JPH02310309A - 高周波通電誘導焼入方法 - Google Patents
高周波通電誘導焼入方法Info
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- JPH02310309A JPH02310309A JP1129372A JP12937289A JPH02310309A JP H02310309 A JPH02310309 A JP H02310309A JP 1129372 A JP1129372 A JP 1129372A JP 12937289 A JP12937289 A JP 12937289A JP H02310309 A JPH02310309 A JP H02310309A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/25—Process efficiency
Landscapes
- Heat Treatment Of Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、高周波通電誘導焼入方法に関し、特に長尺状
の被焼入物体の側面に焼入れを行う高周波通電誘導焼入
方法に関する。
の被焼入物体の側面に焼入れを行う高周波通電誘導焼入
方法に関する。
〈従来の技術〉
以下、第３図を参照して長尺状の被焼入物体の側面に焼
入れを行う従来の高周波通電誘導焼入方法について説明
する。第３図（ａ）は従来の高周波通電誘導焼入方法に
使用される高周波通電誘導焼入装置と被焼入物体の斜視
図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＱ−Ｑ線矢示断面図
、第３図（Ｃ）は被焼入物体が丸棒である場合の第３図
（ロ）に対応する図面である。
入れを行う従来の高周波通電誘導焼入方法について説明
する。第３図（ａ）は従来の高周波通電誘導焼入方法に
使用される高周波通電誘導焼入装置と被焼入物体の斜視
図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＱ−Ｑ線矢示断面図
、第３図（Ｃ）は被焼入物体が丸棒である場合の第３図
（ロ）に対応する図面である。
３はガイドレール等の長尺状の被焼入物体であって、こ
の被焼入物体３の側面３ｃに上に被焼入表面３ａが設定
されている。従来の高周波通電誘導焼入方法を適用する
ために使用される高周波通電誘導焼入装置は、第１導体
１と第２導体２とを有している。第１導体ｌの下端は、
被焼入表面３ａの長手方向（矢印Ａの方向）の一端に隣
接して被焼入物体３の側面３ｃに接触し、上端が高周波
電源５の一端に接続されている。第２導体２は被焼入表
面３ａに対向して配置され、一端２ａが被焼入表面３ａ
の長手方向の他端に隣接して被焼入物体３の側面３ｃに
接触し、他端２ｂが絶縁物４を介して第１導体１に固定
されているとともに、他端２ｂの上部が高周波電源５の
他端に接続されている。そして、第２導体２の両端間に
前記長手方向に平行で且つ互いに平行な二つの分路２１
．２２が形成されている。
の被焼入物体３の側面３ｃに上に被焼入表面３ａが設定
されている。従来の高周波通電誘導焼入方法を適用する
ために使用される高周波通電誘導焼入装置は、第１導体
１と第２導体２とを有している。第１導体ｌの下端は、
被焼入表面３ａの長手方向（矢印Ａの方向）の一端に隣
接して被焼入物体３の側面３ｃに接触し、上端が高周波
電源５の一端に接続されている。第２導体２は被焼入表
面３ａに対向して配置され、一端２ａが被焼入表面３ａ
の長手方向の他端に隣接して被焼入物体３の側面３ｃに
接触し、他端２ｂが絶縁物４を介して第１導体１に固定
されているとともに、他端２ｂの上部が高周波電源５の
他端に接続されている。そして、第２導体２の両端間に
前記長手方向に平行で且つ互いに平行な二つの分路２１
．２２が形成されている。
分路２１．２２はそれぞれ中空の焼入冷却液用スペース
２４を内蔵するように形成されており、これら焼入冷却
液用スペース２４には図示しない焼入冷却液供給管が接
続されている。また、分路２１．２２の底面２ｄには複
数の焼入冷却液噴射孔２ｃが形成されている。そして、
分路２１．２２の底面２ｄと被焼入表面３ａとは、所定
の距離を保つように間隙が設けられている。
２４を内蔵するように形成されており、これら焼入冷却
液用スペース２４には図示しない焼入冷却液供給管が接
続されている。また、分路２１．２２の底面２ｄには複
数の焼入冷却液噴射孔２ｃが形成されている。そして、
分路２１．２２の底面２ｄと被焼入表面３ａとは、所定
の距離を保つように間隙が設けられている。
高周波電源５からこの高周波通電誘導焼入装置に通電す
ると、高周波電流は第１導体１に入り、被焼入物体３と
第２導体２を経由して高周波電源５に帰る。即ち、被焼
入表面３ａに高周波電流が流れ、この高周波電流は第２
導体２の一端２ａを通って第２導体２に入る。第２導体
２に入った高周波電流の一部は第２導体２の底面２ｄを
流れる。この場合、被焼入表面３ａの加熱は被焼入表面
３ａに流れる高周波電流と、第２導体２の底面２ｄに流
れる高周波電流によって被焼入表面３ａに誘起される高
周波電流との二つの電流によって行われる。
ると、高周波電流は第１導体１に入り、被焼入物体３と
第２導体２を経由して高周波電源５に帰る。即ち、被焼
入表面３ａに高周波電流が流れ、この高周波電流は第２
導体２の一端２ａを通って第２導体２に入る。第２導体
２に入った高周波電流の一部は第２導体２の底面２ｄを
流れる。この場合、被焼入表面３ａの加熱は被焼入表面
３ａに流れる高周波電流と、第２導体２の底面２ｄに流
れる高周波電流によって被焼入表面３ａに誘起される高
周波電流との二つの電流によって行われる。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記の装置を使用する方法によって被焼入物体３の被焼
入表面３ａに焼入れが行われた場合の硬化層の状況は、
第３図（ｂ）と（Ｃ）に示した硬化層３ｂの断面形状よ
り明らかなように、硬化層３ｂの深さが均一になってい
ない、即ち、被焼入物体３の断面において、上部中央部
分の硬化層３ｂの深さく焼入れ深さ）の寸法りが、中央
部分以外の部分の深さよりも極めて大きくなるのみなら
ず、また、被焼入物体３が大きく歪むという問題がある
。
入表面３ａに焼入れが行われた場合の硬化層の状況は、
第３図（ｂ）と（Ｃ）に示した硬化層３ｂの断面形状よ
り明らかなように、硬化層３ｂの深さが均一になってい
ない、即ち、被焼入物体３の断面において、上部中央部
分の硬化層３ｂの深さく焼入れ深さ）の寸法りが、中央
部分以外の部分の深さよりも極めて大きくなるのみなら
ず、また、被焼入物体３が大きく歪むという問題がある
。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたものであって、長
尺状の被焼入物体の側面の被焼入表面にほぼ均一な深さ
の硬化層を形成することができ、また、被焼入表面が歪
むことを防止できる高周波通電誘導焼入方法を提供する
ことを目的としている。
尺状の被焼入物体の側面の被焼入表面にほぼ均一な深さ
の硬化層を形成することができ、また、被焼入表面が歪
むことを防止できる高周波通電誘導焼入方法を提供する
ことを目的としている。
く課題を解決するための手段〉
上記問題を解決するために、本発明の高周波通電誘導焼
入方法は、被焼入物体の一部側面の被焼入表面に焼入を
行う高周波通電誘導焼入方法において、一端が前記被焼
入表面の長手方向の一端に隣接して前記側面に接触し、
他端が高周波電源の一端に接続された第１導体と、前記
被焼入表面に対向して配置され、両端間に前記長手方向
に平行な分路を有し、一端が前記被焼入表面の長手方向
の他端に隣接して前記側面に接触し、他端が前記高周波
電源の他端に接続された第２導体と、前記分路間に設け
たコアとを有する高周波通電誘導焼入装置を用いて前記
被焼入表面に焼入れを行うとともに、前記コアと被焼入
表面間の最短距離を変化させて前記被焼入表面に形成さ
れた硬化層の深さと、前記被焼入物体の歪みをコントロ
ールする。
入方法は、被焼入物体の一部側面の被焼入表面に焼入を
行う高周波通電誘導焼入方法において、一端が前記被焼
入表面の長手方向の一端に隣接して前記側面に接触し、
他端が高周波電源の一端に接続された第１導体と、前記
被焼入表面に対向して配置され、両端間に前記長手方向
に平行な分路を有し、一端が前記被焼入表面の長手方向
の他端に隣接して前記側面に接触し、他端が前記高周波
電源の他端に接続された第２導体と、前記分路間に設け
たコアとを有する高周波通電誘導焼入装置を用いて前記
被焼入表面に焼入れを行うとともに、前記コアと被焼入
表面間の最短距離を変化させて前記被焼入表面に形成さ
れた硬化層の深さと、前記被焼入物体の歪みをコントロ
ールする。
〈作用〉
コアと被焼入表面間の最短距離を大きくすると、被焼入
物体のコアに最も近い部分の硬化層の深さが大きくなり
、コアと被焼入表面間の最短距離を小さくすると、被焼
入物体のコアに最も近い部分の硬化層の深さが小さくな
る。そして、コアと被焼入表面間の最短距離を変化する
と被焼入表面の歪みが変化する。
物体のコアに最も近い部分の硬化層の深さが大きくなり
、コアと被焼入表面間の最短距離を小さくすると、被焼
入物体のコアに最も近い部分の硬化層の深さが小さくな
る。そして、コアと被焼入表面間の最短距離を変化する
と被焼入表面の歪みが変化する。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
１図は本考案の一実施例に使用される高周波通電誘導焼
入装置を説明するための図面であって、第１図（ａ）は
この装置と被焼入物体の斜視図、第１図（ｂ）は第１図
（ａ）のＰ−Ｐ線矢示断面図、第１図（Ｃ）は第２導体
の斜視図、第１図（ｄ）はコアの斜視図、第１図（ｅ）
は被焼入物体が丸棒である場合の第１図（ロ）に対応す
る図面である。なお、従来と同様のものは同一の符号を
付している。
１図は本考案の一実施例に使用される高周波通電誘導焼
入装置を説明するための図面であって、第１図（ａ）は
この装置と被焼入物体の斜視図、第１図（ｂ）は第１図
（ａ）のＰ−Ｐ線矢示断面図、第１図（Ｃ）は第２導体
の斜視図、第１図（ｄ）はコアの斜視図、第１図（ｅ）
は被焼入物体が丸棒である場合の第１図（ロ）に対応す
る図面である。なお、従来と同様のものは同一の符号を
付している。
本実施例に使用する高周波通電誘導焼入装置は、従来の
高周波通電誘導焼入装置と以下の点のみが異なっている
ので、異なっている点のみを説明し、同様の部分の説明
は省略する。
高周波通電誘導焼入装置と以下の点のみが異なっている
ので、異なっている点のみを説明し、同様の部分の説明
は省略する。
即ち、本実施例の高周波通電誘導焼入方法を行うための
高周波通電誘導焼入装置には、第３図で説明した従来の
高周波通電誘導焼入装置に、酸化鉄粉等を焼結して形成
したコア６を取り付けたものである。即ち、第１図（Ｃ
）に示すように分路２１．２２間には開孔２３が形成さ
れており、第１図（ｄ）に示す断面はぼＴ字状のコア６
が、第１図Ｇ）に示すように、この分路２１．２２間（
開孔２３）に取り付けられている。コア６の下端から被
焼入表面３ａまでの最短距離りは、形成しようとする硬
化層３ｂの深さｈに応じて適宜に選定される。
高周波通電誘導焼入装置には、第３図で説明した従来の
高周波通電誘導焼入装置に、酸化鉄粉等を焼結して形成
したコア６を取り付けたものである。即ち、第１図（Ｃ
）に示すように分路２１．２２間には開孔２３が形成さ
れており、第１図（ｄ）に示す断面はぼＴ字状のコア６
が、第１図Ｇ）に示すように、この分路２１．２２間（
開孔２３）に取り付けられている。コア６の下端から被
焼入表面３ａまでの最短距離りは、形成しようとする硬
化層３ｂの深さｈに応じて適宜に選定される。
高周波電源５からこの高周波通電誘導焼入装置に通電す
ると、高周波電流は第１導体１に入り、被焼入物体３と
第２導体２を経由して高周波電源５に帰る。即ち、被焼
入表面３ａに高周波電流が流れ、この高周波電流は第２
導体２の一端２ａを通って第２導体２に入る。第２導体
２に入った高周波電流の一部は第２導体２の底面２ｄを
流れる。この場合、被焼入表面３ａの加熱は被焼入表面
３ａに流れる高周波電流と、第２導体２の底面２ｄに流
れる高周波電流によって被焼入表面３ａに誘起される高
周波電流との二つの電流によって行われる。
ると、高周波電流は第１導体１に入り、被焼入物体３と
第２導体２を経由して高周波電源５に帰る。即ち、被焼
入表面３ａに高周波電流が流れ、この高周波電流は第２
導体２の一端２ａを通って第２導体２に入る。第２導体
２に入った高周波電流の一部は第２導体２の底面２ｄを
流れる。この場合、被焼入表面３ａの加熱は被焼入表面
３ａに流れる高周波電流と、第２導体２の底面２ｄに流
れる高周波電流によって被焼入表面３ａに誘起される高
周波電流との二つの電流によって行われる。
被焼入表面３ａの加熱が終了すると、分路２１．２２内
の焼入冷却液用スペース２４に接続された図示しない焼
入冷却液供給管によってスペース２４内に焼入冷却液が
供給され、焼入冷却液噴射孔２ｃから被焼入表面３ａに
噴射されて焼入れが完成する。そして、被焼入表面３ａ
には、第１図ら）と（ｅ）に示すように、被焼入物体３
の断面において、上部中央部分の硬化層３ｂの深さの寸
法りと、中央部分以外の部分の深さとがほぼ等しくなる
。即ち、はぼ均一な深さを有する硬化層３ｂが形成され
る。
の焼入冷却液用スペース２４に接続された図示しない焼
入冷却液供給管によってスペース２４内に焼入冷却液が
供給され、焼入冷却液噴射孔２ｃから被焼入表面３ａに
噴射されて焼入れが完成する。そして、被焼入表面３ａ
には、第１図ら）と（ｅ）に示すように、被焼入物体３
の断面において、上部中央部分の硬化層３ｂの深さの寸
法りと、中央部分以外の部分の深さとがほぼ等しくなる
。即ち、はぼ均一な深さを有する硬化層３ｂが形成され
る。
第２図は、前記最短距離りを変化させた場合に硬化層３
ｂの深さｈが変化する状況を示すものであって、第２図
（ａ）と（Ｃ）は最短距離りを大きくすると深さｈも大
きくなり、第２図■）と（ｄ）は最短距離りを小さくす
ると深さｈも小さくなり、最短距離りを更にますと深さ
ｈは零になることを示している。
ｂの深さｈが変化する状況を示すものであって、第２図
（ａ）と（Ｃ）は最短距離りを大きくすると深さｈも大
きくなり、第２図■）と（ｄ）は最短距離りを小さくす
ると深さｈも小さくなり、最短距離りを更にますと深さ
ｈは零になることを示している。
これは、最短距離りを小さくすると磁束が主として第２
導体２の分路２１．２２に集中し、また最短距離りを大
きくすると磁束が拡散し、従って、第２図（ａ）とさ）
に示すような硬化層が形成されるものと推察される。
導体２の分路２１．２２に集中し、また最短距離りを大
きくすると磁束が拡散し、従って、第２図（ａ）とさ）
に示すような硬化層が形成されるものと推察される。
また、このように最短距離りを変化させると、焼入れ後
の歪みを変化させることができる。即ち、焼入れ長さが
約２００１の場合、焼入れ後の歪みは、従来の高周波通
電誘導焼入方法を適用した第３図ら）の被焼入物体では
、１ 、００ｍｍ以上本実施例の高周波通電誘導焼入方
法を適用した第１図（ｂ）の被焼入物体では、０．５ｍ
ｍ本実施例の高周波通電誘導焼入方法を適用した第２図
（ロ）の被焼入物体では、０．０５ｍｍであワた。但し
、何れも図上で上方の方向の歪みである。
の歪みを変化させることができる。即ち、焼入れ長さが
約２００１の場合、焼入れ後の歪みは、従来の高周波通
電誘導焼入方法を適用した第３図ら）の被焼入物体では
、１ 、００ｍｍ以上本実施例の高周波通電誘導焼入方
法を適用した第１図（ｂ）の被焼入物体では、０．５ｍ
ｍ本実施例の高周波通電誘導焼入方法を適用した第２図
（ロ）の被焼入物体では、０．０５ｍｍであワた。但し
、何れも図上で上方の方向の歪みである。
このように、コアと被焼入表面間の最短距離りを変化さ
せることによって硬化層３ｂの深さｈを変化させて、適
切な深さの硬化層を形成することができるのみらず、被
焼入物体き歪みをコントロールすることができる。
せることによって硬化層３ｂの深さｈを変化させて、適
切な深さの硬化層を形成することができるのみらず、被
焼入物体き歪みをコントロールすることができる。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明の高周波通電誘導焼入方法に
よれば、第２導体の分路間に設けたコアと被焼入表面と
の最短距離を変化させることによって、形成される硬化
層の深さを変化させたり、歪み量を変化させたりするこ
とができる。従って、この最短距離を適宜に選定するこ
とによって、硬化層の深さをコントロールし、被焼入物
体の歪みを最小にすることができる。
よれば、第２導体の分路間に設けたコアと被焼入表面と
の最短距離を変化させることによって、形成される硬化
層の深さを変化させたり、歪み量を変化させたりするこ
とができる。従って、この最短距離を適宜に選定するこ
とによって、硬化層の深さをコントロールし、被焼入物
体の歪みを最小にすることができる。
第１図は本考案の一実施例に使用される高周波通電誘導
焼入装置を説明するための図面であって、第１図（ａ）
はこの装置と被焼入物体の斜視図、第１図（ｂ）は第１
図（ａ）のＰ−Ｐ線矢示断面図、第１図（Ｃ）は第２導
体の斜視図、第１図（ｄ）はコアの斜視図、第１図（ｅ
）は被焼入物体が丸棒である場合の第１図［有］）に対
応する図面である。 第２図は、コアと被焼入表面との最短距離を変化させた
場合に硬化層の深さが変化する状況を示した被焼入物体
と高周波通電誘導焼入装置の断面図であって、第２図（
ａ）は最短距離を大きくした場合、第２図（ロ）は最短
距離を小さくした場合を示し、第２図（Ｃ）と（ｄ）は
それぞれ被焼入物体が丸棒である場合の第２図（ａ）と
ら）に対応する図面である。 第３図は従来の高周波通電誘導焼入方法を説明するため
の図面であって、第３図（ａ）は従来の高周波通電誘導
焼入方法に使用される高周波通電誘導焼入装置と被焼入
物体の斜視図、第３図（ロ）は第３図（ａ）のＱ−Ｑ線
矢示断面図、第３図（Ｃ）は被焼入物体が丸棒である場
合の第３図（ロ）に対応する図面である。 １ ・・・第１導体、２ ・・・第２導体、２ａ・・・
一端、３ ・・・被焼入物体、３ａ・・・被焼入表面、
５ ・・・高周波電源、６ ・・・コア、２１．２２・
・・分路、ｈ・・・焼入れ深さ、Ｌ・・・最短距離。
焼入装置を説明するための図面であって、第１図（ａ）
はこの装置と被焼入物体の斜視図、第１図（ｂ）は第１
図（ａ）のＰ−Ｐ線矢示断面図、第１図（Ｃ）は第２導
体の斜視図、第１図（ｄ）はコアの斜視図、第１図（ｅ
）は被焼入物体が丸棒である場合の第１図［有］）に対
応する図面である。 第２図は、コアと被焼入表面との最短距離を変化させた
場合に硬化層の深さが変化する状況を示した被焼入物体
と高周波通電誘導焼入装置の断面図であって、第２図（
ａ）は最短距離を大きくした場合、第２図（ロ）は最短
距離を小さくした場合を示し、第２図（Ｃ）と（ｄ）は
それぞれ被焼入物体が丸棒である場合の第２図（ａ）と
ら）に対応する図面である。 第３図は従来の高周波通電誘導焼入方法を説明するため
の図面であって、第３図（ａ）は従来の高周波通電誘導
焼入方法に使用される高周波通電誘導焼入装置と被焼入
物体の斜視図、第３図（ロ）は第３図（ａ）のＱ−Ｑ線
矢示断面図、第３図（Ｃ）は被焼入物体が丸棒である場
合の第３図（ロ）に対応する図面である。 １ ・・・第１導体、２ ・・・第２導体、２ａ・・・
一端、３ ・・・被焼入物体、３ａ・・・被焼入表面、
５ ・・・高周波電源、６ ・・・コア、２１．２２・
・・分路、ｈ・・・焼入れ深さ、Ｌ・・・最短距離。
Claims (1)
- （１）被焼入物体の一部側面の被焼入表面に焼入を行う
高周波通電誘導焼入方法において、一端が前記被焼入表
面の長手方向の一端に隣接して前記側面に接触し、他端
が高周波電源の一端に接続された第１導体と、前記被焼
入表面に対向して配置され、両端間に前記長手方向に平
行な分路を有し、一端が前記被焼入表面の長手方向の他
端に隣接して前記側面に接触し、他端が前記高周波電源
の他端に接続された第２導体と、前記分路間に設けたコ
アとを有する高周波通電誘導焼入装置を用いて前記被焼
入表面に焼入れを行うとともに、前記コアと被焼入表面
間の最短距離を変化させて前記被焼入表面に形成された
硬化層の深さと、前記被焼入物体の歪みをコントロール
することを特徴とする高周波通電誘導焼入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1129372A JPH02310309A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 高周波通電誘導焼入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1129372A JPH02310309A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 高周波通電誘導焼入方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02310309A true JPH02310309A (ja) | 1990-12-26 |
| JPH0569882B2 JPH0569882B2 (ja) | 1993-10-04 |
Family
ID=15007954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1129372A Granted JPH02310309A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 高周波通電誘導焼入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02310309A (ja) |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP1129372A patent/JPH02310309A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0569882B2 (ja) | 1993-10-04 |
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