JPH023628Y2 - - Google Patents

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JPH023628Y2
JPH023628Y2 JP8424884U JP8424884U JPH023628Y2 JP H023628 Y2 JPH023628 Y2 JP H023628Y2 JP 8424884 U JP8424884 U JP 8424884U JP 8424884 U JP8424884 U JP 8424884U JP H023628 Y2 JPH023628 Y2 JP H023628Y2
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body

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Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 この考案はフイルムキヤリアICの切断装置に
関するものである。
〔従来技術〕
例えば近接スイツチに使用するハイブリツド
IC(以下、ICチツプと称す)は極めて小さく、ま
た、そのリードも細くて弱い。このため、ICチ
ツプの製造者側では、ICチツプを帯状のフイル
ムに一定間隔毎に保持し、各ICチツプから出て
いる多数のリードをフイルム裏面に半田付けし、
フイルムキヤリアIC(以下、フイルムと称す)と
して市販している。
従つて、ICチツプの使用者側では、購入した
フイルムをICチツプ毎に切断することが必要で
あつた。ところが、従来の切断装置で切断した
ICチツプ1は左右のリード2a,3bが、第1
図に示すようにICチツプの厚み方向に段違いに
なつたり、第2図に示すように片側へ傾斜変形し
たりする。このため、ICチツプ1の左右のリー
ド2a,2bを、第3図に示すように印刷された
セラミツク基板3上のパツド4に半田ペースト5
を介して載置したとき、ICチツプ1が傾いたり、
リード2a,2bの一部が浮上つて半田付けが不
確実となり、半田付け工程内での修正作業に多く
の時間を要した。また、上記修正作業には熱を必
要とするため、ICチツプ1の信頼性を低下させ
る欠点があつた。
〔考案の概要〕
この考案は上記の欠点を除去するためになされ
たもので、リードおよび半田付け部を所定形状に
フオーミングした後、ICチツプ毎にフイルムを
切断することにより、セラミツク基板上のパツド
に対するICチツプの半田付け工程を安定化させ、
修正作業を激減させて半田付け工程内の歩留りお
よび信頼性を向上するとともに低廉化を図ること
のできるフイルムキヤリアICの切断装置を提供
することにある。
〔考案の実施例〕
以下、この考案の一実施例を図面について説明
する。第4図はこの考案の切断装置の概要を示す
平面図、第5図はその正面図、第6図は第4図
−線に沿う横断側面図である。第4図乃至第6
図において、ロール状に巻かれたフイルム6は、
その両側端が横断面L字状のガイド部材7でガイ
ドされて、定間隔毎に形成された穴8に係合する
スプロケツト9によりフオーミング兼切断部10
へ間欠的に所定長さlづつ移送される。
上記フオーミング兼切断部10は、第7図に示
すように、ICチツプ1の載置部11を突設T(0.1
〜0.3mm)させた下型12と、上記ICチツプ1の
左右のリード2a,2bの半田付け部13a,1
3bを上記下型面に押圧する上型14とが、フイ
ルム6を挾んで上下に対向配設されている。ま
た、上記上下型の配設位置よりもフイルム移送方
向下流側において、フイルム6を切断するための
固定カツタ15と可動カツタ16とが該フイルム
を挾んで配設されている。
次に上記実施例の動作を説明する。図示しない
作動開始スイツチを閉成すると、この閉成信号を
受けて不図示の駆動制御回路が作動し、スプロケ
ツト9を回転させて、フイルム6を所定長さlだ
け移送させる。この場合、スプロケツト9の移送
力はスプロケツトの爪9aと穴8の係合によつて
フイルム6に伝達されるため、伝達ロスがなく、
スプロケツト9の回転を常に一定に保持すること
により、フイルム6の所定長さ送りを容易に実現
することができる。
次いで、フイルム6を所定長さlだけ移送させ
てスプロケツト9が停止すると、この停止を検知
した不図示のセンサからの検知信号で上型14の
下降動作を開始させる。上型14はその下面両側
に突設した押圧腕14a,14bでリード2a,
2bの半田付け部13a,13bを、第7図によ
うに下型12面に押圧してリードおよび半田付け
部のフオーミングを行う。
上記上下型14,12による半田付け部13
a,13bの押圧後、上型14と連動して下降動
作を開始した可動カツタ16がフイルム6に作用
し、固定カツタ15との協働作業によつてフイル
ムを切断する。この切断完了を例えば可動カツタ
16の最終移動位置を検知する不図示のセンサで
検知して、上記上型14の下降動作を停止させ
る。この停止により、上型14は可動カツタ15
をともない下降動作時に圧縮した不図示の復元ば
ねの弾性復元力で上昇復帰する。
上型14が上昇して、押圧力が解除されると、
フイルム6はそれ自体の弾性復元力により、第7
図2点鎖線示のように送り出し側と同一水平面位
置まで上昇する。従つて、例えば上記上型14が
所定の上昇位置まで復帰したことを検知する不図
示のセンサからの検知信号に基づいてスプロケツ
ト9を回転駆動させて、再びフイルム6を所定長
さlだけ移送させるとき、上記フオーミングされ
たリード2a,2bの半田付け部13a,13b
は、下型12のICチツプ載置部11上を通過し
て型外へ送り出されるので、フイルム6の移送の
妨げとなることはない。
一方、上記フイルム6から切断(切離れる)さ
れたICチツプ1′は、第8,9図に示すように左
右のリード2a,2bの半田付け部13a,13
bが同一平面上で、かつ、ICチツプ1′の下面と
平行で該下面より下方に突出t(0.1〜0.3mm)す
るようにフオーミングされている。
従つて、このICチツプ1′の半田付け部13
a,13bを、第10図に示すように、基板3上
のパツド4に半田ペースト5を介して載置したと
き、ICチツプ1′が傾いたり、半田付け部13
a,13bの一部が浮上つたりすることがない。
そして、上記基板3を従来と同様に熱伝達性の
よい搬送ベルト上の載置して、例えば200℃の加
熱部を通過させることにより、この通過時に受け
る熱で半田付け部13a,13bの半田を溶融さ
せて、ICチツプ1′を基板3に半田付けするもの
である。
なお、図示の実施施は上型14を上下動させて
いるが、下型を上下動させても、また、上下型を
互いに遠近自在に移動させるように構成してもよ
い。また、図示例のフイルム6は等間隔にICチ
ツプ1の平面形状と同形の穴17を設け、この穴
17内にICチツプ1を配設し、かつ、該穴を通
してリード2a,2bを裏面に回わして半田付け
してあるが、リード通し穴を別に設ければ上記の
穴はなくてもよい。
〔考案の効果〕
以上のように、この考案によれば、フイルムの
切断時にICチツプのリードの半田付け部を、左
右同一平面上で、かつ、ICチツプの下面と平行
で該下面より下方に突出するようにフオーミング
する構成であるから、基板上のパツドに対する
ICチツプの半田付けが確実となつて、半田付け
工程内の歩留りが向上する。この結果、半田付け
不良による修正作業が激減し、ICチツプに余分
な熱を加えることもなくなり、ICチツプの信頼
性を低下させることなくフイルム切断を能率的に
行なうことができるという効果がある。
また、フオーミング部のフイルム移送方向下流
側でフイルムの切断を行うので、フオーミングさ
れたフイルム部は他のフイルム部の弾性復元力で
型より外れ、以後のフイルム送りによつて型外へ
送り出されることになり、特別なフオーミング物
取出し部材を必要としない。従つて、切断装置を
簡単、かつ、安価に得ることができるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は従来の切断装置によりフイル
ムから切離したICチツプの正面図、第3図はそ
のICチツプを基板上のパツドに半田付けする状
態の正面図、第4図はこの考案の1実施例による
切断装置の平面図、第5図はその正面図、第6図
は第4図−線に沿う横断側面図、第7図はフ
オーミング兼切断部の拡大正面図、第8図はこの
考案の切断装置で切断したICチツプの平面図、
第9図はその正面図、第10図はそのICチツプ
を基板上のパツドに半田付けする状態の正面図で
ある。 1,1′……ICチツプ、2a,2b……リー
ド、3……基板、6……フイルム、11……IC
チツプの載置部、12……下型、13a,13b
……半田付け部、14……上型、15……固定カ
ツタ、16……可動カツタ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 一定間隔毎にICチツプを保持し該チツプの
    リードを裏面に半田付けした帯状のフイルムキ
    ヤリアICと、前記ICチツプの載置部を突設さ
    せた下型と、前記リードの半田付け部を前記下
    型面に押圧する上型と、前記フイルムキヤリア
    ICを前記上型で前記下型に押圧した状態で該
    押圧部よりフイルムキヤリアICの移送方向下
    流側で該フイルムキヤリアICを切断するカツ
    タと、前記上下型による前記フイルムキヤリア
    ICの押圧解放後に該フイルムキヤリアICを所
    定長さ移送させる間欠移送手段と、を備えたフ
    イルムキヤリアICの切断装置。 (2) ICチツプの載置部の突設高さを0.1〜0.3mmと
    したことを特徴とする実用新案登録請求の範囲
    第1項記載のフイルムキヤリアICの切断装置。
JP8424884U 1984-06-08 1984-06-08 フイルムキヤリアicの切断装置 Granted JPS611843U (ja)

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JP8424884U JPS611843U (ja) 1984-06-08 1984-06-08 フイルムキヤリアicの切断装置

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JP8424884U JPS611843U (ja) 1984-06-08 1984-06-08 フイルムキヤリアicの切断装置

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JPS611843U JPS611843U (ja) 1986-01-08
JPH023628Y2 true JPH023628Y2 (ja) 1990-01-29

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JP8424884U Granted JPS611843U (ja) 1984-06-08 1984-06-08 フイルムキヤリアicの切断装置

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FR2733673B1 (fr) * 1995-05-05 1997-06-20 Oreal Dispositif de conditionnement et d'application d'un produit de maquillage

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JPS611843U (ja) 1986-01-08

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