの１次巻線の一部にて前記半導体
素子にゲート電流を流すためのゲート信号用巻線
を形成してゲート電源トランスを構成するよう
に、１次巻線の中途部に前記半導体素子を介在
し、前記ゲート電源トランスから半導体素子にゲ
ート信号を印加するゲート回路を設けた点にあ
る。
徴とするところは、トランスを介して負荷に供給
される交流電源を、半導体素子により位相制御す
るようにした位相制御装置において、 前記トランスの１次巻線の一部にて前記半導体
素子にゲート電流を流すためのゲート信号用巻線
を形成してゲート電源トランスを構成するよう
に、１次巻線の中途部に前記半導体素子を介在
し、前記ゲート電源トランスから半導体素子にゲ
ート信号を印加するゲート回路を設けた点にあ
る。
以下、本考案を図示の実施例に従つて説明する
と、第２図において、a3はトライアツクＱにゲー
ト電流を流すためのゲート信号用巻線で、トラン
スＴの１次巻線a1の中途部に前記トライアツクＱ
を介在することによつて、１次巻線a1の一部にて
形成している。このゲート信号用巻線a3によつて
トランスＴと一体にゲート電源トランスT1を構
成し、ゲート電源トランスT1を交流電源Ｅが
100Vのとき10V程度になるように設定している。
なお、C5は進相用コンデンサ、a4は漏洩トランス
Ｔに設けた負荷Ｌの予熱巻線であり、ゲート電源
トランスT1のゲート信号用巻線a3も予熱巻線を
兼用している。
と、第２図において、a3はトライアツクＱにゲー
ト電流を流すためのゲート信号用巻線で、トラン
スＴの１次巻線a1の中途部に前記トライアツクＱ
を介在することによつて、１次巻線a1の一部にて
形成している。このゲート信号用巻線a3によつて
トランスＴと一体にゲート電源トランスT1を構
成し、ゲート電源トランスT1を交流電源Ｅが
100Vのとき10V程度になるように設定している。
なお、C5は進相用コンデンサ、a4は漏洩トランス
Ｔに設けた負荷Ｌの予熱巻線であり、ゲート電源
トランスT1のゲート信号用巻線a3も予熱巻線を
兼用している。
次に動作を説明する。電源Ｅを投入すると、抵
抗R5及びコンデンサC3で決定される位相でトリ
ガ素子Q2が導通して、トライアツクQ1がオンと
なり、次にトライアツクＱがオンとなる。このト
ライアツクＱがオンすれば１次巻線a1に電流が流
れるから、巻線a3即ちゲート電源トランスT1に
電圧が発生し、抵抗R1を通してトライアツクQ1
に電流が流れ、トライアツクＱのゲート電流も増
加する。このようにしてトライアツクQ1がラツ
チされ、トライアツクＱが確実にオンとなる。そ
して、交流電源ＥからはトライアツクＱにゲート
信号が流れず、ゲート電源トランスT1から抵抗
R1を介してトライアツクＱにゲート信号が流れ、
トライアツクＱは交流電源Ｅを位相制御する。従
つて抵抗R1への印加電圧を低くでき、抵抗R1に
よる電力損を極力小さく抑えることが可能になる
ので、トライアツクＱのゲート部での無駄な電力
消費がなくなる。
抗R5及びコンデンサC3で決定される位相でトリ
ガ素子Q2が導通して、トライアツクQ1がオンと
なり、次にトライアツクＱがオンとなる。このト
ライアツクＱがオンすれば１次巻線a1に電流が流
れるから、巻線a3即ちゲート電源トランスT1に
電圧が発生し、抵抗R1を通してトライアツクQ1
に電流が流れ、トライアツクＱのゲート電流も増
加する。このようにしてトライアツクQ1がラツ
チされ、トライアツクＱが確実にオンとなる。そ
して、交流電源ＥからはトライアツクＱにゲート
信号が流れず、ゲート電源トランスT1から抵抗
R1を介してトライアツクＱにゲート信号が流れ、
トライアツクＱは交流電源Ｅを位相制御する。従
つて抵抗R1への印加電圧を低くでき、抵抗R1に
よる電力損を極力小さく抑えることが可能になる
ので、トライアツクＱのゲート部での無駄な電力
消費がなくなる。
本考案によれば、ゲート電源トランスを設け、
該ゲート電源トランスから半導体素子にゲート信
号を印加するゲート回路を設けているので、従来
のように交流電源から半導体制御素子にゲート信
号が直接に流れず、半導体制御素子のゲート部で
の電力損失を大幅に低減することができる。しか
も、トランスの１次巻線の中途部に前記半導体素
子を介在することによつて、１次巻線の一部に
て、前記半導体素子にゲート電流を流すためのゲ
ート信号用巻線を形成して前記ゲート電源トラン
スを構成しているので、１次巻線の一部によつて
ゲート信号用巻線を兼用でき、ゲート信号用巻線
乃至ゲート電源トランスを構成するための特別の
鉄心及び巻線その他が全く不要である。即ち、ト
ライアツクＱへのゲート信号は微小の電流が使わ
れるため、ゲート信号を取出すには１次巻線a1と
は別個の巻線を設けるのが通常であり、このよう
にした場合漏洩トランスＴに全く新しい特別の巻
線を設ける必要を生じ、構成が非常に複雑になる
が、本願考案の場合１次巻線a1の一部によつてゲ
ート信号用巻線を兼用することが可能になり、例
えば１次巻線a1に巻数100が必要でゲート信号用
巻線に巻数３が必要であるとすると、通常は１次
巻線とゲート信号用巻線とを合せて巻数103が必
要であるのに対し、本願考案では合せて巻数100
で済むし、ゲート信号用巻線のための特別の鉄心
も不要になる。従つて、構造が非常に簡単にな
り、製造容易でかつ安価に提供でき、その実用的
効果は著大である。
該ゲート電源トランスから半導体素子にゲート信
号を印加するゲート回路を設けているので、従来
のように交流電源から半導体制御素子にゲート信
号が直接に流れず、半導体制御素子のゲート部で
の電力損失を大幅に低減することができる。しか
も、トランスの１次巻線の中途部に前記半導体素
子を介在することによつて、１次巻線の一部に
て、前記半導体素子にゲート電流を流すためのゲ
ート信号用巻線を形成して前記ゲート電源トラン
スを構成しているので、１次巻線の一部によつて
ゲート信号用巻線を兼用でき、ゲート信号用巻線
乃至ゲート電源トランスを構成するための特別の
鉄心及び巻線その他が全く不要である。即ち、ト
ライアツクＱへのゲート信号は微小の電流が使わ
れるため、ゲート信号を取出すには１次巻線a1と
は別個の巻線を設けるのが通常であり、このよう
にした場合漏洩トランスＴに全く新しい特別の巻
線を設ける必要を生じ、構成が非常に複雑になる
が、本願考案の場合１次巻線a1の一部によつてゲ
ート信号用巻線を兼用することが可能になり、例
えば１次巻線a1に巻数100が必要でゲート信号用
巻線に巻数３が必要であるとすると、通常は１次
巻線とゲート信号用巻線とを合せて巻数103が必
要であるのに対し、本願考案では合せて巻数100
で済むし、ゲート信号用巻線のための特別の鉄心
も不要になる。従つて、構造が非常に簡単にな
り、製造容易でかつ安価に提供でき、その実用的
効果は著大である。
第１図は従来例を示す回路図、第２図は本考案
の一実施例を示す回路図である。 Ｔ……漏洩トランス、Ｌ……放電灯（負荷）、
Ｅ……交流電源、Ｑ……トライアツク（半導体素
子）、a3……ゲート信号用巻線、T1……ゲート電
源トランス、Ｐ……ゲート回路。
の一実施例を示す回路図である。 Ｔ……漏洩トランス、Ｌ……放電灯（負荷）、
Ｅ……交流電源、Ｑ……トライアツク（半導体素
子）、a3……ゲート信号用巻線、T1……ゲート電
源トランス、Ｐ……ゲート回路。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 トランスを介して負荷に供給される交流電源
を、半導体素子により位相制御するようにした位
相制御装置において、 前記トランスの１次巻線の一部にて前記半導体
素子にゲート電流を流すためのゲート信号用巻線
を形成してゲート電源トランスを構成するよう
に、１次巻線の中途部に前記半導体素子を介在
し、前記ゲート電源トランスから半導体素子にゲ
ート信号を印加するゲート回路を設けたことを特
徴とする位相制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980097341U JPH0241685Y2 (ja) | 1980-07-08 | 1980-07-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980097341U JPH0241685Y2 (ja) | 1980-07-08 | 1980-07-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5721287U JPS5721287U (ja) | 1982-02-03 |
| JPH0241685Y2 true JPH0241685Y2 (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=29459130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980097341U Expired JPH0241685Y2 (ja) | 1980-07-08 | 1980-07-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0241685Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5134528U (ja) * | 1974-09-04 | 1976-03-15 |
-
1980
- 1980-07-08 JP JP1980097341U patent/JPH0241685Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5134528U (ja) * | 1974-09-04 | 1976-03-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5721287U (ja) | 1982-02-03 |
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