JPH0237754A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0237754A JPH0237754A JP18881388A JP18881388A JPH0237754A JP H0237754 A JPH0237754 A JP H0237754A JP 18881388 A JP18881388 A JP 18881388A JP 18881388 A JP18881388 A JP 18881388A JP H0237754 A JPH0237754 A JP H0237754A
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- gel
- casing
- epoxy resin
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- Pending
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパワーモジュール等の外囲ケースを備えた半導
体装置に関するものである。
体装置に関するものである。
従来のこの種の半導体装置は第２図に示すように構成さ
れている。
れている。
第２図は従来のパワーモジュールを示す断面図で、同図
において１は外囲ケースで、この外囲ケースｌは放熱性
の高い材料によって形成されたベース板１ａと、このベ
ース板ｌａ上に接着剤２によって接着された枠部ｔｂと
から構成されている。
において１は外囲ケースで、この外囲ケースｌは放熱性
の高い材料によって形成されたベース板１ａと、このベ
ース板ｌａ上に接着剤２によって接着された枠部ｔｂと
から構成されている。
３は半導体チップで、前記ベース板ｌａ上にセラミック
基板４およびこのセラミック基板４上に接合された電極
５を介して接合されている。６は外部接続電極（図示せ
ず）に接続された電極で、この電極６は前記セラミック
基板４上に形成され、アルミワイヤー７を介して半導体
チップ３の表面電極（図示せず）に接続されている。８
は熱緩衝材としてのゲル剤、９は前記外囲ケース１の開
口部ＩＣを閉塞し封止するためのエポキシ樹脂である。
基板４およびこのセラミック基板４上に接合された電極
５を介して接合されている。６は外部接続電極（図示せ
ず）に接続された電極で、この電極６は前記セラミック
基板４上に形成され、アルミワイヤー７を介して半導体
チップ３の表面電極（図示せず）に接続されている。８
は熱緩衝材としてのゲル剤、９は前記外囲ケース１の開
口部ＩＣを閉塞し封止するためのエポキシ樹脂である。
このように構成された半導体装置を樹脂封止するには、
先ず、半導体チップ３が搭載され組立の終了した外囲ケ
ースｌの開口部１ｃ内にゲル剤８を注入する。この際、
ゲル剤８はその液面が複数のアルミワイヤー７のうちル
ープが最も高いアルミワイヤー７の頂部より２〜３ｆｉ
高くなる迄注入される。そして、この外囲ケースｌをゲ
ル用キュアーオーブン（図示せず）内に入れ、１５０度
で３０分間加熱しゲル剤８を硬化させる。ゲル剤８はゲ
ル用キュアーオーブンに投入される迄に表面張力により
外囲ケース１における枠部１ｂの内側面に沿ってはい上
がり、はい上がり部１０が形成されこの状態で硬化され
る。ゲル剤８が硬化された後エポキシ樹脂９をゲル剤８
の上方に注入し、この外囲ケース１をエポキシ用キュア
ーオーブン（図示せず）内で１５０度で３時間加熱し、
エポキシ樹脂９を熱硬化させて樹脂封止が終了する。
先ず、半導体チップ３が搭載され組立の終了した外囲ケ
ースｌの開口部１ｃ内にゲル剤８を注入する。この際、
ゲル剤８はその液面が複数のアルミワイヤー７のうちル
ープが最も高いアルミワイヤー７の頂部より２〜３ｆｉ
高くなる迄注入される。そして、この外囲ケースｌをゲ
ル用キュアーオーブン（図示せず）内に入れ、１５０度
で３０分間加熱しゲル剤８を硬化させる。ゲル剤８はゲ
ル用キュアーオーブンに投入される迄に表面張力により
外囲ケース１における枠部１ｂの内側面に沿ってはい上
がり、はい上がり部１０が形成されこの状態で硬化され
る。ゲル剤８が硬化された後エポキシ樹脂９をゲル剤８
の上方に注入し、この外囲ケース１をエポキシ用キュア
ーオーブン（図示せず）内で１５０度で３時間加熱し、
エポキシ樹脂９を熱硬化させて樹脂封止が終了する。
しかるに、このように構成された半導体装置においては
、ゲル剤８のはい上がり部１０のために外囲ケース１に
おける枠部１ｂの内側面とエポキシ樹脂９との接着部分
の面積が小さくなる。この状態でエポキシ樹脂９を注入
し熱硬化させると、エポキシ樹脂９の熱収縮のために前
記枠部１ｂの内側面との間に僅かな間隙が生じることが
あった。
、ゲル剤８のはい上がり部１０のために外囲ケース１に
おける枠部１ｂの内側面とエポキシ樹脂９との接着部分
の面積が小さくなる。この状態でエポキシ樹脂９を注入
し熱硬化させると、エポキシ樹脂９の熱収縮のために前
記枠部１ｂの内側面との間に僅かな間隙が生じることが
あった。
〔課題を解決するための手段］
本発明に係る半導体装置は、外囲ケースの内側面に凹凸
を設けたものである。
を設けたものである。
〔作 用］
外囲ケースの凹凸が、熱緩衝剤が外囲ケースの内側面に
沿ってはい上がるのを阻止することによって、封止樹脂
と外囲ケースとの接着部分の面積が増大されると共に、
この凹凸によって外囲ケースの内側面自体の表面積が増
大される。
沿ってはい上がるのを阻止することによって、封止樹脂
と外囲ケースとの接着部分の面積が増大されると共に、
この凹凸によって外囲ケースの内側面自体の表面積が増
大される。
以下、本発明の一実施例を第１図によって詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の半導体装置を示す断面図で、同図にお
いて前記第２図で説明したものと同一もしくは同等部材
については同一符号を付し、ここにおいて詳細な説明は
省略する。第１図において、１１はデインプルで、この
デインプル１１は外囲ケース１の枠部１ｂを成形する際
に同時に形成され、枠部１ｂの内側面全面に形成されて
いる。すなわち、このデインプル１１が形成された外囲
ケースｌ内にゲル剤８を注入すると、ゲル用キュアーオ
ーブン内に投入されるまでにゲル剤８が枠部Ｉｂの内側
面に沿ってはい上がるが、デインプル１１によってはい
上がりにくくなるため、はい上がり量は減少されること
になる。また、このデインプル１１により、外囲ケース
ｌにおける枠部ｌｂ自身の内側面表面積が増大されるこ
とになる。
いて前記第２図で説明したものと同一もしくは同等部材
については同一符号を付し、ここにおいて詳細な説明は
省略する。第１図において、１１はデインプルで、この
デインプル１１は外囲ケース１の枠部１ｂを成形する際
に同時に形成され、枠部１ｂの内側面全面に形成されて
いる。すなわち、このデインプル１１が形成された外囲
ケースｌ内にゲル剤８を注入すると、ゲル用キュアーオ
ーブン内に投入されるまでにゲル剤８が枠部Ｉｂの内側
面に沿ってはい上がるが、デインプル１１によってはい
上がりにくくなるため、はい上がり量は減少されること
になる。また、このデインプル１１により、外囲ケース
ｌにおける枠部ｌｂ自身の内側面表面積が増大されるこ
とになる。
したがって、このように構成された半導体装置において
は、ゲル剤８のはい上がりが抑えられエポキシ樹脂９と
外囲ケースｌとの接着面積が増大されることになり、し
かも外囲ケース１の接着部分の面積も増大されるから、
エポキシ樹脂９は硬化後も外囲ケース１に強固に接着さ
れることになる。
は、ゲル剤８のはい上がりが抑えられエポキシ樹脂９と
外囲ケースｌとの接着面積が増大されることになり、し
かも外囲ケース１の接着部分の面積も増大されるから、
エポキシ樹脂９は硬化後も外囲ケース１に強固に接着さ
れることになる。
なお、本実施例では外囲ケース１における枠部１ｂの内
側面全面にわたり凹凸としてデインプル１１を形成した
例を示したが、デインプル１１は少なくともゲル剤８の
はい上がり部１ｏと対応する部分およびエポキシ樹脂９
の接着部分に形成しておけばよく、上記実施例と同等の
効果が得られる。また、本発明に係る凹凸はデインプル
に限定されるものではなく、例えば外囲ケース１の枠部
１ｂの内側面に開口部１ｃの周方向と平行な凹溝を複数
設けてもよい。
側面全面にわたり凹凸としてデインプル１１を形成した
例を示したが、デインプル１１は少なくともゲル剤８の
はい上がり部１ｏと対応する部分およびエポキシ樹脂９
の接着部分に形成しておけばよく、上記実施例と同等の
効果が得られる。また、本発明に係る凹凸はデインプル
に限定されるものではなく、例えば外囲ケース１の枠部
１ｂの内側面に開口部１ｃの周方向と平行な凹溝を複数
設けてもよい。
さらにまた、外囲ケース１の枠部１ｂの内側面にプライ
マー処理（カップリング剤を外囲ケースｌの内側面に塗
布しておく処理）をエポキシ樹脂９の注入前に行っても
よく、このようにするとエポキシ樹脂９はさらに強固に
接着されることになる。
マー処理（カップリング剤を外囲ケースｌの内側面に塗
布しておく処理）をエポキシ樹脂９の注入前に行っても
よく、このようにするとエポキシ樹脂９はさらに強固に
接着されることになる。
以上説明したように本発明によれば、外囲ケースの内側
面に凹凸を設けたため、外囲ケースの凹凸が、熱緩衝剤
が外囲ケースの内側面に沿ってはい上がるのを阻止する
ことによって、封止樹脂と外囲ケースとの接着部分の面
積が増大されると共に、この凹凸によって外囲ケースの
内側面自体の表面積が増大される。したがって、封止用
樹脂と外囲ケースとの接着面積が増大され、封止用樹脂
は強固に接着されることになるから、外囲ケースと封止
用樹脂との界面剥離の少ない半導体装置が得られる。
面に凹凸を設けたため、外囲ケースの凹凸が、熱緩衝剤
が外囲ケースの内側面に沿ってはい上がるのを阻止する
ことによって、封止樹脂と外囲ケースとの接着部分の面
積が増大されると共に、この凹凸によって外囲ケースの
内側面自体の表面積が増大される。したがって、封止用
樹脂と外囲ケースとの接着面積が増大され、封止用樹脂
は強固に接着されることになるから、外囲ケースと封止
用樹脂との界面剥離の少ない半導体装置が得られる。
第１図は本発明の半導体装置を示す断面図、第２図は従
来の半導体装置を示す断面図である。 ■・・・外囲ケース、３・・・半導体チップ、８・・・
ゲル剤、９・・・エポキシ樹脂、１１・・デインプル。 第１区 外囲ケース キ１１不料ヂッフ゛ ゲルキ１ 工ボ午シ檀１月ｌ テイツプ＋Ｖ 第２Ｚ
来の半導体装置を示す断面図である。 ■・・・外囲ケース、３・・・半導体チップ、８・・・
ゲル剤、９・・・エポキシ樹脂、１１・・デインプル。 第１区 外囲ケース キ１１不料ヂッフ゛ ゲルキ１ 工ボ午シ檀１月ｌ テイツプ＋Ｖ 第２Ｚ
Claims (1)
- 半導体チップが内蔵されかつ熱緩衝材および封止用樹脂
が充填される外囲ケースを備えた半導体装置において、
前記外囲ケースの内側面に凹凸を設けたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18881388A JPH0237754A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18881388A JPH0237754A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237754A true JPH0237754A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16230262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18881388A Pending JPH0237754A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237754A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163745A (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-10 | Matsushita Electric Works Ltd | モジュール基板封止枠 |
| JP2016100475A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018032739A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | トヨタ自動車株式会社 | フィルムコンデンサ |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP18881388A patent/JPH0237754A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163745A (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-10 | Matsushita Electric Works Ltd | モジュール基板封止枠 |
| JP2016100475A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018032739A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | トヨタ自動車株式会社 | フィルムコンデンサ |
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