JPH0312836A - 光ディスク及びその製造方法 - Google Patents
光ディスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0312836A JPH0312836A JP1148851A JP14885189A JPH0312836A JP H0312836 A JPH0312836 A JP H0312836A JP 1148851 A JP1148851 A JP 1148851A JP 14885189 A JP14885189 A JP 14885189A JP H0312836 A JPH0312836 A JP H0312836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plastic substrate
- fluorine gas
- plastic
- optical disc
- fluorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 37
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 241000226585 Antennaria plantaginifolia Species 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- FOPBMNGISYSNED-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Tb] Chemical compound [Fe].[Co].[Tb] FOPBMNGISYSNED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- JSUSQWYDLONJAX-UHFFFAOYSA-N iron terbium Chemical compound [Fe].[Tb] JSUSQWYDLONJAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンパクトディスクや光磁気効果を利用して
情報の書込や読み出しを行う光磁気ディスクなどの光デ
ィスク及びその製造方法に関する。
情報の書込や読み出しを行う光磁気ディスクなどの光デ
ィスク及びその製造方法に関する。
光ディスクは、高密度、大容量の情報を記録することが
でき、コンパクトディスク(CD)やビデオディスクと
して実用化されている。また、テルビウム鉄コバルト(
T e F e Co ) 、カt”Jニウムテルビウ
ム鉄(GdTeFe)などの光磁気効果を有する非晶質
金属磁性膜を有する光磁気ディスクは、情報の書き換え
が可能なメモリとして大きな注目を集めている。
でき、コンパクトディスク(CD)やビデオディスクと
して実用化されている。また、テルビウム鉄コバルト(
T e F e Co ) 、カt”Jニウムテルビウ
ム鉄(GdTeFe)などの光磁気効果を有する非晶質
金属磁性膜を有する光磁気ディスクは、情報の書き換え
が可能なメモリとして大きな注目を集めている。
光ディスクは、レーザ光を用いて情報の読み出しを行う
ようになっているため、一般にポリメチルメタクリレー
ト(PMMA)やポリカーボネー1〜(pc)などの透
明なプラスチックの円板(プラスチック基板)の−側面
に、レーザ光を反射させる金属からなる反射膜を形成し
、他側面から入射したレーザ光を反射膜で反射し、反射
したレザ光を検出して情報を読み取るようになっている
。
ようになっているため、一般にポリメチルメタクリレー
ト(PMMA)やポリカーボネー1〜(pc)などの透
明なプラスチックの円板(プラスチック基板)の−側面
に、レーザ光を反射させる金属からなる反射膜を形成し
、他側面から入射したレーザ光を反射膜で反射し、反射
したレザ光を検出して情報を読み取るようになっている
。
従って、CDに代表される単板型光ディスクにおいては
、プラスチック基板の反射膜が形成してある一側面と、
レーザ光が入射する他側面とでは耐水性、耐吸湿性に相
違が生じ、周囲の湿度の変化に伴って、反射膜を形成し
ていない他側面が吸湿して膨張したり、乾燥して収縮を
し、光ディスクが反ってしまい、ミクロンオーダの精度
が要求される光ディスクの信頼性を損なう欠点があった
。
、プラスチック基板の反射膜が形成してある一側面と、
レーザ光が入射する他側面とでは耐水性、耐吸湿性に相
違が生じ、周囲の湿度の変化に伴って、反射膜を形成し
ていない他側面が吸湿して膨張したり、乾燥して収縮を
し、光ディスクが反ってしまい、ミクロンオーダの精度
が要求される光ディスクの信頼性を損なう欠点があった
。
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされ
たもので、周囲の湿度が変化しても反り変形を生じない
光ディスクを提供することを目的とし、さらに反り変形
を生じない光ディスクを得るのに好適な光ディスクの製
造方法を提供することを目的としている。
たもので、周囲の湿度が変化しても反り変形を生じない
光ディスクを提供することを目的とし、さらに反り変形
を生じない光ディスクを得るのに好適な光ディスクの製
造方法を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明に係る光ディスクは
、プラスチック基板の一側面に反射膜が形成してある光
ディスクにおいて、前記プラスチック基板の他側面をフ
ッ素によって改質したとを特徴としている。
、プラスチック基板の一側面に反射膜が形成してある光
ディスクにおいて、前記プラスチック基板の他側面をフ
ッ素によって改質したとを特徴としている。
この改質によって、プラスチック基板の表面にフッ素化
層が往しるが、これは元々プラスチック基板の一部であ
った水素原子の一部がフッ素原子に置き換わったもので
あり、プラスチック基板にフッ素化合物をコーティング
したものとは明らかに異なる。
層が往しるが、これは元々プラスチック基板の一部であ
った水素原子の一部がフッ素原子に置き換わったもので
あり、プラスチック基板にフッ素化合物をコーティング
したものとは明らかに異なる。
また、上記光ディスクを得るために、本発明に係る光デ
ィスクの製造方法は、成形したプラスチック基板の一側
面に反射膜を形成する工程よ、前記プラスチック基板の
他側面にフッ素ガスを接触させる工程とを含むことを特
徴としている。
ィスクの製造方法は、成形したプラスチック基板の一側
面に反射膜を形成する工程よ、前記プラスチック基板の
他側面にフッ素ガスを接触させる工程とを含むことを特
徴としている。
プラスチック基板にフッ素ガスを接触させる場合、一対
のプラスチック基板を相互に対面させて配置し、両者間
の対向面にフッ素ガスの侵入を防止しつつ、各プラスチ
ック基板にフッ素ガスを接触させるとよい。
のプラスチック基板を相互に対面させて配置し、両者間
の対向面にフッ素ガスの侵入を防止しつつ、各プラスチ
ック基板にフッ素ガスを接触させるとよい。
上記の如く構成した本発明に係る光ディスクは、プラス
チック基板のレーザ光が入射する他側面が、フッ素化さ
れたことにより表面が疎水化され、耐水性、耐透湿が付
与されるとともに、低屈折率となる。従って、プラスチ
ック基板の反射膜と反対側の他側面における吸湿、乾燥
がなくなり、光ディスクの反り変形を防くことができる
。また、プラスチック基板の他側面は、低屈折率となる
ため、入射するレーザ光の表面における反射が少なくな
り、CN比(搬送波対雑音比)を大きくすることができ
る。
チック基板のレーザ光が入射する他側面が、フッ素化さ
れたことにより表面が疎水化され、耐水性、耐透湿が付
与されるとともに、低屈折率となる。従って、プラスチ
ック基板の反射膜と反対側の他側面における吸湿、乾燥
がなくなり、光ディスクの反り変形を防くことができる
。また、プラスチック基板の他側面は、低屈折率となる
ため、入射するレーザ光の表面における反射が少なくな
り、CN比(搬送波対雑音比)を大きくすることができ
る。
プラスチック基板のフッ素化層は、フッ素化処理したい
面(他側面)をフッ素ガスに接触させることによって容
易に得ることができる。しかも、プラスチック基板の他
側面をフッ素ガスに接触させるだけであるため、多数の
プラスチック基板を一度にバッチ処理することができ、
処理コストが安価となる。
面(他側面)をフッ素ガスに接触させることによって容
易に得ることができる。しかも、プラスチック基板の他
側面をフッ素ガスに接触させるだけであるため、多数の
プラスチック基板を一度にバッチ処理することができ、
処理コストが安価となる。
プラスチック基板のフッ素化処理を行う場合、一対のプ
ラスチック基板を相互に対面させて配置し、両者間の対
向面に前記フッ素ガスの侵入を防止しつつ、各プラスチ
ック基板の他側面をフッ素ガスに接触させれば、フッ素
化処理の効率を向上することができる。
ラスチック基板を相互に対面させて配置し、両者間の対
向面に前記フッ素ガスの侵入を防止しつつ、各プラスチ
ック基板の他側面をフッ素ガスに接触させれば、フッ素
化処理の効率を向上することができる。
本発明に係る光ディスク及びその製造方法の好ましい実
施例を、添付図面に従って詳説する。
施例を、添付図面に従って詳説する。
第1図は、本発明に係る光ディスクの一部断面図である
。
。
第1図において、CDである光ディスク10は、ポリカ
ーボネートからなる透明なプラスチック基板12の一側
面に情報を記録したビット14が形成してあり、他側面
が詳細を後述する方法により形成したフッ素化層16と
なっている。また、プラスチック基板12のビット14
を設けた面には、真空蒸着やスバ・ンタリングにより、
形成した、レーザ光を反射するためのアルミニウムなど
の金属からなる反射膜18が設けである。そして、反射
膜18の上面は、プラスチック保護膜20によって覆っ
てあり、反射膜18が傷つけられるのを防止している。
ーボネートからなる透明なプラスチック基板12の一側
面に情報を記録したビット14が形成してあり、他側面
が詳細を後述する方法により形成したフッ素化層16と
なっている。また、プラスチック基板12のビット14
を設けた面には、真空蒸着やスバ・ンタリングにより、
形成した、レーザ光を反射するためのアルミニウムなど
の金属からなる反射膜18が設けである。そして、反射
膜18の上面は、プラスチック保護膜20によって覆っ
てあり、反射膜18が傷つけられるのを防止している。
このように構成してある光ディスク10は、プラスチッ
ク基板12の一側面であるビット14を形成した面が、
金属からなる反射膜18によって覆われており、この面
からの吸湿、乾燥がない。
ク基板12の一側面であるビット14を形成した面が、
金属からなる反射膜18によって覆われており、この面
からの吸湿、乾燥がない。
また、プラスチック基板12の他側面は、耐水性、耐透
湿性を有するフッ素化層16によって覆われている。従
って、プラスチック基板12の他側面においても吸湿、
乾燥がなくなり、光ディスク10の周囲の湿度が変化し
ても、反り変形を防止でき、光ディスク10の信頼性が
高まる。しかも、フッ素化層16は、屈折率が小さくな
るため、フッ素化層16側に入射してくるレーザ光の反
射率を低下させることができ、CN比の向上が図れる。
湿性を有するフッ素化層16によって覆われている。従
って、プラスチック基板12の他側面においても吸湿、
乾燥がなくなり、光ディスク10の周囲の湿度が変化し
ても、反り変形を防止でき、光ディスク10の信頼性が
高まる。しかも、フッ素化層16は、屈折率が小さくな
るため、フッ素化層16側に入射してくるレーザ光の反
射率を低下させることができ、CN比の向上が図れる。
第2図は、光ディスクをフッ素化処理するための装置を
示したものである。
示したものである。
第2図において、光ディスクを構成するプラスチック基
板を収納するチャンバ22は銅張りとなっており、弁2
4を有する配管26を介して排気管28に接続してある
。排気管28には、開閉弁30が設けてあり、この開閉
弁30の一側にフッ素ガスを吸収するソーダ石灰フィル
タ32と、チャンバ22内のガスを吸引する真空ポンプ
34とが直列に接続してある。また、排気管28には、
ソーダ石灰フィルタ32と並列に弁36を備えたバイパ
ス38が接続してある。
板を収納するチャンバ22は銅張りとなっており、弁2
4を有する配管26を介して排気管28に接続してある
。排気管28には、開閉弁30が設けてあり、この開閉
弁30の一側にフッ素ガスを吸収するソーダ石灰フィル
タ32と、チャンバ22内のガスを吸引する真空ポンプ
34とが直列に接続してある。また、排気管28には、
ソーダ石灰フィルタ32と並列に弁36を備えたバイパ
ス38が接続してある。
一方、排気管28の開閉弁30の他側には、開閉弁40
を有するガス供給管42が接続してある。
を有するガス供給管42が接続してある。
このガス供給管42には、弁44.46を介して、チャ
ンバ22にフッ素ガスを供給するフッ素ガスボンベ48
と、フッ素ガスの濃度を調節するためのヘリウムガスま
たは窒素ガスを充填した不活性ガスボンベ50が接続し
てある。
ンバ22にフッ素ガスを供給するフッ素ガスボンベ48
と、フッ素ガスの濃度を調節するためのヘリウムガスま
たは窒素ガスを充填した不活性ガスボンベ50が接続し
てある。
チャンバ22内に収納される光ディスク10を構成する
プラスチック基板12は、第3図、第4図に示したよう
に2枚が一組にされ、ピットを形成した一側面が相互に
対面させられて密着させられる。そして、これらのプラ
スチック基板12.12の外周部には、周溝52を有す
る密着リング54が嵌着してある。密着リング54は、
例えばゴムやシリコンゴムなどからなり、プラスチック
基板12.12を相互に密着させるとともに、プラスチ
ック基板の外周部から両者間にフッ素ガスが侵入するの
を防止している。
プラスチック基板12は、第3図、第4図に示したよう
に2枚が一組にされ、ピットを形成した一側面が相互に
対面させられて密着させられる。そして、これらのプラ
スチック基板12.12の外周部には、周溝52を有す
る密着リング54が嵌着してある。密着リング54は、
例えばゴムやシリコンゴムなどからなり、プラスチック
基板12.12を相互に密着させるとともに、プラスチ
ック基板の外周部から両者間にフッ素ガスが侵入するの
を防止している。
一方、プラスチック基板12のセンターホール56には
、パツキン58が嵌合してある。パツキン58は、密着
リング54と同様にゴム、シリコンゴムなどによって構
成されている。そして、パツキン58は、外周溝60を
有する糸巻状に形成され、この外周溝60にプラスチッ
ク基板12.12のセンターホール部が嵌入しており、
プラスチック基板12.12のセンターホール部を相互
に密着させるとともに、センターホール部からプラスチ
ック基板12.12間にフッ素ガスが侵入するのを防止
している。
、パツキン58が嵌合してある。パツキン58は、密着
リング54と同様にゴム、シリコンゴムなどによって構
成されている。そして、パツキン58は、外周溝60を
有する糸巻状に形成され、この外周溝60にプラスチッ
ク基板12.12のセンターホール部が嵌入しており、
プラスチック基板12.12のセンターホール部を相互
に密着させるとともに、センターホール部からプラスチ
ック基板12.12間にフッ素ガスが侵入するのを防止
している。
このようにしてピットが形成してある側の面を相互に密
着させられたプラスチック基板12.12の複数組は、
図示しない支持具に支持されて、立てられた状態でチャ
ンバ22内に収納される。
着させられたプラスチック基板12.12の複数組は、
図示しない支持具に支持されて、立てられた状態でチャ
ンバ22内に収納される。
そして、開閉弁40、弁44.46を閉じるとともに、
弁24、開閉弁30、弁36を解放し、真空ポンプ34
を駆動してチャンバ22内の空気を排気してチャンバ2
2内を真空にする。その後、開閉弁30、弁36を閉し
るとともに、開閉弁40、弁44.46を開き、チャン
バ22内に所定量のフッ素ガスと不活性ガスとを導入し
、フッ素ガスをプラスチック基板12に接触させて表面
をフッ素化し、フッ素化層を形成する。
弁24、開閉弁30、弁36を解放し、真空ポンプ34
を駆動してチャンバ22内の空気を排気してチャンバ2
2内を真空にする。その後、開閉弁30、弁36を閉し
るとともに、開閉弁40、弁44.46を開き、チャン
バ22内に所定量のフッ素ガスと不活性ガスとを導入し
、フッ素ガスをプラスチック基板12に接触させて表面
をフッ素化し、フッ素化層を形成する。
このフッ素化層はフッ素ガスとプラスチック基板とが反
応して化学結合し、プラスチック基板の水素原子の一部
がフッ素原子に置き換わり、その置換の割合はプラスチ
ック基板の表面部が最も大きく基板内部に進むにしたが
って小さくなるように形成される。
応して化学結合し、プラスチック基板の水素原子の一部
がフッ素原子に置き換わり、その置換の割合はプラスチ
ック基板の表面部が最も大きく基板内部に進むにしたが
って小さくなるように形成される。
例えば、プラスチック基板12がポリカーボネート樹脂
で構成されている場合はその構成式がから となる。但しRは、CH21”又はC11F 2F 3である。
で構成されている場合はその構成式がから となる。但しRは、CH21”又はC11F 2F 3である。
フッ素化処理の一例を示すと、チャンバ22内をフッ素
ガス760mmHg、ヘリウムガス360m+nHg、
温度20°Cに保持し、1〜10時間プラスチック基板
12のフッ素化処理することにより、数μm〜数101
1mのフッ素化層を形成することができる。
ガス760mmHg、ヘリウムガス360m+nHg、
温度20°Cに保持し、1〜10時間プラスチック基板
12のフッ素化処理することにより、数μm〜数101
1mのフッ素化層を形成することができる。
フッ素化処理が終了した後は、弁44.46、開閉弁4
0を閉じ、開閉弁30を開いて真空ポンプ34を駆動し
、チャンバ22内のガスを吸引する。チャンバ22内の
フッ素とヘリウムとの混合ガスは、ソーダ石灰フィルタ
32を通過する際にフッ素ガスが吸収され、ヘリウムガ
スのみが真空ポンプ34から排出される。
0を閉じ、開閉弁30を開いて真空ポンプ34を駆動し
、チャンバ22内のガスを吸引する。チャンバ22内の
フッ素とヘリウムとの混合ガスは、ソーダ石灰フィルタ
32を通過する際にフッ素ガスが吸収され、ヘリウムガ
スのみが真空ポンプ34から排出される。
このように、チャンバ22内にプラスチック基板12を
収納してフッ素ガスと接触させることにより、−度に多
数のプラスチック基板12を容易にフッ素化処理するこ
とができる。しかも、吸湿防止用の樹脂や薬品を塗布す
るのと異なり、表面に凹凸ができたりすることがない。
収納してフッ素ガスと接触させることにより、−度に多
数のプラスチック基板12を容易にフッ素化処理するこ
とができる。しかも、吸湿防止用の樹脂や薬品を塗布す
るのと異なり、表面に凹凸ができたりすることがない。
また、2枚のプラスチック基板を密着させてフッ素化処
理を行うため、省スペースが図れ、フッ素化処理の効率
を向上できる。
理を行うため、省スペースが図れ、フッ素化処理の効率
を向上できる。
なお、チャンバ22内の雰囲気温度を高(すれば、フッ
素化処理の時間を短縮することができる。
素化処理の時間を短縮することができる。
また、プラスチック基板12を回転させるとともに、プ
ラスチック基板12の表面にレーザ光を照射し、照射位
置をプラスチック基板12の半径方向に移動させてフッ
素化処理する面を加熱して、処理時間の短縮をしてもよ
い。
ラスチック基板12の表面にレーザ光を照射し、照射位
置をプラスチック基板12の半径方向に移動させてフッ
素化処理する面を加熱して、処理時間の短縮をしてもよ
い。
また、第5図に示したように、密着リング54の周溝5
2とパツキン58の外周溝60とに凸条62.64を形
成すると、プラスチック基板12.12が直接接触しな
いため、傷の発生を防止することができる。そして、凸
条62.64の代わりに、別体のスペーサをプラスチッ
ク基板12.12間に配置してもよい。
2とパツキン58の外周溝60とに凸条62.64を形
成すると、プラスチック基板12.12が直接接触しな
いため、傷の発生を防止することができる。そして、凸
条62.64の代わりに、別体のスペーサをプラスチッ
ク基板12.12間に配置してもよい。
第6図、第7回は、一対のプラスチック基板間へのフッ
素ガスの侵入を防止する他の実施例を示したものである
。
素ガスの侵入を防止する他の実施例を示したものである
。
これらの図において、一対のプラスチック基板12.1
2は、ピットを形成した側の面が、ゴムなどからなる弾
性板66を介して相互に対面するように配置されている
。そして、一対のプラスチック基板12.12は、外周
部の複数個所に銅からなるクリップ68が外嵌してある
。クリップ68は、側部が内側に凸となっており、プラ
スチック基板12のフッ素化処理する面の外周部を挾持
し、ピットを形成した側の面を弾性板66に圧接してい
る。本実施例においても、ピットが形成されている一側
面にフッ素ガスが侵入するのを防止することができ、他
側面だけをフッ素化処理することができる。
2は、ピットを形成した側の面が、ゴムなどからなる弾
性板66を介して相互に対面するように配置されている
。そして、一対のプラスチック基板12.12は、外周
部の複数個所に銅からなるクリップ68が外嵌してある
。クリップ68は、側部が内側に凸となっており、プラ
スチック基板12のフッ素化処理する面の外周部を挾持
し、ピットを形成した側の面を弾性板66に圧接してい
る。本実施例においても、ピットが形成されている一側
面にフッ素ガスが侵入するのを防止することができ、他
側面だけをフッ素化処理することができる。
なお、フッ素化処理は、反射膜を形成する前に行っても
よく、反射膜の形成後に行ってもよい。
よく、反射膜の形成後に行ってもよい。
また、前記実施例においては、光ディスク10がCDで
ある場合について説明したが、光ディスク10は、Te
FeCo、GdTeFeなどの光磁気効果を有する非晶
質金属磁性膜を備えた光磁気ディスクであってもよい。
ある場合について説明したが、光ディスク10は、Te
FeCo、GdTeFeなどの光磁気効果を有する非晶
質金属磁性膜を備えた光磁気ディスクであってもよい。
さらに、前記実施例においては、プラスチック基板12
がポリカーボネートである場合について説明したが、ポ
リメチルメタクリレ−1・、ポリスチレン等であっても
よい。
がポリカーボネートである場合について説明したが、ポ
リメチルメタクリレ−1・、ポリスチレン等であっても
よい。
そして、一対のプラスチック基板間へのフッ素ガスの侵
入を防止する方法は、実施例に限定されないことは勿論
である。
入を防止する方法は、実施例に限定されないことは勿論
である。
以上に説明したように、本発明によれば、レーザ光が入
射するプラスチック基板の反射膜が形成されていない他
側面をフッ素によって改質したことにより、他側面にフ
ッ素化層が形成され、反射膜を形成した一側面と同様に
耐水性、耐透湿性を有するため、湿度の変化による反り
変形を防止することができる。
射するプラスチック基板の反射膜が形成されていない他
側面をフッ素によって改質したことにより、他側面にフ
ッ素化層が形成され、反射膜を形成した一側面と同様に
耐水性、耐透湿性を有するため、湿度の変化による反り
変形を防止することができる。
そして、フッ素による改質は、プラスチック基板の表面
をフッ素ガスに接触させることにより容易にでき、また
多数のプラスチック基板を一度に化処理することができ
る。また、一対のプラスチック基板を相互に対面させて
配置し、両者間の対向面にフッ素ガスの侵入を防止しつ
つ、各プラスチック基板の他側面をフッ素ガスに接触さ
せれば、省スペースが図れ、フッ素による改質処理の効
率を向上することができる。
をフッ素ガスに接触させることにより容易にでき、また
多数のプラスチック基板を一度に化処理することができ
る。また、一対のプラスチック基板を相互に対面させて
配置し、両者間の対向面にフッ素ガスの侵入を防止しつ
つ、各プラスチック基板の他側面をフッ素ガスに接触さ
せれば、省スペースが図れ、フッ素による改質処理の効
率を向上することができる。
第1図は本発明の実施例に係る光ディスクの一部断面図
、第2図は本発明の実施例に係る光ディスクの製造方法
を実施する装置の説明図、第3図は一対のプラスチック
基板間へのフッ素ガスの侵入を防止する方法の説明図、
第4図は第3図の■■線に沿う断面図、第5図は密着リ
ングとパツキンとの他の実施例の断面図、第6図は一対
のプラスチック基板間へのフッ素ガスの侵入を防止する
他の方法の説明図、第7図は第6図の■−■線に沿う断
面図である。 10−−−−一部ディスク、12−−−−プラスチック
基板、16−−−−−フツ素化層、18−−−−−−反
射膜、22− チャンバ、32−−−−−ソーダ石灰フ
ィルタ、34−−−−−−真空ポンプ、48−−一一−
−フッ素ガスボンへ、50−−−−一不活性ガスボンベ
、54−−−−−−密着リング、5 B−−−−パツキ
ン、68 −一−−−−クリップ。 5 第 3 図 口■ 第 図 第 図 276− 第 図 r−■ 第 図
、第2図は本発明の実施例に係る光ディスクの製造方法
を実施する装置の説明図、第3図は一対のプラスチック
基板間へのフッ素ガスの侵入を防止する方法の説明図、
第4図は第3図の■■線に沿う断面図、第5図は密着リ
ングとパツキンとの他の実施例の断面図、第6図は一対
のプラスチック基板間へのフッ素ガスの侵入を防止する
他の方法の説明図、第7図は第6図の■−■線に沿う断
面図である。 10−−−−一部ディスク、12−−−−プラスチック
基板、16−−−−−フツ素化層、18−−−−−−反
射膜、22− チャンバ、32−−−−−ソーダ石灰フ
ィルタ、34−−−−−−真空ポンプ、48−−一一−
−フッ素ガスボンへ、50−−−−一不活性ガスボンベ
、54−−−−−−密着リング、5 B−−−−パツキ
ン、68 −一−−−−クリップ。 5 第 3 図 口■ 第 図 第 図 276− 第 図 r−■ 第 図
Claims (3)
- (1)プラスチック基板の一側面に反射膜が形成してあ
る光ディスクにおいて、前記プラスチック基板の他側面
をフッ素によって改質したことを特徴とする光ディスク
。 - (2)成形したプラスチック基板の一側面に反射膜を形
成する工程と、前記プラスチック基板の他側面にフッ素
ガスを接触させる工程とを含むことを特徴とする光ディ
スクの製造方法。 - (3)一対の前記プラスチック基板を相互に対面させて
配置し、両者間の対向面への前記フッ素ガスの侵入を防
止しつつ、前記各プラスチック基板面に前記フッ素ガス
を接触させることを特徴とする請求項2記載の光ディス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1148851A JPH0312836A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光ディスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1148851A JPH0312836A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光ディスク及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0312836A true JPH0312836A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15462158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1148851A Pending JPH0312836A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光ディスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0312836A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1031972A2 (en) * | 1999-02-24 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
KR20080048842A (ko) * | 2006-11-29 | 2008-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 광기록매체 및 그 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59217242A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
JPS60147392A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光情報記録媒体 |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP1148851A patent/JPH0312836A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59217242A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
JPS60147392A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光情報記録媒体 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1031972A2 (en) * | 1999-02-24 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
EP1031972A3 (en) * | 1999-02-24 | 2002-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
US6657948B1 (en) | 1999-02-24 | 2003-12-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
KR20080048842A (ko) * | 2006-11-29 | 2008-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 광기록매체 및 그 제조방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100281611B1 (ko) | 광학 정보 매체와, 그 광학 정보 매체 제조 방법 및 유닛 | |
JPH0312836A (ja) | 光ディスク及びその製造方法 | |
JP2837768B2 (ja) | 光学ディスクに記録するための光学ディスク組立体及びその使用方法 | |
JP2001155383A (ja) | 光記録媒体 | |
CA1235901A (en) | High contrast thin film optical recording medium | |
JP2656985B2 (ja) | 光メモリ素子 | |
JPS60246039A (ja) | 光学式情報担体円盤 | |
JPH0236996A (ja) | 光記録材料用組成物 | |
JPH02289933A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JPH02162547A (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
JPS6159646A (ja) | エア−サンドイツチ型情報記録媒体 | |
JPS63146250A (ja) | 光デイスクの貼り合わせ方法 | |
JPS61258352A (ja) | 光デイスクの貼り合わせ方法 | |
JPS61145741A (ja) | 光デイスク | |
JPS59198547A (ja) | 情報担体デイスク及びその製造方法 | |
JP2004030748A (ja) | 光学記録媒体およびその製造方法 | |
JPS63113828A (ja) | 光デイスク | |
JPS61273761A (ja) | 光磁気デイスク | |
JPH0676372A (ja) | 平滑な樹脂保護膜を有する光学的情報記録媒体の製造方法及びそれによって製造された記録媒体 | |
JPS63316334A (ja) | 光デイスクの接着方法 | |
JPH03207036A (ja) | 光メモリ素子用ガラス基板及びその製造方法 | |
JPS6262444A (ja) | 平板状情報記録担体 | |
JPS63146252A (ja) | 光デイスクの貼り合わせ方法 | |
JPH0410244A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法並びに記録再生装置 | |
JPS63239634A (ja) | 情報記録媒体およびその製造方法 |