JPH024092B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH024092B2 JPH024092B2 JP9166982A JP9166982A JPH024092B2 JP H024092 B2 JPH024092 B2 JP H024092B2 JP 9166982 A JP9166982 A JP 9166982A JP 9166982 A JP9166982 A JP 9166982A JP H024092 B2 JPH024092 B2 JP H024092B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- cas
- fluorescent
- brightness
- getter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2271—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines by photographic processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
本発明は輝度性能にすぐれた陰極線管の螢光面
の製造方法に関するものである。 従来、陰極線管の螢光面の製造方法として沈降
塗布法およびスラリー塗布法などが一般に広く使
用されている。前者は螢光体粒子を水ガラスと酢
酸バリウムのような電解質の水溶液とからなる液
体中に分散させたのち、重力により徐々に螢光面
のフエース・プレート・ガラスの内面に沈降堆積
させるとともに硅酸重合を起させ、螢光体粒子を
フエース・プレート・ガラスの内面に固着させて
螢光体層を形成するものである。一方後者は螢光
体粒子をポリビニルアルコール樹脂（PVA）な
どの水溶液中に分散させるとともに感光化剤とし
ての重クロム酸塩を加えて感光性のスラリー液と
したのち、スピン・コーテイングなどの手法を用
いて螢光面のフエース・プレート・ガラスの内面
に塗布し乾燥して製膜する。しかるのち紫外線な
どにより露光することで樹脂膜を硬化させ、螢光
体粒子を硬化樹脂膜を介してフエース・プレー
ト・ガラスの内面に固着させて螢光体層を形成す
るものである。 このような陰極線管の螢光面形成用の螢光体の
うち緑色発色螢光体としては、ZnS：Cu，Al螢
光体やZnS：Au，Cu，Al螢光体などの硫化物系
螢光体が輝度性能や価格の面で有利であるために
従来一般に広く使用されている。 最近、陰極線管の螢光面の輝度性能の向上に対
する要求がさらに一段と強まるとともに、より一
層すぐれた発光効率を有する緑色発光螢光体の出
現が望まれている。このような要求にかなう緑色
発光螢光体としてセリウム付活硫化カルシウム
（CaS：Ce）螢光体が提案されている。第１図は
従来の代表的硫化物系螢光体であるZnS：Cu，
Al螢光体の発光スペクトル分布曲線(A)とCaS：
Ce螢光体のそれ(B)とを示すものである。これら
の発光スペクトル分布曲線を比較することにより
発光色調としては、CaS：Ce螢光体の方が従来
のZnS：Cu、Al螢光体よりも若干短波長側へシ
フトしているものの緑色の発光色調としてはほぼ
満足できるものであるといえる。また輝度性能に
ついてCaS：Ce螢光体は、螢光体焼成直後の粉
体そのものとしては非常に高い発光効率を有して
いる。第１表はこれらの螢光体の輝度性能を
ZnS：Cu，Al螢光体の輝度を100とし、これに対
する相対値として示したものである。
の製造方法に関するものである。 従来、陰極線管の螢光面の製造方法として沈降
塗布法およびスラリー塗布法などが一般に広く使
用されている。前者は螢光体粒子を水ガラスと酢
酸バリウムのような電解質の水溶液とからなる液
体中に分散させたのち、重力により徐々に螢光面
のフエース・プレート・ガラスの内面に沈降堆積
させるとともに硅酸重合を起させ、螢光体粒子を
フエース・プレート・ガラスの内面に固着させて
螢光体層を形成するものである。一方後者は螢光
体粒子をポリビニルアルコール樹脂（PVA）な
どの水溶液中に分散させるとともに感光化剤とし
ての重クロム酸塩を加えて感光性のスラリー液と
したのち、スピン・コーテイングなどの手法を用
いて螢光面のフエース・プレート・ガラスの内面
に塗布し乾燥して製膜する。しかるのち紫外線な
どにより露光することで樹脂膜を硬化させ、螢光
体粒子を硬化樹脂膜を介してフエース・プレー
ト・ガラスの内面に固着させて螢光体層を形成す
るものである。 このような陰極線管の螢光面形成用の螢光体の
うち緑色発色螢光体としては、ZnS：Cu，Al螢
光体やZnS：Au，Cu，Al螢光体などの硫化物系
螢光体が輝度性能や価格の面で有利であるために
従来一般に広く使用されている。 最近、陰極線管の螢光面の輝度性能の向上に対
する要求がさらに一段と強まるとともに、より一
層すぐれた発光効率を有する緑色発光螢光体の出
現が望まれている。このような要求にかなう緑色
発光螢光体としてセリウム付活硫化カルシウム
（CaS：Ce）螢光体が提案されている。第１図は
従来の代表的硫化物系螢光体であるZnS：Cu，
Al螢光体の発光スペクトル分布曲線(A)とCaS：
Ce螢光体のそれ(B)とを示すものである。これら
の発光スペクトル分布曲線を比較することにより
発光色調としては、CaS：Ce螢光体の方が従来
のZnS：Cu、Al螢光体よりも若干短波長側へシ
フトしているものの緑色の発光色調としてはほぼ
満足できるものであるといえる。また輝度性能に
ついてCaS：Ce螢光体は、螢光体焼成直後の粉
体そのものとしては非常に高い発光効率を有して
いる。第１表はこれらの螢光体の輝度性能を
ZnS：Cu，Al螢光体の輝度を100とし、これに対
する相対値として示したものである。
【表】
布法による螢光面の輝度とに差はない。
第１表中（Ｐ）で示したCaS：Ce螢光体の焼
成直後の粉体輝度は、（Ｏ）で示したZnS：Ce、
Al螢光体の輝度よりも20％明るい。しかしなが
らこのCaS：Ce螢光体はCaS＋2H2O→Ca（OH）2
＋H2Sで表わされる反応により加水分解を非常に
起し易いという欠点を有している。このため、水
と螢光体とが接触する時間の多い沈降塗布法やス
ラリー塗布法によりCaS：Ce螢光体の螢光面を
形成したばあい、塗布工程の途中で螢光体の一部
が分解して劣化してしまい、完成した螢光面の輝
度は第１表中の（Ｑ）および（Ｒ）で示したよう
に螢光体の焼成直後の粉体輝度（Ｏ）と比較する
と大幅な低下を示す。CaS：Ce螢光体の加水分
解を防止する対策として、第２図に示したように
螢光体粒子１の表面をあらかじめ有機質保護膜２
で被覆しておき螢光体粒子と水とが直接に接して
前記反応を起させないようにすることが試みられ
ている。しかし、螢光体粒子１の表面に有機質保
護膜２を形成する工程自体においても水を使用で
きないため、このような保護膜形成工程は仕様的
にも非常に複雑であるばかりでなく、コスト的に
も非常に高価なものとなる。 本発明はこのようなCaS：Ce螢光体を陰極線
管の螢光面に使用するばあいに生じる螢光面製造
工程における螢光体の分解と劣化の問題に鑑みな
されたものであり、本来の輝度性能上非常にすぐ
れた特性を有するCaS：Ce螢光体を螢光面の製
造工程で分解、劣化させることのない陰極線管の
螢光面の製造方法を提供するものである。 以下、本発明の一実施例を表わした第３図に基
づいて説明する。 本発明によるCaS：Ceの螢光面の製造方法で
は螢光体粒子と水との反応を起させないために、
最初にフエース・プレート・ガラスの内面に硬化
フオトレジスト膜を形成しておきこの硬化フオト
レジスト膜にあとで螢光体粒子のみを埋込んで固
定し、螢光面を形成することが特徴である。すな
わち、まず第３図中に示したａのように螢光面を
構成するフエース・プレート・ガラス３の内面に
PVAの水溶液に感光化剤としての重クロム酸塩
を加えたフオトレジスト液を塗布してフオトレジ
スト膜４を形成したのち、ｂのようにヒーター５
によつてフオトレジスト膜４の乾燥を行ないフオ
トレジスト膜４中の水分をできるだけ除去する。
つぎにｃのように紫外線ランプ６によりフオトレ
ジスト膜を露光させて現像処理するとｄのように
フエース・プレート・ガラス３の内面に硬化フオ
トレジスト膜９が形成される。しかるのち、この
硬化フオトレジスト膜９にｅのようにスプレーノ
ズル１０からCaS：Ce螢光体粒子１１を高圧エ
アーとともに吹付けて、硬化フオトレジスト膜に
CaS：Ce螢光体粒子１１を埋込み、固定すると
ｆのようにフエース・プレート・ガラス３の内面
にCaS：Ce螢光体層１２が形成される。このよ
うな工程により螢光面を作成すると、CaS：Ce
の螢光体はほとんど水分と触れることがないため
にそのすぐれた輝度性能を維持することが可能と
なる。第１表中の（Ｓ）はこのような方法で作製
した螢光面の輝度を示すものであり、焼成直後の
粉体輝度（Ｐ）にほぼ等しい輝度をうることが可
能である。 第３図におけるｇ〜ｊは本発明によりモザイク
状あるいはストライプ状の螢光面をうるための方
法を表わしたものであり、ｇのように紫外線ラン
プ６によりパターニング用マスク７を介してフオ
トレジスト膜４の露光を行なつたのち、現像処理
を行なうとｈのようにフエース・プレート・ガラ
ス３の内面にモザイク状あるいはストライプ状の
硬化フオトレジスト素子８が形成される。しかる
のち、ｉのようにCaS：Ce螢光体粒子の吹付け
処理を行なうとｊのようにフエース・プレート・
ガラス３の内面にモザイク状あるいはストライプ
状のCaS：Ce螢光体素子１３をうることができ
る。 以上のように本発明によればCaS：Ce螢光体
の本来有している輝度性能を螢光面製造工程で低
下させることなく螢光面の形成を行なうことがで
きるので、輝度性能の非常にすぐれた高品位の陰
極線管の螢光面をうることが可能となる。
第１表中（Ｐ）で示したCaS：Ce螢光体の焼
成直後の粉体輝度は、（Ｏ）で示したZnS：Ce、
Al螢光体の輝度よりも20％明るい。しかしなが
らこのCaS：Ce螢光体はCaS＋2H2O→Ca（OH）2
＋H2Sで表わされる反応により加水分解を非常に
起し易いという欠点を有している。このため、水
と螢光体とが接触する時間の多い沈降塗布法やス
ラリー塗布法によりCaS：Ce螢光体の螢光面を
形成したばあい、塗布工程の途中で螢光体の一部
が分解して劣化してしまい、完成した螢光面の輝
度は第１表中の（Ｑ）および（Ｒ）で示したよう
に螢光体の焼成直後の粉体輝度（Ｏ）と比較する
と大幅な低下を示す。CaS：Ce螢光体の加水分
解を防止する対策として、第２図に示したように
螢光体粒子１の表面をあらかじめ有機質保護膜２
で被覆しておき螢光体粒子と水とが直接に接して
前記反応を起させないようにすることが試みられ
ている。しかし、螢光体粒子１の表面に有機質保
護膜２を形成する工程自体においても水を使用で
きないため、このような保護膜形成工程は仕様的
にも非常に複雑であるばかりでなく、コスト的に
も非常に高価なものとなる。 本発明はこのようなCaS：Ce螢光体を陰極線
管の螢光面に使用するばあいに生じる螢光面製造
工程における螢光体の分解と劣化の問題に鑑みな
されたものであり、本来の輝度性能上非常にすぐ
れた特性を有するCaS：Ce螢光体を螢光面の製
造工程で分解、劣化させることのない陰極線管の
螢光面の製造方法を提供するものである。 以下、本発明の一実施例を表わした第３図に基
づいて説明する。 本発明によるCaS：Ceの螢光面の製造方法で
は螢光体粒子と水との反応を起させないために、
最初にフエース・プレート・ガラスの内面に硬化
フオトレジスト膜を形成しておきこの硬化フオト
レジスト膜にあとで螢光体粒子のみを埋込んで固
定し、螢光面を形成することが特徴である。すな
わち、まず第３図中に示したａのように螢光面を
構成するフエース・プレート・ガラス３の内面に
PVAの水溶液に感光化剤としての重クロム酸塩
を加えたフオトレジスト液を塗布してフオトレジ
スト膜４を形成したのち、ｂのようにヒーター５
によつてフオトレジスト膜４の乾燥を行ないフオ
トレジスト膜４中の水分をできるだけ除去する。
つぎにｃのように紫外線ランプ６によりフオトレ
ジスト膜を露光させて現像処理するとｄのように
フエース・プレート・ガラス３の内面に硬化フオ
トレジスト膜９が形成される。しかるのち、この
硬化フオトレジスト膜９にｅのようにスプレーノ
ズル１０からCaS：Ce螢光体粒子１１を高圧エ
アーとともに吹付けて、硬化フオトレジスト膜に
CaS：Ce螢光体粒子１１を埋込み、固定すると
ｆのようにフエース・プレート・ガラス３の内面
にCaS：Ce螢光体層１２が形成される。このよ
うな工程により螢光面を作成すると、CaS：Ce
の螢光体はほとんど水分と触れることがないため
にそのすぐれた輝度性能を維持することが可能と
なる。第１表中の（Ｓ）はこのような方法で作製
した螢光面の輝度を示すものであり、焼成直後の
粉体輝度（Ｐ）にほぼ等しい輝度をうることが可
能である。 第３図におけるｇ〜ｊは本発明によりモザイク
状あるいはストライプ状の螢光面をうるための方
法を表わしたものであり、ｇのように紫外線ラン
プ６によりパターニング用マスク７を介してフオ
トレジスト膜４の露光を行なつたのち、現像処理
を行なうとｈのようにフエース・プレート・ガラ
ス３の内面にモザイク状あるいはストライプ状の
硬化フオトレジスト素子８が形成される。しかる
のち、ｉのようにCaS：Ce螢光体粒子の吹付け
処理を行なうとｊのようにフエース・プレート・
ガラス３の内面にモザイク状あるいはストライプ
状のCaS：Ce螢光体素子１３をうることができ
る。 以上のように本発明によればCaS：Ce螢光体
の本来有している輝度性能を螢光面製造工程で低
下させることなく螢光面の形成を行なうことがで
きるので、輝度性能の非常にすぐれた高品位の陰
極線管の螢光面をうることが可能となる。
第１図はZnS：Cu，Al螢光体ＡおよびCaS：
Ce螢光体Ｂの発光スペクトル分布曲線を示す図、
第２図は有機質保護膜付螢光体の断面図、第３図
は本発明のCaS：Ce螢光面のばあいにおける製
造工程を表したフローチヤートである。 （図面の主要符号）、１：螢光体粒子、２：有
機質保護膜、３：フエース・プレート・ガラス、
４：フオトレジスト膜、５：ヒーター、６：紫外
線ランプ、７：パターニング用マスク、８：硬化
フオトレジスト素子、９：硬化フオトレジスト
膜、１０：スプレーノズル、１１：CaS：Ce螢
光体粒子、１２：CaS：Ce螢光体層、１３：
CaS：Ce螢光体素子。
Ce螢光体Ｂの発光スペクトル分布曲線を示す図、
第２図は有機質保護膜付螢光体の断面図、第３図
は本発明のCaS：Ce螢光面のばあいにおける製
造工程を表したフローチヤートである。 （図面の主要符号）、１：螢光体粒子、２：有
機質保護膜、３：フエース・プレート・ガラス、
４：フオトレジスト膜、５：ヒーター、６：紫外
線ランプ、７：パターニング用マスク、８：硬化
フオトレジスト素子、９：硬化フオトレジスト
膜、１０：スプレーノズル、１１：CaS：Ce螢
光体粒子、１２：CaS：Ce螢光体層、１３：
CaS：Ce螢光体素子。
１ パネル、フアンネルおよびネツク部からなる
外囲器のネツク部内に少なくとも１個の陰極構体
を有するマウント構体と少なくとも１個のゲツタ
とを封入する工程と、前記外囲器内を前記ネツク
部端に設けられた排気細管を介して排気しなが
ら、この排気中に前記陰極構体を熱分解すること
なく前記外囲器と前記マウント構体を加熱する工
程と、前記排気終了後に前記排気細管をチツプオ
フする工程と、前記チツプオフ後に前記ゲツタを
フラツシユする工程と、前記ゲツタのフラツシユ
後に前記陰極構体を熱分解する工程とからなるこ
とを特徴とする陰極線管の製造方法。 ２ 外囲器内に第１および第２ゲツタを設け、排
気細管のチツプオフ後に前記第１ゲツタをフラツ
シユし、陰極構体の熱分解後に前記第２ゲツタを
フラツシユすることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の陰極線管の製造方法。 ３ 第２ゲツタをネツク部のパネル側に設け、前
記第２ゲツタをフラツシユして前記ネツク部内面
にゲツタ膜を形成することを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の陰極線管の製造方法。 ４ 第１ゲツタのフラツシユ量を第２ゲツタのフ
ラツシユ量より多くしたことを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載の陰極線管の製造方法。 ５ ゲツタをフラツシユするときマウント構体を
外囲器のネツク部内に少なくとも１個の陰極構体
を有するマウント構体と少なくとも１個のゲツタ
とを封入する工程と、前記外囲器内を前記ネツク
部端に設けられた排気細管を介して排気しなが
ら、この排気中に前記陰極構体を熱分解すること
なく前記外囲器と前記マウント構体を加熱する工
程と、前記排気終了後に前記排気細管をチツプオ
フする工程と、前記チツプオフ後に前記ゲツタを
フラツシユする工程と、前記ゲツタのフラツシユ
後に前記陰極構体を熱分解する工程とからなるこ
とを特徴とする陰極線管の製造方法。 ２ 外囲器内に第１および第２ゲツタを設け、排
気細管のチツプオフ後に前記第１ゲツタをフラツ
シユし、陰極構体の熱分解後に前記第２ゲツタを
フラツシユすることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の陰極線管の製造方法。 ３ 第２ゲツタをネツク部のパネル側に設け、前
記第２ゲツタをフラツシユして前記ネツク部内面
にゲツタ膜を形成することを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の陰極線管の製造方法。 ４ 第１ゲツタのフラツシユ量を第２ゲツタのフ
ラツシユ量より多くしたことを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載の陰極線管の製造方法。 ５ ゲツタをフラツシユするときマウント構体を
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9166982A JPS58209034A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 陰極線管の螢光面の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9166982A JPS58209034A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 陰極線管の螢光面の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209034A JPS58209034A (ja) | 1983-12-05 |
| JPH024092B2 true JPH024092B2 (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=14032883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9166982A Granted JPS58209034A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 陰極線管の螢光面の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209034A (ja) |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP9166982A patent/JPS58209034A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58209034A (ja) | 1983-12-05 |
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