JPH02312239A - 集積回路の配線形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、主に液晶ディスプレイ、密着イメージセンサ
、液晶シャッタに用いられる集積回路の配線形成方法に
関する。

〔従来の技術〕

集積回路中の欠陥を修正する１つの手段として、エネル
ギビームを照′射することにより、配線を切断したり、
絶縁された配線と配線を溶接する方法がある。

第３図（ａ）〜（ｃ）はエネルギビームを用いた従来の
集積回路のトリミング方法を説明するための半導体チッ
プの平面図及び断面図である。

第３図（ａ）〜（Ｃ）には半導体基板上に形成されたト
ランジスタ１０１と、エネルギビームを照射してドレイ
ン電極配線１０５と金属配線Ａ１０６を溶接する部分と
が示されており、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は点
線ＡＢで切断したトリミング前の断面図、同図（ｃ）は
トリミング後の断面図を表している。また、上記トラン
ジスタ１０１は薄膜トランジスタである。

半導体基板上の絶縁膜１０８に形成されたドレイン電極
配線１０５と金属配線Ａ１０６をエネルギビームを用い
て溶接する場合、第３図（ｂ）に示すような構造をとる
。すなわち、金属配線Ａ１０６はコンタクトホールＣ３
０１によって金属配線８３０３と電気的接触しており、
その金属配線Ｂ５０３は絶縁膜Ｂ５０２を介してドレイ
ン電極配線１０５を覆った構造である。

ドレイン電極配線１０５と金属配線８３０３が絶縁膜Ｂ
５０２を介してオーバラップした部分に、第３図（ｂ）
に示すごとくエネルギビームを照射すると、金属配線８
３０３は熱エネルギにより溶解、蒸発する。絶縁膜Ｂ５
０２を通過したエネルギビームはドレイン電極線１０５
に達し、ドレイン電極配線１０５を同じく熱エネルギに
よって溶解する。その際、溶解したトレイン電極配線】
０５は物理的エネルギを得て絶縁膜Ｂ５０２を突き破り
、第３図（ｃ）に示すように、金属配線Ｂ５０３と電気
的接触する。

以上述べた方法で絶縁されたドレイン電極配線１０５と
金属配線Ａを接続することができる。

〔発明が解決しようとする課Ｍ） 通常、集積回路を設計する際、マスク数削減による歩留
まり向上を図るために、抵抗値に特に問題がなければゲ
ート電極材料を配線に用いて金属配線を一層にするのが
望ましい。

ところが上記に説明した従来の集積回路のトリミング方
法においては、金属配線Ａ１０６に加えて金属配線８３
０３を必要とするため、コンタクトポールＢ５０１およ
び金属配線８３０３をパターニングするためのマスクを
余分に２枚要する。

その結果、ＰＲ工程が２回、成膜工程が２回増加　・す
るために歩留まりが低下するだけでなく、マスクを余分
に作製するため、コストも高くなってしまうという問題
点がある。

本発明は従来技術の上記問題点を解消した集積回路のト
リミング方法を提供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の集積回路の配線形成方法は、トランジスタを集
積して形成された集積回路をエネルギビームを用いてト
リミングすることによって集積回路の配線形成方法にお
いて、前記トランジスタの領域外に形成されたソース、
ドレイン電極層、あるいはゲート電極層を絶縁膜を介し
て覆うように形成された金属配線部分にエネルギビーム
を照射することにより前記金属配線部分を溶融し、蒸発
させ、前記ソース、ドレイン電極層、あるいは前記ゲー
ト電極層と前記金属配線とを電気的に接続することを特
徴としている。

（実施例〕 以下に本発明の集積回路のトリミング方法の実施例を詳
細に説明する。

第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の集積回路のトリミング
方法の一実施例を説明するための半導体チップの平面図
及び断面図である。これら図面には、半導体基板上に形
成された、トランジスタ１０１と、ＹＡＧレーザ（λ＝
１．０６．ｃｚｍ）を照射してドレイン電極配線１０５
と金属配線Ａ１０６を溶接する部分とが示されており、
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は点！ＡＢで切断した
トリミング前の断面図、同図（ｃ）は１〜リミング後の
断面図を表している。なお、上記ｌ・ランジスタは多結
晶シリコン薄膜１−ランジスタとした。

本発明においては、絶縁されたトレイン電極配線１０５
と金属配線Ａ１０６をＹＡＧレーザを照射して溶接する
のにゲート電極層１０７を仲介番こしている。すなわち
、第１図（ａ＞に示すように、トランジスタの領域外に
ゲート電極層１０７を設け、ドレイン電極配線１０５お
よび金属配線Ａ１０６が絶縁Ｍ１０８を介して前記ゲー
ト電拐層１０７を覆うように構造になっている。次に第
１図（ｂ）に示すように、ドレイン電極配線の端部１１
３と金属配線Ａの端部１１４が出会う付近にＹＡＧレー
ザを照射する。このことによりトレイン電極配線１０５
および金属配線Ａ１０６は熱エネルギにより溶解、蒸発
する。ただし、そのためには少なくともレーザスポット
が、ドレイン電極配線１０５とゲート電極１０７、およ
び金属配線Ａ１０６とゲート電極層１０７がオーバラッ
プしている部分をカバーしていなければならない。

絶縁膜１０８を通過したレーザビームは下のゲート電極
層１０７に達し、ゲート電極層１０７を溶解する。その
ゲート電極層１０７は物理的エネルギを得て絶縁膜を１
０８を突き破り、第１図（ｃ）に示すごとくドレイン電
極配線１０５および金属配線Ａ１０６と電気的接触する
。

以上の方法で絶縁されたドレイン電極配線１０５と金属
配線Ａ１０６を接続することができる。

本実施例では、エネルギビームとしてＹＡＧレーザを用
いたが、他のエネルギビーム、例えばイオンビーム、電
子ビームを用いてもよい。また、ゲート電極層１０７の
代わりにソース、ドレイン電極層を採用してもよい。ま
た、ドレイン電極配線の端部】１３と金属配線Ａの端部
１１４が出会う付近の１箇所にＹＡＧレーザを照射して
トリミングを行っているが、トレイン電極配線１０５と
ゲート電極層１０７がオーバラップしている部分と、金
属配線ＡＩＱ６とゲート電極層１０７がオーバラップし
ている部分との２箇所にＹＡＧレーザを照射してトリミ
ングを行ってもよい。

第２図は本発明の集積回路のトリミング方法の他の実施
例を説明するための半導体チップの平面図及び断面図で
ある。実施例１と異なる点は、金属配線Ａ１０６とゲー
ト電極層１０７がコンタクトホールＢ２０１によって電
気的接触している点と、ドレイン電極的配線１０５とゲ
ート電極層１０７がオーバラップしている部分にＹＡＧ
レーザを照射してトリミングを行うことである。まず、
第２図（ｂ）に示すように、トレイン電極配線１０５と
ゲート電極層１０７がオーバラップする部分にＹＡＧレ
ーザを照射することにより、実施例１において説明した
接続過程と同じ過程でドレイン電極層１０７を電気的接
触させることができる。故に、トレイン電極配線１０５
と金属配線Ａ１０６を接続することができる。

このように、本発明の集積回路の配線形成方法は、ドレ
イン電極層、あるいはゲート電極層を仲介にして絶縁さ
れたトレイン電極配線と金属配線を接続する方法にある
ので、トランジスタ作製するのに必要なマスク枚数だけ
で済み、余分なマスクと工程を必要としない、従って、
集積回路にトリミング機能を設けたことによる歩留まり
の低下を防止できるだけでなく、製造コストのアップも
防ぐことができる。

〔発明の効果〕

以上説明した集積回路トリミング方法を適用すれば、従
来トリミング機能を設置するのに必要とされた２層の金
属配線を採る必要がなく、トランジスタを作製するのに
必要な、最低限のマスク枚数で集積回路のトリミングを
行うことができる。

これは従来の問題であった集積回路にトリミング機能を
設けたことによる歩留まり低下を防止できるだけでなく
、作製コストのアップも防ぐことができるので、その効
果は極めて大きい。

図面の簡単な説明 第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の集積回路の配線形成方
法の一実施例を説明するための半導体チップの平面図及
び断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の集積回路の
配線形成方法の他の実施例を説明するための半導体チッ
プの平面図及び断面図、第３図（ａ）〜（ｃ）は従来の
集積回路の配線方法・を説明するための半導体チップの
平面図及び断面図である。

１０１・・・トランジスタ、１０２・・・ゲート電極、
１０３・・・コンタクトホールＡ、１０４・・・ソース
電極配線、１０５・・・ドレイン電極配線、１０６・・
・金属配線Ａ、１０７・・・ゲート電極層、１０８・・
・絶縁膜Ａ、１０９・・・ドレイン領域、１１０・・・
ソース領域、１１１・・・ゲート絶縁膜、１１２・・・
活性領域、１１３・・・ドレイン電極配線の端部、１１
４・・・金属配線７の端部、２０１・・・コンタクトホ
ールＢ、３０１・・・コンタクトホールＣ１３０２・・
・絶縁膜Ｂ、３０３・・・金属配線Ｂ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. トランジスタを集積して形成された集積回路をエネルギ
   ビームを用いてトリミングすることによって集積回路の
   配線形成方法において、前記トランジスタの領域外に形
   成されたソース、ドレイン電極層、あるいはゲート電極
   層を絶縁膜を介して覆うように形成された金属配線部分
   にエネルギビームを照射することにより、前記金属配線
   部分を溶融し蒸発させ、前記ソース、ドレイン電極層、
   あるいは前記ゲート電極層と前記金属配線とを電気的に
   接続することを特徴とする集積回路の配線形成方法。