JPS58209034A - 陰極線管の螢光面の製造方法 - Google Patents
陰極線管の螢光面の製造方法Info
- Publication number
- JPS58209034A JPS58209034A JP9166982A JP9166982A JPS58209034A JP S58209034 A JPS58209034 A JP S58209034A JP 9166982 A JP9166982 A JP 9166982A JP 9166982 A JP9166982 A JP 9166982A JP S58209034 A JPS58209034 A JP S58209034A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- organic layer
- plate glass
- cathode ray
- film
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2271—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines by photographic processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は輝度性能にすぐれた陰極線管の螢光面の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来、陰極線管の螢光面の製造方法として沈降塗布法お
よびスラリー塗布法などが一般に広く使用されている。
よびスラリー塗布法などが一般に広く使用されている。
前者は螢光体粒子を水ガラスと酢酸ハリウＡのような電
解質の水溶液とからなる液体中に分散させたのち、重力
により徐々に螢光面のフェース・プレート・ガラスの内
面に沈降堆積させるとともに硅酸重合を起させ、螢光体
粒子を７エース・プレート・ガラスの内面に固着サセテ
螢光体層を形成するものである。一方後者は螢光体粒子
をポリビニルアルコール樹脂（ＰＴＡ）などの水溶液中
に分散させるとともに感光化剤としての重クロム酸塩を
加えて感光性のスラリー液としたのち、スピン・コーテ
ィングなどの手法を用いて螢光面の７エース・プレート
・ガラスの内面に塗布し乾燥して製膜する。しかるのち
紫外線などにより露光することで樹脂膜を硬化させ、螢
光体粒子を硬化樹脂膜を介してフエー不・プレート・ガ
ラスの内面に固着させて螢光体層を形成するものである
。
解質の水溶液とからなる液体中に分散させたのち、重力
により徐々に螢光面のフェース・プレート・ガラスの内
面に沈降堆積させるとともに硅酸重合を起させ、螢光体
粒子を７エース・プレート・ガラスの内面に固着サセテ
螢光体層を形成するものである。一方後者は螢光体粒子
をポリビニルアルコール樹脂（ＰＴＡ）などの水溶液中
に分散させるとともに感光化剤としての重クロム酸塩を
加えて感光性のスラリー液としたのち、スピン・コーテ
ィングなどの手法を用いて螢光面の７エース・プレート
・ガラスの内面に塗布し乾燥して製膜する。しかるのち
紫外線などにより露光することで樹脂膜を硬化させ、螢
光体粒子を硬化樹脂膜を介してフエー不・プレート・ガ
ラスの内面に固着させて螢光体層を形成するものである
。
このような陰極線管の螢光面形成用の螢光体のうち緑色
発光螢光体としては、ＺｎＳ ： Ｏｕ、 Ａｌ螢光体
やＺｎＳ：Ａｕ、 Ｏｕ、 Ａ／螢光体などの硫化物系
螢光体が輝度性能や価格の面で有利であるために従来一
般に広く使用されている。
発光螢光体としては、ＺｎＳ ： Ｏｕ、 Ａｌ螢光体
やＺｎＳ：Ａｕ、 Ｏｕ、 Ａ／螢光体などの硫化物系
螢光体が輝度性能や価格の面で有利であるために従来一
般に広く使用されている。
最近、陰極線管の螢光面の輝度性能の向上に対する要求
がさらに一段と強まるとともに、より一層すぐれた発光
効率を有する緑色発光螢光体の出現が望まれている。こ
のような要求にかなう緑色発光螢光体としてセリウム付
活硫化カルシウム（ＯａＳ：Ｏｓ ）螢光体が提案され
ている。第１図は従来の代表的硫化物系螢光体であるＺ
ｎＳ：Ｏｕ、 Ａｌ螢光体の発光スペクトル分布面！
（Ａ）とＯａＳ：Ｏｓ螢光体のそれ（Ｂ）とを示すもの
である。これらの発光スペクトル分布曲線を比較するこ
とにより発光色調としては、ＯａＳ：Ｏｓ螢光体の方が
従来のＺｎＳ ： Ｏｕ、 Ａ４螢光体よりも若干短波
長側ヘシフトしているものの緑色の発光色調としてはほ
ぼ満足できるものであるといえる。また輝度性能につい
てＱａＳ：Ｏθ螢光体は、螢光体焼成直後の粉体そのも
のとしては非常に高い発光効率を有している。第１表は
これらの螢光体の輝度性能をＺｎＳ： Ｏｕ、 Ａ／螢
光体の輝度を１００とし、これに対する相対値として示
したものである。
がさらに一段と強まるとともに、より一層すぐれた発光
効率を有する緑色発光螢光体の出現が望まれている。こ
のような要求にかなう緑色発光螢光体としてセリウム付
活硫化カルシウム（ＯａＳ：Ｏｓ ）螢光体が提案され
ている。第１図は従来の代表的硫化物系螢光体であるＺ
ｎＳ：Ｏｕ、 Ａｌ螢光体の発光スペクトル分布面！
（Ａ）とＯａＳ：Ｏｓ螢光体のそれ（Ｂ）とを示すもの
である。これらの発光スペクトル分布曲線を比較するこ
とにより発光色調としては、ＯａＳ：Ｏｓ螢光体の方が
従来のＺｎＳ ： Ｏｕ、 Ａ４螢光体よりも若干短波
長側ヘシフトしているものの緑色の発光色調としてはほ
ぼ満足できるものであるといえる。また輝度性能につい
てＱａＳ：Ｏθ螢光体は、螢光体焼成直後の粉体そのも
のとしては非常に高い発光効率を有している。第１表は
これらの螢光体の輝度性能をＺｎＳ： Ｏｕ、 Ａ／螢
光体の輝度を１００とし、これに対する相対値として示
したものである。
第 １ 表
※ＺｎＳ：Ｏｕ、 Ａｌ螢光体のばあいは焼成直後の粉
体の輝度と沈降塗布法またはスラリー塗布法による螢光
面の輝度とに差はない。
体の輝度と沈降塗布法またはスラリー塗布法による螢光
面の輝度とに差はない。
第１表中（Ｐ）で示したＯａＳ：Ｏｓ螢光体の焼成直後
の粉体輝度は、（０）で示したＺｒ１Ｓ：（ｌｅ、ｊｉ
！Ａｌ螢光体度よりも２０％明るい。しかしながらこの
ＣａＢ：Ｏθ螢光体はＯａＳ＋２Ｈ２０−−→０ａ（Ｏ
Ｈ）２＋ Ｈ２Ｓで表わされる反応により加水分解を非
常に起し易いという欠点を有している。このため、水と
螢光体とが接触する時間の多い沈降塗布法やスラリー塗
布法によりＯａＳ：Ｏｓ螢光体の螢光面を形成したばあ
い、塗布工程の途中で螢光体の一部が分解して劣化して
しまい、完成した螢光面の輝度は第１表中の（Ｑ）およ
び（Ｒ）で示したように螢光体の焼成直後の粉体輝度（
０）と比較すると大幅な低下を示す。ＯａＳ：Ｏｓ螢光
体の加水分解を防止する対策として、第２図に示したよ
うに螢光体粒子（１）の表面をあらかじめ有機質保護膜
（２）で被覆しておき螢光体粒子と水とが直接に接して
前記反応を起させないようにすることが試みられている
。しかし、螢光体粒子（１）の表面に有機質保護膜（２
）を形成する工程自体においても水を使用できないため
、このような保護膜形成工程は仕様的にも非常に複雑で
あるばかりでなく、コスト的にも非常に高価なものとな
る。
の粉体輝度は、（０）で示したＺｒ１Ｓ：（ｌｅ、ｊｉ
！Ａｌ螢光体度よりも２０％明るい。しかしながらこの
ＣａＢ：Ｏθ螢光体はＯａＳ＋２Ｈ２０−−→０ａ（Ｏ
Ｈ）２＋ Ｈ２Ｓで表わされる反応により加水分解を非
常に起し易いという欠点を有している。このため、水と
螢光体とが接触する時間の多い沈降塗布法やスラリー塗
布法によりＯａＳ：Ｏｓ螢光体の螢光面を形成したばあ
い、塗布工程の途中で螢光体の一部が分解して劣化して
しまい、完成した螢光面の輝度は第１表中の（Ｑ）およ
び（Ｒ）で示したように螢光体の焼成直後の粉体輝度（
０）と比較すると大幅な低下を示す。ＯａＳ：Ｏｓ螢光
体の加水分解を防止する対策として、第２図に示したよ
うに螢光体粒子（１）の表面をあらかじめ有機質保護膜
（２）で被覆しておき螢光体粒子と水とが直接に接して
前記反応を起させないようにすることが試みられている
。しかし、螢光体粒子（１）の表面に有機質保護膜（２
）を形成する工程自体においても水を使用できないため
、このような保護膜形成工程は仕様的にも非常に複雑で
あるばかりでなく、コスト的にも非常に高価なものとな
る。
本発明はこのようなＯａＳ＋Ｏｅ螢光体を陰極線管の螢
光面に使用するばあいに生じる螢光面製造工程における
螢光体の分解と劣化の問題に鑑みなされたものであり、
本来の輝度性能上非常にすぐれた特性を有するＯａＳ：
Ｏｓ螢光体を螢光面の製造工程で分解、劣化させること
のない陰極線管の螢光面の製造方法を提供するものであ
る◇ 以下、本発明の一実施例を表わした第３図に基づいて説
明する。
光面に使用するばあいに生じる螢光面製造工程における
螢光体の分解と劣化の問題に鑑みなされたものであり、
本来の輝度性能上非常にすぐれた特性を有するＯａＳ：
Ｏｓ螢光体を螢光面の製造工程で分解、劣化させること
のない陰極線管の螢光面の製造方法を提供するものであ
る◇ 以下、本発明の一実施例を表わした第３図に基づいて説
明する。
本発明によるＯａＳ：Ｏｅの螢光面の製造方法では螢光
体粒子と水との反応を起させないために、最初にフェー
ス・プレート・ガラスの内面にｖ ｍ ａ 層を形成し
ておきこの有機質層にあとで螢光体粒子のみを埋込んで
固定し、螢光面を形成することが特徴である。すなわち
、まず第３図中に示した（ａ）のように螢光面を構成す
るフェース・プレート・ガラス（８）の内面にＰＴＡの
水溶液に感光化剤としての重クロム酸塩を加えたフォト
レジスト液を塗布してフォトレジスト膜（４）を形成し
たのち、（ｂ）のようにヒーター（５）によってフォト
レジスト膜（４）の乾燥を行ないフォトレジスト膜（４
）中の水分をできるだけ除去する。つぎに（ｃ）のよう
に紫外線ランプ（６）によりフォトレジスト膜を露光さ
せて現像処理すると（（Ｌ）のように７エース・プレー
ト・ガラス（８）の内面に硬化フォトレジスト膜（９）
からなる有機質層が形成される。しかるのち、この硬化
フォトレジスト膜（９）に（θ）のようにスプレーノズ
ルα０）からＯａＳ：Ｏθ螢光体粒子（１υを高圧エア
ーとともに吹付けて、有機質層（硬化フォトレジスト膜
）にＯｉＳ：Ｏｓ螢光体粒子（１１）を埋込み、固定す
ると（ｆ）のようにフェース・プレート・ガラス（３）
の内面に０ａＳｉ０６螢光体層０２）が形成される。こ
のような工程により螢光面を作成すると、ＯａＳ：（１
！ｅの螢光体はほとんど水分と触れることがないために
そのすぐれた輝度性能を維持することが可能となる。第
１表中の（Ｓ）はこのような方法で作製した螢光面の輝
度を示すものであり、焼成直後の粉体輝度（Ｐ）にほぼ
等しい輝度をうることか可能である。
体粒子と水との反応を起させないために、最初にフェー
ス・プレート・ガラスの内面にｖ ｍ ａ 層を形成し
ておきこの有機質層にあとで螢光体粒子のみを埋込んで
固定し、螢光面を形成することが特徴である。すなわち
、まず第３図中に示した（ａ）のように螢光面を構成す
るフェース・プレート・ガラス（８）の内面にＰＴＡの
水溶液に感光化剤としての重クロム酸塩を加えたフォト
レジスト液を塗布してフォトレジスト膜（４）を形成し
たのち、（ｂ）のようにヒーター（５）によってフォト
レジスト膜（４）の乾燥を行ないフォトレジスト膜（４
）中の水分をできるだけ除去する。つぎに（ｃ）のよう
に紫外線ランプ（６）によりフォトレジスト膜を露光さ
せて現像処理すると（（Ｌ）のように７エース・プレー
ト・ガラス（８）の内面に硬化フォトレジスト膜（９）
からなる有機質層が形成される。しかるのち、この硬化
フォトレジスト膜（９）に（θ）のようにスプレーノズ
ルα０）からＯａＳ：Ｏθ螢光体粒子（１υを高圧エア
ーとともに吹付けて、有機質層（硬化フォトレジスト膜
）にＯｉＳ：Ｏｓ螢光体粒子（１１）を埋込み、固定す
ると（ｆ）のようにフェース・プレート・ガラス（３）
の内面に０ａＳｉ０６螢光体層０２）が形成される。こ
のような工程により螢光面を作成すると、ＯａＳ：（１
！ｅの螢光体はほとんど水分と触れることがないために
そのすぐれた輝度性能を維持することが可能となる。第
１表中の（Ｓ）はこのような方法で作製した螢光面の輝
度を示すものであり、焼成直後の粉体輝度（Ｐ）にほぼ
等しい輝度をうることか可能である。
第３図における（ｇ）〜（＋）は本発明によりモザイク
状あるいはストライブ状の螢光面をつるだめの方法を表
わしたものであり、（ｇ）のように紫外線ランプ（６）
によりパターニング用マスク（７）を介してフォトレジ
スト膜（４）の露光を行なったのち、現像処理を行なう
と（ｈ）のようにフェース・プレート・ガラス（３）の
内面にモザイク状あるいはストライブ状の硬化フォトレ
ジスト素子（８）が形成される。しかるのち、（１）の
ようにＯａＳ：Ｏｓ螢光体粒子の吹付は処理を行なうと
（ｊ）のようにフェース・プレート・ガラス（８）の内
面にモザイク状あるいはストライブ状のＯａＳ：Ｏｓ螢
光体素子０３）をうろことができる。
状あるいはストライブ状の螢光面をつるだめの方法を表
わしたものであり、（ｇ）のように紫外線ランプ（６）
によりパターニング用マスク（７）を介してフォトレジ
スト膜（４）の露光を行なったのち、現像処理を行なう
と（ｈ）のようにフェース・プレート・ガラス（３）の
内面にモザイク状あるいはストライブ状の硬化フォトレ
ジスト素子（８）が形成される。しかるのち、（１）の
ようにＯａＳ：Ｏｓ螢光体粒子の吹付は処理を行なうと
（ｊ）のようにフェース・プレート・ガラス（８）の内
面にモザイク状あるいはストライブ状のＯａＳ：Ｏｓ螢
光体素子０３）をうろことができる。
以上のように本発明によれば０ａｌＯｅ螢光体の本来有
している輝度性能を螢光面製造工程で低下させることな
く螢光面の形成を行なうことができるので、輝度性能の
非常にすぐれた高品位の陰極線管の螢光面をうろことが
可能となる。
している輝度性能を螢光面製造工程で低下させることな
く螢光面の形成を行なうことができるので、輝度性能の
非常にすぐれた高品位の陰極線管の螢光面をうろことが
可能となる。
第１図はＺｎＳ ： Ｏｕ、 Ａ／螢光体（Ａ）および
ＯａＳ；Ｏｅ螢光体（Ｅ）の発光スペクトル分布曲線を
示す図、第２図は有機質保護膜付螢光体の断面図、第３
図は本発明のＯａＳ：Ｏｓ螢光面のばあいにおける製造
工程を表したフローチャートである。 （図面の主要符号） （１）８螢光体粒子 （２）：有機質保護膜 （３）：フエース・プレート・ガラス （４）：フオトレジスト膜 （５）；ヒーター （６）：紫外線ランプ （７）：パターニング用マスク （８）：硬化フォトレジスト素子 （９）：硬化フォトレジスト膜 ００）ニスプレーノズル （１１） ： ＯａＳ：Ｏｓ螢光体粒子（（２）： Ｏ
＆Ｓ：Ｏｅ螢光体層 Ｏａ） ： ＯａＳ：Ｏｓ螢光体素子 代理人 葛野信−（ほか１名） 〈−平πを県田軛
ＯａＳ；Ｏｅ螢光体（Ｅ）の発光スペクトル分布曲線を
示す図、第２図は有機質保護膜付螢光体の断面図、第３
図は本発明のＯａＳ：Ｏｓ螢光面のばあいにおける製造
工程を表したフローチャートである。 （図面の主要符号） （１）８螢光体粒子 （２）：有機質保護膜 （３）：フエース・プレート・ガラス （４）：フオトレジスト膜 （５）；ヒーター （６）：紫外線ランプ （７）：パターニング用マスク （８）：硬化フォトレジスト素子 （９）：硬化フォトレジスト膜 ００）ニスプレーノズル （１１） ： ＯａＳ：Ｏｓ螢光体粒子（（２）： Ｏ
＆Ｓ：Ｏｅ螢光体層 Ｏａ） ： ＯａＳ：Ｏｓ螢光体素子 代理人 葛野信−（ほか１名） 〈−平πを県田軛
Claims (2)
- （１） （Ａ）螢光面を構成するフェース・プレート・
ガラスの内面に有機質層を形成する工程と中）該有機質
層にセリウム付活硫化カルシウム（ｃａｓ：ａｅ ）螢
光体粒子を吹付けて有機質層の内部あるいは外表面に螢
光体粒子を固定する工程とを含むことを特徴とする陰極
線管の螢光面の製造方法。 - （２）有機質層をモザイク状またはストライプ状に形成
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の陰極
線管の螢光面の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9166982A JPS58209034A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 陰極線管の螢光面の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9166982A JPS58209034A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 陰極線管の螢光面の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209034A true JPS58209034A (ja) | 1983-12-05 |
| JPH024092B2 JPH024092B2 (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=14032883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9166982A Granted JPS58209034A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 陰極線管の螢光面の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209034A (ja) |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP9166982A patent/JPS58209034A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH024092B2 (ja) | 1990-01-26 |
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