JPH0231126U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0231126U JPH0231126U JP10901988U JP10901988U JPH0231126U JP H0231126 U JPH0231126 U JP H0231126U JP 10901988 U JP10901988 U JP 10901988U JP 10901988 U JP10901988 U JP 10901988U JP H0231126 U JPH0231126 U JP H0231126U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- gas injection
- lower ring
- upper gas
- shaped cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案装置の一実施例の要部の構成を
示す説明図、第２図は本考案におけるガスの流れ
を示す説明図、第３図は同じくイオンシースの発
生状況を示す説明図、第４図は本考案におけるエ
ツチング速度の均一性を示す説明図、第５図は本
考案におけるガス圧力に対するエツチング速度の
均一性と選択比の関係説明図、第６図は従来装置
の一例の構成を示す説明図、第７図ａ，ｂはそれ
ぞれ従来におけるリング状カソード電極の平面図
及び断面図、第８図は従来におけるエツチング速
度の変化を示す説明図、第９図は従来におけるガ
ス圧力に対するエツチングの不均一性と選択比の
関係説明図である。 １……エツチング室、２……上部ガス注入電極
、３……下部リング状カソード電極、４……高周
波電源、５……第２のリング状電極、６……ガス
注入口、７……ガス噴出口、８……排気口、１３
……ウエーハ。
示す説明図、第２図は本考案におけるガスの流れ
を示す説明図、第３図は同じくイオンシースの発
生状況を示す説明図、第４図は本考案におけるエ
ツチング速度の均一性を示す説明図、第５図は本
考案におけるガス圧力に対するエツチング速度の
均一性と選択比の関係説明図、第６図は従来装置
の一例の構成を示す説明図、第７図ａ，ｂはそれ
ぞれ従来におけるリング状カソード電極の平面図
及び断面図、第８図は従来におけるエツチング速
度の変化を示す説明図、第９図は従来におけるガ
ス圧力に対するエツチングの不均一性と選択比の
関係説明図である。 １……エツチング室、２……上部ガス注入電極
、３……下部リング状カソード電極、４……高周
波電源、５……第２のリング状電極、６……ガス
注入口、７……ガス噴出口、８……排気口、１３
……ウエーハ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) エツチング室１内に上部ガス注入電極２と
下部リング状カソード電極３を対向配置し、上部
ガス注入電極２より注入された反応ガスを下部リ
ング状カソード電極３の中央部より排気し、上部
ガス注入電極２と下部リング状カソード電極３と
の間に高周波電源４を接続してなるリアクテイブ
エツチング装置において、下部リング状カソード
電極３の対向面中央部に第２のリング状電極５を
配置せしめてなるリアクテイブエツチング装置。 (2) 上部ガス注入電極２の中央部に設けられた
ガス注入口６より当該上部ガス注入電極２の外周
部に設けられたガス噴出口７を経て反応ガスを噴
出し、上部ガス注入電極２と、対向面中央部に第
２のリング状電極５を有する下部リング状カソー
ド電極３との間を経て中央部の排気口８より排気
し、活性化した反応ガスをより長くエツチング室
１内に滞在させ得るようにした実用新案登録請求
の範囲第１項記載のリアクテイブエツチング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10901988U JPH0231126U (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10901988U JPH0231126U (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0231126U true JPH0231126U (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=31344892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10901988U Pending JPH0231126U (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0231126U (ja) |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP10901988U patent/JPH0231126U/ja active Pending
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