JPH0241201B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241201B2 JPH0241201B2 JP59166547A JP16654784A JPH0241201B2 JP H0241201 B2 JPH0241201 B2 JP H0241201B2 JP 59166547 A JP59166547 A JP 59166547A JP 16654784 A JP16654784 A JP 16654784A JP H0241201 B2 JPH0241201 B2 JP H0241201B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pair
- signal generator
- frequency
- signal
- storage devices
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000014366 other mixer Nutrition 0.000 description 3
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
ある一定周波数の発生源と、この周波数を捕捉
しようとするものが互いに一方に対して運動しつ
つあるとき、捕捉した周波数は発生源の周波数と
異なる。すなわち、相互に接近しつつあるときは
捕捉する周波数は高くなり、相互に離反しつつあ
るときは周波数が低くなる現象を「ドプラ効果」
（Doppler−effect）というが、この発明はかかる
ドプラ現象に関連のあるドプラ信号発生装置に関
するもので、特にこの発明は高帯域で広い周波数
偏位幅を有するドプラ信号発生装置に関するもの
である。
しようとするものが互いに一方に対して運動しつ
つあるとき、捕捉した周波数は発生源の周波数と
異なる。すなわち、相互に接近しつつあるときは
捕捉する周波数は高くなり、相互に離反しつつあ
るときは周波数が低くなる現象を「ドプラ効果」
（Doppler−effect）というが、この発明はかかる
ドプラ現象に関連のあるドプラ信号発生装置に関
するもので、特にこの発明は高帯域で広い周波数
偏位幅を有するドプラ信号発生装置に関するもの
である。
第４図は従来のこの種ドプラ信号発生装置を示
すものである。図において、１はダイオード移相
器、２はこのダイオード位相器１を制御する制御
装置で、この制御装置２によつてダイオード移相
器１を駆動する場合には、第５図ＡおよびＢに示
すように入力高周波信号の位相が階段状で、しか
も傾きが正負のいずれかで変化させる。この第５
図ＡおよびＢに示すように、高周波信号の位相が
０〔rad〕から2π〔rad〕、または2π〔rad〕から０
〔rad〕まで変化するのにＴ〔sec〕時間かけるとす
ると、入力高周波信号をAsin（ω0t＋ψ）で表わ
せば、ダイオード移相器１の出力は、 Asin（ω0t＋ψ＋2π／Ｔ・ｔ） Asin（ω0t＋ψ−2π／Ｔ・ｔ） となる。これにより入力高周波信号の周波数f0
（＝ω0／2π）は、f0＋１／Ｔ、またはf0−１／Ｔに偏
位する ことがわかる。
すものである。図において、１はダイオード移相
器、２はこのダイオード位相器１を制御する制御
装置で、この制御装置２によつてダイオード移相
器１を駆動する場合には、第５図ＡおよびＢに示
すように入力高周波信号の位相が階段状で、しか
も傾きが正負のいずれかで変化させる。この第５
図ＡおよびＢに示すように、高周波信号の位相が
０〔rad〕から2π〔rad〕、または2π〔rad〕から０
〔rad〕まで変化するのにＴ〔sec〕時間かけるとす
ると、入力高周波信号をAsin（ω0t＋ψ）で表わ
せば、ダイオード移相器１の出力は、 Asin（ω0t＋ψ＋2π／Ｔ・ｔ） Asin（ω0t＋ψ−2π／Ｔ・ｔ） となる。これにより入力高周波信号の周波数f0
（＝ω0／2π）は、f0＋１／Ｔ、またはf0−１／Ｔに偏
位する ことがわかる。
しかしながら、上述したようにダイオード移相
器１を用いた従来のドプラ信号発生装置において
は、このダイオード移相器自体の応答速度の関係
から周波数偏位幅が広くできないばかりでなく、
入力高周波信号の帯域が広くとれずず、しかも高
価であるなどの欠点がある。
器１を用いた従来のドプラ信号発生装置において
は、このダイオード移相器自体の応答速度の関係
から周波数偏位幅が広くできないばかりでなく、
入力高周波信号の帯域が広くとれずず、しかも高
価であるなどの欠点がある。
この発明は、かかる点に着目してなされたもの
で、混合器、信号分配器、合成器および変調信号
発生装置を組合わせ、また上記変調信号発生装置
は正弦波の量子化値及び余弦波の量子化値をそれ
ぞれ記憶する一対の記憶装置と、一対のカウンタ
と、一対のデイジタルアナログ変換器と、一対の
増幅器とにより構成し、前記一対のカウンタへ供
給するクロツク信号の周期を制御することによつ
て、周波数偏位幅の広い高帯域のドプラ信号発生
装置を提供しようとするものである。
で、混合器、信号分配器、合成器および変調信号
発生装置を組合わせ、また上記変調信号発生装置
は正弦波の量子化値及び余弦波の量子化値をそれ
ぞれ記憶する一対の記憶装置と、一対のカウンタ
と、一対のデイジタルアナログ変換器と、一対の
増幅器とにより構成し、前記一対のカウンタへ供
給するクロツク信号の周期を制御することによつ
て、周波数偏位幅の広い高帯域のドプラ信号発生
装置を提供しようとするものである。
第１図〜第３図は何れもこの発明の一実施例を
示すもので、第１図はドプラ信号発生装置のブロ
ツク図、第２図は変調信号発生装置のブロツク
図、第３図は変調信号の位相関係図である。まず
第１図において、２１は高周波信号を90゜の位相
差をつけて分配する分配器、２２は90゜の位相差
を有する一対の変調信号を発生する変調信号発生
装置、２３，２４は上記分配器２１によつて分配
された高周波信号と、上記変調信号発生装置２２
からの変調信号を混合する一対の混合器、２５は
この両混合器２３，２４の出力を合成する合成器
である。
示すもので、第１図はドプラ信号発生装置のブロ
ツク図、第２図は変調信号発生装置のブロツク
図、第３図は変調信号の位相関係図である。まず
第１図において、２１は高周波信号を90゜の位相
差をつけて分配する分配器、２２は90゜の位相差
を有する一対の変調信号を発生する変調信号発生
装置、２３，２４は上記分配器２１によつて分配
された高周波信号と、上記変調信号発生装置２２
からの変調信号を混合する一対の混合器、２５は
この両混合器２３，２４の出力を合成する合成器
である。
いま、入力した高周波信号が分配器２１によつ
て分配され、一方の混合器２３に入力される高周
波信号をAsinω1tとし、また他方の混合器２４に
入力される高周波信号をAsin（ω1t−90゜）とする。
また、変調信号発生装置２２からの一対の変調信
号により一方の混合器２３に入力される変調信号
をBsinω2tとし、他方の混合器２４に入力される
変調信号をBsin（ω2t−90゜）とすると、一方の混
合器２３の出力は、 １／２AB｛cos（ω1−ω2）ｔ−cos（ω1＋ω2）ｔ｝ となり、他方の混合器２４の出力は、 １／２AB｛cos（ω1＋ω2）ｔ＋cos（ω1＋ω2）ｔ｝ となる。次に、この２つの信号は合成器２５によ
つて合成され、 ABcos（ω1−ω2）ｔ のドプラ信号を得ることができる。これによつて
入力した高周波信号の周波数が変調信号の周波数
分だけ低い方に偏位したことがわかる。また、上
記混合器２３，２４に入力する変調信号の位相を
上述した場合と逆にすることによつて、変調信号
の周波数分だけ高い方に偏位させることができる
ことはいうまでもない。
て分配され、一方の混合器２３に入力される高周
波信号をAsinω1tとし、また他方の混合器２４に
入力される高周波信号をAsin（ω1t−90゜）とする。
また、変調信号発生装置２２からの一対の変調信
号により一方の混合器２３に入力される変調信号
をBsinω2tとし、他方の混合器２４に入力される
変調信号をBsin（ω2t−90゜）とすると、一方の混
合器２３の出力は、 １／２AB｛cos（ω1−ω2）ｔ−cos（ω1＋ω2）ｔ｝ となり、他方の混合器２４の出力は、 １／２AB｛cos（ω1＋ω2）ｔ＋cos（ω1＋ω2）ｔ｝ となる。次に、この２つの信号は合成器２５によ
つて合成され、 ABcos（ω1−ω2）ｔ のドプラ信号を得ることができる。これによつて
入力した高周波信号の周波数が変調信号の周波数
分だけ低い方に偏位したことがわかる。また、上
記混合器２３，２４に入力する変調信号の位相を
上述した場合と逆にすることによつて、変調信号
の周波数分だけ高い方に偏位させることができる
ことはいうまでもない。
次に、第２図に示す変調信号発生装置におい
て、３１はSin波をデイジタル化した値を記憶す
る第１の記憶装置、３２はCos波をデイジタル化
した値を記憶する第２の記憶装置、３３は上記第
１の記憶装置３１に記憶している値を読出す第１
のカウンタ、３４は上記第２の記憶装置３２に記
憶している値を読出す第２のカウンタ、３５は上
記第１の記憶装置３１からの出力をSin波に変換
する第１のデイジタルアナログ変換器、３６は上
記第２の記憶装置３２からの出力をCos波に変換
する第２のデイジタルアナログ変換器、３７は上
記第１のデイジタルアナログ変換器３５からの出
力を増幅する第１の増幅器、３８は上記第２のデ
イジタルアナログ変換器３６からの出力を増幅す
る第２の増幅器である。
て、３１はSin波をデイジタル化した値を記憶す
る第１の記憶装置、３２はCos波をデイジタル化
した値を記憶する第２の記憶装置、３３は上記第
１の記憶装置３１に記憶している値を読出す第１
のカウンタ、３４は上記第２の記憶装置３２に記
憶している値を読出す第２のカウンタ、３５は上
記第１の記憶装置３１からの出力をSin波に変換
する第１のデイジタルアナログ変換器、３６は上
記第２の記憶装置３２からの出力をCos波に変換
する第２のデイジタルアナログ変換器、３７は上
記第１のデイジタルアナログ変換器３５からの出
力を増幅する第１の増幅器、３８は上記第２のデ
イジタルアナログ変換器３６からの出力を増幅す
る第２の増幅器である。
いま、上記両記憶装置３１，３２に、Sin波お
よびCos波の１周期分の変化をデイジタル化した
値で記憶させるとともに両カウンタ３３，３４に
より、両記憶装置３１，３２の同アドレスから高
いアドレスに順番に読み出した場合には、第３図
の変調信号の位相関係図に示すように、両増幅器
３７，３８の出力、すなわち出力〔１〕の信号は
〔２〕の信号と比較して90゜位相が進んだ信号とな
り、また一方の第１の記憶装置３１のみ同アドレ
スから低いアドレスへ順番に読出すとすると、出
力〔１〕の信号は出力〔２〕の信号と比較して
90゜遅れた信号となる。さらに、上記出力〔１〕、
出力〔２〕の信号の周波数は第１と第２のカウン
タ３３，３４を動作させるクロツクの周期によつ
て設定することができ、両記憶装置３１，３２の
アドレス数をｎ、クロツクの周期をTcとすると、
変換信号〔１〕および〔２〕の周波数は１／
（ｎ・Tc）〔Hz〕となる。
よびCos波の１周期分の変化をデイジタル化した
値で記憶させるとともに両カウンタ３３，３４に
より、両記憶装置３１，３２の同アドレスから高
いアドレスに順番に読み出した場合には、第３図
の変調信号の位相関係図に示すように、両増幅器
３７，３８の出力、すなわち出力〔１〕の信号は
〔２〕の信号と比較して90゜位相が進んだ信号とな
り、また一方の第１の記憶装置３１のみ同アドレ
スから低いアドレスへ順番に読出すとすると、出
力〔１〕の信号は出力〔２〕の信号と比較して
90゜遅れた信号となる。さらに、上記出力〔１〕、
出力〔２〕の信号の周波数は第１と第２のカウン
タ３３，３４を動作させるクロツクの周期によつ
て設定することができ、両記憶装置３１，３２の
アドレス数をｎ、クロツクの周期をTcとすると、
変換信号〔１〕および〔２〕の周波数は１／
（ｎ・Tc）〔Hz〕となる。
以上述べたように、この発明によれば、混合器
と信号分配器と合成器と、変調信号発生装置を組
合わせ、また上記変調信号発生装置は正弦波の量
子化値及び余弦波の量子化値をそれぞれ記憶する
一対の記憶装置と、一対のカウンタと、一対のデ
イジタルアナログ変換器と、一対の増幅器とによ
り構成し、前記一対のカウンタへ供給するクロツ
ク信号の周期を制御することによつて、周波数偏
位幅の広い高帯域のドプラ信号発生装置を安価に
提供することができる効果を有するものである。
と信号分配器と合成器と、変調信号発生装置を組
合わせ、また上記変調信号発生装置は正弦波の量
子化値及び余弦波の量子化値をそれぞれ記憶する
一対の記憶装置と、一対のカウンタと、一対のデ
イジタルアナログ変換器と、一対の増幅器とによ
り構成し、前記一対のカウンタへ供給するクロツ
ク信号の周期を制御することによつて、周波数偏
位幅の広い高帯域のドプラ信号発生装置を安価に
提供することができる効果を有するものである。
第１図〜第３図は何れもこの発明の一実施例を
示すもので、第１図はドプラ信号発生装置のブロ
ツク図、第２図は変調信号発生装置のブロツク
図、第３図は変調信号の位相関係図である。第４
図は従来のドプラ信号発生装置を示すブロツク
図、第５図は従来のダイオード移相器の位相変化
図である。 図において、２１は分配器、２２は変調信号発
生装置、２３，２４は混合器、２５は合成器、３
１，３２は記憶装置、３３，３４はカウンタ、３
５，３６はデイジタルアナログ変換器、３７，３
８は増幅器である。なお、図中同一符号は同一ま
たは相当部分を示す。
示すもので、第１図はドプラ信号発生装置のブロ
ツク図、第２図は変調信号発生装置のブロツク
図、第３図は変調信号の位相関係図である。第４
図は従来のドプラ信号発生装置を示すブロツク
図、第５図は従来のダイオード移相器の位相変化
図である。 図において、２１は分配器、２２は変調信号発
生装置、２３，２４は混合器、２５は合成器、３
１，３２は記憶装置、３３，３４はカウンタ、３
５，３６はデイジタルアナログ変換器、３７，３
８は増幅器である。なお、図中同一符号は同一ま
たは相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高周波信号を90゜の位相差をつけて分配する
分配器と、90゜の位相差を有する一対の変調信号
を発生する変調信号発生装置と、上記分配器によ
つて分配された高周波信号と上記変調信号発生装
置からの一対の変調信号をそれぞれ混合する一対
の混合器と、この両混合器の出力を合成する合成
器とによつて構成され、 また前記変調信号発生装置は、正弦波の量子化
値及び余弦波の量子化値をそれぞれ記憶する一対
の記憶装置と、該一対の記憶装置にそれぞれ記憶
する量子化値を所望の周期のクロツク信号により
逐次読出す一対のカウンタと、前記一対の記憶装
置からそれぞれ読出される量子化値を個別にアナ
ログ信号に変換する一対のデイジタルアナログ変
換器と、該一対のデイジタルアナログ変換器の出
力をそれぞれ増幅する一対の増幅器とによつて構
成されていることを特徴とするドプラ信号発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166547A JPS6145606A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | ドプラ信号発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166547A JPS6145606A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | ドプラ信号発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6145606A JPS6145606A (ja) | 1986-03-05 |
| JPH0241201B2 true JPH0241201B2 (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=15833291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59166547A Granted JPS6145606A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | ドプラ信号発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6145606A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114403A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Yokogawa Medical Syst Ltd | 周波数シンセサイザ |
| CN1077017C (zh) * | 1996-05-27 | 2002-01-02 | 东芝硅氧烷株式会社 | 硅橡胶和树脂的整体型成形品的制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342659A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-18 | Seiko Epson Corp | Semiconductor integrated circuit |
| JPS53138297A (en) * | 1977-05-10 | 1978-12-02 | Boeicho Gijutsu Kenkyu Honbuch | Radar false moving target generator |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP59166547A patent/JPS6145606A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342659A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-18 | Seiko Epson Corp | Semiconductor integrated circuit |
| JPS53138297A (en) * | 1977-05-10 | 1978-12-02 | Boeicho Gijutsu Kenkyu Honbuch | Radar false moving target generator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6145606A (ja) | 1986-03-05 |
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