JPH0240831A - 蛍光表示パネルの製造方法 - Google Patents
蛍光表示パネルの製造方法Info
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- JPH0240831A JPH0240831A JP19152988A JP19152988A JPH0240831A JP H0240831 A JPH0240831 A JP H0240831A JP 19152988 A JP19152988 A JP 19152988A JP 19152988 A JP19152988 A JP 19152988A JP H0240831 A JPH0240831 A JP H0240831A
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は９例えば計測器、車搭載メータまたはコンピュ
ータの端末機器でグラフィック表示、文字表示等に用い
られる蛍光表示パネルの製造方法の改良に関するもので
ある。
ータの端末機器でグラフィック表示、文字表示等に用い
られる蛍光表示パネルの製造方法の改良に関するもので
ある。
（従来の技術〕
この種の蛍光表示パネルは、フェースガラスと、このフ
ェースガラスの上に設けられた陽極電極と蛍光体層と、
この蛍光体層の上にスペーサを介して取付けられた制御
電極とフィラメント電極とを含む電極群と、この電極群
の上にスペーサを介して取付けられた裏面基板とから成
っている。この蛍光表示パネルは１画素毎または数画素
毎にこれを堆り囲む隔壁を有し、これらの隔壁が容器の
奥行方向にわたってつながっているために、耐圧強度が
大きく、大画面化が可能であり、またフィラメント電極
を画素毎に設け、制御電極をフィラメント電極に接近さ
せてｘ、Ｙ方向に延ばして設けることによって低電圧パ
ルスで駆動することができる。
ェースガラスの上に設けられた陽極電極と蛍光体層と、
この蛍光体層の上にスペーサを介して取付けられた制御
電極とフィラメント電極とを含む電極群と、この電極群
の上にスペーサを介して取付けられた裏面基板とから成
っている。この蛍光表示パネルは１画素毎または数画素
毎にこれを堆り囲む隔壁を有し、これらの隔壁が容器の
奥行方向にわたってつながっているために、耐圧強度が
大きく、大画面化が可能であり、またフィラメント電極
を画素毎に設け、制御電極をフィラメント電極に接近さ
せてｘ、Ｙ方向に延ばして設けることによって低電圧パ
ルスで駆動することができる。
本出願人は、先に、この蛍光表示パネルのフィラメント
電極及び制御電極をスリット付き電桟枠にフィラメント
線または制御グリッドを支持して形成することを提案し
ている（特願昭６３−１１１６３３号参照）。
電極及び制御電極をスリット付き電桟枠にフィラメント
線または制御グリッドを支持して形成することを提案し
ている（特願昭６３−１１１６３３号参照）。
（発明が解決しようとするｆｉ！題）
しかし、この方法は絶縁処理された電極枠体にそれと別
個に形成されたフィラメント線またはｒｔＡｇｇグリッ
ドを重ね合せて支持しているので重ね合せの精度に限界
があって精細度が低くなり、特に大型の蛍光表示パネル
を得ることが困難であり、またフィラメント線及び制御
グリッドとして金属箔を用いるが、この金属箔の厚みか
加工上及び取扱上１０４ｍ以上あり、剛性が高いために
絶縁材料の塗布、焼結時にフィラメント線及び制御グリ
ッドが枠体から浮き上がり易く、加工歩留りが低く、そ
の上金属箔の厚みによってフィラメントの断面植が大き
くなり、従ってフィラメント電極の熱容量が大きく、そ
の消費電力が高くなる欠点があった。
個に形成されたフィラメント線またはｒｔＡｇｇグリッ
ドを重ね合せて支持しているので重ね合せの精度に限界
があって精細度が低くなり、特に大型の蛍光表示パネル
を得ることが困難であり、またフィラメント線及び制御
グリッドとして金属箔を用いるが、この金属箔の厚みか
加工上及び取扱上１０４ｍ以上あり、剛性が高いために
絶縁材料の塗布、焼結時にフィラメント線及び制御グリ
ッドが枠体から浮き上がり易く、加工歩留りが低く、そ
の上金属箔の厚みによってフィラメントの断面植が大き
くなり、従ってフィラメント電極の熱容量が大きく、そ
の消費電力が高くなる欠点があった。
本発明の目的は、上記の欠点を回避し、高い精細度で消
費電力が低く、高い生産性でフィラメント電極及び制御
電極を形成することができる蛍光表示パネルの製造方法
を提供することにある。
費電力が低く、高い生産性でフィラメント電極及び制御
電極を形成することができる蛍光表示パネルの製造方法
を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記の課題を解決するために、フェースガラ
スと、このフェースガラスの上に設けられた陽極電極と
蛍光体層と、この蛍光体層の上に相互にスペーサを介し
て取付けられた制御電極及びフィラメント電極とを含む
電極群と、この電極群の上にスペーサを介して取付けら
れた裏面基板とから成る蛍光表示パネルにおいて、制御
電極板及びフィラメント電極は絶縁処理された金属薄板
に難溶解性金属薄膜のグリッドパターンまたはフィラメ
ントパターンを形成した後グリッドパターンまたはフィ
ラメントパターンが露出されるように金属薄板を化学エ
ツチングして形成することを特徴とする蛍光表示パネル
の製造方法を提供するものである。
スと、このフェースガラスの上に設けられた陽極電極と
蛍光体層と、この蛍光体層の上に相互にスペーサを介し
て取付けられた制御電極及びフィラメント電極とを含む
電極群と、この電極群の上にスペーサを介して取付けら
れた裏面基板とから成る蛍光表示パネルにおいて、制御
電極板及びフィラメント電極は絶縁処理された金属薄板
に難溶解性金属薄膜のグリッドパターンまたはフィラメ
ントパターンを形成した後グリッドパターンまたはフィ
ラメントパターンが露出されるように金属薄板を化学エ
ツチングして形成することを特徴とする蛍光表示パネル
の製造方法を提供するものである。
（作用）
このようにフィラメント電極及び制御電極な絶縁基板の
上に難溶解性金属薄膜を直接バターニングして形成する
と、高い密着力で且つ高い精細度でフィラメント電極及
び制御電極を形成することができ、またフィラメント電
極はＢく形成することができるのでその熱容量を小さく
して消費電力を低く抑えることができる。
上に難溶解性金属薄膜を直接バターニングして形成する
と、高い密着力で且つ高い精細度でフィラメント電極及
び制御電極を形成することができ、またフィラメント電
極はＢく形成することができるのでその熱容量を小さく
して消費電力を低く抑えることができる。
（実施例）
本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明すると、第
１図は本発明の方法によって製造される蛍光表示パネル
ｌＯを示し、この蛍光表示パネルｌＯは、フェースガラ
ス１２と、このフェースガラス１２の上に設けられた陽
極電極１４と蛍光体層１６と、この蛍光体層１６の上に
スペーサ１８を介して設けられた電極群２０と、この電
極群２０の上にスペーサ２２を介して取付けられた裏面
基板２４とから戊っている。
１図は本発明の方法によって製造される蛍光表示パネル
ｌＯを示し、この蛍光表示パネルｌＯは、フェースガラ
ス１２と、このフェースガラス１２の上に設けられた陽
極電極１４と蛍光体層１６と、この蛍光体層１６の上に
スペーサ１８を介して設けられた電極群２０と、この電
極群２０の上にスペーサ２２を介して取付けられた裏面
基板２４とから戊っている。
これらの部品は重ね合わされて位置決めピン２６によっ
てそれぞれの部品の位置決めを行なった後フリットガラ
ス等の封着材を用いて相互に固定されている。電極群２
０は、第１の制御電極２８とその上にスペーサ３０を介
して設けられた第２の制御電極３２とその上に設けられ
たフィラメント電極３４とから成っている。
てそれぞれの部品の位置決めを行なった後フリットガラ
ス等の封着材を用いて相互に固定されている。電極群２
０は、第１の制御電極２８とその上にスペーサ３０を介
して設けられた第２の制御電極３２とその上に設けられ
たフィラメント電極３４とから成っている。
本発明は制御電極２８．３２とフィラメント電極３４と
を絶縁処理された金属薄板の上に金属薄膜をパターニン
グして形成する。
を絶縁処理された金属薄板の上に金属薄膜をパターニン
グして形成する。
第２図（Ａ）乃至（Ｆ）はフィラメント電極３４を形成
する方法を順次示す、尚、これらの図では各部材は半分
に切断された状態で示されており、従って各部材の手前
側の一端は切断面である。先ず、第２図（Ａ）に示すよ
うに１例えば、５０ＩＬｍの４２６合金基板（金属薄板
）３６を用意し、この上に通常のフォトリソグラフィー
法によってリフトオフな行なって合金基板３６の一方の
表面にＳｔｏｗの絶縁ＷＪ３８をＩＩＬｍの厚みで形成
して絶縁処理する。この場合、絶縁ＷＪ３８は、第２図
（Ｂ）に示すように、両端で閉じられた複数条の溝３８
ａを形成するようなストライプパターンで形成される。
する方法を順次示す、尚、これらの図では各部材は半分
に切断された状態で示されており、従って各部材の手前
側の一端は切断面である。先ず、第２図（Ａ）に示すよ
うに１例えば、５０ＩＬｍの４２６合金基板（金属薄板
）３６を用意し、この上に通常のフォトリソグラフィー
法によってリフトオフな行なって合金基板３６の一方の
表面にＳｔｏｗの絶縁ＷＪ３８をＩＩＬｍの厚みで形成
して絶縁処理する。この場合、絶縁ＷＪ３８は、第２図
（Ｂ）に示すように、両端で閉じられた複数条の溝３８
ａを形成するようなストライプパターンで形成される。
溝３８ａ相互の間の帯（セル型パネルの隔壁に相当）の
幅は０．０５ｍｍとし、溝３８３（画素部分に対応）の
幅は０．２ｍｍとする。同様の方法で合金基板３６の他
方の表面にも第２図（Ｃ）に示すような絶縁［３８°を
形成する。その後、このように加工して絶縁処理された
合金基板３６の上に第２図（Ｄ）に示すように、約１０
００人の厚みでニッケル膜によるフォトレジストパター
ンマスク４０を蒸着によって形成する。このマスク４０
は後にのべるタングステンフィラメントパターンのネガ
に相当するパターンを有する０次いで、このマスク４０
上に直流スパッタリング法によってタングステン膜を１
．０Ｂｍで蒸着した後、タングステン膜をＣＦ ４ ／
０２による反応性イオンエツチングによって１０ｐｍ
の幅の第２図（Ｅ）で示すフィラメントパターン４２と
する。このフィラメントパターン４２は、通電加熱時に
フィラメントパターン４２の撓み、変形を防ぐために８
００℃で約２時間真空アニールするのが好ましい、最後
に、全体を塩化第二鉄の硝酸溶液に浸し溶液を充分に攪
拌しながら２時間程度合金基板３６を化学エツチングし
て第２図（Ｆ）に示すように、フィラメントパターン４
２が懸架されるストライプ状になるように空孔部３６ａ
を形成してフィラメント電極３４を完成する。
幅は０．０５ｍｍとし、溝３８３（画素部分に対応）の
幅は０．２ｍｍとする。同様の方法で合金基板３６の他
方の表面にも第２図（Ｃ）に示すような絶縁［３８°を
形成する。その後、このように加工して絶縁処理された
合金基板３６の上に第２図（Ｄ）に示すように、約１０
００人の厚みでニッケル膜によるフォトレジストパター
ンマスク４０を蒸着によって形成する。このマスク４０
は後にのべるタングステンフィラメントパターンのネガ
に相当するパターンを有する０次いで、このマスク４０
上に直流スパッタリング法によってタングステン膜を１
．０Ｂｍで蒸着した後、タングステン膜をＣＦ ４ ／
０２による反応性イオンエツチングによって１０ｐｍ
の幅の第２図（Ｅ）で示すフィラメントパターン４２と
する。このフィラメントパターン４２は、通電加熱時に
フィラメントパターン４２の撓み、変形を防ぐために８
００℃で約２時間真空アニールするのが好ましい、最後
に、全体を塩化第二鉄の硝酸溶液に浸し溶液を充分に攪
拌しながら２時間程度合金基板３６を化学エツチングし
て第２図（Ｆ）に示すように、フィラメントパターン４
２が懸架されるストライプ状になるように空孔部３６ａ
を形成してフィラメント電極３４を完成する。
第３図（Ａ）乃至（Ｅ）は制御電極２８，３０を形成す
る方法を順次に示す、先ず第３図（Ａ）に示すように、
例えば、５０ＩＬｍの４２６合金基板（金Ｎ薄板）４４
を用意し、この上に通常のフォトリソグラフィー法によ
ってリフトオフを行なって第３図（Ｂ）に示すように合
金ノ＾板４４の一方の表面に厚さ２０００人のタングス
テングリッドパターン４６を形成する。このグリッドパ
ターンの幅は０．２ｍｍ、グリッド間のスペースは０．
０５ｍｍとした。その後、第３図（Ｃ）に示すように、
タングステングリッドパターン４６の一端を横切ってレ
ジストパターン４８を２１Ｌｍの厚みで形成し、この上
にＲＦスパッタリング法によって厚みが約ｌＩＬｍのＳ
ｉｎ、の絶縁膜５０を形成してレジストパターン４８を
溶解して第３図（Ｄ）に示すようにタングステングリッ
ドパターン４６の端子部分４６ａを除いて絶縁処理する
。この絶縁処理は、第３図（Ｄ）に示すように、合金基
板４４の反対面にも符号５゛０゛で示すように相対応し
て行なわれる。最後に、全体を塩化第二鉄の硝酸溶液に
浸し溶液を充分に攪拌しながら２時間程度合金基板４４
を化学エツチングして第３図（Ｅ）に示すように、グリ
ッドパターン４６が露出されるストライプ状になるよう
に空孔部４４ａを形成して制御電極２８．３０を完成す
る。尚、この例ではグリッドパターン４６を形成するグ
リッド材料としてタングステンを用いたが、４２６合金
基板を化学エツチングする塩化第二鉄溶液、塩化第二鉄
／硝酸、塩酸／硝酸第１水銀／水の如きエツチング液に
侵されない低抵抗材料であるＭｏ、Ｔａ等の他のグリッ
ド材料を用いることができる。
る方法を順次に示す、先ず第３図（Ａ）に示すように、
例えば、５０ＩＬｍの４２６合金基板（金Ｎ薄板）４４
を用意し、この上に通常のフォトリソグラフィー法によ
ってリフトオフを行なって第３図（Ｂ）に示すように合
金ノ＾板４４の一方の表面に厚さ２０００人のタングス
テングリッドパターン４６を形成する。このグリッドパ
ターンの幅は０．２ｍｍ、グリッド間のスペースは０．
０５ｍｍとした。その後、第３図（Ｃ）に示すように、
タングステングリッドパターン４６の一端を横切ってレ
ジストパターン４８を２１Ｌｍの厚みで形成し、この上
にＲＦスパッタリング法によって厚みが約ｌＩＬｍのＳ
ｉｎ、の絶縁膜５０を形成してレジストパターン４８を
溶解して第３図（Ｄ）に示すようにタングステングリッ
ドパターン４６の端子部分４６ａを除いて絶縁処理する
。この絶縁処理は、第３図（Ｄ）に示すように、合金基
板４４の反対面にも符号５゛０゛で示すように相対応し
て行なわれる。最後に、全体を塩化第二鉄の硝酸溶液に
浸し溶液を充分に攪拌しながら２時間程度合金基板４４
を化学エツチングして第３図（Ｅ）に示すように、グリ
ッドパターン４６が露出されるストライプ状になるよう
に空孔部４４ａを形成して制御電極２８．３０を完成す
る。尚、この例ではグリッドパターン４６を形成するグ
リッド材料としてタングステンを用いたが、４２６合金
基板を化学エツチングする塩化第二鉄溶液、塩化第二鉄
／硝酸、塩酸／硝酸第１水銀／水の如きエツチング液に
侵されない低抵抗材料であるＭｏ、Ｔａ等の他のグリッ
ド材料を用いることができる。
また、フィラメント電極３４及び制御電極２８．３０の
４２６合金基板３６．４４の絶縁膜として上記実施例で
はＳｉｎ、を用いたが、この基板３６．４４を化学エツ
チングする塩化第二鉄溶液、塩化第二鉄／硝酸、塩酸／
硝酸第１水銀／水の如きエツチング液に侵されない５ｔ
ＯＮ、Ｓｉ３Ｎ、等の酸化物、窒化物を用いてもよい。
４２６合金基板３６．４４の絶縁膜として上記実施例で
はＳｉｎ、を用いたが、この基板３６．４４を化学エツ
チングする塩化第二鉄溶液、塩化第二鉄／硝酸、塩酸／
硝酸第１水銀／水の如きエツチング液に侵されない５ｔ
ＯＮ、Ｓｉ３Ｎ、等の酸化物、窒化物を用いてもよい。
このようにフィラメント電極３４及び制御電極２８．３
０を絶縁処理された基板の上に難溶解性金属薄膜を直接
パターニングして形成すると、フィラメントまたはグリ
ッドを絶縁基板に貼り合せる作業を必要としないので上
記の実施例で示すように、０．０５ｍｍの如き狭い間隔
で多数の画素を高密度で得ることができる上にフィラメ
ント材料及びグリッド材料は高い密着力で基板に取付け
られ、従って高い精細度のフィラメント電極３４及び制
御電極２８．３０を高い歩留りで得ることができる。ま
た、フィラメント電極３４は従来の断面積である１０〜
５０ＪＬＩＴＩ２のｌ／１０〜１１５０と極めて小さな
断面積で薄く形成することかできるのでその熱容量を小
さくして消費電力を低く抑えることができる。これに関
して例えば６４ｘ６４画素のセル型表示パネルについて
従来の消費電力は２０ｗ／パネルであったのが１本発明
では消費電力は３〜５ｗ／パネルと従来のｌ／６〜１／
３に抑えることがてきた。
０を絶縁処理された基板の上に難溶解性金属薄膜を直接
パターニングして形成すると、フィラメントまたはグリ
ッドを絶縁基板に貼り合せる作業を必要としないので上
記の実施例で示すように、０．０５ｍｍの如き狭い間隔
で多数の画素を高密度で得ることができる上にフィラメ
ント材料及びグリッド材料は高い密着力で基板に取付け
られ、従って高い精細度のフィラメント電極３４及び制
御電極２８．３０を高い歩留りで得ることができる。ま
た、フィラメント電極３４は従来の断面積である１０〜
５０ＪＬＩＴＩ２のｌ／１０〜１１５０と極めて小さな
断面積で薄く形成することかできるのでその熱容量を小
さくして消費電力を低く抑えることができる。これに関
して例えば６４ｘ６４画素のセル型表示パネルについて
従来の消費電力は２０ｗ／パネルであったのが１本発明
では消費電力は３〜５ｗ／パネルと従来のｌ／６〜１／
３に抑えることがてきた。
（発明の効果）
本発明によれば、上記のように、高い精細度で消費電力
が低く、高い生産性でフィラメント電極及び制御電極を
形成することができる実益がある。
が低く、高い生産性でフィラメント電極及び制御電極を
形成することができる実益がある。
第１図は本発明の方法によって製造される蛍光表示パネ
ルの分解斜視図、第２図（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明の方
法によって形成されるフィラメント電極の製造工程を順
次示す斜視図、第３図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明の方法
によって形成される制御電極の製造工程を順次示す斜視
図である。 １０−−−−一蛍光表示パネル、２８．３０−一一一一
制御電極、３２−−−−−フィラメント電極、３６．４
４−一−−−４２６合金基板、３６ａ、４４ａ−−−−
一空孔部、３８．３８’、５０．５０°−一一−−絶縁
膜、４２−一一一一フィラメントパターン、４６−−−
−−グリツドパターン。 第１図 １／’１ 第３図 （Ａ） （Ｂ＋ （Ｃ１ （Ｄ） Δ１ｑ ？’ｒ（１ ５０′−
ルの分解斜視図、第２図（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明の方
法によって形成されるフィラメント電極の製造工程を順
次示す斜視図、第３図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明の方法
によって形成される制御電極の製造工程を順次示す斜視
図である。 １０−−−−一蛍光表示パネル、２８．３０−一一一一
制御電極、３２−−−−−フィラメント電極、３６．４
４−一−−−４２６合金基板、３６ａ、４４ａ−−−−
一空孔部、３８．３８’、５０．５０°−一一−−絶縁
膜、４２−一一一一フィラメントパターン、４６−−−
−−グリツドパターン。 第１図 １／’１ 第３図 （Ａ） （Ｂ＋ （Ｃ１ （Ｄ） Δ１ｑ ？’ｒ（１ ５０′−
Claims (1)
- フェースガラスと、前記フェースガラスの上に設けられ
た陽極電極と蛍光体層と、前記蛍光体層の上に相互にス
ペーサを介して取付けられた制御電極及びフィラメント
電極とを含む電極群と、前記電極群の上にスペーサを介
して取付けられた裏面基板とから成る蛍光表示パネルに
おいて、前記制御電極及びフィラメント電極は絶縁処理
された金属薄板に難溶解性金属薄膜のグリッドパターン
またはフィラメントパターンを形成した後前記グリッド
パターンまたはフィラメントパターンが露出されるよう
に前記金属薄板を化学エッチングして形成することを特
徴とする蛍光表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19152988A JPH0240831A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 蛍光表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19152988A JPH0240831A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 蛍光表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240831A true JPH0240831A (ja) | 1990-02-09 |
Family
ID=16276184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19152988A Pending JPH0240831A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 蛍光表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0240831A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8678525B2 (en) | 2005-04-28 | 2014-03-25 | Julius Blum Gmbh | Furniture item |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP19152988A patent/JPH0240831A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8678525B2 (en) | 2005-04-28 | 2014-03-25 | Julius Blum Gmbh | Furniture item |
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