JPH0240146A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
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- JPH0240146A JPH0240146A JP19078588A JP19078588A JPH0240146A JP H0240146 A JPH0240146 A JP H0240146A JP 19078588 A JP19078588 A JP 19078588A JP 19078588 A JP19078588 A JP 19078588A JP H0240146 A JPH0240146 A JP H0240146A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的に情報の記録、再生および消去等を行
う光メモリ素子の製造方法に関するものである。
う光メモリ素子の製造方法に関するものである。
近年、大容量、高密度、高速アクセス化の可能な光メモ
リ素子の研究開発が活発に行われている。この種の光メ
モリ素子には、情報の消去をも可能な単板仕様の光メモ
リ素子が知られている。
リ素子の研究開発が活発に行われている。この種の光メ
モリ素子には、情報の消去をも可能な単板仕様の光メモ
リ素子が知られている。
上記の光メモリ素子は、第３図に示すように、透明基板
１と、この透明基板１上に設けられた記録層２と、この
記録層２上に設けられ、記録層２を保護する保護樹脂層
３とを備えている。上記の透明基板１は、ガラス、アク
リル、ポリカーボネイトあるいはエポキシ等の樹脂材料
からなる。記録層２は、単層磁性膜もしくは誘電体膜、
磁性膜および反射膜等の積層された多層構造をなしてい
る。
１と、この透明基板１上に設けられた記録層２と、この
記録層２上に設けられ、記録層２を保護する保護樹脂層
３とを備えている。上記の透明基板１は、ガラス、アク
リル、ポリカーボネイトあるいはエポキシ等の樹脂材料
からなる。記録層２は、単層磁性膜もしくは誘電体膜、
磁性膜および反射膜等の積層された多層構造をなしてい
る。
一方、保護樹脂層３は、記録層２に傷および埃等が付着
するのを防止する他、記録層２の酸化を防止する等、重
要な役割を有している。従って、保護樹脂層３に要求さ
れる機能としては、傷の付き難い高い耐傷性および硬度
を有すると共に、高い耐薬品性を有し、さらに、記録層
２への水分の浸入を防止する高い耐水性および耐湿性を
有すること等が挙げられる。保護樹脂層３の材料として
は、作業性、装置コストおよびプロセス時間等の点で有
利である紫外線硬化型の樹脂（以下ＵＶ樹脂と称する）
が多用されている。そして、保護樹脂層３は、上記のＵ
Ｖ樹脂を主にスピンコード法により記録層２上に塗布し
、その後、ＵＶ樹脂層の表面側から紫外線を照射して硬
化させることにより形成されている。
するのを防止する他、記録層２の酸化を防止する等、重
要な役割を有している。従って、保護樹脂層３に要求さ
れる機能としては、傷の付き難い高い耐傷性および硬度
を有すると共に、高い耐薬品性を有し、さらに、記録層
２への水分の浸入を防止する高い耐水性および耐湿性を
有すること等が挙げられる。保護樹脂層３の材料として
は、作業性、装置コストおよびプロセス時間等の点で有
利である紫外線硬化型の樹脂（以下ＵＶ樹脂と称する）
が多用されている。そして、保護樹脂層３は、上記のＵ
Ｖ樹脂を主にスピンコード法により記録層２上に塗布し
、その後、ＵＶ樹脂層の表面側から紫外線を照射して硬
化させることにより形成されている。
ところが、上記のようにＵＶ樹脂によって保護樹脂層３
を形成する場合には、ＵＶ樹脂層における紫外線照射後
の硬化状態の良否が光メモリ素子の品質、特に長期信転
性を大きく左右する。即ち、保護樹脂層３は、硬化が不
十分な状態では本来の機能を発揮し得す、例えば、水分
等が容易に保護樹脂層３中に浸入し、記録層２の酸化お
よび腐蝕を引き起こすことになる。
を形成する場合には、ＵＶ樹脂層における紫外線照射後
の硬化状態の良否が光メモリ素子の品質、特に長期信転
性を大きく左右する。即ち、保護樹脂層３は、硬化が不
十分な状態では本来の機能を発揮し得す、例えば、水分
等が容易に保護樹脂層３中に浸入し、記録層２の酸化お
よび腐蝕を引き起こすことになる。
そして、上記従来の製造方法では、第４図に示すように
、保護樹脂層３における紫外線Ａを照射した側の表面近
傍部位３ａは、照射される紫外線の強度が大きく、良好
な硬化状態が得られるのに対し、記録層２側の界面近傍
部位３ｂは、表面近傍部位３ａ側に紫外線が吸収されて
しまうことにより、照射される紫外線の強度が小さく、
表面近傍部位３ａと比較して硬化状態が不十分となる。
、保護樹脂層３における紫外線Ａを照射した側の表面近
傍部位３ａは、照射される紫外線の強度が大きく、良好
な硬化状態が得られるのに対し、記録層２側の界面近傍
部位３ｂは、表面近傍部位３ａ側に紫外線が吸収されて
しまうことにより、照射される紫外線の強度が小さく、
表面近傍部位３ａと比較して硬化状態が不十分となる。
この結果、保護樹脂層３による記録層２に対しての保護
機能は不十分なものとなり、前述のように、記録層２の
酸化および腐食が進行し易くなる。
機能は不十分なものとなり、前述のように、記録層２の
酸化および腐食が進行し易くなる。
また、保護樹脂層３の硬化が不十分であるために、保護
樹脂層３中のモノマーが拡散および運動を行い、モノマ
ー成分が記録層２に悪影響を及ぼす虞れがある等の問題
点を有している。
樹脂層３中のモノマーが拡散および運動を行い、モノマ
ー成分が記録層２に悪影響を及ぼす虞れがある等の問題
点を有している。
本発明の光メモリ素子の製造方法は、上記の課題を解決
するために、基板上に記録層を設け、この記録層の上に
紫外線硬化型樹脂層を配した後、この紫外線硬化型樹脂
層に紫外線を照射して硬化させ、記録層を保護する保護
樹脂層を形成する光メモリ素子の製造方法において、上
記の紫外線硬化型樹脂層には、紫外線硬化型樹脂層の表
面側と裏面側とから紫外線を照射する構成である。
するために、基板上に記録層を設け、この記録層の上に
紫外線硬化型樹脂層を配した後、この紫外線硬化型樹脂
層に紫外線を照射して硬化させ、記録層を保護する保護
樹脂層を形成する光メモリ素子の製造方法において、上
記の紫外線硬化型樹脂層には、紫外線硬化型樹脂層の表
面側と裏面側とから紫外線を照射する構成である。
上記の構成によれば、紫外線硬化型樹脂層に紫外線を照
射して硬化させることにより保護樹脂層を形成する際に
、紫外線硬化型樹脂層の表面側と裏面側とから紫外線を
照射している。従って、保護樹脂層は表面近傍部位から
記録層側の界面近傍部位にかけてほぼ均一かつ良好な硬
化状態を得ることができる。
射して硬化させることにより保護樹脂層を形成する際に
、紫外線硬化型樹脂層の表面側と裏面側とから紫外線を
照射している。従って、保護樹脂層は表面近傍部位から
記録層側の界面近傍部位にかけてほぼ均一かつ良好な硬
化状態を得ることができる。
本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて以下
に説明する。
に説明する。
本発明の製造方法によって製造される光メモリ素子は、
第１図に示すように、透明基板であるガラス基板１１と
、このガラス基板１１上に設けられた記録層１２と、こ
の記録層１２上に設けられた紫外線硬化型樹脂（以下Ｕ
Ｖ樹脂と称する）からなる保護樹脂層１３とを備えてい
る。上記の記録層１２は多層構造をなしており、ガラス
基板１１側から順次積層された図示しない、第１透明誘
電体膜、希土類遷移金属合金薄膜、第２透明誘電体膜お
よび金属反射膜から構成されている。
第１図に示すように、透明基板であるガラス基板１１と
、このガラス基板１１上に設けられた記録層１２と、こ
の記録層１２上に設けられた紫外線硬化型樹脂（以下Ｕ
Ｖ樹脂と称する）からなる保護樹脂層１３とを備えてい
る。上記の記録層１２は多層構造をなしており、ガラス
基板１１側から順次積層された図示しない、第１透明誘
電体膜、希土類遷移金属合金薄膜、第２透明誘電体膜お
よび金属反射膜から構成されている。
上記の構造において、光メモリ素子の製造方法を以下に
説明する。
説明する。
光メモリ素子の製造に際しては、先ずガラス基板１１を
用意し、このガラス基板１１上に記録層１２を形成した
。次に、記録層１２上にＵＶ樹脂を塗布し、厚さ１０μ
ｍのＵＶ樹脂層を配した。
用意し、このガラス基板１１上に記録層１２を形成した
。次に、記録層１２上にＵＶ樹脂を塗布し、厚さ１０μ
ｍのＵＶ樹脂層を配した。
次に、このＵＶ樹脂層の表面側から実線で示すように紫
外線Ａを照射した。その後、光メモリ素子を裏返し、さ
らに裏側、即ちガラス基板１１側から破線で示すように
ＵＶ樹脂層へ紫外線Ａを照射した。このようにＵＶ樹脂
層の表面側と裏面側とから紫外線Ａを照射することによ
りＵＶ樹脂層を硬化させて保護樹脂層１３を形成し、光
メモリ素子を得た。
外線Ａを照射した。その後、光メモリ素子を裏返し、さ
らに裏側、即ちガラス基板１１側から破線で示すように
ＵＶ樹脂層へ紫外線Ａを照射した。このようにＵＶ樹脂
層の表面側と裏面側とから紫外線Ａを照射することによ
りＵＶ樹脂層を硬化させて保護樹脂層１３を形成し、光
メモリ素子を得た。
次に、上述の本発明の製造方法により作製した光メモリ
素子（以下本光メモリ素子と称する）と、この本光メモ
リ素子に対する比較用光メモリ素子とを用意し、これら
両光メモリ素子における記録層１２の腐食状態、即ち記
録層１２に対する保護樹脂層１３の保護機能を環境試験
を行うことにより比較した。
素子（以下本光メモリ素子と称する）と、この本光メモ
リ素子に対する比較用光メモリ素子とを用意し、これら
両光メモリ素子における記録層１２の腐食状態、即ち記
録層１２に対する保護樹脂層１３の保護機能を環境試験
を行うことにより比較した。
比較用光メモリ素子は本光メモリ素子と同一の構造を有
している。但し、保護樹脂層１３を形成する工程におい
て、ＵＶ樹脂層の表面側からのみ紫外線を照射する従来
の製造方法によりＵＶ樹脂層を硬化させ、保護樹脂層１
３を得ている。また、この環境試験に供した本光メモリ
素子と比較用光メモリ素子とにおいては、比較が容易で
あるように、保護樹脂層１３の樹脂材料として比較的耐
湿性の低い材料を使用している。
している。但し、保護樹脂層１３を形成する工程におい
て、ＵＶ樹脂層の表面側からのみ紫外線を照射する従来
の製造方法によりＵＶ樹脂層を硬化させ、保護樹脂層１
３を得ている。また、この環境試験に供した本光メモリ
素子と比較用光メモリ素子とにおいては、比較が容易で
あるように、保護樹脂層１３の樹脂材料として比較的耐
湿性の低い材料を使用している。
環境試験における試験条件は、一般にプレッシャークツ
カーテストと呼ばれる条件を採用し、温度−１２０°Ｃ
１湿度−２気圧・１００％Ｒ，Ｈ，、試験時間−６０時
間、に設定した。この条件では、２気圧かつ１００％Ｒ
，Ｈ，下に光メモリ素子が置かれるので、水分が保護樹
脂層１３中に非常に浸入し易く、早い段階で結果が得ら
れるようになっている。
カーテストと呼ばれる条件を採用し、温度−１２０°Ｃ
１湿度−２気圧・１００％Ｒ，Ｈ，、試験時間−６０時
間、に設定した。この条件では、２気圧かつ１００％Ｒ
，Ｈ，下に光メモリ素子が置かれるので、水分が保護樹
脂層１３中に非常に浸入し易く、早い段階で結果が得ら
れるようになっている。
試験に際しては、上記の条件下に来光メモリ素子と比較
用光メモリ素子とを置いた後、両光メモリ素子における
記録層１２の腐食状態を比較した。その結果を第１表に
示す。この比較にあたっては、記録層１２を目視または
光学顕微鏡によって観察し、腐食の発生個数を調べた。
用光メモリ素子とを置いた後、両光メモリ素子における
記録層１２の腐食状態を比較した。その結果を第１表に
示す。この比較にあたっては、記録層１２を目視または
光学顕微鏡によって観察し、腐食の発生個数を調べた。
記録層１２の腐食は主にピンホールと呼ばれる円状の膜
腐食であり、そのサイズは大きなものでも直径０．１ｍ
ｍ以下である。
腐食であり、そのサイズは大きなものでも直径０．１ｍ
ｍ以下である。
第１表
第１表の結果より、本光メモリ素子では、比較用光メモ
リ素子に較べてピンホール発生個数が少なくなっている
。これにより、膜腐食が減少しており、素子の信頼性の
向上されていることが分かる。これは、前述のように、
紫外線をＵＶ樹脂層の表面側からだけでなく裏側からも
照射して保護樹脂層１３を得ていることにより、保護樹
脂層１３の表面近傍部位ばかりでなく、記録層１２との
界面近傍部位においても確実に硬化が行われ、保護樹脂
層１３全体として均一かつ良好な硬化状態が得られてい
ることによるものである。
リ素子に較べてピンホール発生個数が少なくなっている
。これにより、膜腐食が減少しており、素子の信頼性の
向上されていることが分かる。これは、前述のように、
紫外線をＵＶ樹脂層の表面側からだけでなく裏側からも
照射して保護樹脂層１３を得ていることにより、保護樹
脂層１３の表面近傍部位ばかりでなく、記録層１２との
界面近傍部位においても確実に硬化が行われ、保護樹脂
層１３全体として均一かつ良好な硬化状態が得られてい
ることによるものである。
尚、紫外線を照射して保護樹脂層１３を硬化させる方法
としては、上記の実施例に示したように、ＵＶ樹脂層に
表面側と裏面側とから交互に紫外線を照射する方法に限
定されることなく、例えば、第２図に示すように、ＵＶ
樹脂層の表面側と裏面側とから同時に紫外線Ａを照射し
て保護樹脂層１３を形成する構成としてもよい。このよ
うな構成では、前記の実施例に較べて紫外線照射装置が
複雑になるものの、紫外線の照射プロセス時間を半減し
得るという利点がある。
としては、上記の実施例に示したように、ＵＶ樹脂層に
表面側と裏面側とから交互に紫外線を照射する方法に限
定されることなく、例えば、第２図に示すように、ＵＶ
樹脂層の表面側と裏面側とから同時に紫外線Ａを照射し
て保護樹脂層１３を形成する構成としてもよい。このよ
うな構成では、前記の実施例に較べて紫外線照射装置が
複雑になるものの、紫外線の照射プロセス時間を半減し
得るという利点がある。
〔発明の効果〕
本発明の光メモリ素子の製造方法は、以上のように、基
板上に記録層を設け、この記録層の上に紫外線硬化型樹
脂層を配した後、この紫外線硬化型樹脂層に紫外線を照
射して硬化させ、記録層を保護する保護樹脂層を形成す
る光メモリ素子の製造方法において、上記の紫外線硬化
型樹脂層には、紫外線硬化型樹脂層の表面側と裏面側と
から紫外線を照射する構成である。
板上に記録層を設け、この記録層の上に紫外線硬化型樹
脂層を配した後、この紫外線硬化型樹脂層に紫外線を照
射して硬化させ、記録層を保護する保護樹脂層を形成す
る光メモリ素子の製造方法において、上記の紫外線硬化
型樹脂層には、紫外線硬化型樹脂層の表面側と裏面側と
から紫外線を照射する構成である。
それゆえ、紫外線硬化型樹脂層に紫外線を照射すること
により形成される保護樹脂層は、層全体にわたって均一
かつ良好な硬化状態を得ることができる。これにより、
保護樹脂層は記録層に対する高い保護機能を備えること
ができ、高い信頼性を有する高品質の光メモリ素子を得
ることができるという効果を奏する。
により形成される保護樹脂層は、層全体にわたって均一
かつ良好な硬化状態を得ることができる。これにより、
保護樹脂層は記録層に対する高い保護機能を備えること
ができ、高い信頼性を有する高品質の光メモリ素子を得
ることができるという効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示すものであって、断面で
示した光メモリ素子への紫外線の照射方法を示す説明図
、第２図は本発明の他の実施例を示すものであって、断
面で示した光メモリ素子への紫外線の照射方法を示す説
明図、第３図および第４図は従来例を示すものであって
、第３図は光メモリ素子を示す縦断面図、第４図は紫外
線照射による保護樹脂層の硬化状態の説明に供する説明
図である。 １１はガラス基板（透明基板）、１２は記録層１３は保
護樹脂層である。 菓 図 令 ↑ 牛 業 図
示した光メモリ素子への紫外線の照射方法を示す説明図
、第２図は本発明の他の実施例を示すものであって、断
面で示した光メモリ素子への紫外線の照射方法を示す説
明図、第３図および第４図は従来例を示すものであって
、第３図は光メモリ素子を示す縦断面図、第４図は紫外
線照射による保護樹脂層の硬化状態の説明に供する説明
図である。 １１はガラス基板（透明基板）、１２は記録層１３は保
護樹脂層である。 菓 図 令 ↑ 牛 業 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に記録層を設け、この記録層の上に紫外線硬
化型樹脂層を配した後、この紫外線硬化型樹脂層に紫外
線を照射して硬化させ、記録層を保護する保護樹脂層を
形成する光メモリ素子の製造方法において、 上記の紫外線硬化型樹脂層には、紫外線硬化型樹脂層の
表面側と裏面側とから紫外線を照射することを特徴とす
る光メモリ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19078588A JPH0240146A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 光メモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19078588A JPH0240146A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240146A true JPH0240146A (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=16263698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19078588A Pending JPH0240146A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0240146A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0836182A2 (en) * | 1996-10-11 | 1998-04-15 | Wea Manufacturing Inc. | Methods for bonding structurally dissimilar optical discs |
| JP2009072903A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-04-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 電動工具および変速機構 |
| JP4861414B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2012-01-25 | ツェットエフ、フリードリッヒスハーフェン、アクチエンゲゼルシャフト | 自動変速機 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP19078588A patent/JPH0240146A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0836182A2 (en) * | 1996-10-11 | 1998-04-15 | Wea Manufacturing Inc. | Methods for bonding structurally dissimilar optical discs |
| EP0836182A3 (en) * | 1996-10-11 | 1998-11-11 | Wea Manufacturing Inc. | Methods for bonding structurally dissimilar optical discs |
| US5900098A (en) * | 1996-10-11 | 1999-05-04 | Wea Manufacturing Inc. | Methods for bonding structurally dissimilar optical discs |
| JP4861414B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2012-01-25 | ツェットエフ、フリードリッヒスハーフェン、アクチエンゲゼルシャフト | 自動変速機 |
| JP2009072903A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-04-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 電動工具および変速機構 |
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