JPH0237720A - 薄膜の湿式エッチング装置 - Google Patents
薄膜の湿式エッチング装置Info
- Publication number
- JPH0237720A JPH0237720A JP1153584A JP15358489A JPH0237720A JP H0237720 A JPH0237720 A JP H0237720A JP 1153584 A JP1153584 A JP 1153584A JP 15358489 A JP15358489 A JP 15358489A JP H0237720 A JPH0237720 A JP H0237720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- basket
- etching
- baskets
- flat jet
- slice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 241000219071 Malvaceae Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
- B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
- B05B13/0221—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts
- B05B13/025—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts the objects or work being present in bulk
- B05B13/0257—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts the objects or work being present in bulk in a moving container, e.g. a rotatable foraminous drum
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は特に半導体の製造に使われる薄膜エツチング
装置Ｓに関する。
装置Ｓに関する。
従来の技術及び問題点
こう云う装置は、例えば、半導体スライスに二速用され
てマスクで覆われるアルミニウム層の処理に役立つ。露
出１８域、Ｉｌらマスク′Ｃ″覆われていない１ス域が
、湿式エツチング作業によって除かれる。
てマスクで覆われるアルミニウム層の処理に役立つ。露
出１８域、Ｉｌらマスク′Ｃ″覆われていない１ス域が
、湿式エツチング作業によって除かれる。
然し、極めて細かい構造を高い精度でつくらな４Ｊれば
ならない様な半導体の製３′ｊｉで、アルミニウム層を
エツチングづる時、多くの問題を解決しな【）ればなら
ない。第一に、アルミニウムを［ツヂングする時、気体
状反応生成物が形成され、これＢｉｔ、Ｉｌ御のできな
い形で表面に付着し、こうして限定されていないマスク
を形成することがある。この様な形で覆われたアルミニ
ウム層はエツチングによって除かれず、この為、隅とか
狭い構造の間に、望ましくないアルミニウム残油が残る
場合が多い。
ならない様な半導体の製３′ｊｉで、アルミニウム層を
エツチングづる時、多くの問題を解決しな【）ればなら
ない。第一に、アルミニウムを［ツヂングする時、気体
状反応生成物が形成され、これＢｉｔ、Ｉｌ御のできな
い形で表面に付着し、こうして限定されていないマスク
を形成することがある。この様な形で覆われたアルミニ
ウム層はエツチングによって除かれず、この為、隅とか
狭い構造の間に、望ましくないアルミニウム残油が残る
場合が多い。
エツチングの作業が部分的に拡散によつ（制御される点
で、別の問題がある。この場合、質準伝達速度は濃度境
界層の拡散過程の決定的な影響を受けるが、この境界層
の厚さｔよ、流れの境界と１の厚さに関係する。エツチ
ング溶液が固体表面の上を流れる時、エツチング速度の
差が生ずる。然し、細い？ルミニウムをエツｆ゛ングす
る時、マスクの場合は層の厚さのわずか６倍である場合
が多いから、過剰エツチングこそまさに避けなければな
らないことである。
で、別の問題がある。この場合、質準伝達速度は濃度境
界層の拡散過程の決定的な影響を受けるが、この境界層
の厚さｔよ、流れの境界と１の厚さに関係する。エツチ
ング溶液が固体表面の上を流れる時、エツチング速度の
差が生ずる。然し、細い？ルミニウムをエツｆ゛ングす
る時、マスクの場合は層の厚さのわずか６倍である場合
が多いから、過剰エツチングこそまさに避けなければな
らないことである。
従来の薄膜の湿式エツチングを行なう装置として、浸漬
エツチング方法によっ（作＋１１するしのが前から知ら
れている。この方法では、エツチングしようとり°るス
ライスをエラ升ング溶液内て・１−下に初かす。＋１１
節をｈ＆適にしても、エツチング速度にｔよ３０％の差
が生ずる。つまり、スライス表面のエツチング速度が最
大の領域は、エツチング速度が最低の領ｔＩｉｔに比べ
−Ｃ１約３０％も過剰エツチングされる。
エツチング方法によっ（作＋１１するしのが前から知ら
れている。この方法では、エツチングしようとり°るス
ライスをエラ升ング溶液内て・１−下に初かす。＋１１
節をｈ＆適にしても、エツチング速度にｔよ３０％の差
が生ずる。つまり、スライス表面のエツチング速度が最
大の領域は、エツチング速度が最低の領ｔＩｉｔに比べ
−Ｃ１約３０％も過剰エツチングされる。
エツチングしようとするスライスを紬斜平面の上に分散
し、容積流♀の大きいエツチング溶液をその上に流す装
置では、エラチングミ８反の差を−・層小さくすること
ができる。この場合、エツチング速度の差を１０％にす
ることができることが認められているが、エツチング溶
液の容積流量が大きい為に、それにゼづる装填及び吐出
の費用が不釣合いに高くなる。
し、容積流♀の大きいエツチング溶液をその上に流す装
置では、エラチングミ８反の差を−・層小さくすること
ができる。この場合、エツチング速度の差を１０％にす
ることができることが認められているが、エツチング溶
液の容積流量が大きい為に、それにゼづる装填及び吐出
の費用が不釣合いに高くなる。
いわゆる［単一スライス回転１ツチレ−１を用いると、
１０％という」ニツプーング速度の差かや番より達成さ
れる。この場合、処理しようとする１つのスライスが真
空根の上で回転し、その表面に垂直に、酸を吹付ける。
１０％という」ニツプーング速度の差かや番より達成さ
れる。この場合、処理しようとする１つのスライスが真
空根の上で回転し、その表面に垂直に、酸を吹付ける。
然し、この装置では、処理作業で１個のスライスしかエ
ツチングすることができず、各々の装置のスルーブッ１
〜が１１常に限られている。
ツチングすることができず、各々の装置のスルーブッ１
〜が１１常に限られている。
イ口で、ａ膜の湿式エツチング速度として、それに要す
る操作の経費を最小限にするとＪ（に、″（゛きるだけ
スルーブツトを高くしながら、エツチング速度の差をぐ
きるだけ小さくりる装置を利用できる様にするという問
題が住じた。
る操作の経費を最小限にするとＪ（に、″（゛きるだけ
スルーブツトを高くしながら、エツチング速度の差をぐ
きるだけ小さくりる装置を利用できる様にするという問
題が住じた。
この問題の解決策は特許請求の範囲に記載しである。こ
の発明の装置では、第一に、生じた気体の泡をできるだ
け速やかに表面から取去り、第二にスライスの表面の上
に−様な流れを達成する。
の発明の装置では、第一に、生じた気体の泡をできるだ
け速やかに表面から取去り、第二にスライスの表面の上
に−様な流れを達成する。
この発明の装置の特定の利点は、−回のエツチング速度
で、多数のスライスが同時に処理され、表面の品質が−
様なスライスのスループットが高くなることである。
で、多数のスライスが同時に処理され、表面の品質が−
様なスライスのスループットが高くなることである。
この発明の第一の好ましい実施例の装置は、回転対称の
バスケットに対づる駆動機構が設けられていて、これが
バスケットの特に簡単な取替えができる様にしηいる。
バスケットに対づる駆動機構が設けられていて、これが
バスケットの特に簡単な取替えができる様にしηいる。
。
この発明の別の実施例の湿式エツチング速度では、エツ
チングにかけられたスライスがら流れ落ちるエツチング
溶液を集め、その方法に必要な温度レベルまで調節し、
古びスライスに作用する様にサイクルに次号ことができ
る。
チングにかけられたスライスがら流れ落ちるエツチング
溶液を集め、その方法に必要な温度レベルまで調節し、
古びスライスに作用する様にサイクルに次号ことができ
る。
史に別の形式では１．透明なフードがどんな時で６作業
を観測づることができる様に覆る為、プロセスを監？Ｊ
Ａ′ＩＪることができる。
を観測づることができる様に覆る為、プロセスを監？Ｊ
Ａ′ＩＪることができる。
この発明の装置は、フルミニラムのエツチングに使うの
が特に自利であるが、この装置はマスクが有ってし無く
てし、他の層の湿式エツチングに６同じ様に使うことが
できる。
が特に自利であるが、この装置はマスクが有ってし無く
てし、他の層の湿式エツチングに６同じ様に使うことが
できる。
この発明の史に詳しいことや特徴及び利点は、以ト図面
について実施例を説明するところから明らかになろう。
について実施例を説明するところから明らかになろう。
実 施 例
第１図には二重のバスケット構造の湿式二［ツブング装
置が丞されている。開じｌこハウジング１０の中に２つ
のバスケット１２．１４が配置されている５、バスケッ
ト１２，１４４よ円筒形（・ある７、これは土ツｙング
しようと１Ｊるスライス１６を受入れる様に作用Ｊる。
置が丞されている。開じｌこハウジング１０の中に２つ
のバスケット１２．１４が配置されている５、バスケッ
ト１２，１４４よ円筒形（・ある７、これは土ツｙング
しようと１Ｊるスライス１６を受入れる様に作用Ｊる。
バスケット１２及び１４ ｉ、Ｌ夫人２つの外側支ド１
「１−ラ２０．２２の−・７ｊの−ｌ−に回転自在に取
付けられ、その聞の中心に駆動［１−ラ１８が配置され
ている。
「１−ラ２０．２２の−・７ｊの−ｌ−に回転自在に取
付けられ、その聞の中心に駆動［１−ラ１８が配置され
ている。
バスケット１２．１４の中心の上方にバス／ｌブトの縦
方向に伸びる゛１１坦々ジェット・ノズル２４が配置さ
れている。東財なジ１ツ１〜・ノズル２４【よ二重に分
かれて伸びている。一方はバスケラ１へ１２の方を向き
、もう一方はバスケット１４の方を向く。−列の平坦な
ジェット・ノズル２４ ＋１．ｉｌ、てれから吹付（〕
られる丁ツヂング溶液が均′ｃ１な平ｉＬＩなジェット
２６をつくる様に配置されている。
方向に伸びる゛１１坦々ジェット・ノズル２４が配置さ
れている。東財なジ１ツ１〜・ノズル２４【よ二重に分
かれて伸びている。一方はバスケラ１へ１２の方を向き
、もう一方はバスケット１４の方を向く。−列の平坦な
ジェット・ノズル２４ ＋１．ｉｌ、てれから吹付（〕
られる丁ツヂング溶液が均′ｃ１な平ｉＬＩなジェット
２６をつくる様に配置されている。
２つの平坦なジェット２６が、夫々吹付（づられるバス
ケラ１−１２又は１４の対称軸線の方向に、横方向に向
けられる。
ケラ１−１２又は１４の対称軸線の方向に、横方向に向
けられる。
ハウジング１０は、ボート形にして、バスケラ１−１２
．１４から流れる一Ｌエツチング溶液中心でドレン２８
で一緒になる様にける。このドレンの１・に温度調整官
３３０があり、流れ落らるエツチング溶液がその中で集
められ、１ツｙング作業に必会な温度レベルまで調節さ
れる。ポンプ３４及び調節弁３６を含む導管系３２が温
度調整容器３０から平ｌｌｉなジェット・ノズル２４ま
で伸びてい−（、エツチング溶液をサイクルに取込むこ
とがでさる様にしている１、渇亀調整容乙に４よ、廃液
弁３ε３も設けられていて、使用溜みエツチング溶液を
ぞれから取出すことができる。
．１４から流れる一Ｌエツチング溶液中心でドレン２８
で一緒になる様にける。このドレンの１・に温度調整官
３３０があり、流れ落らるエツチング溶液がその中で集
められ、１ツｙング作業に必会な温度レベルまで調節さ
れる。ポンプ３４及び調節弁３６を含む導管系３２が温
度調整容器３０から平ｌｌｉなジェット・ノズル２４ま
で伸びてい−（、エツチング溶液をサイクルに取込むこ
とがでさる様にしている１、渇亀調整容乙に４よ、廃液
弁３ε３も設けられていて、使用溜みエツチング溶液を
ぞれから取出すことができる。
第２図は、エツチングしようとづるスライス１６を円筒
形バスケット１２．１４内で７４いに平行に整合さＵる
様子を示している。円形スライス１０がバスケット１２
．１４内に同心に挿入される。
形バスケット１２．１４内で７４いに平行に整合さＵる
様子を示している。円形スライス１０がバスケット１２
．１４内に同心に挿入される。
動作について説明すると、バスケット１２，１４内で回
転するスライス１６は、平坦なジェット２６として出−
Ｃくるエツチング溶液にさらされる。
転するスライス１６は、平坦なジェット２６として出−
Ｃくるエツチング溶液にさらされる。
エツチング速度の一様性は、第一に、駆ｆＪＪｒ−１−
ラ１Ｂの回転速１良により、そして第二に調節弁３６に
よって′Ｊ４節し得る容積流祉によって設定することが
できる。この装置を用いると、わずか５％のエツチング
速度の差を達成することができる。
ラ１Ｂの回転速１良により、そして第二に調節弁３６に
よって′Ｊ４節し得る容積流祉によって設定することが
できる。この装置を用いると、わずか５％のエツチング
速度の差を達成することができる。
ハウジング１０の上部が透明なフード４０（第１図参照
）として形成されていることにより、エツチング作業を
＋ｇ＋で監視することができる。
）として形成されていることにより、エツチング作業を
＋ｇ＋で監視することができる。
以上の説明に関連して更に手配の項を聞小する。
（１） エツチングしようとするスライス（１６）を
受入れる様に、回転運動ができる様に駆動し得る少なく
とも１つの回転対称のバスケット（１２゜１４）をハウ
ジング内に配置し、バスケット（１２，１４）及びスラ
イス（１６）の対称軸線が一致号る様な形で、スライス
（１６）がバスケット（１２，１４）内でｎいに隣接し
て収容されており、バスケット（１２，１４）の縦方向
−Ｆ方に平ｉｌｌなジ［ツ１〜・ノズル（１４）を配置
して、該ノズルから吹イ」（）られるエツチング溶液の
ジェットが、バスケット（１２，１４）の対称＠線に向
かう方向に横Ｉｊ向に差向けられる均質なＰ１ｉ４なジ
Ｌッ１〜（２６）となる様に、配置されでいることを１
゛１黴とりる薄膜の湿式″「ツチング装置。
受入れる様に、回転運動ができる様に駆動し得る少なく
とも１つの回転対称のバスケット（１２゜１４）をハウ
ジング内に配置し、バスケット（１２，１４）及びスラ
イス（１６）の対称軸線が一致号る様な形で、スライス
（１６）がバスケット（１２，１４）内でｎいに隣接し
て収容されており、バスケット（１２，１４）の縦方向
−Ｆ方に平ｉｌｌなジ［ツ１〜・ノズル（１４）を配置
して、該ノズルから吹イ」（）られるエツチング溶液の
ジェットが、バスケット（１２，１４）の対称＠線に向
かう方向に横Ｉｊ向に差向けられる均質なＰ１ｉ４なジ
Ｌッ１〜（２６）となる様に、配置されでいることを１
゛１黴とりる薄膜の湿式″「ツチング装置。
＋２１ （１１ｒｃｈに記載した装置に於いて、バス
ケット＜１２．１４＞が２つの１−１−ラ（１ε３，２
０；２２）にのっかっており、その１つのローラが駆ｔ
ｉｔされる装置１゜ ＋３１ ｆｌｌ又は（２）項に記載した装置に於いて
、ハウジング（１０）の１ζ方に収集８器（３０）が。
ケット＜１２．１４＞が２つの１−１−ラ（１ε３，２
０；２２）にのっかっており、その１つのローラが駆ｔ
ｉｔされる装置１゜ ＋３１ ｆｌｌ又は（２）項に記載した装置に於いて
、ハウジング（１０）の１ζ方に収集８器（３０）が。
焚けられ、これが、ポンプ手段（３４）及び調節弁（３
６）を−・体にドｆつ導管系（３２）を介して、平坦な
ジェット・ノズル（２４）に接続されている装’＋ｒ（
ａ ＋４１ ｆｌｌ ］ｒＪ乃至＋３１ Ｉｎに記載した
装置に於いて、収集８器（３０）が４度調°だ容器とし
て＋Ｆ４成されている装ｄ０ ｆ：’＋ｌ （１） １１： ７’ｌ争（４）項に記
載した装置に於いて、ハウジング（１０）のカバーが透
明なフード（４０）として形成され−（いる装置。
６）を−・体にドｆつ導管系（３２）を介して、平坦な
ジェット・ノズル（２４）に接続されている装’＋ｒ（
ａ ＋４１ ｆｌｌ ］ｒＪ乃至＋３１ Ｉｎに記載した
装置に於いて、収集８器（３０）が４度調°だ容器とし
て＋Ｆ４成されている装ｄ０ ｆ：’＋ｌ （１） １１： ７’ｌ争（４）項に記
載した装置に於いて、ハウジング（１０）のカバーが透
明なフード（４０）として形成され−（いる装置。
（６） この発明はエツチング速度の差をわずか５％
まで小げることができる様にした、薄膜の湿式ｒッチン
グＶｔ’Ｒに関りる。この装置はハウジング（１０）の
中に少ｔにくとｂｌつの回転対称のバスケット（１２，
１４）を配置して、エツチングしようとするスライス（
１６）を収容する。バスケット（１２，１４）が２つの
ローラ（１８，２０；２２）の上にのつかっており、一
方のローラが駆動される。縦方向にバスウッド＜１２．
１４）の［ｈに、平坦なジエン１へ・ノズル（２’ｌ）
が配置されて、ノズルから吹付けられる１ツチング溶液
のジェットが均質な平１１ｉなジエンｊ−（２６）を形
成ｑる様に１６゜ＩＬ坦なジェット（２６）は横方向に
、バスケット（１２，１４）の対称軸線の方向に向りら
れる。この装置を用いると、処理しようとＪるスライス
（１６）の上の流れの状態は非常に一様であって、この
装置は半導体をｙＪ′１１′ｉする時、アルミニウム層
の湿式エツチングに使うのに４゜ 適している。
まで小げることができる様にした、薄膜の湿式ｒッチン
グＶｔ’Ｒに関りる。この装置はハウジング（１０）の
中に少ｔにくとｂｌつの回転対称のバスケット（１２，
１４）を配置して、エツチングしようとするスライス（
１６）を収容する。バスケット（１２，１４）が２つの
ローラ（１８，２０；２２）の上にのつかっており、一
方のローラが駆動される。縦方向にバスウッド＜１２．
１４）の［ｈに、平坦なジエン１へ・ノズル（２’ｌ）
が配置されて、ノズルから吹付けられる１ツチング溶液
のジェットが均質な平１１ｉなジエンｊ−（２６）を形
成ｑる様に１６゜ＩＬ坦なジェット（２６）は横方向に
、バスケット（１２，１４）の対称軸線の方向に向りら
れる。この装置を用いると、処理しようとＪるスライス
（１６）の上の流れの状態は非常に一様であって、この
装置は半導体をｙＪ′１１′ｉする時、アルミニウム層
の湿式エツチングに使うのに４゜ 適している。
第１図は湿式エツチング装置の略図、第２図は第１図の
湿式エツチング装置のバスケットの簡略縦断面図である
。 主イｉ符号の説明 １２．１４：バスケット １６：スライス ２４：平ｉ１１なジェット・ノズル ２６ ： ！１’ １１４なジＴツ１−３２：導管系 ３４：ポンプ ３６：、Ｊ１節弁 ３８：Ｆｌ！弁
湿式エツチング装置のバスケットの簡略縦断面図である
。 主イｉ符号の説明 １２．１４：バスケット １６：スライス ２４：平ｉ１１なジェット・ノズル ２６ ： ！１’ １１４なジＴツ１−３２：導管系 ３４：ポンプ ３６：、Ｊ１節弁 ３８：Ｆｌ！弁
Claims (1)
- （１）エッチングしようとするスライスを受入れる様に
、回転運動ができる様に駆動し得る少なくとも１つの回
転対称のバスケットをハウジング内に配置し、バスケッ
ト及びスライスの対称軸線が一致する様な形で、スライ
スがバスケット内で互いに隣接して収容されており、バ
スケットの縦方向上方に平坦なジェット・ノズルを配置
して、該ノズルから吹付けられるエッチング溶液のジェ
ットが、バスケットの対称軸線に向かう方向に横方向に
差向けられる均質な平坦なジェットとなる様に、配置さ
れていることを特徴とする薄膜の湿式エッチング装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3820591A DE3820591A1 (de) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Vorrichtung zum nassaetzen von duennen filmen |
| DE3820591.2 | 1988-06-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237720A true JPH0237720A (ja) | 1990-02-07 |
| JP3162060B2 JP3162060B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=6356719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15358489A Expired - Fee Related JP3162060B2 (ja) | 1988-06-16 | 1989-06-15 | 薄膜の湿式エッチング装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5019205A (ja) |
| JP (1) | JP3162060B2 (ja) |
| DE (1) | DE3820591A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104674221A (zh) * | 2015-02-10 | 2015-06-03 | 菏泽力芯电子科技有限公司 | 一种蚀刻机 |
| WO2020004569A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 株式会社Ｎｓｃ | エッチング装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5094884A (en) * | 1990-04-24 | 1992-03-10 | Machine Technology, Inc. | Method and apparatus for applying a layer of a fluid material on a semiconductor wafer |
| US5228949A (en) * | 1991-11-07 | 1993-07-20 | Chemcut Corporation | Method and apparatus for controlled spray etching |
| JP3067479B2 (ja) * | 1993-07-30 | 2000-07-17 | 信越半導体株式会社 | ウエーハの高平坦度エッチング方法および装置 |
| AT410043B (de) * | 1997-09-30 | 2003-01-27 | Sez Ag | Verfahren zum planarisieren von halbleitersubstraten |
| US6864186B1 (en) * | 1998-07-28 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing surface contamination in semiconductor wet-processing vessels |
| DE19859466C2 (de) * | 1998-12-22 | 2002-04-25 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten |
| KR100644054B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-11-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 세정 장치 및 게이트 산화막의 전세정 방법 |
| US8377718B2 (en) | 2010-11-10 | 2013-02-19 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a crystalline Pr1-xCaxMnO3 (PCMO) material and methods of forming semiconductor device structures comprising crystalline PCMO |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2741594A (en) * | 1950-04-05 | 1956-04-10 | Charles F Bowersett | Apparatus for electrolytically penetrating shell casings |
| DE1281229B (de) * | 1961-02-17 | 1968-10-24 | Inst Fuer Grafische Technik | Einrichtung zum AEtzen von flachen und runden Druckformen bzw. von Druckformenzylindern in Einstufenaetzmaschinen |
| DE1544282A1 (de) * | 1966-03-05 | 1969-02-20 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Haltern flacher Halbleiterkristalle beim Eintauchen in eine Fluessigkeit |
| US3573119A (en) * | 1969-03-03 | 1971-03-30 | Dow Chemical Co | Machine and method for etching curved plates |
| US3964957A (en) * | 1973-12-19 | 1976-06-22 | Monsanto Company | Apparatus for processing semiconductor wafers |
| US3898095A (en) * | 1974-01-07 | 1975-08-05 | Gould Inc | Method of etching aluminum |
| CH597363A5 (en) * | 1976-02-10 | 1978-03-31 | Engeler Walter Ag | Etching machine, esp. for offset printing plates prodn. |
| JPS5568633A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Fujitsu Ltd | Method and device for back etching of semiconductor substrate |
| JPS55115332A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | Washing and drying apparatus for photomask |
| US4482425A (en) * | 1983-06-27 | 1984-11-13 | Psi Star, Inc. | Liquid etching reactor and method |
-
1988
- 1988-06-16 DE DE3820591A patent/DE3820591A1/de active Granted
-
1989
- 1989-06-09 US US07/364,266 patent/US5019205A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-15 JP JP15358489A patent/JP3162060B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104674221A (zh) * | 2015-02-10 | 2015-06-03 | 菏泽力芯电子科技有限公司 | 一种蚀刻机 |
| WO2020004569A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 株式会社Ｎｓｃ | エッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3820591A1 (de) | 1989-12-21 |
| JP3162060B2 (ja) | 2001-04-25 |
| DE3820591C2 (ja) | 1992-05-14 |
| US5019205A (en) | 1991-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3341033B2 (ja) | 回転薬液洗浄方法及び洗浄装置 | |
| KR100397455B1 (ko) | 반도체의초미립자세정기 | |
| KR890004571B1 (ko) | Ic 제조를 위한 플라스마 처리장치 | |
| JPH0712035B2 (ja) | 噴流式液処理装置 | |
| JPH0237720A (ja) | 薄膜の湿式エッチング装置 | |
| US7160416B2 (en) | Substrate treating apparatus | |
| KR20150013089A (ko) | 화학 유체 처리 장치 및 화학 유체 처리 방법 | |
| CN210040143U (zh) | 一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置 | |
| US6090720A (en) | Wet etching method for silicon semiconductor wafer | |
| JP2020170808A (ja) | 処理液生成装置、基板処理装置、処理液生成方法および基板処理方法 | |
| JP2003077886A (ja) | ウエット処理装置 | |
| JPH0758016A (ja) | 成膜処理装置 | |
| JPS5946031A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| CN115025896B (zh) | 一种喷嘴、半导体基板的处理方法及基板处理设备 | |
| JP2002177854A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS5939363A (ja) | 液滴下用ノズル | |
| JPS6036676A (ja) | 板状物処理装置 | |
| US6759341B1 (en) | Wafering method comprising a plasma etch with a gas emitting wafer holder | |
| JP2865753B2 (ja) | 薬液供給方法および薬液供給装置 | |
| JP2533149B2 (ja) | ウェットエッチング方法 | |
| JPH0321369A (ja) | 噴流式液処理装置 | |
| KR101847705B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JPH0417334A (ja) | 基板のウェット処理装置 | |
| Endl et al. | Apparatus for Wet Etching of Thin Films | |
| JP2862918B2 (ja) | 薬液処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |