JPS5936397B2 - ホウデントウテントウソウチ - Google Patents
ホウデントウテントウソウチInfo
- Publication number
- JPS5936397B2 JPS5936397B2 JP15942675A JP15942675A JPS5936397B2 JP S5936397 B2 JPS5936397 B2 JP S5936397B2 JP 15942675 A JP15942675 A JP 15942675A JP 15942675 A JP15942675 A JP 15942675A JP S5936397 B2 JPS5936397 B2 JP S5936397B2
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- JP
- Japan
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- current
- semiconductor switch
- transistor
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- turned
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- Expired
Links
- 241000255749 Coccinellidae Species 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、インダクタンス素子1とコンデンサ2の直列
回路からなるリアクタンス要素3、両出力端がトランジ
スタ4によつて接続された整流ブリッジ5の両入力端、
放電灯6の直列回路を商用交流電源7に接続し、前記コ
ンデンサ2と整流ブリッジ5の直列回路に並列に半導体
スイッチ8を接続せしめ、商用交流電源Tの各半サイク
ルの一定期間にてトランジスタ4をオンさせるとともに
トランジスタ4のオフ時に半導体スイッチ8をオンさせ
るようにして成ることを特徴とする放電灯点灯装置に係
り、その目的とするところはリアクタンス要素を小型軽
量にし、リアクタンス要素のインダクタンス素子を一部
省くことによつて回路の構成を簡単にした放電灯点灯装
置を提供するにある。
回路からなるリアクタンス要素3、両出力端がトランジ
スタ4によつて接続された整流ブリッジ5の両入力端、
放電灯6の直列回路を商用交流電源7に接続し、前記コ
ンデンサ2と整流ブリッジ5の直列回路に並列に半導体
スイッチ8を接続せしめ、商用交流電源Tの各半サイク
ルの一定期間にてトランジスタ4をオンさせるとともに
トランジスタ4のオフ時に半導体スイッチ8をオンさせ
るようにして成ることを特徴とする放電灯点灯装置に係
り、その目的とするところはリアクタンス要素を小型軽
量にし、リアクタンス要素のインダクタンス素子を一部
省くことによつて回路の構成を簡単にした放電灯点灯装
置を提供するにある。
従来、第1図に示すように商用交流電源T(以下電源と
する。
する。
)の両端に直列に接続されたインダクタンス素子1’と
コンデンサ2’との直列回路からなり、容量性を有する
容量性リアクタンス3、第1の半導体スイッチ10及び
放電灯6の直列回路を接続し、この容量性リアクタンス
3、第1の半導体スイッチ10の直列回路に並列にイン
ダクタンス素子11と第2半導体スイッチ12の直列回
路を接続し、制御回路Aにより電源Tの各半サイクルの
一定位相で第2の半導体スイッチ12をオンさせ、電源
7から、第1の半導体スイッチ10をオンさせた場合、
容量性リアクタンス3を介して流れる電流と、第2の半
導体スイッチ12をオンさせた場合、インダクタンス素
子11を介して流れる電流の重畳した電流を放電灯6に
供給するようにした放電灯点灯装置がある。かかる従来
例の動作を説明すると、第2図aに示す電源4の電源電
圧Vsの正の半サイクルの時刻tlで双方向性三端子サ
イリスのような半導体スイッチ10に第2図eに示すゲ
ート電流が制御回路Aにより与えられてオンすると、電
源T)コンデンサ2’、インダクタンス素子1’、半導
体スイッチ10、放電灯6、電源Tの回路に第2図bに
示す電流islが流れる。次に時刻を2で半導体スイッ
チ12に第2図fに示すゲート電流が与えられてオンす
ると、誘導性リアクタンスのインダクタンス素子11に
よつて、電源T)インダクタンス素子11、半導体スイ
ッチ12、放電灯6、電源7の回路に第2図cに示す電
流is2が電源Tの半サイクルで終る時刻を4を越えて
流れる。ここでインダクタンス素子1’とコンデンサ2
’との直列回路で容量性リアクタンス3を構成している
ので、電流Is,は電源Tの半サイクルの終る以前の時
刻T3で零になり半導体スイツチ10はオフする。時刻
T2〜T3の期間において、インダクタンス素子11、
半導体スイツチ12の直列回路と、容量性リアクタンス
3、半導体スイツチ10の直列回路との両回路に流れる
電流IS2,iSlは重畳され第2図dに示す如く、ラ
ンプ電流ILとして放電灯6に流れる。電流Is2はイ
ンダクタンス素子11によつて、電源Tの半サイクルが
終る時刻T4より遅れた時刻T5で零になり、半導体ス
イツチ12はオフされる。次に電源電圧の負の半サイク
ルの零位附近の時刻T4において半導体スイツチ10に
ゲート電流が流れて電流Is,が流れる。この時刻で電
流Is2は流れているが、放電灯6のインピーダンスが
上昇しているため電流Is2は急激に減少してくるので
、放電灯6はほとんど電流Is,が流れる。時刻T6に
おいて半導体スイツチ12にゲート電流が流れオンし、
電流Is2が流れる。時刻T,で、電流Islが零とな
り、半導体スイツチ10はオフする。時刻T6〜T7の
期間において両直列回路の電流Is,,is2は重畳さ
れて第2図dに示す如く放電灯6に流れる。時刻T8で
半導体スイツチ10がオンし、時刻T9で半導体スイツ
チ12はオフする。以上の動作が電源7の1サイクルの
期間繰り返し連続して行なわれる。しかし、かかる従来
例回路にあつては、電源電圧Vsの正、および負の半サ
イクルで容量性リアクタンス3に流れる電流の期間は時
刻tl〜T3およびT4〜T7であり、期間T3〜T4
およびT7〜T8では電流の流れない休止角がある。ま
たインダクタンス素子11に流れる電流も期間tl〜T
2およびT,〜T6では電流の流れない休止角がある。
一般にインダクタンス素子を構成する鉄心磁路の断面積
は、磁路が飽和しない断面積にする必要があり、巻線を
流れる電流のピーク値によつて断面積が決まる。従つて
インダクタンス素子に流れる電流に休止角があると、実
効値が低くなり、一定の実効値となるように流すために
はピーク値を高くしなければならないため磁路の断面積
を大きくしなければならない。従つて従来例の様な場合
容量性リアクタンスのインダクタンス素子1’、インダ
クタンス素子11に流れる電流に休止角があるため実効
値が低く、磁路断面積を大きく必要とするが、磁路が有
効に利用されないので、その形状が電流実効値に比べ大
きくなり、従つて装置形状が大きくなる欠点があつた。
またインダクタンス素子1’,11の磁路は別のもので
、製作も困難であるという欠点があつた。本発明は上述
の欠点に鑑みて提供したもので、以下実施例により詳述
する。
コンデンサ2’との直列回路からなり、容量性を有する
容量性リアクタンス3、第1の半導体スイッチ10及び
放電灯6の直列回路を接続し、この容量性リアクタンス
3、第1の半導体スイッチ10の直列回路に並列にイン
ダクタンス素子11と第2半導体スイッチ12の直列回
路を接続し、制御回路Aにより電源Tの各半サイクルの
一定位相で第2の半導体スイッチ12をオンさせ、電源
7から、第1の半導体スイッチ10をオンさせた場合、
容量性リアクタンス3を介して流れる電流と、第2の半
導体スイッチ12をオンさせた場合、インダクタンス素
子11を介して流れる電流の重畳した電流を放電灯6に
供給するようにした放電灯点灯装置がある。かかる従来
例の動作を説明すると、第2図aに示す電源4の電源電
圧Vsの正の半サイクルの時刻tlで双方向性三端子サ
イリスのような半導体スイッチ10に第2図eに示すゲ
ート電流が制御回路Aにより与えられてオンすると、電
源T)コンデンサ2’、インダクタンス素子1’、半導
体スイッチ10、放電灯6、電源Tの回路に第2図bに
示す電流islが流れる。次に時刻を2で半導体スイッ
チ12に第2図fに示すゲート電流が与えられてオンす
ると、誘導性リアクタンスのインダクタンス素子11に
よつて、電源T)インダクタンス素子11、半導体スイ
ッチ12、放電灯6、電源7の回路に第2図cに示す電
流is2が電源Tの半サイクルで終る時刻を4を越えて
流れる。ここでインダクタンス素子1’とコンデンサ2
’との直列回路で容量性リアクタンス3を構成している
ので、電流Is,は電源Tの半サイクルの終る以前の時
刻T3で零になり半導体スイツチ10はオフする。時刻
T2〜T3の期間において、インダクタンス素子11、
半導体スイツチ12の直列回路と、容量性リアクタンス
3、半導体スイツチ10の直列回路との両回路に流れる
電流IS2,iSlは重畳され第2図dに示す如く、ラ
ンプ電流ILとして放電灯6に流れる。電流Is2はイ
ンダクタンス素子11によつて、電源Tの半サイクルが
終る時刻T4より遅れた時刻T5で零になり、半導体ス
イツチ12はオフされる。次に電源電圧の負の半サイク
ルの零位附近の時刻T4において半導体スイツチ10に
ゲート電流が流れて電流Is,が流れる。この時刻で電
流Is2は流れているが、放電灯6のインピーダンスが
上昇しているため電流Is2は急激に減少してくるので
、放電灯6はほとんど電流Is,が流れる。時刻T6に
おいて半導体スイツチ12にゲート電流が流れオンし、
電流Is2が流れる。時刻T,で、電流Islが零とな
り、半導体スイツチ10はオフする。時刻T6〜T7の
期間において両直列回路の電流Is,,is2は重畳さ
れて第2図dに示す如く放電灯6に流れる。時刻T8で
半導体スイツチ10がオンし、時刻T9で半導体スイツ
チ12はオフする。以上の動作が電源7の1サイクルの
期間繰り返し連続して行なわれる。しかし、かかる従来
例回路にあつては、電源電圧Vsの正、および負の半サ
イクルで容量性リアクタンス3に流れる電流の期間は時
刻tl〜T3およびT4〜T7であり、期間T3〜T4
およびT7〜T8では電流の流れない休止角がある。ま
たインダクタンス素子11に流れる電流も期間tl〜T
2およびT,〜T6では電流の流れない休止角がある。
一般にインダクタンス素子を構成する鉄心磁路の断面積
は、磁路が飽和しない断面積にする必要があり、巻線を
流れる電流のピーク値によつて断面積が決まる。従つて
インダクタンス素子に流れる電流に休止角があると、実
効値が低くなり、一定の実効値となるように流すために
はピーク値を高くしなければならないため磁路の断面積
を大きくしなければならない。従つて従来例の様な場合
容量性リアクタンスのインダクタンス素子1’、インダ
クタンス素子11に流れる電流に休止角があるため実効
値が低く、磁路断面積を大きく必要とするが、磁路が有
効に利用されないので、その形状が電流実効値に比べ大
きくなり、従つて装置形状が大きくなる欠点があつた。
またインダクタンス素子1’,11の磁路は別のもので
、製作も困難であるという欠点があつた。本発明は上述
の欠点に鑑みて提供したもので、以下実施例により詳述
する。
第3図は本発明の一実施例の回路を示すもので、電源7
にインダクタンス素子1、コンデンサ2、整流ブリツジ
5の両入力端、放電灯6の直列回路に接続し、上記コン
デソサ2、整流ブリツジ5の両入力端の直列回路と並列
に半導体スイツチ8を接続し、半導体スイツチ8とトラ
ンジスタ4とを夫々電源電圧の各半サイクル毎に制御回
路Bで駆動するようになつている。インダクタンス素子
1とコンデンサ2は容量性リアクタンス要素3を構成す
る。制御回路Bは抵抗R1、ダイオードD2、ツエナー
ダイオードZDによつて、電源電圧Vsの正半サイクル
の信号を抵抗R2,R3、NANDゲートGl,G2の
シユミツト回路を介して、単安定マルチバイブレータ1
3へ接続し、負半サイクルの信号を単安定マルチパイプ
レータ13aに接続する。それらの単安定マルチパイプ
レータ13,13aの出力を0RゲートG3に接続し、
その出力を直流電源El.トランスTrl、トランジス
タT1の直列回路のトランジスタT1のベースに接続す
る。従つてトランスTr,には電源電圧Vsの零位相時
刻から単安定マルチパイプレータ13,13aによつて
決まる期間にトランジスタT1のベースに電流が供給さ
れる。0RゲートG3の出力をNANDゲートG4のイ
ンバータ回路を介して前記電源El,トランスTr2、
トランジスタT2の直列回路のトランジスタT2のベー
スに接続する。
にインダクタンス素子1、コンデンサ2、整流ブリツジ
5の両入力端、放電灯6の直列回路に接続し、上記コン
デソサ2、整流ブリツジ5の両入力端の直列回路と並列
に半導体スイツチ8を接続し、半導体スイツチ8とトラ
ンジスタ4とを夫々電源電圧の各半サイクル毎に制御回
路Bで駆動するようになつている。インダクタンス素子
1とコンデンサ2は容量性リアクタンス要素3を構成す
る。制御回路Bは抵抗R1、ダイオードD2、ツエナー
ダイオードZDによつて、電源電圧Vsの正半サイクル
の信号を抵抗R2,R3、NANDゲートGl,G2の
シユミツト回路を介して、単安定マルチバイブレータ1
3へ接続し、負半サイクルの信号を単安定マルチパイプ
レータ13aに接続する。それらの単安定マルチパイプ
レータ13,13aの出力を0RゲートG3に接続し、
その出力を直流電源El.トランスTrl、トランジス
タT1の直列回路のトランジスタT1のベースに接続す
る。従つてトランスTr,には電源電圧Vsの零位相時
刻から単安定マルチパイプレータ13,13aによつて
決まる期間にトランジスタT1のベースに電流が供給さ
れる。0RゲートG3の出力をNANDゲートG4のイ
ンバータ回路を介して前記電源El,トランスTr2、
トランジスタT2の直列回路のトランジスタT2のベー
スに接続する。
そうするとトランジスタT1のベース駆動電流IBが零
になると同時に、トランジスタT2のベース電流が供給
され、トランスTr2の2次巻線、コンデンサCl.抵
抗R4、ダイオードD3を介して半導体スイツチ8のゲ
ートに電流を供給する。今、電源電圧Vsの上の半サイ
クルの零位相附近の時刻T,からT2までの期間トラン
ジスタ4に第4図eに示すベース駆動電流IBが制御回
路Bから流れてその期間中トランジスタ4がオンしたと
すると、電源T)インダクタンス素子1とコンデンサ2
からなる容量性リアクタンス要素3、整流ブリツジ5、
トランジスタ4、放電灯6、電源Tの回路に第4図bに
示す電流Islが流れる。
になると同時に、トランジスタT2のベース電流が供給
され、トランスTr2の2次巻線、コンデンサCl.抵
抗R4、ダイオードD3を介して半導体スイツチ8のゲ
ートに電流を供給する。今、電源電圧Vsの上の半サイ
クルの零位相附近の時刻T,からT2までの期間トラン
ジスタ4に第4図eに示すベース駆動電流IBが制御回
路Bから流れてその期間中トランジスタ4がオンしたと
すると、電源T)インダクタンス素子1とコンデンサ2
からなる容量性リアクタンス要素3、整流ブリツジ5、
トランジスタ4、放電灯6、電源Tの回路に第4図bに
示す電流Islが流れる。
ここで、インダクタンス素子11、コンデンサ3の直列
回路は容量性リアクタンス要素3を構成してあるので電
流Islは電源電圧Vsの半サイクルの終る以前の時刻
で零になるが、この零になる時刻より以前の時刻T3に
おいてトランジスタ4のベース駆動電流IBは零となる
ので、時刻T2でトランジスタ4はオフし、電流Isl
は零となる。時刻T2でトランジスタ4のベース駆動電
流IBが零となると同時に制御回路Bにより半導体スイ
ツチ8に第4図fに示すゲート電流が与えられてオンす
ると、誘導性リアクタンスを構成するインダクタンス素
子1によつて、電源T、インダクタンス素子1、半導体
スイツチ8、放電灯6に第4図cに示す電流Is2が電
源電圧Vsの半サイクルが終る時刻T3を越えて流れる
。期間tl〜T2においてインダクタンス素子.1には
電流Islが流れているので、時刻T2において、半導
体スイツチ8をオンしてインダクタンス素子1に流れる
電流は連続した第4図dに示す電流ILが流れる。従つ
て半導体スイツチ8には期間T2〜T4において電流I
s2が流れる。時刻T4で半導体スイツチ8に流れる電
流Is2は零になるため半導体スイツチ8はオフされる
。次に電源電圧の負の半サイクルの零位相附近の時効T
3から時刻T5までの期間にトランジスタ4にベース駆
動電流IBが流れてオンすると電流Islが流れる。時
刻T5において、トランジスタT1のベース駆動電流I
Bが零になり、トランジスタ4がオフすると同時に制御
回路Bから半導体スイツチ8にゲート電流が流れると、
半導体スイツチ8はオンし、電流Is2が期間T5〜T
7に流れる。したがつて負のサイクルの期間T3〜T6
に電流ILが流れる。以上の動作が電源の1サイクルの
期間繰り返し連続して行なわれる。このようにインダク
タンス素子1に流れる電流ILは、1サイクル間連続し
て流れるため、実効値が高く磁路の断面積を有効に利用
されることになり、休止角がある場合に比べてインダク
タンスが小さくなり、従つて装置形状が小さくなる。ま
たインダクタンス素子1によつて誘導性リアクタンスと
容量性リアクタンス3のインダクタンスも兼ねているの
でインダクタンス素子を一部省くことができ製作も容易
になる。本発明は、上述の如く構成してあるので、イン
ダクタンス素子に流れる電流を有効に利用できてリアク
タンス要素に用いるインダクタンス素子の一部を省略し
得、そのため装置の形状が小型に製作でき、その上簡単
な回路で構成できるという効果がある。
回路は容量性リアクタンス要素3を構成してあるので電
流Islは電源電圧Vsの半サイクルの終る以前の時刻
で零になるが、この零になる時刻より以前の時刻T3に
おいてトランジスタ4のベース駆動電流IBは零となる
ので、時刻T2でトランジスタ4はオフし、電流Isl
は零となる。時刻T2でトランジスタ4のベース駆動電
流IBが零となると同時に制御回路Bにより半導体スイ
ツチ8に第4図fに示すゲート電流が与えられてオンす
ると、誘導性リアクタンスを構成するインダクタンス素
子1によつて、電源T、インダクタンス素子1、半導体
スイツチ8、放電灯6に第4図cに示す電流Is2が電
源電圧Vsの半サイクルが終る時刻T3を越えて流れる
。期間tl〜T2においてインダクタンス素子.1には
電流Islが流れているので、時刻T2において、半導
体スイツチ8をオンしてインダクタンス素子1に流れる
電流は連続した第4図dに示す電流ILが流れる。従つ
て半導体スイツチ8には期間T2〜T4において電流I
s2が流れる。時刻T4で半導体スイツチ8に流れる電
流Is2は零になるため半導体スイツチ8はオフされる
。次に電源電圧の負の半サイクルの零位相附近の時効T
3から時刻T5までの期間にトランジスタ4にベース駆
動電流IBが流れてオンすると電流Islが流れる。時
刻T5において、トランジスタT1のベース駆動電流I
Bが零になり、トランジスタ4がオフすると同時に制御
回路Bから半導体スイツチ8にゲート電流が流れると、
半導体スイツチ8はオンし、電流Is2が期間T5〜T
7に流れる。したがつて負のサイクルの期間T3〜T6
に電流ILが流れる。以上の動作が電源の1サイクルの
期間繰り返し連続して行なわれる。このようにインダク
タンス素子1に流れる電流ILは、1サイクル間連続し
て流れるため、実効値が高く磁路の断面積を有効に利用
されることになり、休止角がある場合に比べてインダク
タンスが小さくなり、従つて装置形状が小さくなる。ま
たインダクタンス素子1によつて誘導性リアクタンスと
容量性リアクタンス3のインダクタンスも兼ねているの
でインダクタンス素子を一部省くことができ製作も容易
になる。本発明は、上述の如く構成してあるので、イン
ダクタンス素子に流れる電流を有効に利用できてリアク
タンス要素に用いるインダクタンス素子の一部を省略し
得、そのため装置の形状が小型に製作でき、その上簡単
な回路で構成できるという効果がある。
第1図は従来の回路図、第2図a乃至fは同上の各部の
タイムチヤート、第3図は本発明の一実施例の回路図、
第4図a乃至fは同上の各部のタイムチヤートであり、
1はインダクタンス素子、2はコンデンサ、3はリアク
タンス要素、4はトランジスタ、5は整流ブリツジ、6
は放電灯、7は商用交流電源、8は半導体スイツチであ
る。
タイムチヤート、第3図は本発明の一実施例の回路図、
第4図a乃至fは同上の各部のタイムチヤートであり、
1はインダクタンス素子、2はコンデンサ、3はリアク
タンス要素、4はトランジスタ、5は整流ブリツジ、6
は放電灯、7は商用交流電源、8は半導体スイツチであ
る。
Claims (1)
- 1 インダクタンス素子とコンデンサの直列回路からな
るリアクタンス要素、両出力端がトランジスタによつて
接続された整流ブリッジの両入力端、放電灯の直列回路
を商用交流電源に接続し、前記コンデンサと整流ブリッ
ジの直列回路に並列に半導体スイッチを接続せしめ、商
用交流電源の各半サイクルの一定期間にてトランジスタ
をオンさせるとともにトランジスタのオフ時に半導体ス
イッチをオンさせるようにして成ることを特徴とする放
電灯点灯装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15942675A JPS5936397B2 (ja) | 1975-12-30 | 1975-12-30 | ホウデントウテントウソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15942675A JPS5936397B2 (ja) | 1975-12-30 | 1975-12-30 | ホウデントウテントウソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5284871A JPS5284871A (en) | 1977-07-14 |
| JPS5936397B2 true JPS5936397B2 (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=15693473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15942675A Expired JPS5936397B2 (ja) | 1975-12-30 | 1975-12-30 | ホウデントウテントウソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936397B2 (ja) |
-
1975
- 1975-12-30 JP JP15942675A patent/JPS5936397B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5284871A (en) | 1977-07-14 |
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